JPH06102225A - 一酸化炭素選択的センサー - Google Patents
一酸化炭素選択的センサーInfo
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- JPH06102225A JPH06102225A JP5162474A JP16247493A JPH06102225A JP H06102225 A JPH06102225 A JP H06102225A JP 5162474 A JP5162474 A JP 5162474A JP 16247493 A JP16247493 A JP 16247493A JP H06102225 A JPH06102225 A JP H06102225A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 還元性ガス混合物中の一酸化炭素を選択的に
検出するセンサーを提供する。 【構成】 （イ） 一般式 【化１】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（ロ） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサー。
検出するセンサーを提供する。 【構成】 （イ） 一般式 【化１】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（ロ） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサー。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に一酸化炭素選択的
センサーに関する。より詳しくは、本発明は還元性ガス
混合物中の一酸化炭素を選択的に検出するセンサー材料
を指向する。
センサーに関する。より詳しくは、本発明は還元性ガス
混合物中の一酸化炭素を選択的に検出するセンサー材料
を指向する。
【０００２】
【従来の技術】一酸化炭素を他の気体、特に他の還元性
ガスの存在下で選択的に検出し得る簡素で高価でないセ
ンサーは、内燃機関の排出ガスの放出の制御、そして他
の衛生及び安全への応用に必要とされている。金属酸化
物抵抗測定方式のセンサー及び熱量測定方式のセンサー
が、現在一酸化炭素の検出に有効である。しかし、これ
らのセンサーは他の還元性ガスに関しては非選択的であ
る。この制約によって、これらの種類のセンサーの自動
車のエンジンへ適用は、厳しく制限されてしまう。なぜ
ならば、このようなエンジンからの排出ガスは、多種の
炭化水素及び他の妨害種を一酸化炭素と共に含んでいる
からである。
ガスの存在下で選択的に検出し得る簡素で高価でないセ
ンサーは、内燃機関の排出ガスの放出の制御、そして他
の衛生及び安全への応用に必要とされている。金属酸化
物抵抗測定方式のセンサー及び熱量測定方式のセンサー
が、現在一酸化炭素の検出に有効である。しかし、これ
らのセンサーは他の還元性ガスに関しては非選択的であ
る。この制約によって、これらの種類のセンサーの自動
車のエンジンへ適用は、厳しく制限されてしまう。なぜ
ならば、このようなエンジンからの排出ガスは、多種の
炭化水素及び他の妨害種を一酸化炭素と共に含んでいる
からである。
【０００３】多くの金属酸化物センサーの導電率は、そ
れらの表面での気体の吸着若しくは反応により変化し得
ることが良く知られている。この特性がそのような気体
の検出の目的に用いられることがある。従って、特定の
気体、若しくは装置が感知する気体を含む雰囲気に曝さ
れた表面を持つ金属酸化物を含むガスセンサーが製造さ
れ得る。このセンサーは典型的には、金属酸化物と電気
的につながった間隔をとって成る一対の電極を含む。一
定の電圧を加えたときに電極間に流れる電流の大きさは
金属酸化物の導電率に応じて変化する。この様な装置は
典型的には特定の温度範囲及び特定の検出ガス濃度範囲
で稼働し得る。
れらの表面での気体の吸着若しくは反応により変化し得
ることが良く知られている。この特性がそのような気体
の検出の目的に用いられることがある。従って、特定の
気体、若しくは装置が感知する気体を含む雰囲気に曝さ
れた表面を持つ金属酸化物を含むガスセンサーが製造さ
れ得る。このセンサーは典型的には、金属酸化物と電気
的につながった間隔をとって成る一対の電極を含む。一
定の電圧を加えたときに電極間に流れる電流の大きさは
金属酸化物の導電率に応じて変化する。この様な装置は
典型的には特定の温度範囲及び特定の検出ガス濃度範囲
で稼働し得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ヤンノポーロス（Ｙａ
ｎｎｏｐｏｕｌｏｓ）に対する米国特許第４，５８７，
１０４号明細書は、還元性ガス混合物中に含まれる一酸
化炭素及び水素の量を検出して測定する装置を開示して
いる。この装置は二本の白金線電極を持つ、モリブデン
