JPH06103518A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH06103518A JPH06103518A JP9653092A JP9653092A JPH06103518A JP H06103518 A JPH06103518 A JP H06103518A JP 9653092 A JP9653092 A JP 9653092A JP 9653092 A JP9653092 A JP 9653092A JP H06103518 A JPH06103518 A JP H06103518A
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- magnetic
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- head
- core chip
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １つのスライダ内に記録・再生密度の異なる
２つ以上のコアチップを持つＦＤＤ用磁気ヘッドのクロ
ストークを防ぎ、良好な０／ｗ特性を得る。 【構成】 １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズコアチップ
３のイレーズギャプエッジ部位に，低飽和磁束密度を有
する磁性体からなる金属膜１０・１１を設け、再生時の
ギャップ長を０．０５μｍ〜０．１０μｍにしたことに
より、高密度記録再生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用イ
レーズコアチップ２で再生された信号によるクロストー
クがない。このため磁気シールド板９を薄くしたり、小
さくしても、１ＭＢあるいは２ＭＢコアチップ２からの
再生時のクロストークが小さいため、再生エラーが発生
しない。また、シールド板９が薄く，小さくできるた
め、０／ｗ時にも十分な磁束が高密度記録用コアチップ
４より生じ，０／ｗ不良も発生しない。
２つ以上のコアチップを持つＦＤＤ用磁気ヘッドのクロ
ストークを防ぎ、良好な０／ｗ特性を得る。 【構成】 １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズコアチップ
３のイレーズギャプエッジ部位に，低飽和磁束密度を有
する磁性体からなる金属膜１０・１１を設け、再生時の
ギャップ長を０．０５μｍ〜０．１０μｍにしたことに
より、高密度記録再生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用イ
レーズコアチップ２で再生された信号によるクロストー
クがない。このため磁気シールド板９を薄くしたり、小
さくしても、１ＭＢあるいは２ＭＢコアチップ２からの
再生時のクロストークが小さいため、再生エラーが発生
しない。また、シールド板９が薄く，小さくできるた
め、０／ｗ時にも十分な磁束が高密度記録用コアチップ
４より生じ，０／ｗ不良も発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は磁気ヘッドに関し、詳
しくはＦＤＤ装置などに使用される低密度、例えば１Ｍ
Ｂ、２ＭＢまたは４ＭＢ用コアチップと、１０ＭＢ以上
の高密度記録用コアチップとを１つのスライダ内に持つ
ＦＤＤ用磁気ヘッドに関する。
しくはＦＤＤ装置などに使用される低密度、例えば１Ｍ
Ｂ、２ＭＢまたは４ＭＢ用コアチップと、１０ＭＢ以上
の高密度記録用コアチップとを１つのスライダ内に持つ
ＦＤＤ用磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】３．５インチ用ＦＤＤ装置に使用される
磁気ヘッドには、記録密度の異なる２つのコアチップを
１つのスライダ内に入れ一体化したものがある。これ
は、ＦＤ（フロッピーディスク）に対して情報の書込み
および読み出しを１ＭＢあるいは２ＭＢ（１メガバイト
あるいは２メガバイト）等の通常の記録密度で行う場合
と、１０ＭＢ以上の高記録密度で行う場合とを、１台の
ＦＤＤ装置で兼用できるようにしたものである（例え
ば、電子通信情報学会技報ＭＲ９０−３３）。
磁気ヘッドには、記録密度の異なる２つのコアチップを
１つのスライダ内に入れ一体化したものがある。これ
は、ＦＤ（フロッピーディスク）に対して情報の書込み
および読み出しを１ＭＢあるいは２ＭＢ（１メガバイト
あるいは２メガバイト）等の通常の記録密度で行う場合
と、１０ＭＢ以上の高記録密度で行う場合とを、１台の
ＦＤＤ装置で兼用できるようにしたものである（例え
ば、電子通信情報学会技報ＭＲ９０−３３）。
【０００３】以下、記録密度の異なる２つのコアチップ
を一体化した磁気ヘッドの具体的な構造例を、図６、図
７を参照しながら説明する。
を一体化した磁気ヘッドの具体的な構造例を、図６、図
７を参照しながら説明する。
【０００４】図６において、２・３は１つのリード／ラ
イト磁気ギャップｇR と２つのイレーズ磁気ギャップｇ
E1、ｇE2を有するトンネルイレーズ型の１ＭＢあるいは
２ＭＢ用コアチップ、４は両端にセラミック薄板５・６
を付けた１つのリード／ライト磁気ギャップＧR を有す
