JPH06104081A - マイクロウェーブオーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造 - Google Patents
マイクロウェーブオーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造Info
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- JPH06104081A JPH06104081A JP5087770A JP8777093A JPH06104081A JP H06104081 A JPH06104081 A JP H06104081A JP 5087770 A JP5087770 A JP 5087770A JP 8777093 A JP8777093 A JP 8777093A JP H06104081 A JPH06104081 A JP H06104081A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロウェーブオーブン用マグネトロンの
不要電子波遮蔽構造であって、作用空間部の上端シール
ドから下方に延長形成されたセンターリードとこれに隣
接して配置されたサイドリードとからなる電源入力部へ
作用空間部から発生された不要電子波が漏洩されること
を防止することである。 【構成】 入力部のセンターリード１８とサイドリード
１９の下部を挿入した状態でエフセラミック１６がメタ
ルシリンダー２０の下端とエフ端子１７との間の内部に
設置されてこれらを絶縁させ、入力部のセンターリード
１８とサイドリード１９の周囲へ漏洩される不要電子波
を遮蔽するために第１、第２フェライトコアー２１，２
２がエフセラミック１６の上下部の外周面上に同心状で
挿入され、第２フェライトコアー２２の環状支持片２２
ａとエフ端子１７の折曲支持部１７ａとの間に、これら
を絶縁するための環状絶縁体２３が介在される。
不要電子波遮蔽構造であって、作用空間部の上端シール
ドから下方に延長形成されたセンターリードとこれに隣
接して配置されたサイドリードとからなる電源入力部へ
作用空間部から発生された不要電子波が漏洩されること
を防止することである。 【構成】 入力部のセンターリード１８とサイドリード
１９の下部を挿入した状態でエフセラミック１６がメタ
ルシリンダー２０の下端とエフ端子１７との間の内部に
設置されてこれらを絶縁させ、入力部のセンターリード
１８とサイドリード１９の周囲へ漏洩される不要電子波
を遮蔽するために第１、第２フェライトコアー２１，２
２がエフセラミック１６の上下部の外周面上に同心状で
挿入され、第２フェライトコアー２２の環状支持片２２
ａとエフ端子１７の折曲支持部１７ａとの間に、これら
を絶縁するための環状絶縁体２３が介在される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロウェーブオーブ
ンに使用されてマイクロ波を発生させるマグネトロンに
関するもので、詳しくはマグネトロンの入力部側のエフ
セラミックの外側に電子波吸収用フェライトを結合して
不必要な基本波及び高調波（以下、“不要電子波”とい
う）の漏洩を防止するようにしたものである。
ンに使用されてマイクロ波を発生させるマグネトロンに
関するもので、詳しくはマグネトロンの入力部側のエフ
セラミックの外側に電子波吸収用フェライトを結合して
不必要な基本波及び高調波（以下、“不要電子波”とい
う）の漏洩を防止するようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マイクロウェーブオーブン用マ
グネトロンは、図１及び図２に示すように、フレームの
役目を果たすヨーク１の内側に設置される円筒形アノー
ド２と、熱電子を放射させるためにセンターリード１８
の軸上に挿入され上下端シールド４，５により支持され
るコイルフィラメント６とからなるカソード部と、前記
カソード部に電源を印加するためにセンターリード１８
及びサイドリード１９を備える電源入力部Ａと、円筒形
アノード２の内側に半径方向に配置された複数のベーン
３と上下端シールド４，５とからなる作用空間部７と、
前記作用空間部７に磁束を印加する磁石８と、磁極９等
によりなる磁気回路部と、円筒形アノード２に伝達され