酸ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＭｏＯ3 ）ベースの半導体
酸化物素子を含む。この装置の導電率は還元性ガス混合
物中の一酸化炭素及び水素濃度に応じて変化する。しか
しこの装置は一酸化炭素のみに選択的であることはな
い。
ｎｎｏｐｏｕｌｏｓ）に対する米国特許第４，５８７，
１０４号明細書は、還元性ガス混合物中に含まれる一酸
化炭素及び水素の量を検出して測定する装置を開示して
いる。この装置は二本の白金線電極を持つ、モリブデン
酸ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＭｏＯ3 ）ベースの半導体
酸化物素子を含む。この装置の導電率は還元性ガス混合
物中の一酸化炭素及び水素濃度に応じて変化する。しか
しこの装置は一酸化炭素のみに選択的であることはな
い。
【０００５】一酸化炭素に対し選択的なセンサーを製造
することが望ましい。望ましいセンサーは付加的に広範
囲の一酸化炭素濃度及び温度に対し使用される。
することが望ましい。望ましいセンサーは付加的に広範
囲の一酸化炭素濃度及び温度に対し使用される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、驚くべ
きことに一酸化炭素の存在を検出する装置を発見した。
この装置は、（イ） 一般式
きことに一酸化炭素の存在を検出する装置を発見した。
この装置は、（イ） 一般式
【化３】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（ロ） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む。
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（ロ） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む。
【０００７】更に、気体混合物中の一酸化炭素濃度の新
規な測定方法を発見した。この方法は、 （イ） （１） 一般式
規な測定方法を発見した。この方法は、 （イ） （１） 一般式
【化４】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（２） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサーを与え、 （ロ） このセンサーを一酸化炭素を含む雰囲気に曝
し、かつ （ハ） 電極間の電流を測定する、段階を含む。
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（２） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサーを与え、 （ロ） このセンサーを一酸化炭素を含む雰囲気に曝
し、かつ （ハ） 電極間の電流を測定する、段階を含む。
【０００８】本発明の一酸化炭素センサーは内燃排出ガ
ス流中の一酸化炭素濃度の監視し、燃焼過程をより効率
的に制御するためのフィードバックを与えるのに特に有
用である。
ス流中の一酸化炭素濃度の監視し、燃焼過程をより効率
的に制御するためのフィードバックを与えるのに特に有
用である。
【０００９】本発明は水素、プロパン、メタン等の還元
性種を含む他の気体の存在下に於いて、一酸化炭素を選
択的に検出し測定することができるセンサー、及びこの
新規なセンサーを用いて一酸化炭素濃度を測定する方法
を指向する。このセンサーは高い温度で一酸化炭素に曝
した結果、導電率が変化する金属酸化物材料に基づく。
一酸化炭素濃度が上昇すると、この新規金属酸化物セン
サーの導電率が低下する。この金属酸化物は、一酸化炭
素含有雰囲気から離すと元の標準導電率に戻る。それに
よると、ここで含まれる導電率変化過程は可逆であるこ
とを示唆する。
性種を含む他の気体の存在下に於いて、一酸化炭素を選
択的に検出し測定することができるセンサー、及びこの
新規なセンサーを用いて一酸化炭素濃度を測定する方法
を指向する。このセンサーは高い温度で一酸化炭素に曝
した結果、導電率が変化する金属酸化物材料に基づく。
一酸化炭素濃度が上昇すると、この新規金属酸化物セン
サーの導電率が低下する。この金属酸化物は、一酸化炭
素含有雰囲気から離すと元の標準導電率に戻る。それに
よると、ここで含まれる導電率変化過程は可逆であるこ
とを示唆する。
【００１０】センサー素子を構成する材料は一般式
【化５】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物である。好ましい無置換金属酸化物はＢｉ2 Ｓｒ
2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 である。好ましい置換ＢＳＣＣＯは
鉛、スズ及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金
属イオンを含む。
