JPH06101462B2

JPH06101462B2 - 過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着する方法および基板

Info

Publication number: JPH06101462B2
Application number: JP4045542A
Authority: JP
Inventors: タオ・ノク・ヌイェン; ゴットリーブ・ステファン・オーライン; ジーブ・アブラハム・ワインバーグ
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1991-04-30
Filing date: 1992-03-03
Publication date: 1994-12-12
Anticipated expiration: 2009-12-12
Also published as: US5549935A; JPH04329638A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、過フッ化炭化水素ポリ
マ膜の基板への接着性の改良に関し、特に、集積回路に
おける過フッ化炭化水素ポリマ誘電体すなわち絶縁体層
と基板の間の接着性の促進に特に有利な方法に関する。
本発明は、金属，半導体，酸化シリコン，および窒化シ
リコンのような基板への、プラズマ堆積過フッ化炭化水
素ポリマ膜間の接着性の促進に、特に適している。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】進歩
した超小型チップにおいて、ＢＥＯＬメタライゼーショ
ンと呼ばれる構造は、誘電体層によってそれぞれ分離さ
れた幾層かの金属相互接続層を使用している。現在、典
型的に使用される誘電体は、誘電率約３．９のスパッタ
された石英から構成されている。しかし、将来、チップ
内の信号遅延を減少させるために、誘電率を小さくして
金属層の静電容量を減らす必要がある。現在、石英を様
々なポリイミドで置き換える試みが盛んに行われてい
る。ポリイミドは典型的に、少なくとも約２．８の誘電
率を有している。ポリイミドは、ウェット・スピン・オ
ン技術と、これに続く上昇温度による乾燥によってチッ
プ上に設けられる。しかし、ウェット処理や、スピン・
オンおよび乾燥処理は、再現性の見地から、および揮発
性の有機溶剤を使用するので、環境的見地からあまり望
ましくない。

【０００３】ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
のようなハロゲン化ポリマ物質は、非常に低い誘電率
と、優れた化学的安定性と、溶剤または水分の低吸収性
と、優れた温度安定性のために、進歩したエレクトロニ
ック・パッケージング応用に対する魅力的な候補であ
る。しかし、相対的な化学的不活性と疎水性のために、
こうしたハロゲン化ポリマ物質は、エレクトルニック・
パッケージング構造に応用しにくい。効率的な処理技術
の欠如は、エレクトロニクス産業によるこれらの物質の
利用を妨げてきた。これらの物質の低表面エネルギー
は、他の表面への接着を不可能にするので、実際のエレ
クトロニック・パッケージングの応用に、所望の金属接
着を与えるように、効率的に克服されねばならない。

【０００４】つい最近、米国特許出願第０７／６９３，
７３６号明細書に開示されているように、集積回路内の
金属配線相互接続間の中間レベル絶縁体層として使用す
ることのできる過フッ化炭化水素ポリマ膜の製造を行う
プラズマ励起ＣＶＤ技術が提案された。しかし、この新
規な技術をもってしても、種々の基板への接着性は、完
全に満足できるものではなかった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、過フッ化炭化
水素ポリマ膜の、他の基板への接着性の問題を克服し、
過フッ化炭化水素ポリマと下層基板の間に強い結合を与
えることを可能にする。

【０００６】特に、本発明は、過フッ化炭化水素膜を基
板に接着する方法、すなわち、基板と過フッ化炭化水素
ポリマ膜との間に、シリコンまたはシリサイド中間薄層
を形成し、基板と過フッ化炭化水素ポリマ膜の間の接着
性を促進する方法を提供する。本発明の実施は、過フッ
化炭化水素膜と、接着促進物を含むシリコンとの間のシ
リコン−炭素結合の形成に依拠する。

【０００７】さらに、本発明は、基板、および、基板と
過フッ化炭化水素ポリマ膜の中間のシリコンまたはシリ
サイドの薄層を含むコーティング基板に関する。

【０００８】

【実施例】過フッ化炭化水素ポリマ膜が堆積する基板
は、好適には酸化シリコン，窒化シリコン，およびアル
ミニウム，銅，金，ニッケルのような金属を含む集積回
路を製造する際に使用する基板の１つである。さらに、
本発明の技術は、ある過フッ化炭化水素ポリマ膜と他の
過フッ化炭化水素ポリマ膜との接着を強化するのに使用
される。

