JPH0536018A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】低密度記録用のコアチップと高密度記録用のコ
アチップとを併設した磁気ヘッドの改良であって、低密
度記録用のコアチップで発生した磁束が高密度記録用の
コアチップに干渉しないような磁気ヘッドを提供する。 【構成】第１のコアチップと第２のコアチップとを併設
した磁気ヘッドにおいて、第２のコアチップを、コイル
パターンを内設する本体部と、本体部から突出して端面
にシングル磁気ギャップを形成する突出部とから構成
し、前記本体部を第１のコアチップから離隔配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＦＤＤ（フロッピーデ
ィスクドライブ）装置に使用され、低密度記録用と高密
度記録用の複数のコアチップを一体化した磁気ヘッド及
びその製造法に関し、詳しくは、低記録密度用のコアチ
ップで発生した磁束が、他方の高密度記録用のコアチッ
プに干渉しないようにした磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】フロッピーディスクに対する情報の記録
及び再生を、１〜２メガバイトの通常の低密度記録を行
うコアチップと、10〜12メガバイトの高密度記録を行う
コアチップを、一体化した従来の磁気ヘッドの一例を図
20乃至図22を参照して説明する。

【０００３】この磁気ヘッドは、低密度記録を行う第１
のコアチップ（10）と高密度記録を行う第２のコアチッ
プ（20）とを、非磁性体の板状のスライダ（30）を介し
て平行に配置し、さらに、第１と第２のコアチップ（1
0）（20）の両側面に非磁性体の逆Ｌ字型のスライダ（3
1）（32）の折曲部を接着固定して、上面にフロッピー
ディスク（図示せず）の媒体摺動面（１）を形成したも
のである。第１のコアチップ（10）と接合するスライダ
（31）には、エアー抜き溝（31a）が形成され、フロッ
ピーディスクの摺接状態を良好にしている。

【０００４】第１のコアチップ（10）は、低記録密度の
リード／ライト磁気ギャップ（11）とイレーズ磁気ギャ
ップ（12）とを上面に有するトンネルイレーズ形のもの
である。リード／ライト磁気ギャップ（11）は、フェラ
イト等の軟質強磁性からなるＴ字型の第１のサイドコア
（13a）とＩ字型の第１のセンターコア（14a）とが、ガ
ラス（２）によって接合された上面に形成される。第１
のサイドコア（13a）にはボビンコイル（３）が外嵌さ
れ、第１のサイドコア（13a）と第１のセンターコア（1
4a）の下端部が第１のバックコア（15a）によって連結
されて、リード／ライト磁気ギャップ（11）に磁界を発
生させる第１の閉磁路が形成される。イレーズ磁気ギャ
ップ（12）も、Ｔ字型の第２のサイドコア（13b）とＩ
字型の第２のセンターコア（14a）とがガラス（２）に
よって接合された上面に形成される。第２のサイドコア
（13b）にもボビンコイル（３）が外嵌され、第２のサ
イドコア（13b）と第２のセンターコア（14b）との下端
部が第２のバックコア（15b）に連結されて、イレーズ
磁気ギャップ（12）に磁界を発生させる第２の閉磁路が
形成される。第１のセンターコア（14a）と第２のセン
ターコア（14b）とは、非磁性体のスペーサ（16）を介
して接合される。

【０００５】第２のコアチップ（20）は、高密度記録を
行うシングル磁気ギャップ（21）を上面に有するＭＩＧ
（Metal In Gap）形のものである。シングル磁気ギャッ
プ（21）は、Ｔ字型コア（22）とＬ字型コア（23）とが
ガラス（２）によって接合された上面に形成される。Ｌ
字型コア（23）にボビンコイル（３）が外嵌され、Ｔ字
型コア（22）とＬ字型コア（23）の下端部がバックコア
（24）に連結されて、シングル磁気ギャップ（21）に磁
界を発生させる第３の閉磁路が形成される。

【０００６】このような磁気ヘッドは、回転するフロッ
ピーディスク（図示せず）に対して所定の圧力で接触さ
せる一方、その径方向に位置決めして移動させることに
より、フロッピーディスクの同心円状のトラックを走査
する。フロッピーディスクに低密度記録をするときは、
リード／ライト磁気ギャップ（11）によってオーバーラ
イトし、さらに、イレーズ磁気ギャップ（12）により、
オーバーライトされたトラックの両側部分をトリミング
して隣接するトラック間の情報の干渉、即ち、クロスト
ークを防止している。フロッピーディスクに高密度記録
をするときは、シングル磁気ギャップ（21）によって前
の記録の上に新しい記録を重ね書きするため、イレーズ
ギャップは第２のコアチップ（20）に設けられていな
い。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】フロッピーディスクへ
の情報の書き込み及び読み出しは、低密度記録されたと
きと高密度記録されたときとで互換性を得るために、第
１のコアチップ（10）と第２のコアチップ（20）とを近
接して配置する必要がある。