たマイクロ波エネルギーを外部へ吐出させるためにアン
テナリード１０と、アンテナセラミック１１と、アンテ
ナキャップ１２とからなる出力部と、マグネトロンの発
振時に作用空間７から発生した不要電子波が前記入力部
Ａに逆流されることを防止するためにチョークコイル１
３と、貫通形コンデンサー１４とからなるフィルター回
路部と、から構成される。未説明符号１５はフィルター
回路部を取り囲んで保護するためのシールドケースで、
１６はエフセラミックで、１７はエフ端子である。
グネトロンは、図１及び図２に示すように、フレームの
役目を果たすヨーク１の内側に設置される円筒形アノー
ド２と、熱電子を放射させるためにセンターリード１８
の軸上に挿入され上下端シールド４，５により支持され
るコイルフィラメント６とからなるカソード部と、前記
カソード部に電源を印加するためにセンターリード１８
及びサイドリード１９を備える電源入力部Ａと、円筒形
アノード２の内側に半径方向に配置された複数のベーン
３と上下端シールド４，５とからなる作用空間部７と、
前記作用空間部７に磁束を印加する磁石８と、磁極９等
によりなる磁気回路部と、円筒形アノード２に伝達され
たマイクロ波エネルギーを外部へ吐出させるためにアン
テナリード１０と、アンテナセラミック１１と、アンテ
ナキャップ１２とからなる出力部と、マグネトロンの発
振時に作用空間７から発生した不要電子波が前記入力部
Ａに逆流されることを防止するためにチョークコイル１
３と、貫通形コンデンサー１４とからなるフィルター回
路部と、から構成される。未説明符号１５はフィルター
回路部を取り囲んで保護するためのシールドケースで、
１６はエフセラミックで、１７はエフ端子である。
【０００３】このように構成されたマグネトロンの入力
部にＤＣ電流が加わって発振すると、フィラメント６が
加熱されて放出された熱電子がベーン３とフィラメント
６との間に掛かった磁気回路の磁極９によりフィラメン
ト６とベーン３との間の作用空間部７に印加された磁極
の力を受けて作用空間部７で高速回転する。これにより
発生したマイクロ波エネルギーをベーン３で受け、この
高周波エネルギーは出力部のアンテナリード１０を通じ
て外部へ吐出されマイクロウェーブオーブン内の飲食物
に放射されて誘電加熱により調理することになる。この
際に、作用空間から発生した不要電子波が入力部Ａ側の
センターリード１８とサイドリード１９とに沿って外部
へ漏洩される現象が発生する。
部にＤＣ電流が加わって発振すると、フィラメント６が
加熱されて放出された熱電子がベーン３とフィラメント
６との間に掛かった磁気回路の磁極９によりフィラメン
ト６とベーン３との間の作用空間部７に印加された磁極
の力を受けて作用空間部７で高速回転する。これにより
発生したマイクロ波エネルギーをベーン３で受け、この
高周波エネルギーは出力部のアンテナリード１０を通じ
て外部へ吐出されマイクロウェーブオーブン内の飲食物
に放射されて誘電加熱により調理することになる。この
際に、作用空間から発生した不要電子波が入力部Ａ側の
センターリード１８とサイドリード１９とに沿って外部
へ漏洩される現象が発生する。
【０００４】このような不要電子波が入力部Ａの方に漏
洩されることを防止するための従来のマグネトロンの不
要電子波遮蔽構造は、図２及び図３に示すように、フィ
ルター回路部のチョークコイル１３と貫通形コンデンサ
ー１４とを直列に連結してフィルター回路部を構成し、
その周辺にシールドケース１５を形成して入力部Ａ側の
センターリードとサイドリードとの周囲へ漏洩される不
要電子波を遮蔽するようになっている。
洩されることを防止するための従来のマグネトロンの不
要電子波遮蔽構造は、図２及び図３に示すように、フィ
ルター回路部のチョークコイル１３と貫通形コンデンサ
ー１４とを直列に連結してフィルター回路部を構成し、
その周辺にシールドケース１５を形成して入力部Ａ側の
センターリードとサイドリードとの周囲へ漏洩される不
要電子波を遮蔽するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の遮蔽構造において、入力部のセンターリード
１８とサイドリード１９とに沿ってマグネトロンの外部
へ漏洩される不要電子波はシールドケースとフィルター
回路部によりある程度遮蔽されるが、シールドケースの
内部ではやはりかなりの量の不要電子波が漏洩されるの
