JPH06104189A - Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜形成法 - Google Patents
Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜形成法Info
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- JPH06104189A JPH06104189A JP27370392A JP27370392A JPH06104189A JP H06104189 A JPH06104189 A JP H06104189A JP 27370392 A JP27370392 A JP 27370392A JP 27370392 A JP27370392 A JP 27370392A JP H06104189 A JPH06104189 A JP H06104189A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体基板本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板を、容易に、形成できるよ
うにする。 【構成】 半導体基板本体１上に、第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜２を介してまたは介することなしに、
上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を有する第２のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜３を形成し、次に、熱酸化処理
によって、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に臨む領域に
おいて、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層８
〜１０を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スク７として形成し、次に、上記第２のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜を、上記半導体基板本体または上記第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜上から除去する。
体薄膜選択成長用半導体基板を、容易に、形成できるよ
うにする。 【構成】 半導体基板本体１上に、第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜２を介してまたは介することなしに、
上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を有する第２のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜３を形成し、次に、熱酸化処理
によって、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に臨む領域に
おいて、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層８
〜１０を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スク７として形成し、次に、上記第２のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜を、上記半導体基板本体または上記第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜上から除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用
いたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法に関する。
導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用
いたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、（ｉ）半導体基板本体と、その半
導体基板本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介し
てまたは介することなしに形成され且つ上記半導体基板
本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に
臨ませる窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスクとを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用半導体基板を用意し、そして、そのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に、一般
に、半導体薄膜は、半導体基板または半導体薄膜上には
成長するが、誘電体薄膜乃至酸化物層上にはほとんど成
長しないことを利用して、上記半導体基板本体または上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の上記ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓に臨む領域におい
て、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を選択成
長させるようになされ、そして、この場合、（ｉｉ）上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、
上記半導体基板本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜上に、シリコン酸化物薄膜、シリコン窒化物薄膜
などの誘電体薄膜を、マグネトロンスパッタリング装置
や、プラズマＣＶＤ装置などを用いたスパッタリング法
や、プラズマＣＶＤ法によって形成し、次で、その誘電
体薄膜に、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用マスクの窓に対応する窓を、フォトリソグラフィ法に
よって形成することによって、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスクを、誘電体薄膜でなるもの
として形成する、というＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
形成法が提案されている。
導体基板本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介し
てまたは介することなしに形成され且つ上記半導体基板
本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に
臨ませる窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスクとを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用半導体基板を用意し、そして、そのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に、一般
に、半導体薄膜は、半導体基板または半導体薄膜上には
成長するが、誘電体薄膜乃至酸化物層上にはほとんど成
長しないことを利用して、上記半導体基板本体または上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の上記ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓に臨む領域におい
て、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を選択成
長させるようになされ、そして、この場合、（ｉｉ）上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、
上記半導体基板本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜上に、シリコン酸化物薄膜、シリコン窒化物薄膜
などの誘電体薄膜を、マグネトロンスパッタリング装置
や、プラズマＣＶＤ装置などを用いたスパッタリング法
や、プラズマＣＶＤ法によって形成し、次で、その誘電
体薄膜に、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用マスクの窓に対応する窓を、フォトリソグラフィ法に
よって形成することによって、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスクを、誘電体薄膜でなるもの
として形成する、というＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
形成法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法の場合、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工程に
おける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク形成する工程において、半導体基板本体上にＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘電体薄
膜を形成する工程を有するが、その工程において、誘電
体薄膜を形成するのに、大型、複雑なマグネトロンスパ
ッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いる必
要があり、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板を容易に用意することができず、従っ
て、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を簡易に
形成することができない、という欠点を有していた。
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法の場合、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工程に
おける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク形成する工程において、半導体基板本体上にＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘電体薄
膜を形成する工程を有するが、その工程において、誘電
体薄膜を形成するのに、大型、複雑なマグネトロンスパ
ッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いる必
要があり、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板を容易に用意することができず、従っ
て、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を簡易に
形成することができない、という欠点を有していた。
【０００４】また、上述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜形成法の場合、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工
程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用
マスクを形成する工程において、半導体基板本体上にＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘
電体薄膜を形成する工程を有するが、その工程におい
て、誘電体薄膜を、マグネトロンスパッタリング装置
や、プラズマＣＶＤ装置を用いてスパッタリング法や、
プラズマＣＶＤ法によって形成するため、半導体基板本
体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面が、イオ