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物である。好ましい無置換金属酸化物はＢｉ2 Ｓｒ
2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 である。好ましい置換ＢＳＣＣＯは
鉛、スズ及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金
属イオンを含む。
【００１１】本発明の一酸化炭素センサーを製造するの
に有用な金属酸化物は、一般に”ＢＳＣＣＯ”という用
語で表される超伝導材料として当業者に周知である。こ
のＢＳＣＣＯ系は数種の性質の異なる相、そしてそれら
の置換された異体を持つ。例えば、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2
Ｃｕ3 Ｏ10が約１１０Ｋ未満で超伝導体になるが、Ｂｉ
2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 は約８５ＫのＴｃを持つ周知の
超伝導材料である。ビスマスイオンのいくつかを鉛で置
換してＢｉ2-x Ｐｂx Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10（式中、
ｘは０より大きく約０．５まで）を形成することも周知
である。しかしながら、種々の置換、若しくは無置換の
ＢＳＣＣＯ系の実際の構造について、現在も相当量の不
明確な事柄が存在することを心に留めておかなけらばな
らない。
に有用な金属酸化物は、一般に”ＢＳＣＣＯ”という用
語で表される超伝導材料として当業者に周知である。こ
のＢＳＣＣＯ系は数種の性質の異なる相、そしてそれら
の置換された異体を持つ。例えば、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2
Ｃｕ3 Ｏ10が約１１０Ｋ未満で超伝導体になるが、Ｂｉ
2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 は約８５ＫのＴｃを持つ周知の
超伝導材料である。ビスマスイオンのいくつかを鉛で置
換してＢｉ2-x Ｐｂx Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10（式中、
ｘは０より大きく約０．５まで）を形成することも周知
である。しかしながら、種々の置換、若しくは無置換の
ＢＳＣＣＯ系の実際の構造について、現在も相当量の不
明確な事柄が存在することを心に留めておかなけらばな
らない。
【００１２】ＢＳＣＣＯが一酸化炭素センサーの役割を
果たす機構について特定の理論に束縛されるように望ま
ないが、その機構は還元性ガス用センサーとしての酸化
スズの作用に類似していると考えられている。酸化スズ
はｎ型半導体金属酸化物である。酸化スズを空気中に曝
すと、固体の伝導バンドから電子を奪って、酸素が負の
電荷を帯びた種としてその表面に吸着される。還元性ガ
スが空気中に存在しないときは、一定の濃度の負の電荷
を帯びた酸素種は酸化スズ表面に存在し、固体内の電子
の濃度は一定の値ｎ0 に達する。対照的に、還元性分子
が酸化スズ素子に接触している空気と共に存在するとき
は、この還元性分子は吸着された表面酸素に相互作用を
及ぼし、これら吸着酸素種のいくつかを脱離し、会合し
ていた電子を固体酸化スズの伝導バンドに返還する。還
元条件の定常状態では、素子中の電子の濃度ｎはｎ0 よ
り大きくなり、電気抵抗が低くなる。これは導電率がよ
り大きくなるからか、粒間抵抗が小さくなるからかのど
ちらかである。
果たす機構について特定の理論に束縛されるように望ま
ないが、その機構は還元性ガス用センサーとしての酸化
スズの作用に類似していると考えられている。酸化スズ
はｎ型半導体金属酸化物である。酸化スズを空気中に曝
すと、固体の伝導バンドから電子を奪って、酸素が負の
電荷を帯びた種としてその表面に吸着される。還元性ガ
スが空気中に存在しないときは、一定の濃度の負の電荷
を帯びた酸素種は酸化スズ表面に存在し、固体内の電子
の濃度は一定の値ｎ0 に達する。対照的に、還元性分子
が酸化スズ素子に接触している空気と共に存在するとき
は、この還元性分子は吸着された表面酸素に相互作用を
及ぼし、これら吸着酸素種のいくつかを脱離し、会合し
ていた電子を固体酸化スズの伝導バンドに返還する。還
元条件の定常状態では、素子中の電子の濃度ｎはｎ0 よ
り大きくなり、電気抵抗が低くなる。これは導電率がよ
り大きくなるからか、粒間抵抗が小さくなるからかのど
ちらかである。
【００１３】ＢＳＣＣＯも同様に機能するものと考えら
れる。ＢＳＣＣＯはｐ型金属酸化物であり、金属性若し
くは半導電性で、そこにおいて電荷の坦体は電子の代わ
りに正孔である。ＢＳＣＣＯが空気中に曝されたとき、
酸素はＢＳＣＣＯの共有結合から電子を奪い、負に帯電
した種として吸着され、素子中に平衡正孔濃度ｐ0 を形
成すると理論化される。対照的に、一酸化炭素がＢＳＣ
