JPH06103668B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH06103668B2 JPH06103668B2 JP63046005A JP4600588A JPH06103668B2 JP H06103668 B2 JPH06103668 B2 JP H06103668B2 JP 63046005 A JP63046005 A JP 63046005A JP 4600588 A JP4600588 A JP 4600588A JP H06103668 B2 JPH06103668 B2 JP H06103668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- purge gas
- susceptor
- heating chamber
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に関し、特に気相成長装置に関
するものである。
するものである。
第３図（ａ）は気相成長装置の従来例を示す断面図であ
る。第３図（ａ）において、ベースプレート１上に石英
製ベルシャー２とステンレス製ベルジャー３とがＯ−リ
ング４を介して気密に載置され止め具17により固定され
ている。このベルジャー内の中央位置にベースプレート
１を貫通して反応ガス10を導入する反応気体導入用ノズ
ル11が設けられている。さらにノズル11の外周には被処
理半導体基板（以下単にウェハーという）５を載置する
円板型のSiCコートサセプタ６が取付けられ、SiCコート
サセプタ６の下側には反応ガスを遮蔽するためのコイル
カバー18を介してスパイラル状の高周波加熱コイル７が
取付けられている。上記構造の気相成長装置において、
高周波誘導によりSiCコートサセプタ６上に載置された
ウェハー５を加熱し、同時にSiCコートサセプタ６をモ
ーター９により回転軸16を介して回転させ各ウェハー５
を均一加熱する。一方この加熱中、反応ガス10をノズル
11より矢印11a方向に噴出させ、ウェハー５の表面上に
均質な膜を成長させる。ノズルの噴出口11aから噴出し
たガスは反応ガス排出口12からベルジャー外に排出され
る。
る。第３図（ａ）において、ベースプレート１上に石英
製ベルシャー２とステンレス製ベルジャー３とがＯ−リ
ング４を介して気密に載置され止め具17により固定され
ている。このベルジャー内の中央位置にベースプレート
１を貫通して反応ガス10を導入する反応気体導入用ノズ
ル11が設けられている。さらにノズル11の外周には被処
理半導体基板（以下単にウェハーという）５を載置する
円板型のSiCコートサセプタ６が取付けられ、SiCコート
サセプタ６の下側には反応ガスを遮蔽するためのコイル
カバー18を介してスパイラル状の高周波加熱コイル７が
取付けられている。上記構造の気相成長装置において、
高周波誘導によりSiCコートサセプタ６上に載置された
ウェハー５を加熱し、同時にSiCコートサセプタ６をモ
ーター９により回転軸16を介して回転させ各ウェハー５
を均一加熱する。一方この加熱中、反応ガス10をノズル
11より矢印11a方向に噴出させ、ウェハー５の表面上に
均質な膜を成長させる。ノズルの噴出口11aから噴出し
たガスは反応ガス排出口12からベルジャー外に排出され
る。
一方、コイルパージガス15はコイルパージ導入口13から
コイルカバー18内に導入され、コイルパージガス排出口
14から反応処理ガスと共にベルジャー外に排出される。
コイルカバー18内に導入され、コイルパージガス排出口
14から反応処理ガスと共にベルジャー外に排出される。
上述した従来の気相成長装置においては、コイル７のカ
バー18として第３図（ｂ）に示すようにコイル７の上方
及び側方を覆う中空体が設けられ、上面中央には反応ガ
ス導入用ノズル11およびサセプタ６の回転軸16を貫通さ
せる開口18′を設けたものであった。このコイルカバー
18は加熱室側と反応炉側とに区画するものであるが、カ
バー18の開口18′は第３図（ａ）に示すように、該開口
18′と回転軸16間にガスの流通可能な隙間が形成される
ことになり、反応中にこの隙間を通じてコイルカバー18
内へ反応ガスであるHCl、SiCl4，SiH2Cl2等の塩化物の
残留ガスが該隙間を通して流入し、高周波誘導加熱コイ
ル７の表面が冷却液の影響で結露が生じたときにはその
表面を腐蝕させ、また逆に、反応炉内とコイルカバー18
内が同圧力であることからコイルカバー18内から反応ガ
スの流速で反応炉側へコイルパージガス15aが吸い込ま
れ、該コイルパージガス15中に含まれた銅等の金属がサ
セプタ６のSiCコート層を侵食してSiCが昇華する現象が
生じてSiC剥離を誘発しそれがサセプタ６の寿命を縮
め、また不純物混入による製品への悪影響が生じるとい
う問題があった。
バー18として第３図（ｂ）に示すようにコイル７の上方
及び側方を覆う中空体が設けられ、上面中央には反応ガ
ス導入用ノズル11およびサセプタ６の回転軸16を貫通さ
せる開口18′を設けたものであった。このコイルカバー
18は加熱室側と反応炉側とに区画するものであるが、カ
バー18の開口18′は第３図（ａ）に示すように、該開口
18′と回転軸16間にガスの流通可能な隙間が形成される
ことになり、反応中にこの隙間を通じてコイルカバー18
内へ反応ガスであるHCl、SiCl4，SiH2Cl2等の塩化物の
残留ガスが該隙間を通して流入し、高周波誘導加熱コイ
ル７の表面が冷却液の影響で結露が生じたときにはその
表面を腐蝕させ、また逆に、反応炉内とコイルカバー18
内が同圧力であることからコイルカバー18内から反応ガ
スの流速で反応炉側へコイルパージガス15aが吸い込ま
れ、該コイルパージガス15中に含まれた銅等の金属がサ