ンの損傷を受け、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板上に素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜を形成する工程において、素子形成用
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を良好な結晶性を有する
ものとして形成することができない、という欠点を有し
ていた。
半導体薄膜形成法の場合、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工
程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用
マスクを形成する工程において、半導体基板本体上にＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘
電体薄膜を形成する工程を有するが、その工程におい
て、誘電体薄膜を、マグネトロンスパッタリング装置
や、プラズマＣＶＤ装置を用いてスパッタリング法や、
プラズマＣＶＤ法によって形成するため、半導体基板本
体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面が、イオ
ンの損傷を受け、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板上に素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜を形成する工程において、素子形成用
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を良好な結晶性を有する
ものとして形成することができない、という欠点を有し
ていた。
【０００５】さらに、上述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜形成法の場合、上述したように、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用基板を形成する工程に
おける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
クを形成する工程において、半導体基板本体上に、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘電
体薄膜を形成する工程を有するが、その工程において、
誘電体薄膜を、材質上、半導体基板本体またはＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜上に、比較的強い付着力を有する
ものとして形成することが困難であることから、誘電体
薄膜を形成して後、それに半導体基板本体またはＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓として形
成する工程において、その窓を輪郭の明瞭なパタ―ンに
形成することが困難であり、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に素子形成用Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程において、
素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、側面の荒
れの少ないものとして形成することが困難である、とい
う欠点を有していた。
物半導体薄膜形成法の場合、上述したように、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用基板を形成する工程に
おける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
クを形成する工程において、半導体基板本体上に、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクになる誘電
体薄膜を形成する工程を有するが、その工程において、
誘電体薄膜を、材質上、半導体基板本体またはＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜上に、比較的強い付着力を有する
ものとして形成することが困難であることから、誘電体
薄膜を形成して後、それに半導体基板本体またはＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓として形
成する工程において、その窓を輪郭の明瞭なパタ―ンに
形成することが困難であり、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に素子形成用Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程において、
素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、側面の荒
れの少ないものとして形成することが困難である、とい
う欠点を有していた。
【０００６】よって、本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜を形成するにつき上述した欠点のない、新規な
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及
びその形成法、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法を提案せんとするものである。
導体薄膜を形成するにつき上述した欠点のない、新規な
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及
びその形成法、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法を提案せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
は、前述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法に用いるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板と同様に、半導体基板本体と、その半導体基板
本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介してまたは
介することなしに形成され且つ上記半導体基板本体また
は上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる
窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スクとを有する。
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
は、前述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法に用いるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板と同様に、半導体基板本体と、その半導体基板
本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介してまたは
介することなしに形成され且つ上記半導体基板本体また
は上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる
窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スクとを有する。
【０００８】しかしながら、本願第１番目の発明による
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
は、このような構成を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板において、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスクが、半導体基板本体また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に形成された、
半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
材料の酸化物でなる酸化物層でなる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
は、このような構成を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板において、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスクが、半導体基板本体また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に形成された、
半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
材料の酸化物でなる酸化物層でなる。
【０００９】本願第２番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法は、（ｉ）
半導体基板本体を予め用意する工程と、（ｉｉ）上記半
導体基板本体上に、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜を介してまたは介することなしに、上記半導体基板本
体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外
部に臨ませる窓を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜を形成する工程と、（ｉｉｉ）熱酸化処理によっ
て、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に臨む領域におい
て、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層を、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクとして形
成する工程と、（ｉｖ）上記第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜を、上記半導体基板本体または上記第１のＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜上から除去する工程とを有
する。
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法は、（ｉ）
半導体基板本体を予め用意する工程と、（ｉｉ）上記半
導体基板本体上に、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜を介してまたは介することなしに、上記半導体基板本
体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外
部に臨ませる窓を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜を形成する工程と、（ｉｉｉ）熱酸化処理によっ
て、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に臨む領域におい
て、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層を、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクとして形
成する工程と、（ｉｖ）上記第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜を、上記半導体基板本体または上記第１のＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜上から除去する工程とを有
する。
【００１０】本願第３番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜形成法は、（ｉ）請求項２記載のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法に
