JPH06103165B2 - 基板上の回路素子の高さ測定方法 - Google Patents

基板上の回路素子の高さ測定方法

Info

Publication number
JPH06103165B2
JPH06103165B2 JP59243547A JP24354784A JPH06103165B2 JP H06103165 B2 JPH06103165 B2 JP H06103165B2 JP 59243547 A JP59243547 A JP 59243547A JP 24354784 A JP24354784 A JP 24354784A JP H06103165 B2 JPH06103165 B2 JP H06103165B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
height
substrate
light
circuit element
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59243547A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60219504A (ja
Inventor
ロバート．マール．クラブ
スチーブン．マイケル．デイフオスター
ノーマン．アール．リツテンハウス
マーク．アレン．ウエスト
リチヤード．アンソニー．ジーグラー
Original Assignee
インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン filed Critical インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン
Publication of JPS60219504A publication Critical patent/JPS60219504A/ja
Publication of JPH06103165B2 publication Critical patent/JPH06103165B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/309—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of printed or hybrid circuits or circuit substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G01B11/2518—Projection by scanning of the object
    • G01B11/2522—Projection by scanning of the object the position of the object changing and being recorded
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2806—Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上の回路素子の高さを測定するための方
法、特にプリント回路板上の電気的導体の欠陥を非接触
で検出及び測定するための方法に関するものである。
〔従来技術〕
製品の欠陥及びより大きな組立体における製品の適切な
配置を検査することは、しばしば時間を要するが、複雑
な装置の製造では必要な工程である場合が多い。電子部
品の分野では、検査及び測定装置は、人間が顕微鏡又は
他のより複雑な装置を用いて検出するというものであっ
た。
このような装置は、勿論、労働力を要し、人間の視覚及
び判断に依存するので、オペレータによるエラーを生じ
易い。更に、構成素子の検出及び測定中、製品を物理的
に取扱うことにより、製品自体を損傷させる可能性があ
る。実際、配線組立ての完全性を決定するための或る方
法では、いわゆる破壊試験が試料に対して行われる。製
造した製品と同時に及び同様な方法で製造した試料がこ
のような破壊試験方法に合格したならば、その製品自体
は欠陥を有していないものと仮定される。この仮定は、
場合によっては、保証されない。
手作業を最小限にするとともに検査中に製品に損傷を与
える可能性を最小限にし、且つ検査の精度を高めて、迅
速に製品を検査する方法が必要とされている。特に、電
子部品の寸法及び配向状態を検出及び測定し、プリント
回路板上に配線の欠陥があれば、それらを検出するため
に、非接触型の方法を用いることが好ましい。
電子部品の寸法及び配線又はリードの厚さは減少しつつ
ある。それに伴って、構成素子及び配線が取付けられて
いる回路板又は基板に対してそれらの位置の厳密さはよ
り厳しいものになってきている。従って、検査方法は増
々正確でなければならない。
配線における欠陥が比較的小さいものであっても、その
配線の寸法が減少するとともに、より大きな問題にな
る。配線の寸法が比較的大きかった以前の装置において
は、その中の小さな欠陥は装置全体又は性能に重大な影
響を与えなかった。しかしながら、高性能なコンピュー
タ・システムのサブアセンブリに用いられる配線の寸法
が減少するとともに、比較的小さな欠陥も性能を劣化さ
せることになる。従って、以前の検査装置においては検
出されなかった欠陥を検出して、製造されたアセンブリ
が適切に動作するように修正しなければならない。
IBM Technical Disclocure Bulletin、第14巻、第12
号、1972年５月におけるS.H.Campbell等による“Noncon
tact Test System"と題する論文は、幾何学的素子の二
次元的寸法及び／又はこれらの配置を測定するための装
置について記載されている。この装置は、走査装置によ
り発生されたデータを分析するためにCPUを用いてい
る。この走査装置は、照射源から反射された光を受取
る。
特開昭58−146844号公報には、基板上の回路の配置を測
定するための試験装置が記載されている。この装置で
は、光学式走査ヘッドが、互いに隣接して配置された２
組の線形ダイオードアレイを備えている。一方のダイオ
ードアレイは、ベース・プレートから反射された光を受
取り、他方のダイオードアレイは、導体の表面が所望の
正規の高さにある限り、表面から反射された光を受取
る。検出された欠陥はマークを付され、テレビジョンの
スクリーン上に表示される。
従来、光はまた光の反射率の不均一性に応じて或る製品
の欠陥を検出するために使用されている。例えば、米国
特許第3712466号明細書は、所定の経路上に連続的に搬
送されるシェル・ケーシングを光学的に検出するための
装置を開示している。光電管及びレンズ装置は、上記シ
ェルからの反射光を検出し、この反射光のレベルの不均
一性により、傷又は欠陥が存在するか否かを判定する。
米国特許第4339664号明細書は、溶鉱炉に給鉱された物
質を地形測定するための方法及び装置を開示している。
給鉱物の上面に対する直接の反射を検出するために、炉
の上部近傍に距離計が設けられている。この距離計は、
上記上面の選択部分の測定値を測定することができるよ
うに、照準装置を有している。
或る表面に対する対象物又はターゲットの高さを測定す
るための装置も、従来用いられている。このような装置
はレーダ装置にしばしば用いられている。このようなタ
ーゲットと表面間の距離を測定するために可視光も用い
られる。例えば、米国特許第3669540号明細書は、海の
深さ又は水中の対象物の深さを測定するために、ヘリコ
プタに搭載されたレーザを用いる技術を開示している。