【０００９】基板と、続いて設けられる過フッ化炭化水
素ポリマ膜との間の接着を強化するために、シリコンお
よびシリサイド、またはそのどちらか一方の中間層を与
える。中間層は、比較的薄く、典型的に約２〜約２０ナ
ノメートル、好適には約３〜約８ナノメートル、一番好
適には約５ナノメートルである。本発明の実施は、過フ
ッ化炭化水素ポリマ膜と、シリコンまたはシリコン化合
物接着促進物との間の、シリコン−炭素結合の形成に依
拠している。

【００１０】シリコン−炭素結合は、数多くの違った方
法で与えられる。例えば、シリコン薄層を、蒸着，スパ
ッタリング，ＣＶＤ，プラズマ励起ＣＶＤのような周知
の標準技術によって、基板上に直接堆積させることがで
きる。

【００１１】基板がシリサイドを形成できる金属である
とき、金属シリサイド薄層を基板上に形成し、接着促進
物として振る舞わせることができる。シリサイドを形成
できる金属は、チタン，タンタル，タングステン，ニオ
ブ，モリブデン，ハフニウム，コバルト，およびバナジ
ウム等があり、チタンとタンタルが望ましい。シリサイ
ド層を周知の技術で形成することができる。シリサイド
層を形成する好適な方法には、シリサイドを形成するの
に適するとされている約３００〜約９００℃の温度に熱
したり、シリコンを堆積金属と反応させるなどがある。
あるいはまた、ＣＶＤ法やスパッタリングにおけるよう
なコーデポジションを使用することができる。

【００１２】さらに、基板が、酸化シリコンまたは窒化
シリコンのようなシリコン含有物質であるとき、基板に
イオン衝撃を施し、ダングリング・シリコン結合を露出
して、シリコン中間層を形成することができる。好適な
処理では、シリコン含有化合物基板をアルゴン・スパッ
タ処理にさらす。アルゴン・プラズマ処理は、米国特許
出願第０７／６９３，７３６号明細書において開示され
た装置と同じ型の装置で実行することができる。もし望
むなら、ヘリウム，ネオン，またはキセノンのような不
活性ガスを、アルゴンの代わりに使用してもよい。前述
の米国特許出願第０７／６９３，７３６号明細書で開示
されたチャンバの内壁および電極は、過フッ化炭化水素
膜１３で前コーティングする。チャンバの内壁および電
極は、典型的に、厚さが約１〜約５ミクロンの過フッ化
炭化水素ポリマ膜１３でコーティングする。

【００１３】例えば、過フッ化炭化水素膜１３は、ガス
状の重合可能な過フッ化炭化水素をダクト５を通じてチ
ャンバに供給することにより、チャンバの内壁および電
極に形成することができる。

【００１４】ガスの供給前のチャンバは、真空カップリ
ング６を通じて排気する。ガスの流れはバルブ１５によ
って制御し、線形質量流量計１６によって測定する。

【００１５】チャンバに供給されるガス状の重合可能な
過フッ化炭化水素は、Ｃ₂Ｆ₄，Ｃ₄Ｆ₈，Ｃ₃Ｆ₈，
およびＣ₂Ｆ₆で、好適にはＣ₂Ｆ₄である。ガス状の
過フッ化炭化水素は、典型的には約２０〜約１５０ｓｃ
ｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅ
ｔｅｒｓｐｅｒｍｉｎｕｔｅ：標準立方センチメー
トル／分）、好適には約１００ｓｃｃｍという速度でチ
ャンバに供給され、これは体積約４８リットルのプラズ
マ・チャンバ内のガス状の重合可能な過フッ化炭化水素
の約０．９秒という滞留時間に相当する。ガス状過フッ
化炭化水素のチャンバへの供給の前にチャンバを排気
し、例えばターボ分子ポンプを使って少なくとも約１０
^-6ｔｏｒｒの真空にする。

【００１６】内壁および電極をコーティングする最初の
段階は、過フッ化炭化水素膜１３に過度の不純物が混入
しないように、第１の作用電極２のイオン衝撃を最小に
するような方法で実施する。これには作用電極２に供給
される約５０〜約１００ワットの無線周波数電力即ちｒ
ｆ電力を使用する。