よって、上記半導体基板本体と、その半導体基板本体上
に上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介してま
たは介することなしに形成され且つ上記半導体基板本体
または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部
に臨ませる窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスクとを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用半導体基板を用意する工程と、（ｉｉ）上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
上に、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜の上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクの窓に臨む領域において、素子形成
用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を選択成長させる工程
とを有する。
合物半導体薄膜形成法は、（ｉ）請求項２記載のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法に
よって、上記半導体基板本体と、その半導体基板本体上
に上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介してま
たは介することなしに形成され且つ上記半導体基板本体
または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部
に臨ませる窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスクとを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用半導体基板を用意する工程と、（ｉｉ）上
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
上に、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜の上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクの窓に臨む領域において、素子形成
用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を選択成長させる工程
とを有する。
【００１１】
【作用・効果】本願第１番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれば、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクが、半導体
基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に
形成された、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でなるため、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク
を、上述した本願第２番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によって、
後述するように、大型、複雑なマグネトロンスパッタリ
ング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いることなし
に、容易に形成することができ、このため、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を、容易に用
意することができる。
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれば、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクが、半導体
基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に
形成された、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でなるため、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク
を、上述した本願第２番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によって、
後述するように、大型、複雑なマグネトロンスパッタリ
ング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いることなし
に、容易に形成することができ、このため、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を、容易に用
意することができる。
【００１２】また、本願第１番目の発明によるＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれば、
上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成
長用マスクが、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜の表面に形成された、半導体基板本体また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる
酸化物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクを、上述した本願第２番目の発明に
よるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板形成法によって、後述するように、半導体基板本体ま
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に損傷を与え
ることなしに形成することができ、このため、本願第１
番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成
長用半導体基板を用いて、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜を、良好な結晶性を有するものと
して、容易に形成することができる。
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれば、
上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成
長用マスクが、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜の表面に形成された、半導体基板本体また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる
酸化物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクを、上述した本願第２番目の発明に
よるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板形成法によって、後述するように、半導体基板本体ま
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に損傷を与え
ることなしに形成することができ、このため、本願第１
番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成
長用半導体基板を用いて、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜を、良好な結晶性を有するものと
して、容易に形成することができる。
【００１３】さらに、本願第１番目の発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれ
ば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスクが、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の表面に形成された、半導体基板本体
またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用マスクを、上述した本願第２番目の発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板形成法によって、後述するように、輪郭の明瞭な
パタ―ンを有する窓を有するものとして容易に形成する
ことができ、このため、本願第１番目の発明によるＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用い
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板によれ
ば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスクが、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜の表面に形成された、半導体基板本体
またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用マスクを、上述した本願第２番目の発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板形成法によって、後述するように、輪郭の明瞭な
パタ―ンを有する窓を有するものとして容易に形成する
ことができ、このため、本願第１番目の発明によるＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用い
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
【００１４】また、本願第２番目の発明によるＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によ
れば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク
を形成する工程において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用マスクを、半導体基板本体または第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、熱酸化処理
によって、半導体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でなるも
のとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスクを形成するのに、前述した従来のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法における、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法の場合
のように、大型、複雑なマグネトロンスパッタリング装
置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いる、という必要が
なく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用半導体基板を、容易に用意することができる。
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によ
れば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク
を形成する工程において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用マスクを、半導体基板本体または第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、熱酸化処理