で効率的でなかった。又、シールドケース１５とコンデ
ンサー１４の接触部位の隙間を通じて不要電子波がマグ
ネトロンの外部へ漏洩される問題点があった。
うな従来の遮蔽構造において、入力部のセンターリード
１８とサイドリード１９とに沿ってマグネトロンの外部
へ漏洩される不要電子波はシールドケースとフィルター
回路部によりある程度遮蔽されるが、シールドケースの
内部ではやはりかなりの量の不要電子波が漏洩されるの
で効率的でなかった。又、シールドケース１５とコンデ
ンサー１４の接触部位の隙間を通じて不要電子波がマグ
ネトロンの外部へ漏洩される問題点があった。
【０００６】一例として、前記のような遮蔽構造を有す
るマグネトロンに対してシールドケースを除去し不要電
子波の漏洩を測定した結果、設計基準値である３０〜４
０ｄＢ以上の漏洩値を確認した。このように入力部側へ
不要電子波が漏洩されるのでシールドケース１５の内側
に設置されたチョークコイルのスパーク現象及びチョー
クコイルの損傷が発生し、マグネトロンの外部への漏洩
による無線障害等を起こす問題点があった。従って、本
発明は前記従来の問題に鑑みてなされたもので、入力部
側に設置されたエフセラミックの外側に、周波数特性が
相違した電子吸収体である二つのフェライトコアーを結
合することにより入力部側のセンターリードとサイドリ
ードに沿って外部へ漏洩される不要電子波を遮蔽するこ
とを目的とする。
るマグネトロンに対してシールドケースを除去し不要電
子波の漏洩を測定した結果、設計基準値である３０〜４
０ｄＢ以上の漏洩値を確認した。このように入力部側へ
不要電子波が漏洩されるのでシールドケース１５の内側
に設置されたチョークコイルのスパーク現象及びチョー
クコイルの損傷が発生し、マグネトロンの外部への漏洩
による無線障害等を起こす問題点があった。従って、本
発明は前記従来の問題に鑑みてなされたもので、入力部
側に設置されたエフセラミックの外側に、周波数特性が
相違した電子吸収体である二つのフェライトコアーを結
合することにより入力部側のセンターリードとサイドリ
ードに沿って外部へ漏洩される不要電子波を遮蔽するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によると、入力部のセンターリードとサイドリ
ードの下部を挿入した状態でエフセラミックがメタルシ
リンダーの下端とエフ端子との間の内部に設置されてこ
れらを絶縁させ、入力部のセンターリードとサイドリー
ドの周囲へ漏洩される不要電子波を遮蔽するために第
１、第２フェライトコアーがエフセラミックの上下部の
外周面上に同心状で挿入され、第２フェライトコアーの
環状支持片とエフ端子の折曲支持部との間に、これらを
絶縁するための環状絶縁体が介在される。
の本発明によると、入力部のセンターリードとサイドリ
ードの下部を挿入した状態でエフセラミックがメタルシ
リンダーの下端とエフ端子との間の内部に設置されてこ
れらを絶縁させ、入力部のセンターリードとサイドリー
ドの周囲へ漏洩される不要電子波を遮蔽するために第
１、第２フェライトコアーがエフセラミックの上下部の
外周面上に同心状で挿入され、第２フェライトコアーの
環状支持片とエフ端子の折曲支持部との間に、これらを
絶縁するための環状絶縁体が介在される。
【０００８】
【実 施 例】本発明について、実施例として図示する
添付図面の図４乃至図７に基づいてより詳しく説明する
と次のようである。本発明によるマグネトロンは、フレ
ームの役目を果たすヨークの内側の円筒形アノードと電
源入力部とカソード部と作用空間部と磁気回路部と出力
部とからなる構成と、それによる作用とは従来と類似す
るが、不要電子波が漏洩されることを防止するために入
力部Ａ側の構造を異なるように構成したものである。よ
って、反復説明を省略するため同一部分には同一符号を
付け、同一部分に対する詳細な説明は省略する。
添付図面の図４乃至図７に基づいてより詳しく説明する
と次のようである。本発明によるマグネトロンは、フレ
ームの役目を果たすヨークの内側の円筒形アノードと電
源入力部とカソード部と作用空間部と磁気回路部と出力
部とからなる構成と、それによる作用とは従来と類似す
るが、不要電子波が漏洩されることを防止するために入
力部Ａ側の構造を異なるように構成したものである。よ
って、反復説明を省略するため同一部分には同一符号を
