JPS6145539A - マグネトロンの電力供給装置 - Google Patents
マグネトロンの電力供給装置Info
- Publication number
- JPS6145539A JPS6145539A JP59167080A JP16708084A JPS6145539A JP S6145539 A JPS6145539 A JP S6145539A JP 59167080 A JP59167080 A JP 59167080A JP 16708084 A JP16708084 A JP 16708084A JP S6145539 A JPS6145539 A JP S6145539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- magnetron
- electric
- leak
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマグネトロン電力供給部の構成に関するもので
ある。マグネトロンは高効率のマイクロ波発振管として
、電子レンジ等で数多く利用されている。マグネトロン
は一種の進行波型増幅器であり、基本波の他に高調波も
同時に発振する。一方、衛星放送等にみられる如く、微
弱でかつマグネトロンの高調波領域の周波数を利用する
システムが出現し、今後、増加の傾向にある。
ある。マグネトロンは高効率のマイクロ波発振管として
、電子レンジ等で数多く利用されている。マグネトロン
は一種の進行波型増幅器であり、基本波の他に高調波も
同時に発振する。一方、衛星放送等にみられる如く、微
弱でかつマグネトロンの高調波領域の周波数を利用する
システムが出現し、今後、増加の傾向にある。
したがって電子レンジ等の高周波加熱機器とニューメデ
ィア通信系が共存するためには、マグネトロンにも高調
波を低減する対策が必要となる。
ィア通信系が共存するためには、マグネトロンにも高調
波を低減する対策が必要となる。
従来例の構成とその問題点
第1図は従来のマグネトロンの外観図であり1はマイク
ロ波を放射するアンテナ、2.2′は機器に装着するだ
めのフレーム、3.3′は磁石、4はアルミ坂等で形成
された放熱フィン、5はマグネトロンのマイクロ波発振
電力供給部からの電波の漏れをしゃへいするシールド箱
であり、蓋6で密閉されている。7は貫通型コンデンサ
ーであり、8は前記マイクロ波電力供給用リード線(端
子)である。
ロ波を放射するアンテナ、2.2′は機器に装着するだ
めのフレーム、3.3′は磁石、4はアルミ坂等で形成
された放熱フィン、5はマグネトロンのマイクロ波発振
電力供給部からの電波の漏れをしゃへいするシールド箱
であり、蓋6で密閉されている。7は貫通型コンデンサ
ーであり、8は前記マイクロ波電力供給用リード線(端
子)である。
マグネトロン(2−450MHzの発振周波数が多い)
は基本波より低い周波数成分を除去するためにシールド
箱5の内部のコイル(図示せず)とシールド箱壁を貫く
構成のコンデンサー7によるL−C共振回路を形成する
フィルターを設けている。しかし、この種のフィルター
の共振周既1は数100MI(z程度であり高周波はも
ちろん基本波に対しても全く効果が期待出来ないばかり
か、第2図ばマグネトロンの貫通型コンデンサーの断面
図でありこの構成から見て1つYかる様にむしろ高い周
波数では漏洩量を増やす原因ともなっていた。
は基本波より低い周波数成分を除去するためにシールド
箱5の内部のコイル(図示せず)とシールド箱壁を貫く
構成のコンデンサー7によるL−C共振回路を形成する
フィルターを設けている。しかし、この種のフィルター
の共振周既1は数100MI(z程度であり高周波はも
ちろん基本波に対しても全く効果が期待出来ないばかり
か、第2図ばマグネトロンの貫通型コンデンサーの断面
図でありこの構成から見て1つYかる様にむしろ高い周
波数では漏洩量を増やす原因ともなっていた。
これは導体であるリード線(端子)8がシールド箱5を
貫通しており、しゃ断波長を持たない同軸線路となって
いる為である。なお、9と10は電極であり、チタン酸
バリウム等の誘電体11と共にCを形成している。12
は高圧を有する電力供給り一1゛の絶縁を保つスペーサ
ー、13はシールド箱内のリード線でありこの先にコイ
ル(図示せず)が接続されている。14ば絶縁材より成