【０００８】従って、図21に示すように第２のコアチッ
プ（20）のＬ字型コア（23）に外嵌されるボビンコイル
（３）は、第１のサイドコア（13a）に外嵌されるボビ
ンコイル（３）と、第２のサイドコア（13b）を外嵌す
るボビンコイル（３）との間に近接して千鳥状に配置さ
れる。

【０００９】しかし、Ｌ字型コア（23）を外嵌するボビ
ンコイル（３）と第２のサイドコア（13b）を外嵌する
ボビンコイル（３）とが近接すると、第２の閉磁路に磁
束が流れた際に、その磁束がＬ字型コア（23）を外嵌す
たボビンコイル（３）に鎖交して、第３の閉磁路に磁束
が流れてしまい、シングル磁気ギャップ（21）からもフ
ロッピーディスクに情報を記録するといった不具合があ
った。

【００１０】このような不具合を解消するため、第１の
コアチップ（10）と第２のコアチップ（20）との間に、
フェライト板（図示せず）等を介在させる等の工夫がさ
れているが、第２の閉磁路に流れた磁束がフェライト板
にも流れてしまい、オーバーライトされた時にトラック
の両側部分をトリミングする能力が低下して、隣接する
トラック間の情報の干渉、即ち、クロストークを確実に
防止できなくなってしまうといった別の不具合が生じて
しまう。

【００１１】そこで、本発明はオーバーライトされた特
にトラックの両側部分をトリミングする能力を低下させ
ることなく、第１のコアチップで発生した磁束が第２の
コアチップのボビンコイルに鎖交しないようにした磁気
ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の手段は、第１のコアチップと第２のコアチップ
とを併設した磁気ヘッドにおいて、上記第２のコアチッ
プを、コイルパターンを内設する本体部と、本体部から
突出して端面にシングル磁気ギャップを形成する突出部
とから構成し、前記本体部を第１のコアチップから離隔
配置したものである。

【００１３】上記目的を達成するための第２の手段は、
上記第２のコアチップの製造方法であって、基板上に下
部金属層を積層する工程と、下部コアを形成するための
フォトレジスト膜を前記下部金属層上に積層する工程
と、イオンミリングによりフォトレジスト膜下以外の下
部金属層を除去してフォトレジスト膜下に下部コアを形
成する工程と、前記下部金属層の除去により露出した基
板の上面とフォトレジスト膜を除去した下部コアの上面
に下部絶縁膜を積層する工程と、前記下部絶縁膜上に金
属膜を積層する工程と、前記金属膜上にコイルパターン
を形成するためのフォトレジスト膜を積層する工程と、
イオンミリングにより前記フォトレジスト膜下以外の金
属膜を除去してフォトレジスト膜下にコイルパターンを
形成する工程と、フォトレジスト膜を除去したコイルパ
ターン上に上部絶縁膜を積層する工程と、前記上部絶縁
膜上に上部金属層を積層する工程と、上部コアを形成す
るためのフォトレジスト膜を前記上部金属層上に積層す
る工程と、イオンミリングによりフォトレジスト膜下以
外の上部金属層を除去してフォトレジスト膜下に上部コ
アを積層する工程と、前記上部金属層の除去により露出
した上部絶縁膜の上面とフォトレジスト膜を除去した上
部コアの上面に保護層を積層する工程とを含むものであ
る。

【００１４】

【作用】上記第１の手段によれば、第２のコアチップの
本体部が第１のコアチップから離隔配置されることとな
り、第１のコアチップで発生した磁束が第２のコアチッ
プの本体部内のコイルパターンに鎖交しなくなり、両コ
アチップ間のクロストークが解消される。

【００１５】上記第２の手段は、コイルパターンとシン
グル磁気ギャップとを一括して製造する方法であり、本
体部内で、コイルパターンが絶縁膜を介して下部コアと
上部コアとを巻回した状態となり、また、突出部の端面
に下部コアと上部コアとに挟まれた下部及び上部絶縁膜
が露出する。この下部及び上部絶縁膜がシングル磁気ギ
ャップとなる。

【００１６】

【実施例】本発明に係る磁気ヘッドの構造を図１乃至図
３を参照して説明する。但し、従来と同一相当部分は同
一符号を附して、その説明を省略する。本発明に係る磁
気ヘッドは、高密度記録を行う第２のコアチップ（40）
を、四角形の本体部（41）と、本体部（41）の一端部か
ら突出させた突出部（42）とから構成し、本体部（41）
内にコイルパターン（43）を内設し、突出部（42）の端
面にシングル磁気ギャップ（44）を露出させたものであ
る。