るＭＩＧ（Metal In Gap）型の１０ＭＢ以上の高密度記
録・再生用コアチップ、７は１ＭＢあるいは２ＭＢよう
リード／ライトコイル、１０は１０ＭＢ以上のコアチッ
プ用リード／ライトコイル、８はエア抜き溝、９はフェ
ライト等の磁気シールド板である。上述した構造の磁気
ヘッドは、高密度用コアチップ４の再生時に、１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用コアチップ２・３が読み込む信号による
漏洩磁束の高密度用コアチップ４側への侵入を、磁気シ
ールド板９を設けることにより防いでいるタイプであ
る。
イト磁気ギャップｇR と２つのイレーズ磁気ギャップｇ
E1、ｇE2を有するトンネルイレーズ型の１ＭＢあるいは
２ＭＢ用コアチップ、４は両端にセラミック薄板５・６
を付けた１つのリード／ライト磁気ギャップＧR を有す
るＭＩＧ（Metal In Gap）型の１０ＭＢ以上の高密度記
録・再生用コアチップ、７は１ＭＢあるいは２ＭＢよう
リード／ライトコイル、１０は１０ＭＢ以上のコアチッ
プ用リード／ライトコイル、８はエア抜き溝、９はフェ
ライト等の磁気シールド板である。上述した構造の磁気
ヘッドは、高密度用コアチップ４の再生時に、１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用コアチップ２・３が読み込む信号による
漏洩磁束の高密度用コアチップ４側への侵入を、磁気シ
ールド板９を設けることにより防いでいるタイプであ
る。
【０００５】また、図７に示すタイプのものは、１ＭＢ
あるいは２ＭＢ用コアチップ２・３を１０ＭＢ以上の高
密度記録・再生用コアチップ４から離れる方向に角度を
付け非平行にすることにより、高密度用コアチップ４の
再生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップ２・３が
読み込む信号による漏洩磁束が高密度用コアチップ４側
に入らないようにしている。
あるいは２ＭＢ用コアチップ２・３を１０ＭＢ以上の高
密度記録・再生用コアチップ４から離れる方向に角度を
付け非平行にすることにより、高密度用コアチップ４の
再生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップ２・３が
読み込む信号による漏洩磁束が高密度用コアチップ４側
に入らないようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した図
６に示したタイプの磁気ヘッドでは、１ＭＢあるいは２
ＭＢ用コアチップ２・３と１０ＭＢ以上の高密度用コア
チップ４の間に磁気シールド板９が設けられているた
め、例えば、高密度用コアチップ４でＦＤにオーバーラ
イト（０／ｗ）記録する場合、高密度用コアチップ４内
に流れる磁束が近接配置されているフェライト等の磁気
シールド板９内に流入し，その結果、１０ＭＢ以上の高
密度記録用コアチップ４のリード／ライト磁気ギャップ
ＧR から十分な磁束が漏れないため、ＦＤに十分書き込
むことができず ０／ｗ不良が発生する。また、磁気シ
ールド板９を薄くして対応すると、今度は磁気シールド
板としての特性が低下して、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コ
アチップ２。３からの漏洩磁束を十分にシールドできな
いという問題があった。
６に示したタイプの磁気ヘッドでは、１ＭＢあるいは２
ＭＢ用コアチップ２・３と１０ＭＢ以上の高密度用コア
チップ４の間に磁気シールド板９が設けられているた
め、例えば、高密度用コアチップ４でＦＤにオーバーラ
イト（０／ｗ）記録する場合、高密度用コアチップ４内
に流れる磁束が近接配置されているフェライト等の磁気
シールド板９内に流入し，その結果、１０ＭＢ以上の高
密度記録用コアチップ４のリード／ライト磁気ギャップ
ＧR から十分な磁束が漏れないため、ＦＤに十分書き込
むことができず ０／ｗ不良が発生する。また、磁気シ
ールド板９を薄くして対応すると、今度は磁気シールド
板としての特性が低下して、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コ
アチップ２。３からの漏洩磁束を十分にシールドできな
いという問題があった。
【０００７】また、図７に示したタイプの磁気ヘッドで
は、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップ２・３が１０Ｍ
Ｂ以上の高密度記録用コアチップ４と非平行である特殊
な構造であるため、加工工数がかかりすぎ、量産時にお
いてその加工性の点で多分の問題点が出てきた。
は、１ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップ２・３が１０Ｍ
Ｂ以上の高密度記録用コアチップ４と非平行である特殊
な構造であるため、加工工数がかかりすぎ、量産時にお
いてその加工性の点で多分の問題点が出てきた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記問題点
に鑑みて提案されたもので、非磁性体からなるスライダ
内に強磁性体からなる一対のコアチップを接合一体化