によって、半導体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でなるも
のとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスクを形成するのに、前述した従来のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法における、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法の場合
のように、大型、複雑なマグネトロンスパッタリング装
置や、プラズマＣＶＤ装置などを用いる、という必要が
なく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用半導体基板を、容易に用意することができる。
【００１５】また、本願第２番目の発明によるＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によ
れば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体基
板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表
面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる
酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスクを形成するのに、前
述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にお
ける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板形成法の場合のように、マグネトロンスパッタリン
グ装置や、プラズマＣＶＤ装置を用いてスパッタリング
法や、プラズマＣＶＤ法によって形成する、という必要
がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスクを形成する工程において、半導体基板本体
またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面が、損傷を
受けるおそれを有しない。このため、本願第２番目の発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板を用いて、そのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子
形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、良好な結晶性
を有するものとして、容易に形成することができる。
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によ
れば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体基
板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表
面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる
酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスクを形成するのに、前
述した従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にお
ける、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板形成法の場合のように、マグネトロンスパッタリン
グ装置や、プラズマＣＶＤ装置を用いてスパッタリング
法や、プラズマＣＶＤ法によって形成する、という必要
がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスクを形成する工程において、半導体基板本体
またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面が、損傷を
受けるおそれを有しない。このため、本願第２番目の発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板を用いて、そのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子
形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、良好な結晶性
を有するものとして、容易に形成することができる。
【００１６】さらに、本願第２番目の発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法に
よれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体
基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または第
１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でな
る酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓を輪郭の明瞭
なパタ―ンに形成することができる。このため、本願第
２番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用いて、そ
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、側
面の荒れの少ないものとして、容易に形成することがで
きる。
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法に
よれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体
基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または第
１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でな
る酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓を輪郭の明瞭
なパタ―ンに形成することができる。このため、本願第
２番目の発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を用いて、そ
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、側
面の荒れの少ないものとして、容易に形成することがで
きる。
【００１７】さらに、本願第３番目の発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工程
における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スクを形成する工程において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、熱酸化
処理によって、半導体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でな
るものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成するのに、前述した従来の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にように、大型、
複雑なマグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣ
ＶＤ装置などを用いる必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を容易に用意
することができ、よって、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜を簡易に形成することができる。
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を形成する工程
における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マ
スクを形成する工程において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスクを、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、熱酸化
処理によって、半導体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でな
るものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成するのに、前述した従来の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にように、大型、
複雑なマグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣ
ＶＤ装置などを用いる必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を容易に用意
することができ、よって、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板上に、素子形成用ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜を簡易に形成することができる。
【００１８】また、本願第３番目の発明によるＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよう
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板を形成する工程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導
体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるものとして形成するため、前述した
従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法のように、
マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装
置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法によ
って形成する必要がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスクを形成する工程におい
て、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜の表面が損傷を受けるおそれを有さず、このため、素
子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程
において、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜を、良好な結晶性を有するものとして容易に形成する
ことができる。
Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよう
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板を形成する工程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導
体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるものとして形成するため、前述した
従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法のように、
マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装
置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法によ