この上述の参照例では、レーザ・パルスが送信されてか
ら海面で反射されたエネルギーが検出されるまでの時間
間隔を測定することにより、ヘリコプタの高度が決定さ
れる。その相対的深さを求めるために、レーザ・パルス
が送られてから海面で反射されたエネルギーが検出され
るまでの時間間隔は、レーザ・パルスが送られてから海
面又は水中の対象物で反射されたエネルギーが検出され
るまでの時間間隔と比較される。このような装置は、光
の速度を係数として用いて、正確な時間測定を必要とす
る。
又、かなり複雑な光検出装置とともに用いられる装置も
開示されている。例えば、米国特許第4349277号明細書
は、表面プロフィルを測定及びマッピングするためのパ
ララックス装置を開示しており、この場合には光ビーム
が各々異なる周波数を有する２本のビームに分割され
る。２つの像がカラー・パターン上に投影され、パター
ンと光源間の相対的距離に変位が検出されて、粗さの変
動が指示される。
米国特許第4017188号明細書は、スリットと通してレン
ズにより焦束されたスポットの２つの別々の像を観察す
る２つの光検出器を含む表面の粗さを判定するための光
学的装置を開示している。それぞれの検出器の信号は、
その比率に対応する信号を生じるように分割され、それ
らは照射されたスポットが表面を走査されるに従って生
じる表面の高さの変動に対応する。
同様に、米国特許第3713739号明細書は、光ビームがロ
ール状製品の両面にぶつかって、電子ビーム管の２つの
別々のスクリーン上に像を発生する装置を開示してい
る。これらの像間の距離は測定されて、ロール状製品の
線形断面の寸法の距離を導き出すために使用される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、複雑な光学的装置又は時間測定装置を
必要とせずに、基板上の回路素子の高さを測定するため
の光学式非接触方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、基板のレーザエネルギーの反射率
と回路素子のレーザエネルギー反射率とを識別すること
ができる唯一の画像装置を用いて、三次元の光学式測定
を行うための方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、光の反射時間に関係なく、そして
／又はほぼ同時に、このような測定を行うための方法を
提供することにある。
本発明の他の目的は、回路素子が取付られているほぼ平
坦であるが不均一な基板に対するこのような回路素子の
高さを測定するための方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、反射光の強度レベルを用い
て、回路素子の高さを決定し、それとともにそれらが取
付られている基板の上面の非線形性を検出及び補償する
ための方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、プリント回路配線の欠陥を検出し、基板に対
する回路素子の高さを測定するための非接触型方法を提
供する。この方法は、基板及びこの基板上の回路素子を
照射するためのエネルギー源と、上記基板及び上記回路
素子からの反射エネルギーを受取って、信号がこの反射
エネルギーの強度に従って変化するように適合された反
射エネルギーに応答して信号を発生する走査器とを有す
る。この発生された信号と、上記基板に対する上記回路
素子の高さを表す測定値とを相関させるために、検光子
が上記走査器に接続されている。更に、上記回路素子が
取付られている上記基板表面に対するこの回路素子の高
さが正確に測定されるように、曲がり、歪み又は他の原
因による基板表面の変動及び不均一性が説明される。
〔実施例〕
第２図は、米国特許第3844799号明細書及び第4152467号
明細書に記載されているようなアディティブめっき方法
により製造された電気導体線のような３つの回路素子を
示している分解透視図である。他の型のアディティブ法
又は他の回路製造方法による製品も、前述のような欠陥
を生じがちであり、これらの全ての欠陥が本発明の装置
によって検出及び測定可能である。
第２図の回路素子は、３次元の欠陥を有している。回路
素子10は、通常は基板（図示せず）に接着されてから適
当にエッチングされている銅のようなベース材料12を含
んでいる。アディティブめっき工程中エッチングされた
材料12上に更に材料14が付着される。付加材料14は、好
ましい実施例の銅のような導電材である。プリント回路
製造工程中、時折例えばアディティブめっき技術で周知
である多数の原因のうち１つによって、不規則な形状の
３次元の欠陥16が生じることがある。このような欠陥16
は、一般に“ディッシュ・ダウン（dish down）”と呼
ばれている。
欠陥の他の例として、回路素子18はまたベース材料12上
に取付られ、一般に“ネック・ダウン（neck down）”
と呼ばれる一対の欠陥20a及び20bを有している。又、ベ
ース材料12上に取付けられている回路素子22は、一般に
“ピンホール”と呼ばれている欠陥24を有している。
上記欠陥は最も一般的に生じるものであるが、余分な銅
等から形成されるこぶ状めっきのような他の型の欠陥
も、アディティブ工程中形成される。本発明は、このよ
うな欠陥を検出及び測定することを意図している。
第３図は本発明の方法で使用されるスリット光の投射お
よび反射光検出の１例を示し、そこには電気導電線のよ
うな回路素子31が配置又は形成されているプリント回路
板のような基板30が示されている。これらの回路素子
は、プリント回路板30上に埋設又は積層される。回路素
子31は、本発明の方法によって検出及び測定可能である
前述のような欠陥（第３図には図示せず）を有してい
る。
光のスリット34は、光源（図示せず）により、適当な光
学レンズアセンブリ32を介して発生される。この光学レ
ンズアセンブリ32は、一般に使用され、当該技術分野で
周知である多素子レンズ又は一連のレンズである。好ま
しい実施例では、約0.013mmの幅及び約2.8cmの長さを有
する光のスリット34を投影するために、円筒状の光学レ
ンズアセンブリ32が使用される。好ましい実施例の光の
スリット34は、入射角がプリント回路板30の平面に対し
て45゜になるように、プリント回路板30上に投影され
る。しかしながら、コントラストを最適化し、又他の設
計条件を充たすために、45゜よりも小さい角度又は大き
い角度が使用されても良い。集光レンズ36は、プリント
回路板30からその平面に対して45゜の角度で反射された
光を受取るために、光学レンズアセンブリ32に対向して
配置されている。この集光レンズ36に光学的に関連し
て、電荷結合装置（CCD）38、即ちFairchild Camera an
d Instrument社製のモデルNo.1600R（商品名）のような
画像装置が、プリント回路板上に投影されて反射された
スリット34の像を受取るために配置されている。
プリント回路板30は、その平面に平行な方向（即ち、Ｘ
及びＹ方向）に、適当な装置により、光源及び光学レン
ズアセンブリに対して移動されるように適合されてい
る。
同様に、第３図では１つのCCD38しか示されていない
が、これに限られるものではなくCCDに類する適宜の光
検出装置のアレイを使用する事も可能である。CCDアレ
イは、各CCD素子が順次にアクセスされ、このCCDからの
データは将来の分析に有用なフォーマットに適切に構成
されるように、取り出される。
第４図は、回路素子74及び76が配置されているプリント