し、その頂端面に磁気ギャップを形成した２つ以上の薄
板状コアチップを持つヘッドにおいて、消去用磁気ヘッ
ドのギャップのエッジ部位に低飽和磁束密度を有する磁
性体からなる金属膜を設け、再生時にギャップ長さを好
ましくは０．０５μｍ〜０．１０μｍとしたことを特徴
とする。
に鑑みて提案されたもので、非磁性体からなるスライダ
内に強磁性体からなる一対のコアチップを接合一体化
し、その頂端面に磁気ギャップを形成した２つ以上の薄
板状コアチップを持つヘッドにおいて、消去用磁気ヘッ
ドのギャップのエッジ部位に低飽和磁束密度を有する磁
性体からなる金属膜を設け、再生時にギャップ長さを好
ましくは０．０５μｍ〜０．１０μｍとしたことを特徴
とする。
【０００９】
【作用】この発明の磁気ヘッドでは、１ＭＢあるいは２
ＭＢ用イレーズコアのイレーズギャップのエッジ部位を
低飽和磁束密度を有する磁性体からなる金属膜を設け、
再生時のギャップ長さを好ましくは０．０５μｍ〜０．
１０μｍとしたことにより、イレーズコア作動時には、
低飽和磁束密度を有する磁性体が飽和し、実効ギャップ
長さが、イレーズするのに十分な広さとなり、再生時に
は０．０５μｍ〜０．１０μｍの広さなので、イレーズ
ギャップからの高密度記録された信号の読み出しがな
い。このため、磁気シールド板を薄くしたり、小さくし
ても１０ＭＢ以上の高密度用コアチップでの再生時に１
ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップからの再生時のノイズ
（クロストーク）が小さいため、再生時のエラーの発生
が防げる。また、０／ｗ時にも磁気シールド板に流れる
磁束が少ないため、十分な磁束が高密度記録用コアチッ
プのリード／ライト磁気ギャップより漏れるため０／ｗ
不良も発生しない。
ＭＢ用イレーズコアのイレーズギャップのエッジ部位を
低飽和磁束密度を有する磁性体からなる金属膜を設け、
再生時のギャップ長さを好ましくは０．０５μｍ〜０．
１０μｍとしたことにより、イレーズコア作動時には、
低飽和磁束密度を有する磁性体が飽和し、実効ギャップ
長さが、イレーズするのに十分な広さとなり、再生時に
は０．０５μｍ〜０．１０μｍの広さなので、イレーズ
ギャップからの高密度記録された信号の読み出しがな
い。このため、磁気シールド板を薄くしたり、小さくし
ても１０ＭＢ以上の高密度用コアチップでの再生時に１
ＭＢあるいは２ＭＢ用コアチップからの再生時のノイズ
（クロストーク）が小さいため、再生時のエラーの発生
が防げる。また、０／ｗ時にも磁気シールド板に流れる
磁束が少ないため、十分な磁束が高密度記録用コアチッ
プのリード／ライト磁気ギャップより漏れるため０／ｗ
不良も発生しない。
【００１０】
【実施例１】以下、この発明について図面を参照して説
明する。
明する。
【００１１】図１はこの発明の第１の実施例であるＦＤ
Ｄ用磁気ヘッドの斜視図。各図において、１はＦＤＤ用
磁気ヘッド、２は磁気ギャップｇR を有する１ＭＢある
いは２ＭＢ用リード／ライトコアチップ、３は磁気ギャ
ップｇR1、ｇR2を有する１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去用
ヘッドコアチップ、４は磁気ギャップｇr と平行状態に
配置した磁気ギャップＧR を有するＭＩＧ（Metal In G
ap）型１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ，
５および６は、このコアチップの両端に付けたセラミッ
ク薄板、７はコイル、８はエア抜き溝、９は磁気シール
ド板、１０・１１は１ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズコ
アチップのエッジ部位に設けた低飽和磁束密度を有する
金属膜である。本実施例によれば、図３に示すように１
ＭＢあるいは２ＭＢ用消去用ヘッドコアのギャップのエ
ッジ部位のデプスを規定するトレーリング側に、低飽和
磁束密度を有する磁性体からなる金属膜１０・１１を設
け、再生時のギャップｇE1、ｇE2長さを０．０５〜０．
１０μｍとしたことにより、高密度記録信号再生時に、
１ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信
号の読み出しがなく、クロストーク（リード／リードク
ロストーク）が発生しない。また、本実施例において磁
気シールド板９を薄く、かつ小さくできるため０／ｗ時
に磁気シールド板に流れる磁束が少ないため、十分な磁
束が高密度記録用コアチップのリード／ライト磁気ギャ
ップＧR より漏れ、０／ｗ不良が発生することがないと
いう効果がある。
Ｄ用磁気ヘッドの斜視図。各図において、１はＦＤＤ用
磁気ヘッド、２は磁気ギャップｇR を有する１ＭＢある
いは２ＭＢ用リード／ライトコアチップ、３は磁気ギャ
ップｇR1、ｇR2を有する１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去用
ヘッドコアチップ、４は磁気ギャップｇr と平行状態に
配置した磁気ギャップＧR を有するＭＩＧ（Metal In G
ap）型１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ，