付け、同一部分に対する詳細な説明は省略する。
【０００９】図４は、本発明によるマグネトロンの不要
電子波の遮蔽構造を示したもので、図１のＡ部を拡大し
た縦断面図である。作用空間部７から発生された不要電
子波がセンターリード１８とサイドリード１９の周囲へ
漏洩されることを遮蔽するように、円筒形アノード２の
下方に延長形成されたメタルシリンダー２０の下端とエ
フ端子との間に設置されてこれらを絶縁させるためのエ
フセラミック１６がセンターリード１８とサイドリード
１９を挿入した状態に設置される。又、エフセラミック
１６の外周上には、周波数特性が相違した材質の円筒形
第１及び第２フェライトコアー２１，２２が上下部に挿
入結合される。
電子波の遮蔽構造を示したもので、図１のＡ部を拡大し
た縦断面図である。作用空間部７から発生された不要電
子波がセンターリード１８とサイドリード１９の周囲へ
漏洩されることを遮蔽するように、円筒形アノード２の
下方に延長形成されたメタルシリンダー２０の下端とエ
フ端子との間に設置されてこれらを絶縁させるためのエ
フセラミック１６がセンターリード１８とサイドリード
１９を挿入した状態に設置される。又、エフセラミック
１６の外周上には、周波数特性が相違した材質の円筒形
第１及び第２フェライトコアー２１，２２が上下部に挿
入結合される。
【００１０】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の要
部である前記フェライトコアーの斜視図及び断面図で、
第１フェライトコアー２１はエフセラミック１６に容易
に挿入されるように上下部が開放された中空円筒形で構
成され、第２フェライトコアー２２は前記第１フェライ
トコアー２１と同一直径の中空円筒体で構成され、エフ
セラミック１６の下端部を支持するとともにエフ端子１
７の折曲支持部１７ａに掛かる環状の支持片２２ａが下
端に一体に形成される。ここで、第２フェライトコアー
２２の環状支持片２２ａとエフ端子の折曲支持部１７ａ
との間には環状絶縁体２３が挿入される。環状絶縁体２
３はエフ端子１７の折曲支持部１７ａと第２フェライト
コアー２２の環状支持片２２ａとの間を絶縁する。
部である前記フェライトコアーの斜視図及び断面図で、
第１フェライトコアー２１はエフセラミック１６に容易
に挿入されるように上下部が開放された中空円筒形で構
成され、第２フェライトコアー２２は前記第１フェライ
トコアー２１と同一直径の中空円筒体で構成され、エフ
セラミック１６の下端部を支持するとともにエフ端子１
７の折曲支持部１７ａに掛かる環状の支持片２２ａが下
端に一体に形成される。ここで、第２フェライトコアー
２２の環状支持片２２ａとエフ端子の折曲支持部１７ａ
との間には環状絶縁体２３が挿入される。環状絶縁体２
３はエフ端子１７の折曲支持部１７ａと第２フェライト
コアー２２の環状支持片２２ａとの間を絶縁する。
【００１１】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、本発明によ
りエフセラミックにフェライトを組立する状態を説明す
るための断面図で、上記のように構成されたマグネトロ
ンの不要電子波遮蔽構造の組立時、図６（ａ）に示すよ
うに、エフ端子１７の折曲支持部１７ａを内方に（図面
の矢印の反対方向に）弾力的に傾けた状態で環状絶縁体
２３とともに第２フェライトコアー２２を挿入した後、
図６（ｂ）に示すように、エフ端子１７の折曲支持部１
７ａを元位置に復帰させるとエフ端子１７の折曲支持部
１７ａが第２フェライトコアー２２と環状絶縁体２３と
を適所に支持して組立が完了される。
りエフセラミックにフェライトを組立する状態を説明す
るための断面図で、上記のように構成されたマグネトロ
ンの不要電子波遮蔽構造の組立時、図６（ａ）に示すよ
うに、エフ端子１７の折曲支持部１７ａを内方に（図面
の矢印の反対方向に）弾力的に傾けた状態で環状絶縁体
２３とともに第２フェライトコアー２２を挿入した後、
図６（ｂ）に示すように、エフ端子１７の折曲支持部１
７ａを元位置に復帰させるとエフ端子１７の折曲支持部
１７ａが第２フェライトコアー２２と環状絶縁体２３と
を適所に支持して組立が完了される。
【００１２】一方、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第