回路板70を示す断面図である。この回路板70は、Ｘ軸
（垂直方向の寸法）に沿って歪を有している上面72を有
している。即ち、プリント回路板70の上面72は、一方の
側78が他方の側79よりも高い。
回路素子74及び76の両方共、Ｘ方向に同一の寸法を有し
ているが、最初の基準レベルＩから測定された回路素子
74の全体的高さは、上記基準レベルＩから測定された回
路素子76の全体的高さよりも高く、基板70上に配置され
ている。
従って、各回路素子74及び76の高さを決定するために
は、各回路素子74及び76のベースに最も近い基板の上面
78及び79の高さも決定され、各最初の基準レベルＩに対
する回路素子の上述の全体的測定値から減算されねばな
らないことが理解される。
第５図は、平坦でない即ち不均一な基板30の高さ及びこ
の基板上の回路素子の高さを水平方向の所与距離に亘っ
て表しているグラフである。線80は、基板30の上面のプ
ロフィルを示している。線82は、回路素子の最上面のプ
ロフィルを示している。全ての高さの測定値は、最初の
基準レベルＩに付して取られている。
第５図のグラフは、測定されるべき領域に沿って2.54cm
の長さに亘り、高さ区画を表している。好ましい実施例
では、基板30の上面の下から回路素子の上面の上迄の距
離をカバーするために、互に0.0127mmの距離で隔離され
た12個の高さ区画が必要である。しかしながら、他の状
況では、測定される回路素子の寸法及び必要とされる精
度によって0.0127mm以外の任意の離隔距離の高さ区画を
選択することもできることを理解されたい。更に選択さ
れた離隔距離は全ての状況で均一である必要はない。同
様に、他の状況で使用される高さ区画数は、空間及び精
度のパラメータに応じて異なってもよい。
第５図に示されている例には、最初の基準レベルＩに対
して0mm又は0.0127mmの高さのレベルでは、光は基板30
から反射されない。これは、基準レベルＩが基板30の上
面の下にあり、その高さの平面は像を受取るCCD38に関
する限り実在しない。基準レベルＩ（0mm）の像は実在
しない。従って、基線80及び銅線である回路素子の上面
の線82のいずれも、0mm又は0.0127mmのレベルでは現わ
れていない。しかしながら、0.0254mmの高さで光スリッ
ト34は基板30の上面から反射され、グラフの左端でCCD3
8上に受け取られる。
高さの寸法は、0.0127mmの離隔距離の間隔で増分的に増
加されるので、もう１つの反射率は0.0762mmの高さに達
するまで見出されない。このレベルでより高い反射率の
強度は、最初の基準レベルＩから0.0762mmの高さに回路
素子が存在していることを示す。従って、回路素子の相
対的高さは、0.0762mmから0.0254mmを減じて、0.0508mm
となる。
光学的装置が試料を走査し続けるとこの例では、基板30
は参照番号84により示されている0.0381mmのレベルの部
分迄上方にゆがむ。回路素子の高さは基準レベルから比
例して変位しており、2.54cmの長さに沿う光スリット34
の全ての位置で0.0508mmである。
再び第３図を参照すると、光スリット34が光学レンズア
センブリ32を通して基板30に指向されるとCCD38は前述
のように反射光を受取るように適合されている。CCD38
は、受取られた光の強度に従って変化する信号を発生す
る。
CCD38には、反射光の強度に応答してこのCCD38により発
生された信号を分析するために、電気回路（第３図には
図示せず）が接続されている。後に詳述するが、この回
路は、CCD38の信号を識別して、ほぼ零のレベルの反射
率を表すものと、比較的低いレベルの反射率を表すもの
と、比較的高いレベルの反射率を表すものとの３つの状
態のうちの１つに従って、上記信号を分類することがで
きる。
上記の３つの反射率のレベルを分離するために２つの閾
値のレベルが必要である。第１の閾値のレベルは、ほぼ
零の反射率のレベルと、比較的低い反射率のレベルとを
分離し、第２の閾値のレベルは、比較的低い反射率のレ
ベルと、比較的高い反射率のレベルとを分離する。
第１の閾値は基板30の上面の反射率を表し、第２の閾値
は、回路素子の上面の閾値を表す。したがって、第１の
閾値レベル以下の反射率の強度は、光源及びCCD38の組
合せが基板30の上面に達していないことを示す。同様に
第１の閾値レベル以上で第２の閾値レベル以下の反射率
の強度は、光スリット34が基板30の上面により反射され
ていることを示す。最後に、第２の閾値レベル以上の反
射率の強度は、回路素子が光スリット34を反射している
ことを示す。
反射される光ビームの強度は、それを反射する材料の関
数である。勿論、銅線である回路素子の反射率は、基板
の反射率よりも相当に高い。閾値レベルを適切に設定す
ることにより、基板30の上面及び回路素子31の上面を検
出して、相互に識別することができる。
この材料の識別と、各閾値レベルに達する高さとを相互
に関連付けることにより、基板30の上面に関する回路素
子31の高さを正確に決定するために用いることができる
データが得られる。更に、反射の予測されない高さに於
て反射光を検出することにより、又は反射の予測される
高さにおいて反射光を検出することができないことによ
って、プリント回路配線の欠陥を識別することも可能で
ある。第１図は、本発明による装置を示すブロック図で
ある。Lexel社製のモデルNo.65（商品名）のレーザのよ
うな光源100が照射のために使用される。レーザは、輝
く集束された光を発生し、試験される材料に最も適合す
る光周波数を発生するように選択することが可能である
ため、好ましい光源である。
光学レンズアセンブリ32は、前述のように光スリット34
を形成する。光学レンズアセンブリ32に近接して、取付
けられているのは、光スリット34の集束点を変えるため
に使用される電気光学的装置であるIntraaction社製の
モデルNo.AOM−80（商品名）のような音響光学変調器
（AOM）104である。後で詳しく説明するようにこの音響
光学変調器104は次々の高さ区画の面に光スリットを集
束させ、各高さ区画においてCCD38の絵素毎にディジタ
ル信号に変換される。
試験下のプリント回路板30を支持し、この回路板30をＸ
軸及びＹ軸の両方に沿って移動させるために、数値制御
テーブル106が設けられている。CCD38は、回路板30から
の反射光を受取り、その像に応答して、上記反射光の強
度に従って変化するように適合された信号を発生するた
めに、設けられている。
動的閾値回路112はCCD38に接続され、このCCD38から電
気信号を受取る。この回路112は、前述のように２つの
閾値レベルを有している。一方の閾値レベルは基板の反
射率を表し、他方の閾値レベルは回路素子の反射率を表
す。これらの閾値レベルは又、動的である。即ち、これ
らは、同一の回路板30上の回路素子31の反射率の変動に
適応するように、即時に調節可能である。このような反
射率の変動は、酸化又は他の化学的或は機械的原因によ
って生じる。予め選択されたアナログ電圧の銅線の回路
素子の反射率のレベル114は動的閾値回路112に入力され
る。同様に、アナログ電圧の基板の反射率のレベル116
も動的閾値回路112に入力される。本実施例ではCCD38は
2048個の絵素より成り、これらの絵素の電荷が順次に取
り出されて閾値回路112に入力される。
好ましい実施例では、各絵素に対して一意的に各反射率
の分類区分を表すために、２ビットの情報が必要であ
る。好ましい実施例では、最も低い反射率又は強度のレ
ベルを有する絵素は、任意の２進値00によって表され