り、リード線8、誘電体11等を取り囲む様に形成され
シールド箱5に固着されている。したがってシールド箱
5内部(線x−x ’のA方向)と外部(線x−x ’
のB方向)とは高い周波数では誘電体11及びスペーサ
ー12を介して連通している。
貫通しており、しゃ断波長を持たない同軸線路となって
いる為である。なお、9と10は電極であり、チタン酸
バリウム等の誘電体11と共にCを形成している。12
は高圧を有する電力供給り一1゛の絶縁を保つスペーサ
ー、13はシールド箱内のリード線でありこの先にコイ
ル(図示せず)が接続されている。14ば絶縁材より成
り、リード線8、誘電体11等を取り囲む様に形成され
シールド箱5に固着されている。したがってシールド箱
5内部(線x−x ’のA方向)と外部(線x−x ’
のB方向)とは高い周波数では誘電体11及びスペーサ
ー12を介して連通している。
発明の目的
本発明は上記の欠点を解消するもので、マグネトロンの
電力供給部より高調波成分の漏洩を低減することを目的
とする。
電力供給部より高調波成分の漏洩を低減することを目的
とする。
発明の構成
上記目的を達成するために本発明はマグネトロン電力供
給線部に複合フェライト等の電波吸収体を設けることに
より、電力供給部より漏れた電磁波エネルギーを熱エネ
ルギーに変換し、機器外部への基本波及び高調波成分の
放射を抑える効果を有するものである。
給線部に複合フェライト等の電波吸収体を設けることに
より、電力供給部より漏れた電磁波エネルギーを熱エネ
ルギーに変換し、機器外部への基本波及び高調波成分の
放射を抑える効果を有するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施(列について図面に基づいて説明
する。
する。
第3図は本発明に係るマグネトロン賞通型コンデンサ一
部の断面図である。5はシールド箱、8は内部リード線
(!’6i1子)である。15はマイクロ波光11ii
i電源をマグネトロンに供給する外部リード線であり、
16はリード線用絶縁被覆17は接続用端子18は1″
IIA!子用絶縁スペーサーである。19は外部リード
線15、及び接続端子17の外周部に設けられた4^1
脂材料(シリコンゴム、ポリエステル等)とフェライト
粉の混合体よりなる複合フェライト材等による電波吸収
体であり、20は上記電波吸収体の更に外周部に配置さ
れた外部導体である。この外部導体20とシールド箱5
との間はハネ板21により接触が保たれている。
部の断面図である。5はシールド箱、8は内部リード線
(!’6i1子)である。15はマイクロ波光11ii
i電源をマグネトロンに供給する外部リード線であり、
16はリード線用絶縁被覆17は接続用端子18は1″
IIA!子用絶縁スペーサーである。19は外部リード
線15、及び接続端子17の外周部に設けられた4^1
脂材料(シリコンゴム、ポリエステル等)とフェライト
粉の混合体よりなる複合フェライト材等による電波吸収
体であり、20は上記電波吸収体の更に外周部に配置さ
れた外部導体である。この外部導体20とシールド箱5
との間はハネ板21により接触が保たれている。
ここで、シールド箱5を貫通ずる導体である内部リード
線8によりシールド箱5内に充満する電波が外部に導き
出される。この内部導体による電波漏洩線路と、外部専
体間に磁気共振により電波吸収する複合フェライトや誘
電損失により電波を吸収する誘電体等の電波吸収体を配
置する事により、線路の漏洩電波を吸収し熱エネルギー
に変換させ、漏7!!電波を減衰させるvノ果がある。
線8によりシールド箱5内に充満する電波が外部に導き
出される。この内部導体による電波漏洩線路と、外部専
体間に磁気共振により電波吸収する複合フェライトや誘
電損失により電波を吸収する誘電体等の電波吸収体を配
置する事により、線路の漏洩電波を吸収し熱エネルギー
に変換させ、漏7!!電波を減衰させるvノ果がある。
なお、更に効果をあげるには電波吸収体に漏洩する電波
が吸収され易く (吸収体による反射を起こりにくく)
する必要がある。この為には線路上の電波吸収体を除々
にその体積が増加(もしくは減する)様にテーパーを設
は急激なインピーダンスの変化を無くす方法が良い。又
、複合フェライトの電波吸収量の周波数特性のうち最大
の吸収量を共振周波数と呼ぶが、配置する電波吸収体の
共振周波数を線路より漏洩する電波の周波数に合致させ