１、第２フェライトコアーの周波数特性を示すグラフ
で、横座標軸に表示したＡは透磁率を用いる場合の使用
領域を示し、Ｂは電波吸収体として用いる場合の使用領
域を示す。一般に、透磁率を複素透磁率で現わすと、μ
＝μ′−ｉμ″である。ここで、μ′はフェライトコア
ーの透磁率成分でコイルの磁束密度を増加させてインダ
クタンス値等を増加させるとき使用し（図７（ａ）及び
図７（ｂ）の実線で示す）、μ″は周波数が続いて増加
されるとき、透磁率は殆ど０である状態で増加される損
失量である。又、μ″成分は電波吸収体として作用す
る。
１、第２フェライトコアーの周波数特性を示すグラフ
で、横座標軸に表示したＡは透磁率を用いる場合の使用
領域を示し、Ｂは電波吸収体として用いる場合の使用領
域を示す。一般に、透磁率を複素透磁率で現わすと、μ
＝μ′−ｉμ″である。ここで、μ′はフェライトコア
ーの透磁率成分でコイルの磁束密度を増加させてインダ
クタンス値等を増加させるとき使用し（図７（ａ）及び
図７（ｂ）の実線で示す）、μ″は周波数が続いて増加
されるとき、透磁率は殆ど０である状態で増加される損
失量である。又、μ″成分は電波吸収体として作用す
る。
【００１３】本発明による第１及び第２フェライトコア
ー２１及び２２の選択にあって、第１フェライトコアー
２１は、図７（ａ）の点線で示すように、１１〜１３Ｇ
Ｈｚ帯域で１００〜３，０００領域の値を有するものを
選択使用し、第２フェライトコアー２２は、図７（ｂ）
の点線で示すように、２．０〜３．０ＧＨｚ帯域で１０
０〜３，０００領域の値を有するものを選択使用する。
上記したように選択された周波数特性が相違した二つの
第１、第２フェライトコアー２１，２２をエフセラミッ
ク１６の外周上に挿入して使用することにより、マグネ
トロンの発振時、入力部側のセンターリード１８とサイ
ドリード１９に沿って外部へ漏洩される不要電子波はこ
れらにより吸収されるので、漏洩電波の設計基準値であ
る３０〜４０ｄＢ以下に減少させ得る。これにより不要
高周波漏洩によるシールドケースの内側に位置するチョ
ークコイルのスパーク現象及び損傷現象を防止し得る。
ー２１及び２２の選択にあって、第１フェライトコアー
２１は、図７（ａ）の点線で示すように、１１〜１３Ｇ
Ｈｚ帯域で１００〜３，０００領域の値を有するものを
選択使用し、第２フェライトコアー２２は、図７（ｂ）
の点線で示すように、２．０〜３．０ＧＨｚ帯域で１０
０〜３，０００領域の値を有するものを選択使用する。
上記したように選択された周波数特性が相違した二つの
第１、第２フェライトコアー２１，２２をエフセラミッ
ク１６の外周上に挿入して使用することにより、マグネ
トロンの発振時、入力部側のセンターリード１８とサイ
ドリード１９に沿って外部へ漏洩される不要電子波はこ
れらにより吸収されるので、漏洩電波の設計基準値であ
る３０〜４０ｄＢ以下に減少させ得る。これにより不要
高周波漏洩によるシールドケースの内側に位置するチョ
ークコイルのスパーク現象及び損傷現象を防止し得る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は入力部の
エフセラミックの外周上に周波数特性が相違した二つの
フェライトコアーを結合することにより、不要電子波が
センターリードとサイドリードの周囲を通じてマグネト
ロンの外部へ漏洩されることを効果的に遮断することが
でき、特にシールドケースの内側に位置するチョークコ
イルのスパーク現象とコイルの温度上昇による損傷を防
止し得るので、製品の安定性及び信頼性向上を達し得る
効果がある。
エフセラミックの外周上に周波数特性が相違した二つの
フェライトコアーを結合することにより、不要電子波が
センターリードとサイドリードの周囲を通じてマグネト
ロンの外部へ漏洩されることを効果的に遮断することが
でき、特にシールドケースの内側に位置するチョークコ
イルのスパーク現象とコイルの温度上昇による損傷を防
止し得るので、製品の安定性及び信頼性向上を達し得る
効果がある。
【図１】一般的なマイクロウェーブオーブン用マグネト
ロンの縦断面図である。
ロンの縦断面図である。
【図２】従来のマイクロウェーブオーブン用マグネトロ
ンの縦断面図である。
ンの縦断面図である。
【図３】従来のマイクロウェーブオーブン用マグネトロ
ンの底面図である。
ンの底面図である。