る。次に高い反射率のレベルは２進値01によって表さ
れ、最も高い反射率のレベルは２進値11によって表され
る。勿論、必要とされるビット数は分析されている閾値
レベル数に依存し、閾値レベル数は試験下の材料に依存
する。銀、白金又は金のような異なる型の材料は、異な
る光量を反射する。同様に、１つの材料の異なる状態
（不純物、酸化物等）も、異なる光の強度を反射する。
従って、或る装置では、全ての必要な反射率の強度レベ
ルを識別するために、２ビット以上の情報が必要とされ
る。これらのビットに対して選択された２進値装置は、
勿論コンピュータ・プログラム技術分野の当業者によっ
て、任意に設定される。
１つの高さ区画において得られる各２ビットの2048絵素
についての反射率情報は閾値回路112に接続されたバッ
ファ118に記憶される。スリット光は次の高さ区画に集
束されこの高さ区画において反射率情報が同様にバッフ
ァ118の次の記憶区画に記憶される。本実施例において
は12の順次の高さ区画においてこれが繰り返される。従
って、バッファ118は各高さ区画につき4098ビットの情
報を12区画分記憶することになる。但し、この区画数は
適用対象の性質によって決まる設計事項であり、必要に
応じて定められるものであることは言うまでもない。
バッファ118に接続された分析回路120を使用して、高さ
区画は、各々の区画を複数の列に分割し基板30と回路素
子31間の区画を各毎に計数することにより回路素子の高
さを決定するために分析される。第５図に示したように
普通はある低い高さ区画では基板表面からの低い反射光
が得られるだけであり、ある高さの高さ区画において初
めて金属表面からの強い反射光が得られる。この低い反
射光が得られる高さ区画と強い反射光が得られる高さ区
画との間の区画数が導体の高さを表すことになる。処理
速度を増加するために、Texas Instruments社製のモデ
ルNo.74S181のように演算論理装置（ALU）は、分析回路
120に組み込まれることができる。各ALUは、１つ又はそ
れ以上の列を分析して回路素子の高さを決定するため、
加算、除算、及び比較のような算術演算を実行するため
に使用される。これらのALUは、スループットを増加す
るために、好ましい実施例では並列演算する。
実施例においてマルチプレクサ122は、グラフィック表
示のため同一のメモリ・フレーム装置124及び126に接続
されている。メモリ・フレーム装置124及び126の各々
は、2K×2Kのビデオ絵素像を記憶する。１フレームのビ
デオは、好ましい実施例では試験基板の2.54cm2の像と
して現われる。各メモリ・フレーム装置124及び126は、
必要な4194304個（2048×2048）の絵素の情報を記憶し
個々にアドレス指定することができるスタンドアローン
装置である。この後第６図を参照して詳しく説明される
が、このメモリ・フレーム装置124及び126は基板30の１
つの位置における12の高さ区画の反射率情報4098ビット
を2048ビットより成る１行に圧縮したものを2048行分記
憶するものである。
メモリ・フレーム装置124及び126に記憶された絵素デー
タは、人間の観察又はルールに基づく手順又はデータに
基づく手順のいずれかの下で動作するコンピュータによ
り、更に分析を行うために使用可能である。
メモリ・フレーム装置124及び126は、DMA131を有する任
意のパーソナル・コンピュータのようなCPU130に接続さ
れている。CPU130は、各メモリ・フレーム装置124及び1
26に記憶されたデータがそれから順次取出されることを
可能にする。
Control Systems社製のARTIST I（商品名）のような商
用のグラフィック表示カード128はCPU130に接続されて
いる。グラフィック表示の主要目的は、診断的評価及び
開発を行うことである。コンピュータによる像の分析に
は、それを使用する必要はない。グラフィック表示カー
ド128は、CPU130の制御の下で、高さの情報を、地形図
のような地形表現に変換する。異なる高さの情報は異な
る色により表すことができる。
CPU130からの信号出力は又、数値制御テーブル106を動
作させて、回路板30を必要に応じてＸ軸、Ｙ軸、又はそ
れらの両方に沿って移動させる。
Motorola社製のモデルNo.6800（商品名）の16ビットの
マイクロプロセッサのようなマイクロプロセッサ132
は、12行の圧縮バッファ118へのアドレス線入力を制御
し、このマイクロプロセッサ132に接続されているモデ
ルNo.6809（商品名）のような１つ又はそれ以上の８ビ
ットのマイクロプロセッサ134を制御するために、設け
られている。マイクロプロセッサ134は高さのデータを
圧縮するために区分的列を形成するALU120の動作を調整
する。マイクロプロセッサ132は又、光スリット34（第
３図）の集束面を変えるために、AOM104を制御する。
第６図は、本発明を実施するのに使用される検出及び測
定装置とともに用いられる手順のステップを示す流れ図
である。
動作において、レーザ100は光学レンズアセンブリ32を
通してコヒーレント光ビームを発生する。光学レンズア
センブリ32は、AOM104を通して回路板30及びこの基板上
の回路素子にぶつかるように指向される光スリットに、
上記光ビームを形成する。CCD38は、回路板30の平面に
ほぼ平行であり、その表面よりもわずかに下にある平面
に焦点を合わせられる（ステップ200）。反射光が生じ
た場合には、その反射光に応答して、CCD38により信号
が発生され動的閾値回路112に印加される。CCD38により
発生された信号は順次、動的閾値回路112に入力され
る。
動的閾値回路112は、CCD38から受取った信号に依存する
信号を発生する。動的閾値回路112は、入力信号を分析
して、この信号が第１の閾値（基板30の上面からの反射
光を表す）以下か、第２の閾値（回路素子31の上面から
の反射光を表す）以上か、又は上述の２つの閾値間にあ
るかを判定する。
２進値は、動的閾値回路112により、各絵素データ項目
に割当てられる（ステップ204）。これらの２進値は、
閾値回路112から12行の圧縮バッファ118に転送されて、
記憶される（ステップ206）。
12行バッファ118のカウンタは、高さの区画が完全に走
査されたか（即ち、2048個の絵素データ項目を含む）を
決定する（ステップ207）。この高さの区画が完全に走
査されるまで、CCD38の絵素出力が次々に取り出されて
ステップ200、204、206が繰り返される。
次に、AOM104を変調させることにより、焦点面は歩進さ
れる（ステップ208）。マイクロプロセッサ132は、光ス
リット34（第３図）が次の焦点面でプリント回路板30に
ぶつかるように、AOM104に指令し、CCD38と共に、プリ
ント回路板面に平行な異なる面に沿って光スリット34を
焦束させて、最初の焦点面（レベル１）から予定の回路
素子31の上面よりも上の最上面（レベル12）まで、焦点
面を増分的に上昇させる。
12行圧縮バッファ118はロードされ続ける。バッファ118
が完全に満杯でないならば（ステップ210）、走査動作
は継続される（ステップ200）。バッファ118の全行がロ
ードされる場合（ステップ210）、バッファ118からのデ
ータはALU120に転送されて、１行の情報に圧縮される
（ステップ212）。
圧縮されたデータ行はマルチプレクサ122に転送され、
それからメモリ・フレーム装置124及び126の一方に転送
される（ステップ214）。数値制御テーブル106は歩進さ