【００１７】電力密度は、典型的には作用電極の単位表
面積あたり約０．０２〜約０．０５Ｗ／ｃｍ²である。
この段階での圧力は、典型的に約１００〜約２００ｍＴ
ｏｒｒで、より典型的には約２００ｍＴｏｒｒである。
ｒｆは、典型的には約１〜約１００ＭＨｚで、より典型
的には１３．５６ＭＨｚである。ｒｆ電力は、反射電力
を最小にするために、ＤＣ阻止コンデンサを有する整合
回路網３１を用いて作用電極に容量的に供給する。圧力
と電力の組合せは、作用電極２の自己バイアス電圧を−
５０ボルト以下へと最小にするように選択する。

【００１８】内壁および電極コーティングの最初の段階
は、通常、約５〜約１０分間行う。この後、ガス圧を好
適に減圧し、ｒｆ電力を好適に増大し、電極２の自己バ
イアス電圧を典型的に増大する。特に、内壁および電極
コーティングのこの段階では、電極２に供給するｒｆ電
力量は、約１００〜約１０００ワットの範囲にあり、好
適には約２００〜約８００ワット、一番好適なのは約２
００〜約４００ワットである。電力密度は、作用電極の
単位表面積あたり０．０５〜０．４Ｗ／ｃｍ²、より典
型的には約０．１５Ｗ／ｃｍ²である。堆積の際の圧力
は、約１０〜約１８０ｍＴｏｒｒ、好適には約２０〜約
１００ｍＴｏｒｒ、一番好適には約２６ｍＴｏｒｒに維
持する。ｒｆは典型的には約１〜約１００ＭＨｚ、より
典型的には１３．５６ＭＨｚである。ｒｆ電力は反射電
力を最小にするために、ＤＣ阻止コンデンサを有する整
合回路網３１を用いて、作用電極に容量的に供給する。
作用電極２の自己バイアス電圧は、約−５０〜約−７０
０ボルト、典型的には約−５００〜約−７００ボルトに
するべきである。内壁および電極をコーティングするこ
の段階は、通常、約３０分〜約２時間の間行う。

【００１９】チャンバの内壁および電極を過フッ化炭化
水素膜１３で前コーティングした後、過フッ化炭化水素
膜を堆積させる基板をチャンバ内の作用電極２上に設置
する。チャンバ１および第２の電極３は接地される。作
用電極２は無線周波数電源１４に容量的に接続される。
アルゴンガスは、約２０〜約１５０ｓｃｃｍ（標準立方
センチメートル／分）の流量で、好適には約１００ｓｃ
ｃｍでチャンバに供給される。アルゴン・スパッタの際
の圧力は、約１０〜約１００ｍＴｏｒｒ、好適には約１
５〜約５０ｍＴｏｒｒ、一番好適には２６ｍＴｏｒｒで
ある。加えられた無線周波数電力は、約１００〜約１０
００ワット、好適には約２００〜約６００ワット、一番
好適には約３００〜約５００ワットである。作用電極２
の自己バイアス電圧は、約−４００〜約−７００ボルト
である。暴露時間は、典型的には約５〜約３０分、好適
には１０分である。

【００２０】アルゴンガスはダクト１９および５を通じ
てガス・ソースから供給する。流量は、バルブ２０によ
って制御し、線形質量流量計２１によってモニタする。

【００２１】さらに、もし所望なら、過フッ化炭化水素
ポリマ膜でコーティングする前に、シリコン基板上に酸
化物や他の汚染物質が残らないことを保証するために、
アルゴン・スパッタ処理を用いてシリコン表面を前クリ
ーニングする。そのような場合、アルゴン・スパッタ処
理のための上記のパラメータを、クリーニングの最大時
間を典型的に約５分、好適には約１〜約３分にすること
を除いて使用する。

【００２２】過フッ化炭化水素ポリマ膜は、好適に上述
の米国特許出願第０７／６９３，７３６号明細書に開示
された技術以外の任意の方法によって形成することがで
きる。基板のアルゴン・プラズマ処理を使用するとき、
一番好適なのは、過フッ化炭化水素ポリマ膜を、続いて
すぐに、アルゴン処理に用いたのと同じ装置内の処理基
板上に堆積させることである。その場合、好適なのは、
アルゴン流入の停止後約１分〜５分の間、アルゴンと、
重合可能な過フッ化炭化水素ガスとの混合気体を流入さ
せることにより、アルゴン・プラズマ処理を停止するこ
とである。