【図４】本発明によるマイクロウェーブオーブン用マグ
ネトロンの不要電子波遮蔽構造を示すもので、図１のＡ
部の拡大断面図である。
ネトロンの不要電子波遮蔽構造を示すもので、図１のＡ
部の拡大断面図である。
【図５】（ａ）図４の要部であるフェライトコアーを示
す斜視図である。 （ｂ）図４の要部であるフェライトコアーを示す断面図
である。
す斜視図である。 （ｂ）図４の要部であるフェライトコアーを示す断面図
である。
【図６】（ａ）本発明によるマグネトロンの不要電子波
遮蔽構造のフェライトコアーの挿入前、後の組立状態を
示す断面図である。 （ｂ）本発明によるマグネトロンの不要電子波遮蔽構造
のフェライトコアーの挿入前、後の組立状態を示す断面
図である。
遮蔽構造のフェライトコアーの挿入前、後の組立状態を
示す断面図である。 （ｂ）本発明によるマグネトロンの不要電子波遮蔽構造
のフェライトコアーの挿入前、後の組立状態を示す断面
図である。
【図７】（ａ）本発明により選択されたフェライトコア
ーの周波数特性を示すグラフである。 （ｂ）本発明により選択されたフェライトコアーの周波
数特性を示すグラフである。
ーの周波数特性を示すグラフである。 （ｂ）本発明により選択されたフェライトコアーの周波
数特性を示すグラフである。
１６…エフセラミック、１７…エフ端子、１８…センタ
ーリード、１９…サイドリード、２１…第１フェライト
コアー、２２…第２フェライトコアー、２３…絶縁体。
ーリード、１９…サイドリード、２１…第１フェライト
コアー、２２…第２フェライトコアー、２３…絶縁体。
Claims (7)
- 【請求項１】 円筒形アノードの下側に同心状で延長形
成された小直径のメタルシリンダーの下端とエフ端子と
の間に位置するセンターリードとサイドリードの周囲へ
漏洩される不要電子波を遮蔽するためのマイクロウェー
ブオーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造におい
て、 前記センターリードとサイドリードが挿入され前記メタ
ルシリンダーの下端とエフ端子との間に設置されてメタ
ルシリンダーとエフ端子を絶縁させる円筒形エフセラミ
ックと、前記エフセラミックの上下部の外周面状に同心
状で挿入されて前記センターリードとサイドリードの周
囲へ漏洩される不要電子波を遮蔽する第１及び第２フェ
ライトコアーと、前記第２フェライトコアーと前記エフ
端子の折曲支持部との間に介在されてこれらを絶縁する
絶縁体とを備えることを特徴とするマイクロウェーブオ
ーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造。 - 【請求項２】 前記第１フェライトコアーは上下端が開
放された中空円筒体であることを特徴とする請求項１記
載のマイクロウェーブオーブン用マグネトロンの不要電
子波遮蔽構造。 - 【請求項３】 前記第２フェライトコアーは下端部に環
状支持片が一体に形成された中空円筒体であることを特
徴とする請求項１記載のマイクロウェーブオーブン用マ
グネトロンの不要電子波遮蔽構造。 - 【請求項４】 前記第１フェライトコアーは複素透磁率
関数μ＝μ′−ｉμ″であって、ここで、μは複素透磁
率、μ′は透磁率、μ″は電子波吸収による損失値であ
り、μ″が１１〜１３ＧＨｚ帯域で１００〜３，０００
の値を有することを特徴とする請求項１記載のマイクロ
ウェーブオーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構
造。 - 【請求項５】 前記第２フェライトコアーは複素透磁率
関数μ＝μ′−ｉμ″であって、μ″が２〜３ＧＨｚ帯
域で１００〜３，０００の値を有することを特徴とする
請求項１記載のマイクロウェーブオーブン用マグネトロ
ンの不要電子波遮蔽構造。 - 【請求項６】 前記エフ端子に折曲支持部を形成して絶
縁体が弾力的に設置されることを特徴とする請求項１記
載のマイクロウェーブオーブン用マグネトロンの不要電
子波遮蔽構造。 - 【請求項７】 前記絶縁体が環状のセラミック材により
なることを特徴とする請求項１記載のマイクロウェーブ
オーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造。
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