５および６は、このコアチップの両端に付けたセラミッ
ク薄板、７はコイル、８はエア抜き溝、９は磁気シール
ド板、１０・１１は１ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズコ
アチップのエッジ部位に設けた低飽和磁束密度を有する
金属膜である。本実施例によれば、図３に示すように１
ＭＢあるいは２ＭＢ用消去用ヘッドコアのギャップのエ
ッジ部位のデプスを規定するトレーリング側に、低飽和
磁束密度を有する磁性体からなる金属膜１０・１１を設
け、再生時のギャップｇE1、ｇE2長さを０．０５〜０．
１０μｍとしたことにより、高密度記録信号再生時に、
１ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信
号の読み出しがなく、クロストーク（リード／リードク
ロストーク）が発生しない。また、本実施例において磁
気シールド板９を薄く、かつ小さくできるため０／ｗ時
に磁気シールド板に流れる磁束が少ないため、十分な磁
束が高密度記録用コアチップのリード／ライト磁気ギャ
ップＧR より漏れ、０／ｗ不良が発生することがないと
いう効果がある。
【００１２】
【実施例２】図４はこの発明の第２実施例であるＦＤＤ
磁気ヘッドのギャップ近傍の部分拡大上面図である。４
は１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ、ＧR
はＭＩＧ型１０ＭＢ以上用磁気ギャップ、１３は低飽和
磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ部位にもつ１
ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（トンネルイレー
ズ型）であり、このように１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去
ヘッドコアのギャップエッジ部位のギャップ対向面両側
に低飽和磁束密度を有する金属膜１０・１１を設け、再
生時のギャップｇE1、ｇE2長さを０．０５〜０．１０μ
ｍとしたことにより、高密度記録信号再生時に１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信号の読み
出しによるクロストークが発生しない。また、１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用消去ヘッド動作時にイレーズギャップｇ
E1、ｇE2のギャップ長が低飽和磁束密度を有する金属膜
１０。１１が飽和するため十分な広さとなりイレーズ不
良発生しない。
磁気ヘッドのギャップ近傍の部分拡大上面図である。４
は１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ、ＧR
はＭＩＧ型１０ＭＢ以上用磁気ギャップ、１３は低飽和
磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ部位にもつ１
ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（トンネルイレー
ズ型）であり、このように１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去
ヘッドコアのギャップエッジ部位のギャップ対向面両側
に低飽和磁束密度を有する金属膜１０・１１を設け、再
生時のギャップｇE1、ｇE2長さを０．０５〜０．１０μ
ｍとしたことにより、高密度記録信号再生時に１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信号の読み
出しによるクロストークが発生しない。また、１ＭＢあ
るいは２ＭＢ用消去ヘッド動作時にイレーズギャップｇ
E1、ｇE2のギャップ長が低飽和磁束密度を有する金属膜
１０。１１が飽和するため十分な広さとなりイレーズ不
良発生しない。
【００１３】
【実施例３】図５はこの発明の第３実施例であるＦＤＤ
磁気ヘッドのギャップ近傍の部分拡大上面図である。４
は１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ、１４
は低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ部位
にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（先行イ
レーズ型）であり、このように，１ＭＢあるいは２ＭＢ
用の先行イレーズコアのギャップエッジ部位の片側（ト
レーリング側）に低飽和磁束密度を有する金属膜１０を
設け、再生時のギャップｇE 長０．０５〜０．１０μｍ
としたことにより、高密度記録信号再生時に１ＭＢある
いは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信号の読み出
しによるクロストークが発生しない。
磁気ヘッドのギャップ近傍の部分拡大上面図である。４
は１０ＭＢ以上の高密度記録・再生用コアチップ、１４
は低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ部位
にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（先行イ
レーズ型）であり、このように，１ＭＢあるいは２ＭＢ
用の先行イレーズコアのギャップエッジ部位の片側（ト
レーリング側）に低飽和磁束密度を有する金属膜１０を
設け、再生時のギャップｇE 長０．０５〜０．１０μｍ
としたことにより、高密度記録信号再生時に１ＭＢある
いは２ＭＢ用イレーズギャップからの再生信号の読み出
しによるクロストークが発生しない。
【００１４】また、低飽和磁束密度を有する金属膜１０
を、先行イレーズコアのギャップ対向面両側に設けても
よい。
を、先行イレーズコアのギャップ対向面両側に設けても
よい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は磁性体
からなる一対のコアを接合一体化して、その頂端面に磁
気ギャップを形成した２つ以上の薄板状コアチップを上
記頂端面の長手方向に沿って上記２つ以上の薄板状コア
チップを相互に平行状態に配置したＦＤＤ用磁気ヘッド
において、１ＭＢあるいは２ＭＢ用の消去用磁気ヘッド
のギャップにおいて、１ＭＢあるいは２ＭＢ用の消去用
磁気ヘッドのギャップのエッジ部位に低飽和磁束密度を
有する磁性体からなる金属膜を設け、この消去用磁気ヘ
ッドのギャップ長を好ましくは０．０５μｍ〜０．１０
μｍとすることによって、高密度記録用磁気ヘッドの再
生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去ヘッドからの信号
読み出しがなく、クロストークによるノイズ発生を未然
に防止できる。また、１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去ヘッ
ドからの磁束の流入がないため、高密度記録用磁気ヘッ
ドと下位用磁気ヘッド間に入れているシールド板を薄く
小さくしても十分その効果が得られる。このためシール
ド板に流れ込むでいた磁束量が減り、０／ｗに十分な磁
束の漏れが高密度記録用磁気ギャップから発生する。こ
のため、異なる記録密度で情報の書込みおよび読み出し
を実行するＦＤＤ用磁気ヘッドを容易に提供できる。
からなる一対のコアを接合一体化して、その頂端面に磁
気ギャップを形成した２つ以上の薄板状コアチップを上
記頂端面の長手方向に沿って上記２つ以上の薄板状コア
チップを相互に平行状態に配置したＦＤＤ用磁気ヘッド
において、１ＭＢあるいは２ＭＢ用の消去用磁気ヘッド
のギャップにおいて、１ＭＢあるいは２ＭＢ用の消去用
磁気ヘッドのギャップのエッジ部位に低飽和磁束密度を
有する磁性体からなる金属膜を設け、この消去用磁気ヘ
ッドのギャップ長を好ましくは０．０５μｍ〜０．１０
μｍとすることによって、高密度記録用磁気ヘッドの再
生時に、１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去ヘッドからの信号
読み出しがなく、クロストークによるノイズ発生を未然
に防止できる。また、１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去ヘッ
ドからの磁束の流入がないため、高密度記録用磁気ヘッ
ドと下位用磁気ヘッド間に入れているシールド板を薄く
小さくしても十分その効果が得られる。このためシール
ド板に流れ込むでいた磁束量が減り、０／ｗに十分な磁
束の漏れが高密度記録用磁気ギャップから発生する。こ
のため、異なる記録密度で情報の書込みおよび読み出し
を実行するＦＤＤ用磁気ヘッドを容易に提供できる。
【図１】 この発明の第１実施例を示すＦＤＤ用磁気ヘ
ッドの斜視図。
ッドの斜視図。
【図２】 この発明の第１実施例であるＦＤＤ用磁気ヘ
ッドの上面図。
ッドの上面図。
【図３】 この発明の第１実施例のＦＤＤ用磁気ヘッド
のギャップ近傍の部分拡大上面図。
のギャップ近傍の部分拡大上面図。
【図４】 この発明の第２実施例であるＦＤＤ用磁気ヘ
ッドのギャップ近傍の部分拡大図。
ッドのギャップ近傍の部分拡大図。
【図５】 この発明の第３実施例であるＦＤＤ用磁気ヘ
ッドのギャップ近傍の部分拡大上面図。
ッドのギャップ近傍の部分拡大上面図。
【図６】 従来のＦＤＤ用磁気ヘッドの斜視図。
１ ＦＤＤ用磁気ヘッド ２ １ＭＢあるいは２ＭＢ用リード／ライトコアチップ ３ １ＭＢあるいは２ＭＢ消去用コアチップ（イレーズ
コアチップ） ４ ＭＩＧ型高密度記録・再生用コアチップ ５，６ ＭＩＧ型コアチップの両端に接着したセラミッ
ク板 ７ コイル ８ エア抜き溝 ９ 両端にセラミック板を接着したフェライトシールド
板 １０，１１ １ＭＢあるいは２ＭＢイレーズコアチップ
のエッジ部位に設けた低飽和磁束密度を有する金属膜 １３ 低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ
部位にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（ト
ンネルイレーズ型） １４ 低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ
部位にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（先