【００２３】重合可能な過フッ化炭化水素ガスの流量
は、典型的に約２０〜約１５０ｓｃｃｍ、好適には約１
００ｓｃｃｍである。これは、４８リットルの反応容器
の場合、プラズマ・チャンバ内のガス状過フッ化炭化水
素の約０．９秒という滞留時間に相当する。典型的なガ
ス状の重合可能な過フッ化炭化水素は、Ｃ₂Ｆ₄，Ｃ₄
Ｆ₈，Ｃ₃Ｆ₈，およびＣ₂Ｆ₆であり、好適にはＣ₂
Ｆ₄である。

【００２４】過フッ化炭化水素ポリマ膜を形成する好適
な技術をより理解するために、図１を参照する。例え
ば、過フッ化炭化水素ポリマ膜のプラズマ堆積は、排気
が可能で、第１の作用電極２と第２の電極３を含むチャ
ンバ１内で実施することができる。

【００２５】作用電極２および第２の電極３は、アルミ
ニウムまたは石英から製造する。これらの電極は支持部
材と共に適切に配置される。作用電極は好適に、バイア
３０を通じて水冷する。第１の電極２は、容量的に無線
周波数電源１４に接続する。接地シールド１７は、堆積
の際、電極物質のスパッタを妨げるために、典型的に電
極から０．０２５４ｍｍ（１ミル）離す。作用電極すな
わち第１の電極２の表面積は、典型的には第２の電極３
とチャンバ１の内壁の合計表面積の１／２以下、好適に
は約１／２〜１／１０、一番好適には約１／４である。
上述の寸法を持つ真空チャンバ内では、電極は典型的に
約５．０〜約２５．４ｃｍ（約２〜約１０インチ）離
し、より典型的には約２０．３ｃｍ（約８インチ）離
す。第２の電極は接地する。約４８リットルの体積を有
する真空チャンバ内では、電極の直径は典型的に約１
５．２〜約４５．７ｃｍ（約６〜約１８インチ）、より
典型的には約３．０〜約４０．６ｃｍ（約１２〜約１６
インチ）である。膜が堆積される基板４は、作用電極２
に隣接して配置され、それに支持される。チャンバ壁お
よび電極表面は、上述の過フッ化炭化水素ポリマ膜１３
でコーティングする。これは、堆積した過フッ化炭化水
素膜が金属汚染を受けず、プラズマ・コーティングの際
の放電の電気的特性が、所望の膜特性を得るのに必要な
パラメータ内にあることを保証するすることにおいて重
要である。チャンバ壁および電極上のポリテトラフルオ
ロエチレンのような過フッ化炭化水素膜１３の厚さは、
典型的には約１〜約５ミクロン、好適には約２〜約５ミ
クロン、一番好適には約２〜約３ミクロンである。膜が
薄すぎる場合、過フッ化炭化水素膜に汚染物質が堆積す
るのを阻止することができず、堆積の際、チャンバの好
適な電気特性を、必要なパラメータ内に維持することが
できない。一方、膜が厚すぎる場合、過フッ化炭化水素
膜がチャンバ壁への接着性を失い、これが粒子汚染を引
き起こし、過フッ化炭化水素ポリマ膜内のピンホールが
堆積される。

【００２６】ガス状の重合可能な過フッ化炭化水素を、
ダクト５を通じてチャンバに供給する。ガスを供給する
前のチャンバは、真空カップリング６を通じて排気す
る。ガスの流量はバルブ１５によって制御し、線形質量
流量計１６によって測定する。

【００２７】ガス状の過フッ化炭化水素は、典型的には
流量約２０〜約１５０ｓｃｃｍ、好適には約１００ｓｃ
ｃｍでチャンバに送り込まれ、これは体積約４８リット
ルのプラズマ・チャンバ内のガス状の重合可能な過フッ
化炭化水素の約０．９秒という滞留時間に相当する。ガ
ス状過フッ化炭化水素のチャンバへの供給の前にチャン
バを排気し、例えばターボ分子ポンプを使って少なくと
も約１０^-6ｔｏｒｒの真空にする。