ＣＯに接触した空気と共に存在するときには、一酸化炭
素（そして、よりせまい範囲では、他の還元性分子）は
吸着された表面酸素に相互作用を及ぼし、この酸素種の
いくつかを脱離し、会合していた電子をＢＳＣＣＯ素子
の共有結合に返還する。これにより素子中の正孔の濃度
が低下する。還元条件の定常状態では、素子中の正孔の
濃度ｐはｐ0 より小さくなり、ＢＳＣＣＯ素子の電気抵
抗が高くなる。他の還元性ガスに比較して、一酸化炭素
に対するＢＳＣＣＯの選択的特性の機構は、しかしなが
ら、理解されていない。
れる。ＢＳＣＣＯはｐ型金属酸化物であり、金属性若し
くは半導電性で、そこにおいて電荷の坦体は電子の代わ
りに正孔である。ＢＳＣＣＯが空気中に曝されたとき、
酸素はＢＳＣＣＯの共有結合から電子を奪い、負に帯電
した種として吸着され、素子中に平衡正孔濃度ｐ0 を形
成すると理論化される。対照的に、一酸化炭素がＢＳＣ
ＣＯに接触した空気と共に存在するときには、一酸化炭
素（そして、よりせまい範囲では、他の還元性分子）は
吸着された表面酸素に相互作用を及ぼし、この酸素種の
いくつかを脱離し、会合していた電子をＢＳＣＣＯ素子
の共有結合に返還する。これにより素子中の正孔の濃度
が低下する。還元条件の定常状態では、素子中の正孔の
濃度ｐはｐ0 より小さくなり、ＢＳＣＣＯ素子の電気抵
抗が高くなる。他の還元性ガスに比較して、一酸化炭素
に対するＢＳＣＣＯの選択的特性の機構は、しかしなが
ら、理解されていない。
【００１４】本発明の金属酸化物は従来の方法によりセ
ンサー素子を形成し得る。一般的には、二成分の適当な
元素の酸化物若しくは炭酸化物の粉体をはじめに混ぜ合
わせる。例えば、Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣ
Ｏ3 ，ＣｕＯおよびＰｂＯ，ＳｎＯ2 若しくはＳｉＯ2
の様な任意の化合物を混ぜ合わせて、無置換若しくは置
換されたＢＳＣＣＯ調製用前駆粉体とする。そして、こ
の粉末前駆物質を約７５０℃から約９００℃の温度で数
時間か焼する。か焼した後、生成物をさらに熱処理を受
ける微粉末に粉砕する。そして、反応が完結した粉体を
約８００℃から約９００℃の範囲の温度で約３００時間
までの時間焼結し、金属酸化物素子を形成する。
ンサー素子を形成し得る。一般的には、二成分の適当な
元素の酸化物若しくは炭酸化物の粉体をはじめに混ぜ合
わせる。例えば、Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣ
Ｏ3 ，ＣｕＯおよびＰｂＯ，ＳｎＯ2 若しくはＳｉＯ2
の様な任意の化合物を混ぜ合わせて、無置換若しくは置
換されたＢＳＣＣＯ調製用前駆粉体とする。そして、こ
の粉末前駆物質を約７５０℃から約９００℃の温度で数
時間か焼する。か焼した後、生成物をさらに熱処理を受
ける微粉末に粉砕する。そして、反応が完結した粉体を
約８００℃から約９００℃の範囲の温度で約３００時間
までの時間焼結し、金属酸化物素子を形成する。
【００１５】若しくは、未反応の前駆粉体を加熱圧搾し
てペレットを形成しても良く、このペレットは、磁力増
強ｒｆ三極スパッタリング工程でのターゲットとして、
無置換若しくは置換ＢＳＣＣＯ薄膜素子をＭｇＯの様な
基体上に製造するのに使用される。
てペレットを形成しても良く、このペレットは、磁力増
強ｒｆ三極スパッタリング工程でのターゲットとして、
無置換若しくは置換ＢＳＣＣＯ薄膜素子をＭｇＯの様な
基体上に製造するのに使用される。
【００１６】置換及び無置換ＢＳＣＣＯバルク及び薄膜
素子の製造方法は、Ｒ．Ｅ．ソルティス（Ｓｏｌｔｉ
ｓ）らの「ＲＦ三極スパッタリングにより製造したＢｉ
ＳｒＣａＣｕＯ薄膜の特性」（”Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
Ｏｆ ＢｉＳｒＣａＣｕＯＦｉｌｍｓ Ｐｒｅｐａｒ
ｅｄ ｂｙ ＲＦ Ｔｒｉｏｄｅ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇ”， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ． １６２−１６４（１９
８９） ６４９−６５０， Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ．Ｖ．，Ｎｏｒｔ
ｈ Ｈｏｌｌａｎｄ）及びストロム（Ｓｔｒｏｍ）らに
対する米国特許第５，０８７，６０７号明細書により詳
しく開示されており、それらの全ては、引用により全て
の内容をここに取り入れている。
素子の製造方法は、Ｒ．Ｅ．ソルティス（Ｓｏｌｔｉ
ｓ）らの「ＲＦ三極スパッタリングにより製造したＢｉ
ＳｒＣａＣｕＯ薄膜の特性」（”Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
Ｏｆ ＢｉＳｒＣａＣｕＯＦｉｌｍｓ Ｐｒｅｐａｒ