セプタ６のSiCコート層を侵食してSiCが昇華する現象が
生じてSiC剥離を誘発しそれがサセプタ６の寿命を縮
め、また不純物混入による製品への悪影響が生じるとい
う問題があった。
本発明の目的は、前記問題点を解消した気相成長装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の気相成長装置においては該コイルカバー
の形状に起因して反応炉と加熱室とのガス相互間で流通
が発生していたが、本発明の気相成長装置においては、
反応炉側のガスと加熱室側のガスとを完全に隔離し、反
応ガスとコイルパージガスとの混合を阻止したという相
違点を有する。
の形状に起因して反応炉と加熱室とのガス相互間で流通
が発生していたが、本発明の気相成長装置においては、
反応炉側のガスと加熱室側のガスとを完全に隔離し、反
応ガスとコイルパージガスとの混合を阻止したという相
違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る気相成長装置
は、コイルカバーと、サセプタと、高周波誘導加熱コイ
ルと、ノズルと、パージガス給排機構とを有する気相成
長装置であって、 コイルカバーは、中空状の軸筒部を有し、ベルジャー内
の反応室から隔離して加熱室を該ベルジャー内に形成し
たものであり、 サセプタは、前記コイルカバーの中空状軸筒部を貫通す
る回転軸に取付けられ、被処理半導体基板を支持するも
のであり、 高周波誘導加熱コイルは、前記コイルカバーの加熱室内
に収容され、前記サセプタを加熱するものであり、 ノズルは、前記回転軸内を通して前記サセプタの上方位
置に設けられ、反応ガスを前記サセプタ側に向けて噴霧
するものであります。
は、コイルカバーと、サセプタと、高周波誘導加熱コイ
ルと、ノズルと、パージガス給排機構とを有する気相成
長装置であって、 コイルカバーは、中空状の軸筒部を有し、ベルジャー内
の反応室から隔離して加熱室を該ベルジャー内に形成し
たものであり、 サセプタは、前記コイルカバーの中空状軸筒部を貫通す
る回転軸に取付けられ、被処理半導体基板を支持するも
のであり、 高周波誘導加熱コイルは、前記コイルカバーの加熱室内
に収容され、前記サセプタを加熱するものであり、 ノズルは、前記回転軸内を通して前記サセプタの上方位
置に設けられ、反応ガスを前記サセプタ側に向けて噴霧
するものであります。
パージガス給排機構は、前記コイルカバー内の加熱室内
に開口した対をなすコイルパージガス導入口とコイルパ
ージガス排出口とを有し、コイルパージガス導入口から
前記加熱室内にパージガスを給送しつつコイルパージガ
ス排出口よりパージガスを排気することにより、加熱室
内の高周波誘導加熱コイルをパージガスするものであ
る。
に開口した対をなすコイルパージガス導入口とコイルパ
ージガス排出口とを有し、コイルパージガス導入口から
前記加熱室内にパージガスを給送しつつコイルパージガ
ス排出口よりパージガスを排気することにより、加熱室
内の高周波誘導加熱コイルをパージガスするものであ
る。
次に本発明の実施例を図により説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
１図（ｂ）は本発明の第１の実施例に用いたコイルカバ
ーの形状を示す斜視図である。
１図（ｂ）は本発明の第１の実施例に用いたコイルカバ
ーの形状を示す斜視図である。
第１図（ａ）において、ベースプレート１上を石英製ベ
ルジャー２及びステンレス製ベルジャー３で覆い、ベル
ジャー３とベースプレート１との接合面にＯ−リング４
を介装し、SiCコートサセプタ６をモータ９に直結され
た回転軸16で支え、その下方に高周波誘導加熱コイル７
を設置し、回転軸16を通してノズル11を上方に開口した
点は第３図に示す従来装置と同一である。他の第３図と
同一構成部分には同一番号を付して説明を省略する。本
発明では第１図（ｂ）に示すように内外二重筒からな
り、内外筒間の上面を閉じたコイルカバー８を用いてこ
れをベースプレート１上に設置し、ベルジャー２内の反
応室から隔離して加熱室をコイルカバー８内に形成す
る。該カバー８の内筒を軸筒としてその開口８′に回転
軸16を貫通させ、第３図（ａ）に示すようにベースプレ
ート１に設けたコイルパージガス導入口13およびコイル
パージガス排出口14をコイルカバー８内の加熱室内に開
口したものである。本発明ではコイルパージガス排出口
14を反応ガス排出口12とは別個独立の管路としている。
これによって、開口８′からのガスの漏出がなくなりコ
イルパージガス導入口13からコイルカバー８内に入った
コイルパージガス15は反応ガス10と混ることなく、排出
口14から単独に排出され、反応ガス10は反応ガス排出口
12から単独に排出される。
ルジャー２及びステンレス製ベルジャー３で覆い、ベル
ジャー３とベースプレート１との接合面にＯ−リング４
を介装し、SiCコートサセプタ６をモータ９に直結され
た回転軸16で支え、その下方に高周波誘導加熱コイル７
を設置し、回転軸16を通してノズル11を上方に開口した
点は第３図に示す従来装置と同一である。他の第３図と
同一構成部分には同一番号を付して説明を省略する。本
発明では第１図（ｂ）に示すように内外二重筒からな
り、内外筒間の上面を閉じたコイルカバー８を用いてこ
れをベースプレート１上に設置し、ベルジャー２内の反
応室から隔離して加熱室をコイルカバー８内に形成す
る。該カバー８の内筒を軸筒としてその開口８′に回転
軸16を貫通させ、第３図（ａ）に示すようにベースプレ
ート１に設けたコイルパージガス導入口13およびコイル
パージガス排出口14をコイルカバー８内の加熱室内に開
口したものである。本発明ではコイルパージガス排出口
14を反応ガス排出口12とは別個独立の管路としている。
これによって、開口８′からのガスの漏出がなくなりコ