【００２８】作用電極２に供給されるｒｆ電力量は、約
１００〜約１０００ワットの範囲にあり、一般的には約
２００〜約８００ワット、最も一般的なのは約２００〜
約４００ワットである。電力密度は、作用電極の単位表
面積あたり０．０５〜０．４Ｗ／ｃｍ²、より典型的に
は約０．１５Ｗ／ｃｍ²である。堆積の際の圧力は、約
１０〜約１８０ｍＴｏｒｒに維持し、好適には約２０〜
約１００ｍＴｏｒｒ、一番好適には約２６ｍＴｏｒｒで
ある。ｒｆは典型的には約１〜約１００ＭＨｚ、より典
型的には１３．５６ＭＨｚである。ｒｆ電力は反射電力
を最小にするために、作用電極２に直列に接続されたＤ
Ｃ阻止コンデンサを有する整合回路網を用いて、作用電
極に容量的に供給する。作用電極２の自己バイアス電圧
は、通常、約−５０〜約−７００ボルト、より頻繁には
約−５００〜約−７００ボルトにすることが重要であ
る。チャンバの内壁および電極を前コーティングするこ
とは、作用電極で必要な自己バイアス電圧を得るのに役
立つ。種々のプロセス・パラメータの賢明な選択によっ
て、本発明のプロセスは、堆積の際にイオン化した過フ
ッ化炭化水素による強力な衝撃が生じ、過フッ化炭化水
素膜の固有の特性を得る。強力なイオン衝撃は膜のイオ
ン励起エッチングを行わせ、成長膜の揮発性のより大き
い物質を気化させる。イオン衝撃は、その結果、成長の
際に核種をその場で除去する。核種は、プラズマ中で固
有に発生し、そうでなければ成長膜に含まれていたもの
で、堆積物質の特性にマイナスの影響を与える。例え
ば、この核種は、堆積膜の温度安定性を非常に減少させ
る。個々のイオンとイオン束のエネルギー、および、そ
れによる過フッ化炭化水素膜の最終特性は、堆積の際の
圧力，電力，および自己バイアス電圧に依存する。それ
によって堆積の際に高イオン衝撃を発生する本発明の膜
は、イオン衝撃なし、または非常にわずかなイオン衝撃
で堆積した膜より、良い温度安定性を示す。

【００２９】プラズマ中のイオンと電子の移動度の相違
のため、および、作用電極が阻止コンデンサを経て効果
的に電気的に絶縁されて電源に接続されているために、
作用電極にＤＣバイアス電位が発生する。ＤＣバイアス
電位のために、作用プレート電極および基板は、プラズ
マからの陽イオンにさらされる。陽イオン衝撃は、比較
的高い密度の堆積膜を生成させる傾向にある。このよう
な高密度の膜は、大気中から酸素を捕捉しにくい。

【００３０】上述の処理によって堆積する膜は、通常、
約３０〜約５０ナノメートル／分の速さで堆積される。
堆積中の基板の温度は、普通はほぼ室温であるが、強力
なイオン衝撃は、堆積の際に基板に熱を発生する。その
ため、堆積の際の基板温度は、ほぼ室温から約１００℃
までになる。

【００３１】上述の処理によって堆積する膜は、典型的
には、約０．０１〜約５ミクロンであり、より典型的に
は約０．０２〜約５ミクロン、好適には約０．１〜約１
ミクロンである。

【００３２】これらの膜は、主にＣ−ＣＦ_x結合を示し
（膜の３３％以上）、フッ素／炭素比が約１：１〜約
３：１で、好適には約１：１〜約１．８：１である。膜
は乾燥した窒素中で少なくとも３５０℃で少なくとも３
０分間熱しても、温度的に安定（事実上膜厚に損傷を来
たさない）である。さらに、膜の誘電率は、最大約２．
５、好適には約１．９〜約２．３で、一番好適には約
１．９〜約２．２である。本発明の膜は、バルク重合に
よって得られる線状膜に比べて、堅固な架橋結合であ
る。

【００３３】上述の処理は、基板と過フッ化炭化水素ポ
リマ膜との間に強い結合を形成する。

【００３４】種々の基板と過フッ化炭化水素ポリマとの
間に強い結合を形成する他の方法は、米国特許出願第０
７／６９３，７３４号明細書に開示されている。

【００３５】本発明をさらに説明するために、次に例を
挙げる。

【００３６】例１標準型直径約１２．７ｃｍ（５イン
チ）のシリコン・ウェハ上の厚さ約０．１ミクロンの窒
化シリコン基板を、上述の型のステンレス鋼真空チャン
バ内の約４０．６ｃｍ（１６インチ）のアルミニウム作
用電極上に設置する。真空チャンバの体積は、約４８リ
ットルである。真空チャンバの内壁および電極を、厚さ
約３ミクロンのポリテトラフルオロエチレン膜でコーテ
ィングする。反射電力を最小にするために、作用電極を
水冷し、整合回路網を用いて１３．５６ＭＨｚの無線周
波数電源に容量的に接続する。チャンバを、ターボ分子
ポンプを用いて排気し、少なくとも１０^-6の真空にす
る。