って形成する必要がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスクを形成する工程におい
て、半導体基板本体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜の表面が損傷を受けるおそれを有さず、このため、素
子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程
において、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜を、良好な結晶性を有するものとして容易に形成する
ことができる。
【００１９】さらに、本願第３番目の発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよう
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板を形成する工程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導
体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓を輪郭の明
瞭なパタ―ンに形成することができ、このため、素子形
成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程にお
いて、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして容易に形成すること
ができる。
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよう
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板を形成する工程における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクを形成する工程において、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、半導
体基板本体または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体または
第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物で
なる酸化物層でなるものとして形成するため、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクの窓を輪郭の明
瞭なパタ―ンに形成することができ、このため、素子形
成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成する工程にお
いて、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして容易に形成すること
ができる。
【００２０】
【実施例１】まず、図１を伴って、本発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板の実施例
及びその形成法の実施例、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜形成法の実施例を、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜形成法の実施例で述べよう。
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板の実施例
及びその形成法の実施例、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜形成法の実施例を、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜形成法の実施例で述べよう。
【００２１】図１に示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜形成法においては、まず、本発明によるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成用半導体基板を用意す
る。
物半導体薄膜形成法においては、まず、本発明によるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成用半導体基板を用意す
る。
【００２２】このＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成用
半導体基板は、実施例として、次に述べる順次の工程を
とって形成する。
半導体基板は、実施例として、次に述べる順次の工程を
とって形成する。
【００２３】すなわち、まず、（１００）面でなる主面
を有し且つＩｎＰでなる半導体基板本体１を用意する
（図１Ａ）。
を有し且つＩｎＰでなる半導体基板本体１を用意する
（図１Ａ）。
【００２４】そして、その半導体基板本体１上に、Ｉｎ
Ｐでなり且つ例えば０．３μｍの厚さを有するＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜２を、それ自体公知の減圧有機金
属熱分解気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）によって形成する
（図１Ｂ）。
Ｐでなり且つ例えば０．３μｍの厚さを有するＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜２を、それ自体公知の減圧有機金
属熱分解気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）によって形成する
（図１Ｂ）。
【００２５】次に、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
２のＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ系でなり且つ例
えば０．１μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜３を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２と同様
に、それ自体は公知のＭＯＶＰＥ法によって形成する
（図１Ｃ）。
２のＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ系でなり且つ例
えば０．１μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜３を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２と同様
に、それ自体は公知のＭＯＶＰＥ法によって形成する
（図１Ｃ）。
【００２６】次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３上
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３を外部に臨ませる
窓５を有するフォトレジストでなるマスク層４を、それ
自体は公知のフォトリソグラフィ法によって形成する
（図２Ｄ）。
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３を外部に臨ませる
窓５を有するフォトレジストでなるマスク層４を、それ
自体は公知のフォトリソグラフィ法によって形成する
（図２Ｄ）。
【００２７】次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３に
対するマスク層４をマスクとする、硫酸系エッチャント
を用いたエッチング処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜３に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２を外
部に臨ませる、例えば４μｍの幅を有するストライプ状
の窓６を形成する（図２Ｅ）。
対するマスク層４をマスクとする、硫酸系エッチャント
を用いたエッチング処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜３に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２を外
部に臨ませる、例えば４μｍの幅を有するストライプ状
の窓６を形成する（図２Ｅ）。
【００２８】次に、マスク層４を、それ自体は公知の方
法によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３上から除
去する（図２Ｆ）。
法によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３上から除
去する（図２Ｆ）。
【００２９】次に、酸素を例えば１％添加したアルゴン
ガスの雰囲気でなる酸素雰囲気中で、半導体基板本体１
を、５００℃の温度に約１分間加熱する、という熱酸化
処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３の窓６に臨む領域
において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料でな
るＩｎＰの酸化物層を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７として形成する（図３Ｇ）。
ガスの雰囲気でなる酸素雰囲気中で、半導体基板本体１
を、５００℃の温度に約１分間加熱する、という熱酸化
処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面
に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３の窓６に臨む領域
において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料でな
るＩｎＰの酸化物層を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７として形成する（図３Ｇ）。
【００３０】この場合、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
３の表面、窓６の内面及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜３の外側面に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３の材
料でなるＩｎＧａＡｓ系の酸化物層８が、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７と連続延長してい
る態様で形成されるとともに、半導体基板本体１のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜２側とは反対側の主面及び側
面、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の外側面に
も、半導体基板本体１及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜２の材料でなるＩｎＰの酸化物層９、及び１０がそれ
ぞれ互に連接して形成される。
３の表面、窓６の内面及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜３の外側面に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３の材
料でなるＩｎＧａＡｓ系の酸化物層８が、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７と連続延長してい
る態様で形成されるとともに、半導体基板本体１のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜２側とは反対側の主面及び側
面、及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の外側面に
も、半導体基板本体１及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜２の材料でなるＩｎＰの酸化物層９、及び１０がそれ