【００１７】本体部（41）は、図２及び図３に示すよう
にセラミック等の非磁性体からなる基板（50）上に、Ｌ
字型の下部コア（51）と、例えばAl2O3又はSiO3からな
る上部及び下部絶縁膜（52a）（52b）と、四角形ループ
状のコイルパターン（43）と、Ｌ字型の上部コア（53）
と、例えばAl2O3からなる保護層（54）とを積層したも
のである。下部コア（51）は、基板（50）の外周部には
積層せず、基板（50）の外周部と絶縁膜（52）との間
に、例えばAl2O3又はSiO3からなる絶縁層（55）を介在
させる。また、上部コア（53）の内端部は、コイルパタ
ーン（43）のループ内に配設する。コイルパターン（4
3）は、下部及び上部絶縁膜（52a）（52b）を介して下
部コア（51）と上部コア（53）を巻回した状態となり、
コイルパターン（43）の端部である外部引出し用リード
を本体部（41）の一端面から露出させる。

【００１８】また、突出部（42）の端面は、図４に示す
ように基板（50）上に積層した下部コア（51）と上部コ
ア（53）とに挟まれた下部及び上部絶縁膜（52a）（52
b）がシングル磁気ギャップ（44）となる。下部コア（5
1）を台形状に形成し、その台形状に対応して形成した
絶縁膜（52）を介して、上部コア（53）を下部コア（5
1）の中間部まで回り込ませることにより、オーバーラ
イト時に、トラック両端にアジマス記録ができ、隣接す
るトラックとのクロストークが生じないようにできる。

【００１９】このような第２のコアチップ（40）を図１
に示すようなスライダ（33）に組付けると、本発明に係
る磁気ヘッドが完成する。このスライダ（33）には、第
２のコアチップ（40）の本体部（41）を嵌合する大窓部
（33a）と、突出部（42）を嵌合する小窓部（33b）とを
穿設し、大窓部（33a）から外部引出し用リードを露出
させ、小窓部（33b）からシングル磁気ギャップ（44）
を露出させる。第２のコアチップ（40）の本体部（41）
をスライダ（33）の大窓部（33a）に嵌合することによ
り、本体部（41）に内設されたコイルパターン（43）は
スライダ（33）の内壁部分に配置される。また、シング
ル磁気ギャップ（44）と、第１のコアチップ（10）とを
所定の間隔で離隔するように、小窓部（33b）を穿設す
ることにより、従来、第１のコアチップ（10）と第２の
コアチップ（20）との間に介在させていたスライダ（3
0）を不要にできる。第１のコアチップ（10）等他の部
分は従来と同一構造であり、第２のサイドコア（13b）
にボビンコイル（３）を外嵌して第２の閉磁路を形成す
る。この第２の閉磁路に磁束が流れても、第２のコアチ
ップ（40）のコイルパターン（43）は、第２の閉磁路を
形成するボビンコイル（３）から離隔したスライダ（3
3）の内壁部分に配置されているため、コイルパターン
（43）に磁束が鎖交することはない。

【００２０】ここで、本発明に係る第２のコアチップ
（40）の製造方法を、図５乃至図19を参照して説明す
る。先ず、図５に示すように、セラミック製の基板（5
0）を四角形状本体部（41）を形成する部分とその本体
部（41）の一端から突出した突出部（42）を形成する部
分とからなる形状に加工する。次に、図６に示すよう
に、この基板（50）上に例えばセンダストからなる下部
金属層（51a）を８〜12μｍ以上の厚さにスパッタによ
り積層する。次に、図７に示すように下部金属層（51
a）上にＬ字型のフォトレジスト膜（56）を20μｍ程度
の厚さに積層する。次に、イオンミリングを行うと、図
８に示すように、フォトレジスト膜（56）下の下部金属
層（51a）が台形に残存して下部コア（51）となり、フ
ォトレジスト膜（56）下以外の下部金属層（51a）が除
去される。次に、図９に示すように、下部金属層（51
a）が除去されて露出した基板（50）上と、フォトレジ
スト膜（56）上に例えばAl2O3又はSiO3からなる絶縁層
（55）をスパッタにより積層する。このとき、基板（5
0）上の絶縁層（55）とフォトレジスト膜（56）上の絶
縁層（55）とが連続しないようにしておく。次に、リフ
トオフにより、フォトレジスト膜（56）を除去し、図10
に示すように、下部コア（51）の上面を露出させる。こ
のとき、基板（50）上の絶縁層（55）とフォトレジスト
膜（56）上の絶縁層（55）とが連続していると、リフト
オフできない。次に、図11に示すように、絶縁層（55）
の上面と露出している下部コア（51）の上面に下部絶縁
膜（52a）を形成する。次に、図12に示すように、下部
絶縁膜（52a）の上面に例えばAuやCuからなる金属膜（4
3a）を積層し、本体部（41）となる部分の金属膜（43
a）上にコイルパターン（43）を形成するためのフォト
レジスト膜（57）を積層する。そして、イオンミリング
を行うと、図13（ａ）（ｂ）に示すようにフォトレジス
ト膜（57）下以外の金属膜（43a）が除去され、フォト
レジスト膜（57）下にコイルパターン（43）が形成され
る。次に、リフトオフをして、図14に示すようにフォト
レジスト膜（57）を除去する。次に、図15に示すように
金属膜（43a）が除去されて露出した下部絶縁膜（52a）
の上面とコイルパターン（43）上に上部絶縁膜（52b）
を積層する。次に、図16に示すように上部絶縁膜（52
b）上に、例えばセンダストからなる上部金属層（53a）
を積層する。次に、図17に示すように上部金属層（53
a）上に、上部コア（53）を形成するためのＬ字型のフ
ォトレジスト膜（58）を積層する。次に、イオンミリン
グを行うと、図18に示すようにフォトレジスト膜（58）
下の上部金属層（53a）が上部コア（53）に形成され、
フォトレジスト膜下（58）以外の上部金属層（53a）が
除去されて、上部絶縁膜（52b）が露出する。次に、リ
フトオフしてフォトレジスト膜（58）を除去し、図19に
示すように例えばAl2O3からなる保護層（54）を積層す
ると、本発明に係る第２のコアチップ（40）が完成す
る。