行イレーズ型） １５ １ＭＢあるいは２ＭＢ用リード／ライトコアチッ
プ ｇR １ＭＢあるいは２ＭＢ用リード／ライト磁気ギャ
ップ ｇE1，ｇE2 １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズ磁気ギャ
ップ（トンネルイレーズ型） ＧR ＭＩＧ型の高密度記録・再生用磁気ギャップ ｇE １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズ磁気ギャップ
（先行イレーズ型）
コアチップ） ４ ＭＩＧ型高密度記録・再生用コアチップ ５，６ ＭＩＧ型コアチップの両端に接着したセラミッ
ク板 ７ コイル ８ エア抜き溝 ９ 両端にセラミック板を接着したフェライトシールド
板 １０，１１ １ＭＢあるいは２ＭＢイレーズコアチップ
のエッジ部位に設けた低飽和磁束密度を有する金属膜 １３ 低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ
部位にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（ト
ンネルイレーズ型） １４ 低飽和磁束密度を有する金属膜をギャップエッジ
部位にもつ１ＭＢあるいは２ＭＢ用消去コアチップ（先
行イレーズ型） １５ １ＭＢあるいは２ＭＢ用リード／ライトコアチッ
プ ｇR １ＭＢあるいは２ＭＢ用リード／ライト磁気ギャ
ップ ｇE1，ｇE2 １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズ磁気ギャ
ップ（トンネルイレーズ型） ＧR ＭＩＧ型の高密度記録・再生用磁気ギャップ ｇE １ＭＢあるいは２ＭＢ用イレーズ磁気ギャップ
（先行イレーズ型）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正内容】
【図７】 従来のＦＤＤ用磁気ヘッドの斜視図。
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性体からなるスライダ内に強磁性体か
らなる一対のコアを接合一体化し、その頂端面に磁気ギ
ャップを形成した２つ以上の薄板状コアチップを持つヘ
ッドにおいて、消去用磁気ヘッドのギャップのエッジ部
位に、低飽和磁束密度を有する磁性体からなる金属膜を
設けたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】非磁性体からなるスライダ内に強磁性体か
らなる一対のコアを接合一体化し、その頂端面に磁気ギ
ャップを形成した２つ以上の薄板状コアチップを持つヘ
ッドにおいて、消去用磁気ヘッドのギャップデプスを規
制するエッジ部位側に、低飽和磁束密度を有する磁性体
からなる金属膜を設けた磁気ヘッド。 - 【請求項３】消去用磁気ヘッドのギャップ近傍に低飽和
磁束密度を有する磁性体からなる金属膜を設けた磁気ヘ
ッドにおいて、再生時のギャップ長を０．０５〜０．１
０μｍとしたことを特徴とする請求項１または２記載の
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9653092A JPH06103518A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9653092A JPH06103518A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103518A true JPH06103518A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=14167690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9653092A Pending JPH06103518A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103518A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998016925A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-04-23 | Sony Corporation | Dispositif tete magnetique et dispositif disque magnetique |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP9653092A patent/JPH06103518A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998016925A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-04-23 | Sony Corporation | Dispositif tete magnetique et dispositif disque magnetique |
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