ぞれ互に連接して形成される。
【００３１】次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３
を、硫酸系の溶液を用いて溶去させることによって、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３を、その表面、窓６の内
面、外側面上の酸化物層８とともに、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜２上から除去し、よって、半導体基板本体
１と、その半導体基板本体１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜２を介して形成され且つＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜２を外部に臨ませる窓１１を有するＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７とを有するＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を
得る（図１Ｈ）。
を、硫酸系の溶液を用いて溶去させることによって、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜３を、その表面、窓６の内
面、外側面上の酸化物層８とともに、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜２上から除去し、よって、半導体基板本体
１と、その半導体基板本体１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜２を介して形成され且つＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜２を外部に臨ませる窓１１を有するＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７とを有するＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を
得る（図１Ｈ）。
【００３２】以上で、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用半導体基板が、実施例として用意
された。
半導体薄膜選択成長用半導体基板が、実施例として用意
された。
【００３３】次に、上述したようにして用意されたＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を
用い、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板１２上に、一般に、半導体薄膜は、半導体基板
または半導体薄膜上には成長するが、誘電体薄膜乃至酸
化物層上にはほとんど成長しないことを利用して、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７の窓１１
に臨む領域において、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜１３を、それ自体は公知の減圧ＭＯＶＰＥ法に
よって形成する（図１Ｉ）。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を
用い、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板１２上に、一般に、半導体薄膜は、半導体基板
または半導体薄膜上には成長するが、誘電体薄膜乃至酸
化物層上にはほとんど成長しないことを利用して、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７の窓１１
に臨む領域において、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜１３を、それ自体は公知の減圧ＭＯＶＰＥ法に
よって形成する（図１Ｉ）。
【００３４】この場合、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜１３を、（ｉ）ＩｎＰでなり且つ例えば０．
５μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１４
と、（ｉｉ）そのＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ系
でなり且つ例えば０．００６μｍの厚さを有するＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層１５と、ＩｎＰと格子整合するＩ
ｎＡｌＡｓでなり且つ例えば０．００６μｍの厚さを有
するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６とが交互順次に形
成されている半導体積層体１７と、（ｉｉｉ）ＩｎＰで
なり且つ例えば０．５μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層１８とがそれらの順に積層されている、
半導体積層体１７による、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層１５及び１６をそれぞれ井戸層及び障壁層とする量
子井戸構造を有する導波路用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜として、形成した。
半導体薄膜１３を、（ｉ）ＩｎＰでなり且つ例えば０．
５μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１４
と、（ｉｉ）そのＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ系
でなり且つ例えば０．００６μｍの厚さを有するＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層１５と、ＩｎＰと格子整合するＩ
ｎＡｌＡｓでなり且つ例えば０．００６μｍの厚さを有
するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６とが交互順次に形
成されている半導体積層体１７と、（ｉｉｉ）ＩｎＰで
なり且つ例えば０．５μｍの厚さを有するＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層１８とがそれらの順に積層されている、
半導体積層体１７による、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層１５及び１６をそれぞれ井戸層及び障壁層とする量
子井戸構造を有する導波路用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜として、形成した。
【００３５】以上が、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜形成法の実施例である。
半導体薄膜形成法の実施例である。
【００３６】このような本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜形成法によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板１２を形成する工程（図１
Ａ〜図３Ｈ）における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７を形成する工程（図３Ｇ）におい
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面に、熱
酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるものと
して形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスク７を形成するのに、前述した従来のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にように、大型、複雑な
マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装
置などを用いる必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を容易に用意す
ることができ、よって、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板１２上に、素子形成用ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を簡易に形成することがで
きる。
物半導体薄膜形成法によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板１２を形成する工程（図１
Ａ〜図３Ｈ）における、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７を形成する工程（図３Ｇ）におい
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面に、熱
酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるものと
して形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスク７を形成するのに、前述した従来のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にように、大型、複雑な
マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装
置などを用いる必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を容易に用意す
ることができ、よって、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板１２上に、素子形成用ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を簡易に形成することがで
きる。
【００３７】また、図１〜図３に示す本発明によるＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよ
うに、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板１２を形成する工程（図１Ａ〜図３Ｈ）における、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形
成する工程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料であるＩｎＰの酸化物
でなる酸化物層でなるものとして形成するため、前述し
た従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法のよう
に、マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法
によって形成する必要がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程
（図３Ｇ）において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面が損傷を受けるおそれを有さず、このため、素子
形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を形成する工
程（図３Ｉ）において、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜１３を、良好な結晶性を有するものとし
て容易に形成することができる。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述したよ
うに、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板１２を形成する工程（図１Ａ〜図３Ｈ）における、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形