れば良く、広い周波数帯に於いて効果を上げる為には、
それぞれ共振周波数が異なる電波吸収体を多層又は、直
列に重ね合わせると良い。もちろん誘電体の誘電損失の
周波数特性が異なるものでも同様の効果は得られる。第
4図はマグネトロンの発振周波数スペクトラムを測定し
たものであり、横軸は発振周波数、縦軸は放射電力量と
なっている。第4図(A)は従来のマグネトロンを使用
した場合であり、fo(基本周波数)の整数倍(2「0
・・・・・・5 f o)の近傍に高調波成分が表われ
ているのが解かる。−力筒4図CB)は本発明のマグネ
トロン電力供給構造を用いた場合であり、fo基以外周
波数での放射電力毒は全てノイズレベルとなっている。
が吸収され易く (吸収体による反射を起こりにくく)
する必要がある。この為には線路上の電波吸収体を除々
にその体積が増加(もしくは減する)様にテーパーを設
は急激なインピーダンスの変化を無くす方法が良い。又
、複合フェライトの電波吸収量の周波数特性のうち最大
の吸収量を共振周波数と呼ぶが、配置する電波吸収体の
共振周波数を線路より漏洩する電波の周波数に合致させ
れば良く、広い周波数帯に於いて効果を上げる為には、
それぞれ共振周波数が異なる電波吸収体を多層又は、直
列に重ね合わせると良い。もちろん誘電体の誘電損失の
周波数特性が異なるものでも同様の効果は得られる。第
4図はマグネトロンの発振周波数スペクトラムを測定し
たものであり、横軸は発振周波数、縦軸は放射電力量と
なっている。第4図(A)は従来のマグネトロンを使用
した場合であり、fo(基本周波数)の整数倍(2「0
・・・・・・5 f o)の近傍に高調波成分が表われ
ているのが解かる。−力筒4図CB)は本発明のマグネ
トロン電力供給構造を用いた場合であり、fo基以外周
波数での放射電力毒は全てノイズレベルとなっている。
なお、2fo近傍に表われているものは/1jll定1
現器の内部1“11.音によるもので本発明の効果をそ
こなうものでは無い。第5図は同じく本発明の実施例の
マグネトロン電力供給構造を示す外観図であり、シール
ド箱5、貫通型コンデンサー7、リード線(,7j:l
子)8、外部リード線15であり、19は外部リード線
15と外部導体20止の間に充填した電波吸収体である
。22は外部導体20と一体に形成された取付機で、ネ
ジ24によりシールド箱5に設けた孔に固定される。こ
の時、外部リード線15も同時に貫通型コンデンサー1
7のリード端子8に接続される構成となっている。
現器の内部1“11.音によるもので本発明の効果をそ
こなうものでは無い。第5図は同じく本発明の実施例の
マグネトロン電力供給構造を示す外観図であり、シール
ド箱5、貫通型コンデンサー7、リード線(,7j:l
子)8、外部リード線15であり、19は外部リード線
15と外部導体20止の間に充填した電波吸収体である
。22は外部導体20と一体に形成された取付機で、ネ
ジ24によりシールド箱5に設けた孔に固定される。こ
の時、外部リード線15も同時に貫通型コンデンサー1
7のリード端子8に接続される構成となっている。
マグネトロンば高電圧で動作するものが多く電力供給リ
ード線部の接続が不完全であれば接続がはずれ地絡した
り、接触抵抗により発熱し端子等が焼損する危険性もあ
り、接続部には強いハネ性を有するt’+’li!子を
用いており、接続作業を行なう際には多大の力を要し、
労f!IJ障害をも起こす一因となっていたが、本発明
の構成であれば、電力供給リード部がリセプククル状と
なっており一度に端子2箇所を接続出来ると同時にネジ
等により信頼性も増す。
ード線部の接続が不完全であれば接続がはずれ地絡した
り、接触抵抗により発熱し端子等が焼損する危険性もあ
り、接続部には強いハネ性を有するt’+’li!子を
用いており、接続作業を行なう際には多大の力を要し、
労f!IJ障害をも起こす一因となっていたが、本発明
の構成であれば、電力供給リード部がリセプククル状と
なっており一度に端子2箇所を接続出来ると同時にネジ
等により信頼性も増す。
発明の効果
以上の様に本発明によれば次の効果を得ることが出来る
。
。
(1) マグネトロン本体を何ら変更する事なく、不
要輻射が低減することが可能となり、幅広い種類のマグ
ネトロンに適用出来る。
要輻射が低減することが可能となり、幅広い種類のマグ
ネトロンに適用出来る。