【００３７】流量約１００ｓｃｃｍのアルゴンガスをチ
ャンバに供給し、約４００ワットのｒｆ電力を作用電極
に加える。チャンバ内の圧力は、約２６ｍＴｏｒｒにす
る。窒化シリコンの表面でダングリング・シリコン結合
を露出するアルゴンガス処理を約１０分間続ける。

【００３８】アルゴン処理は、アルゴン処理に用いたと
同じ条件下で、１分当たり１００ｓｃｃｍの速度のＣ₂
Ｆ₄ガスを、アルゴンガスと共に流入させて停止する。
このアルゴンガスと過フッ化炭化水素ガスの重複供給
は、結合を強化するのに必要な所望のシリコン−炭素結
合を生成する効率的かつ効果的な究極の方法を提供す
る。Ｃ₂Ｆ₄の供給を上記の条件で約２０分間続ける
と、約０．６ミクロンの厚さの過フッ化炭化水素ポリマ
膜が形成される。この形成されたシリコン層の厚さは、
約５ナノメートルである。

【００３９】基板に対する過フッ化炭化水素膜の接着結
合の強度は、接着テープ検査を用い、まず接着テープを
基板上の過フッ化炭化水素膜に接着させ、次に接着テー
プをはがして、過フッ化炭化水素膜が基板から剥離除去
されるかを試みることにより、質的に決定する。本実施
例によって堆積した過フッ化炭化水素膜は、典型的な接
着テープ検査によっても、剥離除去されなかったので、
本発明により強い接着結合が得られたことが確認でき
た。

【００４０】一方、アルゴン処理ステップ以外は本実施
例で使用したと同じ処理を行うことによって得られた過
フッ化炭化水素膜は、上述の接着テープ検査により基板
から剥離され、この場合の過フッ化炭化水素膜は、下層
窒化シリコン基板よりも接着テープの方により強く接着
することがわかる。

【００４１】

【発明の効果】本発明は、過フッ化炭化水素ポリマ膜
の、他の基板への接着性の問題を克服し、過フッ化炭化
水素ポリマと下層基板の間に強い結合を与えることを可
能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の処理を実施するのに適した装置の略図
である。

【符号の説明】

１真空チャンバ２第１の作用電極３第２の電極５ダクト６真空カップリング１３過フッ化炭化水素ポリマ膜１４ｒｆ電源１５バルブ１６線形質量流量計１７接地シールド３０バイア３１整合回路網

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ゴットリーブ・ステファン・オーラインアメリカ合衆国ニューヨーク州ヨークタウンハイツリッジストリート 2614 (72)発明者ジーブ・アブラハム・ワインバーグアメリカ合衆国ニューヨーク州ホワイトプレーンズサウンドビューサークル 10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と過フッ化炭化水素ポリマ膜との間の
接着性を促進するために、前記基板と前記過フッ化炭化
水素ポリマ膜との間に、シリコンまたはシリサイド中間
薄層を設ける、過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着
する方法。
【請求項２】シリコンまたはシリサイド層の最大厚さが
約５０ナノメートルである、請求項１記載の過フッ化炭
化水素ポリマ膜を基板に接着する方法。
【請求項３】前記基板がシリコン含有化合物、またはシ
リサイド生成金属である、請求項１記載の過フッ化炭化
水素ポリマ膜を基板に接着する方法。
【請求項４】前記基板がシリサイドを生成することので
きる金属であり、前記中間薄層がシリサイドである、請
求項１記載の過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着す
る方法。
【請求項５】前記基板をシリコン含有化合物とし、シリ
コン薄層を基板のイオン衝撃によって形成する、請求項
１記載の過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着する方
法。
【請求項６】基板、および、基板と過フッ化炭化水素ポ
リマ膜の中間にシリコンまたはシリサイドの薄層を有す
る基板。
【請求項７】前記基板が、シリコン含有化合物またはシ
リサイド生成金属である、請求項６記載の基板。