成する工程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料であるＩｎＰの酸化物
でなる酸化物層でなるものとして形成するため、前述し
た従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法のよう
に、マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法
によって形成する必要がなく、このため、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程
（図３Ｇ）において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面が損傷を受けるおそれを有さず、このため、素子
形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を形成する工
程（図３Ｉ）において、その素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜１３を、良好な結晶性を有するものとし
て容易に形成することができる。
【００３８】さらに、図１〜図３に示す本発明によるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述した
ように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板１２を形成する工程（図１Ａ〜図３Ｈ）におけ
る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７
を形成する工程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料でなるＩｎＰの酸
化物でなる酸化物層でなるものとして形成するため、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７の窓１
１を輪郭の明瞭なパタ―ンに形成することができ、この
ため、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を
形成する工程（図３Ｉ）において、その素子形成用ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、側面の荒れの少ない
ものとして容易に形成することができる。
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法によれば、上述した
ように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板１２を形成する工程（図１Ａ〜図３Ｈ）におけ
る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７
を形成する工程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の材料でなるＩｎＰの酸
化物でなる酸化物層でなるものとして形成するため、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７の窓１
１を輪郭の明瞭なパタ―ンに形成することができ、この
ため、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を
形成する工程（図３Ｉ）において、その素子形成用ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、側面の荒れの少ない
ものとして容易に形成することができる。
【００３９】また、図１〜図３で上述した本発明による
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法の実施例では、素
子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１２を形成する
のに、図３Ｈに示すＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板１２を用いているが、そのＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２は、本発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板によるもので、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用半導体基板１２によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜２の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化
物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスク７を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜形成法において上述したように、大型、複雑なマ
グネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置
などを用いることなしに、容易に形成することができ、
このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板を、容易に用意することができる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法の実施例では、素
子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１２を形成する
のに、図３Ｈに示すＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板１２を用いているが、そのＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２は、本発
明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板によるもので、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用半導体基板１２によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜２の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化
物層でなるため、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスク７を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜形成法において上述したように、大型、複雑なマ
グネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置
などを用いることなしに、容易に形成することができ、
このため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板を、容易に用意することができる。
【００４０】また、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２によれ
ば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるため、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７
を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にお
いて上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面に損傷を与えることなしに形成することができ、
このため、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、その
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１
２上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３
を、良好な結晶性を有するものとして、容易に形成する
ことができる。
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２によれ
ば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選
択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるため、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７
を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法にお
いて上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２
の表面に損傷を与えることなしに形成することができ、
このため、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、その
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１
２上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３
を、良好な結晶性を有するものとして、容易に形成する
ことができる。
【００４１】さらに、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２によ
れば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
２の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
２の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるた
め、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法
において上述したように、輪郭の明瞭なパタ―ンを有す
る窓１１を有するものとして容易に形成することがで
き、このため、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板１２上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２によ
れば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
選択成長用マスク７が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
２の表面に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
２の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるた
め、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法
において上述したように、輪郭の明瞭なパタ―ンを有す
る窓１１を有するものとして容易に形成することがで
き、このため、図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、
そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板１２上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
【００４２】さらに、図１〜図３で上述した本発明によ
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の形成法の実施例に
は、図１Ａ〜図３Ｈに示す、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜１３を形成するのに用いるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２（図３Ｈ）