(2)マイクロ波電力供給リードの接続が一度に節単に
、かつ確実に行え絶縁性能も向上する。
、かつ確実に行え絶縁性能も向上する。
(3)電波吸収体の種類、量等により、任意の周波数に
おいて減衰性能が選択出来る。
おいて減衰性能が選択出来る。
第1図は従来のマグネトロンの外観図である。
第2図は従来のマグネトロンの貫通型コンデンサ一部の
断面図である。第3図は本発明の一実施例であるマグネ
トロンの貫通型コンデンサ一部の断面図である。第4図
はマグネトロンの発振周波数スペク1−ラムを示す特性
図である。 第5図は本発明の一実施例であるマグネトロン電力供給
構造を示す外観斜視図である。 7・・・・・・貫通型コンデンサー、8・・・・・・電
力供給用内部リード線(端子)、15・・・・・・電力
供給用外部リード線、I9・・・・・・電波吸収体、2
0・・・・・・外部導体、24・・・・・・取付ネジ。
断面図である。第3図は本発明の一実施例であるマグネ
トロンの貫通型コンデンサ一部の断面図である。第4図
はマグネトロンの発振周波数スペク1−ラムを示す特性
図である。 第5図は本発明の一実施例であるマグネトロン電力供給
構造を示す外観斜視図である。 7・・・・・・貫通型コンデンサー、8・・・・・・電
力供給用内部リード線(端子)、15・・・・・・電力
供給用外部リード線、I9・・・・・・電波吸収体、2
0・・・・・・外部導体、24・・・・・・取付ネジ。
Claims (3)
- (1)マイクロ波電力供給部にシールド箱と貫通型コン
デンサーを備え、上記貫通型コンデンサー及びマイクロ
波電力供給リード線等の通電される内部導体の周囲に筒
状の外部導体を設け、この内部導体と外部導体の間隙に
複合フエライト等の誘電物より成る電波吸収体を配する
構成としたマグネトロンの電力供給装置。 - (2)外部導体をシールド箱に接続する構成とした特許
請求の範囲第1項記載のマグネトロンの電力供給装置。 - (3)外部導体、電波吸収体、電力供給リードを一体に
形成し、プラグないしはリセプタクル状とした特許請求
の範囲第1項記載のマグネトロン電力供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167080A JPS6145539A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロンの電力供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167080A JPS6145539A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロンの電力供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145539A true JPS6145539A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15843027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167080A Pending JPS6145539A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロンの電力供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145539A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1051868C (zh) * | 1992-03-27 | 2000-04-26 | 株式会社金星社 | 用于微波炉磁控管的对不需要的电磁波屏蔽的结构 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167080A patent/JPS6145539A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1051868C (zh) * | 1992-03-27 | 2000-04-26 | 株式会社金星社 | 用于微波炉磁控管的对不需要的电磁波屏蔽的结构 |
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