ｅｄ ｂｙ ＲＦ Ｔｒｉｏｄｅ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇ”， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ． １６２−１６４（１９
８９） ６４９−６５０， Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ．Ｖ．，Ｎｏｒｔ
ｈ Ｈｏｌｌａｎｄ）及びストロム（Ｓｔｒｏｍ）らに
対する米国特許第５，０８７，６０７号明細書により詳
しく開示されており、それらの全ては、引用により全て
の内容をここに取り入れている。
【００１７】ここで上記に記載されているＢＳＣＣＯの
製造方法は、本発明の実施への最も広範囲の適用に関し
て一般に開示されている。時にはここで記載された方法
は開示された範囲に含まれるそれぞれの化合物に適用さ
れないこともある。この様なことが起こる化合物を当業
者は直ちに認識するであろう。そのような全ての場合に
は、例えば、代替の慣用化学試剤に替える、反応条件に
慣用の改良をする、等の当業者に知られている慣用の改
良により、若しくは、他の慣用の方法を本発明の実施に
適用したＢＳＣＣＯを製造する別の方法により合成する
ことができる。
製造方法は、本発明の実施への最も広範囲の適用に関し
て一般に開示されている。時にはここで記載された方法
は開示された範囲に含まれるそれぞれの化合物に適用さ
れないこともある。この様なことが起こる化合物を当業
者は直ちに認識するであろう。そのような全ての場合に
は、例えば、代替の慣用化学試剤に替える、反応条件に
慣用の改良をする、等の当業者に知られている慣用の改
良により、若しくは、他の慣用の方法を本発明の実施に
適用したＢＳＣＣＯを製造する別の方法により合成する
ことができる。
【００１８】一対の間隔をとって成る電極は慣用の技術
で金属酸化物素子にとりつけられる。電極は電流を通す
ときに用いられることが知られている、例えば白金線の
ような素材を原料とする。電極は都合良くは最後の焼結
過程の間で粉体混合物の中に電極を固定することにより
バルク金属酸化物素子にとりつけられる。若しくは、こ
れらの電極は、電極を薄膜基体上に置き、しかる後、そ
の上に金属酸化物薄膜をデポジットする事により薄膜素
子にとりつけられる。これらの電極は金属酸化物素子と
電気的につながっているので、電流は一方の電極を通
り、そして素子を通り、最後にもう一方の電極を通るこ
とができる。本発明によって製造された一酸化炭素を含
む雰囲気に曝される金属酸化物素子は、大きな表面積を
持つ。
で金属酸化物素子にとりつけられる。電極は電流を通す
ときに用いられることが知られている、例えば白金線の
ような素材を原料とする。電極は都合良くは最後の焼結
過程の間で粉体混合物の中に電極を固定することにより
バルク金属酸化物素子にとりつけられる。若しくは、こ
れらの電極は、電極を薄膜基体上に置き、しかる後、そ
の上に金属酸化物薄膜をデポジットする事により薄膜素
子にとりつけられる。これらの電極は金属酸化物素子と
電気的につながっているので、電流は一方の電極を通
り、そして素子を通り、最後にもう一方の電極を通るこ
とができる。本発明によって製造された一酸化炭素を含
む雰囲気に曝される金属酸化物素子は、大きな表面積を
持つ。
【００１９】本発明に係わる気体混合物中の一酸化炭素
濃度の測定方法は、このセンサーを気体混合物に曝し、
電極間の電流を測定することを含む。導電率は気体混合
物中の一酸化炭素濃度に応じて変わる。この素子の導電
率は、一酸化炭素濃度が０の時の標準値から、一酸化炭
素濃度が高いときの低い値へと減少する。
濃度の測定方法は、このセンサーを気体混合物に曝し、
電極間の電流を測定することを含む。導電率は気体混合
物中の一酸化炭素濃度に応じて変わる。この素子の導電
率は、一酸化炭素濃度が０の時の標準値から、一酸化炭
素濃度が高いときの低い値へと減少する。
【００２０】測定するときには、このセンサー電極は、
このセンサー電極に電流を通すのに適したこのセンサー
素子の導電率を測定する手段を含む慣用の電気回路に接
続される。一酸化炭素濃度の変化によって起きる金属酸
化物素子の導電率の変化による、この電流のどのような
変化も検出され、必要ならば測定される。
このセンサー電極に電流を通すのに適したこのセンサー
素子の導電率を測定する手段を含む慣用の電気回路に接
続される。一酸化炭素濃度の変化によって起きる金属酸
化物素子の導電率の変化による、この電流のどのような
変化も検出され、必要ならば測定される。
【００２１】この発明の特徴と考えられる新規な特性
は、添付の特許請求の範囲に詳細に記載した。しかし、
この発明は、添付の図面を同時にみて詳細な態様の記述
を参考にすると最もよく理解されるであろう。
は、添付の特許請求の範囲に詳細に記載した。しかし、
この発明は、添付の図面を同時にみて詳細な態様の記述
を参考にすると最もよく理解されるであろう。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の金属酸化物センサーの相対感