れ、CPU130の指令の下で再位置決めされる（ステップ21
5）。第１のメモリ・フレーム装置124は、2048行分の圧
縮されたデータ行の容量を有する。このメモリ・フレー
ム装置124が満杯でない場合（ステップ216）、走査動作
は継続される（ステップ200）。しかしながら、第１の
メモリ・フレーム装置124が2048行分の圧縮されたデー
タ行を含んでいる場合（ステップ216）、このメモリ・
フレーム装置124のデータは分析される（ステップ21
8）。2048行のデータが得られていなければ走査はステ
ップ200から続けられ、装置は次の組の12のレベルの分
析を始める。従って、数値制御テーブルの2048個所の位
置に亘り、全プリント回路板30は12の平面のレベルの各
々について観察される。
新しい絵素データ項目がCCD38により受取られるに従っ
て、閾値回路112は、各絵素データ項目に２進値を割当
てて、12行圧縮バッファ118にロードし、このバッファ1
18はデータを2048ビットに圧縮するためにALU120に供給
する。この時点で、マイクロプロセッサ132はマルチプ
レクサ122に信号を発生し、マルチプレクサ122は、2048
行の圧縮された像データ行が第１のメモリ・フレーム装
置124に記憶されたときに、第１のメモリ・フレーム装
置124と第２のメモリ・フレーム装置126とを切換える
（ステップ222）。
第２のメモリ・フレーム装置126は、2048行の圧縮され
たデータ行が記憶されるまでで充満される（ステップ21
6）。次に、マルチプレクサ122は、ALU120の出力を第１
のメモリ・フレーム装置124に再び切換える（ステップ2
22）。このようにして、マルチプレクサ122はピン・ポ
ン式にメモリ・フレーム装置124及び126をロードし、従
って装置のスループットを増加させる。一方のメモリ・
フレーム装置124にALUにより圧縮されたデータがロード
されている間、他方のメモリ・フレーム装置126に記憶
されたデータはアクセスされ、図示されていないが、別
個の像分析装置により分析されることができる。CPU130
は、特定のメモリ・フレーム装置がALU120からのデータ
により充たされていない場合、メモリ・フレーム装置又
は126のいずれかをDMAによりアクセスすることができ
る。
像分析装置がALU/メモリ・フレーム装置のサブシステム
よりも著しく緩慢な速度で動作する場合、２つ以上のメ
モリ・フレーム装置が使用される。同様に、接続されて
いる像分析装置がFIFO又は部分メモリアクセス方式で動
作し、ALU/メモリ・フレーム装置のサブシステムに適合
できるように充分に迅速に応答する場合、１つのメモリ
・フレーム装置だけが使用される必要がある。
マイクロプロセッサ132は又、分析下のAOM104の面に相
関させられるアドレス情報を、圧縮バッファ118に供給
する。このようにして、分析下の各平面レベルからのデ
ータは、動的閾値回路112及びこの回路に於ける閾値レ
ベルに相関させられることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、複雑な光学的装置又は時間測定装置を
用いることを必要とせずに、基板上の回路素子の高さを
測定するための非接触型の光学的測定方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による検出装置及び測定装置を示すブロ
ック図、第２図はアディティブめっき方法により形成さ
れた欠陥を有する３つの回路素子を示している分解透視
図、第３図は回路板及び回路素子上に投影された光スリ
ットを示している透視図、第４図は不均一なプリント回
路板の一部を示している断面図、第５図は不均一な回路
板上に於ける基板の基部及び回路素子の高さを分析して
いるグラフ、第６図は本発明による検出及び測定装置と
ともに用いられる手順のステップを示す流れ図である。 10、18、22、31、74、76……回路素子（電気的導体）、
12……ベース材料、14……材料、16、20a、20b、24、…
…欠陥、30、52、65、70……基板（プリント回路板）、
32……光学レンズアセンブリ、34……光スリット、36…
…集光レンズ、38……CCD、72、78、79……プリント回
路板の表面、100……光源（レーザ）、104……音響光学
変調器（AOM）、106……数値制御テーブル、112……動
的閾値回路、114……アナログ電圧の回路素子の反射率
のレベル、116……アナログ電圧の基板の反射率のレベ
ル、118……圧縮バッファ、120……分析回路（ALU）、1
22……マルチプレクサ、124、126……メモリ・フレーム
装置、128……グラフィック表示カード、130……CPU、1
31……DMA、132……16ビットのマイクロプロセッサ、13
4……８ビットのマイクロプロセッサ。
フロントページの続き (72)発明者 ノーマン．アール．リツテンハウス アメリカ合衆国ニユーヨーク州エンデイコ ツト、サラ．レーン1062番地 (72)発明者 マーク．アレン．ウエスト アメリカ合衆国ニユーヨーク州ビンガムト ン、モンタク．ストリート19番地 (72)発明者 リチヤード．アンソニー．ジーグラー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ベスタル、 サウスウツド．ドライブ201番地 (56)参考文献 特開 昭57−113311（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−30903（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】印刷回路基板上の回路素子表面の基板面か
    らの高さを測定する方法において、 集束スリット光をその焦点が上記基板の底面に平行な初
    期面上にあるように上記基板の所定部分に向けて投射
    し、 投射面からの上記スリット光の反射光を受け取ってその
    反射光のスリット光長手方向の絵素毎に反射光の強度を
    所定の閾値と比較し、該比較結果を表す２進信号を発生
    し、 上記信号を記憶バッファ装置の一つの記憶区画に記憶
    し、 上記集束スリット光の焦点を上記初期面に平行な上方の
    面上に移動させて上記所定部分に向けて投射し、 投射面からの反射光の強度を表す信号を上記記憶バッフ
    ァ装置の次の記憶区画に記憶し、 上記回路素子表面の予測された高さに達するまで上記集
    束スリット光の焦点を遂次増分移動させて反射光の強度
    を表す信号を上記記憶バッファ装置の遂次の記憶区画に
    記憶し、 上記基板の相次ぐ部分に対して上記の手順を繰り返すこ
    とにより上記基板の相次ぐ部分における異なる高さ区画
    の反射光の強度を表す信号を上記記憶バッファ装置に記
    憶し、 上記各部分の各区画が対応する高さ及び該区画に記憶さ
    れた信号の値により上記基板面及び上記回路素子表面が
    存在する高さを判別する、 ことを特徴とする基板上の回路素子の高さ測定方法。
JP59243547A 1984-04-12 1984-11-20 基板上の回路素子の高さ測定方法 Expired - Lifetime JPH06103165B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US599422 1984-04-12
US06/599,422 US4650333A (en) 1984-04-12 1984-04-12 System for measuring and detecting printed circuit wiring defects