イルパージガス導入口13からコイルカバー８内に入った
コイルパージガス15は反応ガス10と混ることなく、排出
口14から単独に排出され、反応ガス10は反応ガス排出口
12から単独に排出される。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す。図におい
て、この実施例では、ベースプレート１の一部に窪みを
設け、その立上り部を前実施例におけるコイルカバー８
の外筒部分としたものである。
て、この実施例では、ベースプレート１の一部に窪みを
設け、その立上り部を前実施例におけるコイルカバー８
の外筒部分としたものである。
したがって、本実施例によれば、ベースプレート１の窪
みの上面と、回転軸の軸筒部分がコイルカバー８で覆わ
れ、この隔離された密閉空間内にコイル７が収容され
る。反応炉内に送入される反応ガスと、加熱室内に送入
されるパージガスとの混合は生じない。したがって、反
応炉内の内圧P1と加熱室内の内圧P2とは無関係となり、
反応ガス、不活性ガスに自由に差圧をつけてガスを送
入、排出できる。
みの上面と、回転軸の軸筒部分がコイルカバー８で覆わ
れ、この隔離された密閉空間内にコイル７が収容され
る。反応炉内に送入される反応ガスと、加熱室内に送入
されるパージガスとの混合は生じない。したがって、反
応炉内の内圧P1と加熱室内の内圧P2とは無関係となり、
反応ガス、不活性ガスに自由に差圧をつけてガスを送
入、排出できる。
以上説明したように本発明によれば、反応室から隔離し
て加熱室を設け、該加熱室内に高周波誘導加熱コイルを
収容し、加熱室内にコイルのパージ用ガスを給排するた
め、反応室内での処理とは独立させて高周波誘導加熱コ
イルをパージガスでパージすることができ、しかも高周
波誘導加熱コイルをパージするコイルパージガスが反応
室内に吸い込まれて該コイルパージガスがサセプタに接
触することはなく、パージガスに含まれる金属によりサ
セプタのコート層が侵食されることを防止することがで
きる。
て加熱室を設け、該加熱室内に高周波誘導加熱コイルを
収容し、加熱室内にコイルのパージ用ガスを給排するた
め、反応室内での処理とは独立させて高周波誘導加熱コ
イルをパージガスでパージすることができ、しかも高周
波誘導加熱コイルをパージするコイルパージガスが反応
室内に吸い込まれて該コイルパージガスがサセプタに接
触することはなく、パージガスに含まれる金属によりサ
セプタのコート層が侵食されることを防止することがで
きる。
さらに反応室内の反応ガスが加熱室内に流入することが
なく、該反応ガスにより高周波誘導加熱コイルの表面が
腐食されるのを防止することができるという効果を有す
る。
なく、該反応ガスにより高周波誘導加熱コイルの表面が
腐食されるのを防止することができるという効果を有す
る。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）のコイルカバーの斜視図、第
２図は第２の実施例の断面図、第３図（ａ）は従来例を
示す断面図、第３図（ｂ）はコイルカバーの斜視図であ
る。 １…ベースプレート、２…石英製ベルジャー ３…ステンレス製ベルジャー ４…Ｏ−リング ５…ウェハー、６…サセプタ ７…高周波誘導加熱コイル ８…コイルカバー、８′…開口 10…反応ガス、11…ノズル 12…反応ガス排出口 13…コイルパージガス導入口 14…コイルパージガス排出口 15…コイルパージガス、16…回転軸
１図（ｂ）は第１図（ａ）のコイルカバーの斜視図、第
２図は第２の実施例の断面図、第３図（ａ）は従来例を
示す断面図、第３図（ｂ）はコイルカバーの斜視図であ
る。 １…ベースプレート、２…石英製ベルジャー ３…ステンレス製ベルジャー ４…Ｏ−リング ５…ウェハー、６…サセプタ ７…高周波誘導加熱コイル ８…コイルカバー、８′…開口 10…反応ガス、11…ノズル 12…反応ガス排出口 13…コイルパージガス導入口 14…コイルパージガス排出口 15…コイルパージガス、16…回転軸
Claims (1)
- 【請求項１】コイルカバーと、サセプタと、高周波誘導
加熱コイルと、ノズルと、パージガス給排機構とを有す
る気相成長装置であって、 コイルカバーは、中空状の軸筒部を有し、ベルジャー内
の反応室から隔離して加熱室を該ベルジャー内に形成し
たものであり、 サセプタは、前記コイルカバーの中空状軸筒部を貫通す
る回転軸に取付けられ、被処理半導体基板を支持するも
のであり、 高周波誘導加熱コイルは、前記コイルカバーの加熱室内
に収容され、前記サセプタを加熱するものであり、 ノズルは、前記回転軸内を通して前記サセプタの上方位
置に設けられ、反応ガスを前記サセプタ側に向けて噴霧
するものであります。 パージガス給排機構は、前記コイルカバー内の加熱室内
に開口した対をなすコイルパージガス導入口とコイルパ
ージガス排出口とを有し、コイルパージガス導入口から
前記加熱室内にパージガスを給送しつつコイルパージガ
ス排出口よりパージガスを排気することにより、加熱室
内の高周波誘導加熱コイルをパージガスでパージするも
のであることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046005A JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046005A JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220433A JPH01220433A (ja) | 1989-09-04 |