度を示す。このセンサーは他の慣用の還元性ガスに比較
して一酸化炭素選択的である。図２は種々の温度での本
発明の金属酸化物センサーの感度を示す。この発明のセ
ンサーが衛生及び安全への配慮のために住宅用の炉、若
しくは工業用ボイラーからの燃焼排出ガスを監視するの
に、又は改良されたエンジンフィードバック制御のため
に内燃機関排気ガスを監視するのに特に有用であること
が当業者には直ちに明らかになろう。この発明のセンサ
ーは約２００℃から約６５０℃の広い領域の温度ではた
らく。好ましくは、このセンサーは約３００℃から約４
５０℃の範囲の温度で一酸化炭素を測定するのに用いら
れる。さらに、この発明の装置がはたらく一酸化炭素濃
度の有効な範囲は、０から約６５％迄大幅に変わる。好
ましくは、このセンサーは一酸化炭素の濃度が０から約
５％の時に最も感度がよい。
度を示す。このセンサーは他の慣用の還元性ガスに比較
して一酸化炭素選択的である。図２は種々の温度での本
発明の金属酸化物センサーの感度を示す。この発明のセ
ンサーが衛生及び安全への配慮のために住宅用の炉、若
しくは工業用ボイラーからの燃焼排出ガスを監視するの
に、又は改良されたエンジンフィードバック制御のため
に内燃機関排気ガスを監視するのに特に有用であること
が当業者には直ちに明らかになろう。この発明のセンサ
ーは約２００℃から約６５０℃の広い領域の温度ではた
らく。好ましくは、このセンサーは約３００℃から約４
５０℃の範囲の温度で一酸化炭素を測定するのに用いら
れる。さらに、この発明の装置がはたらく一酸化炭素濃
度の有効な範囲は、０から約６５％迄大幅に変わる。好
ましくは、このセンサーは一酸化炭素の濃度が０から約
５％の時に最も感度がよい。
【００２３】ここに挙げた反応物及び／又は反応条件の
代わりに、一般的に若しくは特定的に記載される反応物
及び／又は反応条件を使用すれば、ここに記載した結果
がうまく繰り返されるだろう。前述の記載から、当業者
は容易に本発明の本質的特徴を確かめることができ、そ
して、その精神と範囲からはずれないで、種々の使用法
や条件に適合させるために、この発明において種々の変
化や修飾を行うことができる。
代わりに、一般的に若しくは特定的に記載される反応物
及び／又は反応条件を使用すれば、ここに記載した結果
がうまく繰り返されるだろう。前述の記載から、当業者
は容易に本発明の本質的特徴を確かめることができ、そ
して、その精神と範囲からはずれないで、種々の使用法
や条件に適合させるために、この発明において種々の変
化や修飾を行うことができる。
【図１】種々の気体に対するこの発明のセンサーの相対
感度を示すグラフ。
感度を示すグラフ。
【図２】種々の温度に於けるこの発明のセンサーの一酸
化炭素感度を示すグラフ。
化炭素感度を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤコブス エィチ．ビサー アメリカ合衆国ミシガン州ベレビュー，ナ ンバー 724，エス．ベルリッジ ドライ ブ 41611
Claims (8)
- 【請求項１】 （イ） 一般式 【化１】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（ロ） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサー。 - 【請求項２】 Ｍが鉛、スズ及びそれらの混合物からな
る群より選ばれる金属イオンである、請求項１に記載の
一酸化炭素センサー。 - 【請求項３】 半導体金属酸化物がＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣ
ｕ2 Ｏ8 である請求項１に記載の一酸化炭素センサー。 - 【請求項４】 （イ） （１） 一般式 【化２】 （式中、Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズ、アンチモ
ン、鉛、ビスマス及びそれらの混合物から成る群より選
ばれる金属イオンであり、Ｍ’はストロンチウム、バリ
ウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれる金属イ
オンであり、ａは約１．５から約２であり、ｂは０から
約０．５であり、ｃは約１から約２であり、ｄは０から
約２であり、ｅは０から約０．５であり、ｆは約１から
約３であり、ｇは約６から約１２である。）を持つ金属
酸化物素子、及び（２） この金属酸化物素子と電気的
につながった、間隔をとって成る一対の電極、を含む一
酸化炭素センサーを与え、 （ロ） このセンサーを一酸化炭素を含む雰囲気に曝
し、かつ （ハ） 電極間の電流を測定する、段階を含む一酸化炭
素の検出方法。 - 【請求項５】 Ｍが鉛、スズ及びそれらの混合物からな
る群より選ばれる金属イオンである、請求項４に記載の
一酸化炭素の検出方法。 - 【請求項６】 半導体金属酸化物がＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣ
ｕ2 Ｏ8 である請求項４に記載の一酸化炭素の検出方
法。 - 【請求項７】 一酸化炭素センサーを含む様式の一酸化
炭素を検出する装置において、該センサーが請求項１に
記載のセンサーである上記装置。 - 【請求項８】 内燃機関およびこの内燃機関からの排出
ガス中の一酸化炭素を検出するセンサーを含む様式の自
動車において、該センサーが請求項１に記載のセンサー
である上記自動車。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US91931292A | 1992-07-27 | 1992-07-27 | |
| US919312 | 1992-07-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102225A true JPH06102225A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=25441872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5162474A Pending JPH06102225A (ja) | 1992-07-27 | 1993-06-30 | 一酸化炭素選択的センサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362651A (ja) |
| JP (1) | JPH06102225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1073553A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-03-17 | Osaka Gas Co Ltd | 一酸化炭素検出センサー |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764150A (en) * | 1996-04-10 | 1998-06-09 | Fleury; Byron | Gas alarm |
| EP0816844A3 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-28 | Osaka Gas Co., Ltd. | Carbon monoxide sensor |
| DE19701418A1 (de) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | Univ Ilmenau | Sensitive Schicht für den Einsatz in Halbleiter-Gassensoren |
| US20090101501A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Tao Xiao-Ming | Room temperature gas sensors |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3970431A (en) * | 1974-01-23 | 1976-07-20 | Stanford Research Institute | Carbon monoxide gas detector |
| JPS5367495A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Hitachi Ltd | Oxygen concentration detector |
| JPS53143298A (en) * | 1977-05-19 | 1978-12-13 | Nohmi Bosai Kogyo Co Ltd | Carbon monoxide sensor element |
| JPS5690256A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nippon Denso Co Ltd | Oxygen density detector for exhaust gas of automobile |
| JPS56153246A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Shinkosumosu Denki Kk | Detecting element for carbon monoxide gas |
| US4397888A (en) * | 1981-01-14 | 1983-08-09 | Westinghouse Electric Corp. | Thick film sensor for hydrogen and carbon monoxide |
| JPS58102142A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-17 | Toshiba Corp | 一酸化炭素検出素子 |