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60219504A JPS60219504A (ja) 1985-11-02
JPH06103165B2 true JPH06103165B2 (ja) 1994-12-14

Family

ID=24399552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59243547A Expired - Lifetime JPH06103165B2 (ja) 1984-04-12 1984-11-20 基板上の回路素子の高さ測定方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4650333A (ja)
EP (1) EP0160781B1 (ja)
JP (1) JPH06103165B2 (ja)
DE (1) DE3572023D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220077152A (ko) * 2017-06-02 2022-06-08 아르셀러미탈 프레스 경화 부품 제조용 강판, 고강도와 충돌 연성의 조합을 갖는 프레스 경화 부품, 및 그 제조 방법

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4928313A (en) * 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
EP0233970B1 (de) * 1986-02-22 1990-06-20 Helmut K. Pinsch GmbH & Co. Schnittholz-Prüfvorrichtung
CA1300369C (en) * 1987-03-24 1992-05-12 Timothy P. Dabbs Distance measuring device
US4983043A (en) * 1987-04-17 1991-01-08 Industrial Technology Institute High accuracy structured light profiler
EP0312046B1 (en) * 1987-10-14 1994-07-27 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for inspecting defect of mounted component with slit light
EP0341806B1 (en) * 1988-02-24 1996-12-11 CONTROL AUTOMATION, Inc. Apparatus for inspecting circuit boards with surface mounted components
US4876455A (en) * 1988-02-25 1989-10-24 Westinghouse Electric Corp. Fiber optic solder joint inspection system
US5011960A (en) * 1988-05-20 1991-04-30 Fujitsu Limited Wiring pattern detection method and apparatus
US5083867A (en) * 1988-11-28 1992-01-28 Allegheny Ludlum Corporation Slab surface contour monitor
US4979815A (en) * 1989-02-17 1990-12-25 Tsikos Constantine J Laser range imaging system based on projective geometry
US5088828A (en) * 1989-02-28 1992-02-18 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for three-dimensional testing of printed circuitboards
US4988202A (en) * 1989-06-28 1991-01-29 Westinghouse Electric Corp. Solder joint inspection system and method
JPH0794972B2 (ja) * 1989-12-13 1995-10-11 松下電器産業株式会社 半田の外観検査方法
US5164994A (en) * 1989-12-21 1992-11-17 Hughes Aircraft Company Solder joint locator
CH681112A5 (ja) * 1990-01-06 1993-01-15 Wilfried Schoeps
US5243665A (en) * 1990-03-07 1993-09-07 Fmc Corporation Component surface distortion evaluation apparatus and method
US5064291A (en) * 1990-04-03 1991-11-12 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for inspection of solder joints utilizing shape determination from shading
US5245421A (en) * 1990-09-19 1993-09-14 Control Automation, Incorporated Apparatus for inspecting printed circuit boards with surface mounted components
US5598345A (en) * 1990-11-29 1997-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for inspecting solder portions
US5185638A (en) * 1991-04-26 1993-02-09 International Business Machines Corporation Computer controlled, multiple angle illumination system
US5245409A (en) * 1991-11-27 1993-09-14 Arvin Industries, Inc. Tube seam weld inspection device
EP0558177B1 (en) * 1992-01-29 2000-04-12 Advanced Micro Devices, Inc. Energy resolved emission microscopy system and method
IT1257404B (it) * 1992-09-30 1996-01-15 Comau Spa Procedimento per il controllo della posa di un cordone di silicone, particolarmente per la tenuta fra il basamento e la coppa di un motore a combustione interna.