| JPH06103668B2 true JPH06103668B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=12734955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046005A Expired - Lifetime JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103668B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2593726B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1997-03-26 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2013119637A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置 |
| KR102678091B1 (ko) * | 2020-12-14 | 2024-06-26 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4337681A (en) * | 1980-08-14 | 1982-07-06 | Kawai Musical Instrument Mfg. Co., Ltd. | Polyphonic sliding portamento with independent ADSR modulation |
| JPS6119119A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPS62112316A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦形エピタキシヤル膜生成装置 |
| JPS62201927U (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-23 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046005A patent/JPH06103668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01220433A (ja) | 1989-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6106625A (en) | Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride | |
| US6079356A (en) | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium | |
| US5972114A (en) | Film deposition apparatus with anti-adhesion film and chamber cooling means | |
| JP2654996B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3181490U (ja) | 原子層堆積チャンバ及び構成部品 | |
| CA2138292C (en) | Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten cvd | |
| US6120605A (en) | Semiconductor processing system | |
| JPS62142770A (ja) | タングステンシリサイドフィルムをデポジションする方法 | |
| KR20030081177A (ko) | 단일웨이퍼처리형 화학증착장치 및 방법 | |
| JPH11312649A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPWO2005015619A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH021116A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0587128B2 (ja) | ||
| US6194030B1 (en) | Chemical vapor deposition velocity control apparatus | |
| JP3738494B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP7279605B2 (ja) | 成膜装置及び成膜装置の運用方法 | |
| JPH01220433A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3690095B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH10177961A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPS6329744Y2 (ja) | ||
| JP3093716B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPH02255594A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6119119A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2534238B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06256958A (ja) | 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 |