| DE3377738D1 (en) * | 1982-08-27 | 1988-09-22 | Toshiba Kk | Co gas detecting device and circuit for driving the same |
| JPS5990633A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-25 | Nitto Chem Ind Co Ltd | アンチモン含有金属酸化物触媒の製造法または活性化法 |
| JPS59119249A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Nohmi Bosai Kogyo Co Ltd | 一酸化炭素の検出素子とその製造方法 |
| US4587104A (en) * | 1983-12-21 | 1986-05-06 | Westinghouse Electric Corp. | Semiconductor oxide gas combustibles sensor |
| WO1985004859A1 (fr) * | 1984-04-25 | 1985-11-07 | Research Association Of Electric Conductive Inorga | Composition |
| JPS61155746A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuigaro Giken Kk | 排ガスセンサ |
| JPH0634418B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1994-05-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 超電導素子の作製方法 |
| AU589068B2 (en) * | 1987-08-10 | 1989-09-28 | Furukawa Electric Co. Ltd., The | Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor |
| DE3855230T2 (de) * | 1987-08-28 | 1996-10-31 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Gegenstandes |
| US5037761A (en) * | 1987-09-03 | 1991-08-06 | Elsag International B.V. | Method of applying an automotive type oxygen sensor for use in an industrial process analyzer |
| US4975144A (en) * | 1988-03-22 | 1990-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of plasma etching amorphous carbon films |
| US5082789A (en) * | 1988-08-23 | 1992-01-21 | Simon Fraser University | Bismuth molybdate gas sensor |
| US4978646A (en) * | 1989-03-03 | 1990-12-18 | Corning Incorporated | Capacitors and high dielectric constant ceramics therefor |
| US5168068A (en) * | 1989-06-20 | 1992-12-01 | President And Fellows Of Harvard College | Adsorbent-type gas monitor |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5162474A patent/JPH06102225A/ja active Pending
- 1993-11-22 US US08/156,666 patent/US5362651A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1073553A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-03-17 | Osaka Gas Co Ltd | 一酸化炭素検出センサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5362651A (en) | 1994-11-08 |
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