FR2718522B1 (fr) * 1994-04-12 1996-05-24 Centre Tech Ind Papier Dispositif pour effectuer la mesure d'un profil sur une surface plane.
US5601364A (en) * 1994-06-14 1997-02-11 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for measuring thermal warpage
US5883710A (en) * 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
JP3143038B2 (ja) * 1994-11-18 2001-03-07 株式会社日立製作所 自動焦点合わせ方法及び装置並びに三次元形状検出方法及びその装置
US20040057044A1 (en) * 1994-12-08 2004-03-25 Mehrdad Nikoonahad Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
US5691815A (en) * 1996-01-02 1997-11-25 Lockheed Missiles & Space Co., Inc. Laser inspection tool system
JP4306800B2 (ja) * 1996-06-04 2009-08-05 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 表面検査用光学走査システム
KR19980039100A (ko) * 1996-11-27 1998-08-17 배순훈 부품의 클린칭 방향을 이용한 미삽 검사장치 및 방법
US7714995B2 (en) 1997-09-22 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Material independent profiler
US7688435B2 (en) * 1997-09-22 2010-03-30 Kla-Tencor Corporation Detecting and classifying surface features or defects by controlling the angle of the illumination plane of incidence with respect to the feature or defect
US7630086B2 (en) * 1997-09-22 2009-12-08 Kla-Tencor Corporation Surface finish roughness measurement
JP3356056B2 (ja) * 1998-05-15 2002-12-09 日本電気株式会社 配線不良検出回路、配線不良検出用半導体ウェハ及びこれらを用いた配線不良検出方法
US6181472B1 (en) * 1998-06-10 2001-01-30 Robotic Vision Systems, Inc. Method and system for imaging an object with a plurality of optical beams
US6516086B2 (en) * 1998-07-13 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for distinguishing regions where a material is present on a surface
EP1105716B1 (en) * 1998-08-18 2005-10-26 Orbotech Ltd. Inspection of printed circuit boards using color
US6603877B1 (en) * 1999-06-01 2003-08-05 Beltronics, Inc. Method of and apparatus for optical imaging inspection of multi-material objects and the like
US6542939B1 (en) * 1999-08-10 2003-04-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for storing volumetric vital product data (VPD) in memory associated with a connector or connector board
DE60139047D1 (de) * 2000-01-31 2009-08-06 Omron Tateisi Electronics Co Optischer verschiebungssensor
US6496270B1 (en) * 2000-02-17 2002-12-17 Gsi Lumonics, Inc. Method and system for automatically generating reference height data for use in a three-dimensional inspection system
JP2001305194A (ja) * 2000-04-27 2001-10-31 Nec Corp 半導体装置およびそのショート欠陥箇所の検出方法
DE10043726C2 (de) * 2000-09-05 2003-12-04 Atg Test Systems Gmbh Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten mit einem Paralleltester und eine Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens
US6870611B2 (en) 2001-07-26 2005-03-22 Orbotech Ltd. Electrical circuit conductor inspection
US6654115B2 (en) 2001-01-18 2003-11-25 Orbotech Ltd. System and method for multi-dimensional optical inspection
JP4030815B2 (ja) * 2001-07-10 2008-01-09 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 同時のまたは連続的な多重の斜視的な試料欠陥検査のためのシステムおよび方法
WO2003060424A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Mv Research Limited A machine vision system
US6798264B2 (en) * 2002-08-08 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for signal processing
US6903360B2 (en) * 2002-10-16 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Method for detecting missing components at electrical board test using optoelectronic fixture-mounted sensors
BE1015227A3 (fr) * 2002-11-29 2004-11-09 Centre Rech Metallurgique Procede et dispositif pour la determination en ligne de la topographie micrometrique de produits en mouvement.