【００２１】

【発明の効果】本発明によれば、第１のコアチップで発
生した磁束が第２のコアチップに干渉しないため、フロ
ッピーディスクの隣接するトラックとのクロストークが
生じず、誤った情報がフロッピーディスクに記録される
ことがなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドの斜視図

【図２】本発明に係る磁気ヘッドに組付ける第２のコア
チップの平面図

【図３】同じく第２のコアチップの本体部の断面図

【図４】同じく第２のコアチップの突出部の端面の正面
図

【図５】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図６】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図７】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図８】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図９】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図10】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図11】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の斜視図

【図12】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図13】（ａ）は同じく第２のコアチップの製造方法を
説明する一工程の一部断面斜視図、（ｂ）は（ａ）の矢
視Ａ方向の断面図

【図14】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図15】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図16】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図17】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図18】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図19】同じく第２のコアチップの製造方法を説明する
一工程の一部断面斜視図

【図20】従来の磁気ヘッドの斜視図

【図21】同じく従来の磁気ヘッドの平面図

【図22】同じく従来の磁気ヘッドの分解斜視図

【符号の説明】

10 第１のコアチップ 40 第２のコアチップ 41 本体部 42 突出部 43 コイルパターン 43a 金属膜 44 シングル磁気ギャップ 50 基板 51 下部コア 51a 下部金属層 52a 下部絶縁膜 52b 上部絶縁膜 53 上部コア 54 保護層 55 フォトレジスト膜 56 フォトレジスト膜 57 フォトレジスト膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のコアチップと第２のコアチップとを
   併設した磁気ヘッドにおいて、上記第２のコアチップ
   を、コイルパターンを内設する本体部と、本体部から突
   出して端面にシングル磁気ギャップを形成する突出部と
   から構成し、前記本体部を第１のコアチップから離隔配
   置したことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】請求項１記載の第２のコアチップの製造方
   法であって、基板上に下部金属層を積層する工程と、下
   部コアを形成するためのフォトレジスト膜を前記下部金
   属層上に積層する工程と、イオンミリングによりフォト
   レジスト膜下以外の下部金属層を除去してフォトレジス
   ト膜下に下部コアを形成する工程と、前記下部金属層の
   除去により露出した基板の上面とフォトレジスト膜を除
   去した下部コアの上面に下部絶縁膜を積層する工程と、
   前記下部絶縁膜上に金属膜を積層する工程と、前記金属
   膜上にコイルパターンを形成するためのフォトレジスト
   膜を積層する工程と、イオンミリングにより前記フォト
   レジスト膜下以外の金属膜を除去してフォトレジスト膜
   下にコイルパターンを形成する工程と、フォトレジスト
   膜を除去したコイルパターン上に上部絶縁膜を積層する
   工程と、前記上部絶縁膜上に上部金属層を積層する工程
   と、上部コアを形成するためのフォトレジスト膜を前記
   上部金属層上に積層する工程と、イオンミリングにより
   フォトレジスト膜下以外の上部金属層を除去してフォト
   レジスト膜下に上部コアを積層する工程と、前記上部金
   属層の除去により露出した上部絶縁膜の上面とフォトレ
   ジスト膜を除去した上部コアの上面に保護層を積層する
   工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。