US20040160595A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-19 Lafarge Road Marking, Inc. Road marking evaluation and measurement system
US6991755B2 (en) * 2003-04-17 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Syntactic tunnel core
JP2007524802A (ja) * 2003-11-12 2007-08-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的検証のためのイオン化試験
JP2006162288A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd ロッドの反り検査方法および検査装置
US7161669B2 (en) * 2005-05-06 2007-01-09 Kla- Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection
JP4637642B2 (ja) * 2005-05-18 2011-02-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン間の欠陥検査装置および方法
EP1934641A2 (en) * 2005-08-26 2008-06-25 Camtek Ltd. Device and method for controlling an angular coverage of a light beam
US7747066B2 (en) * 2006-03-15 2010-06-29 International Business Machines Corporation Z-axis optical detection of mechanical feature height
US20100002326A1 (en) 2006-05-11 2010-01-07 Ade Technologies, Inc. Method and system for perpendicular magnetic media metrology
US7554654B2 (en) * 2007-01-26 2009-06-30 Kla-Tencor Corporation Surface characteristic analysis
US7656519B2 (en) 2007-08-30 2010-02-02 Kla-Tencor Corporation Wafer edge inspection
FR2929481B1 (fr) * 2008-03-26 2010-12-24 Ballina Freres De Procede et installation d'examen visiometrique de produits en defilement
US8643539B2 (en) * 2008-11-19 2014-02-04 Nokomis, Inc. Advance manufacturing monitoring and diagnostic tool
JP2018048839A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 ファナック株式会社 三次元データ生成装置及び三次元データ生成方法、並びに三次元データ生成装置を備えた監視システム
US10448864B1 (en) 2017-02-24 2019-10-22 Nokomis, Inc. Apparatus and method to identify and measure gas concentrations
US11489847B1 (en) 2018-02-14 2022-11-01 Nokomis, Inc. System and method for physically detecting, identifying, and diagnosing medical electronic devices connectable to a network

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3699304A (en) * 1969-12-15 1972-10-17 Ibm Electron beam deflection control method and apparatus
US3712466A (en) * 1970-07-20 1973-01-23 Valcartier Ind Inc Inspection and transfer mechanism
US3669540A (en) * 1970-08-31 1972-06-13 Raytheon Co Optical depth finder and elements therefor
US3713739A (en) * 1971-02-18 1973-01-30 V Ni P Konstr I Metallurg Mash Method for gauging the linear cross-sectional dimensions of moving rolled products and an apparatus for its realization
US3834819A (en) * 1973-07-05 1974-09-10 Western Electric Co Thickness measuring
US3844799A (en) * 1973-12-17 1974-10-29 Ibm Electroless copper plating
US4017188A (en) * 1975-02-26 1977-04-12 The Bendix Corporation Surface profile measuring device and method
DE2554086A1 (de) * 1975-12-02 1977-06-16 Ibm Deutschland Verfahren zur analyse und/oder zur ortsbestimmung von kanten
US4028728A (en) * 1976-04-02 1977-06-07 Western Electric Company, Inc. Method of and video system for identifying different light-reflective surface areas on articles
US4158507A (en) * 1977-07-27 1979-06-19 Recognition Equipment Incorporated Laser measuring system for inspection
US4188544A (en) * 1977-08-22 1980-02-12 Weyerhaeuser Company Method and apparatus for automatically processing a workpiece employing calibrated scanning
US4152467A (en) * 1978-03-10 1979-05-01 International Business Machines Corporation Electroless copper plating process with dissolved oxygen maintained in bath
SE421832B (sv) * 1979-04-18 1982-02-01 Pharos Ab Anordning for att registrera topografin hos den chargerade massan i en masugn
US4343553A (en) * 1979-09-03 1982-08-10 Hitachi, Ltd. Shape testing apparatus
US4349277A (en) * 1980-06-11 1982-09-14 General Electric Company Non-contact measurement of surface profile
US4472056A (en) * 1980-07-23 1984-09-18 Hitachi, Ltd. Shape detecting apparatus
JPS5793907U (ja) * 1980-11-26 1982-06-09
US4498778A (en) * 1981-03-30 1985-02-12 Technical Arts Corporation High speed scanning method and apparatus
DE3204086A1 (de) * 1982-02-06 1983-08-11 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zur automatischen optischen beschaffenheitspruefung
JPS58186006A (ja) * 1982-04-26 1983-10-29 Tomohiko Akuta 物体の座標投影成分の測定方法
JPS58201006A (ja) * 1982-05-20 1983-11-22 Hitachi Ltd 立体形状検出装置
US4529316A (en) * 1982-10-18 1985-07-16 Robotic Vision Systems, Inc. Arrangement of eliminating erroneous data in three-dimensional optical sensors
US4589140A (en) * 1983-03-21 1986-05-13 Beltronics, Inc. Method of and apparatus for real-time high-speed inspection of objects for identifying or recognizing known and unknown portions thereof, including defects and the like
US4573073A (en) * 1983-06-02 1986-02-25 General Electric Company Integrated lighting and camera system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220077152A (ko) * 2017-06-02 2022-06-08 아르셀러미탈 프레스 경화 부품 제조용 강판, 고강도와 충돌 연성의 조합을 갖는 프레스 경화 부품, 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE3572023D1 (en) 1989-09-07
JPS60219504A (ja) 1985-11-02
US4650333A (en) 1987-03-17
EP0160781A1 (en) 1985-11-13
EP0160781B1 (en) 1989-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06103165B2 (ja) 基板上の回路素子の高さ測定方法
JP4351522B2 (ja) パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
KR950009067B1 (ko) 음영으로부터 이음새의 모양 결정을 이용하는 납땜 이음 검사 방법 및 장치
US4500202A (en) Printed circuit board defect detection of detecting maximum line width violations
US4578810A (en) System for printed circuit board defect detection
EP0195161B1 (en) Apparatus for automatically inspecting objects and identifying or recognizing known and unknown portions thereof, including defects and the like and method
JP3132565B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
US7304663B2 (en) Image test target for visual determination of digital image resolution
US20080175466A1 (en) Inspection apparatus and inspection method
US4583857A (en) Apparatus for automatic optical property testing
WO1995011519A1 (en) Grid array inspection system and method
US5216485A (en) Advanced via inspection tool (avit)
EP0488031A2 (en) Method of and apparatus for inspecting a printed circuit board
JPH0644360A (ja) リード付き電子部品の視覚的検査方法および装置
KR940006229B1 (ko) 회로판에 대한 라인스캔 검사 시스템
JP2969011B2 (ja) はんだ付け状態の外観検査装置
Restrick III An automatic optical printed circuit inspection system
JP2001004339A (ja) 画像認識検査システムの照明むら測定方法および画像認識検査方法
JPH04329344A (ja) 実装基板検査装置
JPH0666528A (ja) 外観検査方法及び装置
US5416512A (en) Automatic threshold level structure for calibrating an inspection tool
JPS6326510A (ja) 実装部品検査装置
JP3283866B2 (ja) 回路パターンの欠陥検査方法及びその装置
JP3053653B2 (ja) 光学式液晶ディスプレイ欠陥検査装置
JP2003090713A (ja) チップ部品の外観検査方法及び外観検査装置