を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板形成法を適用しているが、そのＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法は、本発明
によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板形成法によるもので、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板形成法によれば、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工
程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体
または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸
化物でなる酸化物層でなるものとして形成するため、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成
するのに、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法において上述したように、大型、複雑なマグネトロン
スパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用い
る、という必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板１２を、容易に用意する
ことができる。
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の形成法の実施例に
は、図１Ａ〜図３Ｈに示す、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜１３を形成するのに用いるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２（図３Ｈ）
を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板形成法を適用しているが、そのＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法は、本発明
によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体
基板形成法によるもので、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板形成法によれば、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工
程（図３Ｇ）において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜２の表面に、熱酸化処理によって、半導体基板本体
または第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸
化物でなる酸化物層でなるものとして形成するため、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成
するのに、上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成
法において上述したように、大型、複雑なマグネトロン
スパッタリング装置や、プラズマＣＶＤ装置などを用い
る、という必要がなく、従って、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板１２を、容易に用意する
ことができる。
【００４３】また、図１Ａ〜図３Ｈに示す本発明による
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形
成法によれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程（図３Ｇ）
において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面
に、熱酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜２の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなる
ものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスク７を形成するのに、上述したＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法において上述したよう
に、マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法
によって形成する、という必要がなく、このため、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成す
る工程（図３Ｇ）において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜２の表面が、損傷を受けるおそれを有しない。この
ため、図１Ａ〜図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によって
用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板１２を用いて、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板１２上に、素子形成用ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、良好な結晶性を有する
ものとして、容易に形成することができる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形
成法によれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程（図３Ｇ）
において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長
用マスク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面
に、熱酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜２の材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなる
ものとして形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスク７を形成するのに、上述したＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法において上述したよう
に、マグネトロンスパッタリング装置や、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法
によって形成する、という必要がなく、このため、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク７を形成す
る工程（図３Ｇ）において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜２の表面が、損傷を受けるおそれを有しない。この
ため、図１Ａ〜図３Ｈに示す本発明によるＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成法によって
用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板１２を用いて、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用半導体基板１２上に、素子形成用ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、良好な結晶性を有する
ものとして、容易に形成することができる。
【００４４】さらに、図１Ａ〜図３Ｈに示す本発明によ
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
形成法によれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程におい
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面に、熱
酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるものと
して形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスク７の窓１１を輪郭の明瞭なパタ―ンに形成
することができる。このため、図１Ａ〜図３Ｈに示す本
発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２
上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
形成法によれば、上述したように、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用マスク７を形成する工程におい
て、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マス
ク７を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の表面に、熱
酸化処理によって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜２の
材料であるＩｎＰの酸化物でなる酸化物層でなるものと
して形成するため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用マスク７の窓１１を輪郭の明瞭なパタ―ンに形成
することができる。このため、図１Ａ〜図３Ｈに示す本
発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半
導体基板形成法によって用意されるＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用いて、そのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２
上に、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３
を、側面の荒れの少ないものとして、容易に形成するこ
とができる。
【００４５】
【実施例２】次に、図４及び図５を伴って、本発明によ
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
の実施例及びその形成法の実施例、及びＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜形成法の実施例を、それらの適用された
半導体レ―ザの製法の実施例で述べよう。
るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板
の実施例及びその形成法の実施例、及びＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜形成法の実施例を、それらの適用された
半導体レ―ザの製法の実施例で述べよう。
【００４６】図４及び図５において、図１〜図３との対
応部分には同一符号を付して示す。
応部分には同一符号を付して示す。
【００４７】図４及び図５に示す本発明の適用された半
導体レ―ザの製法においては、まず、図１Ａ〜図３Ｈで
上述した本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法で上述したのと同様の工程をとって、同様のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用
意する（図４Ａ）。ただし、このＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板１２は、その半導体基板
本体１がｎ型を有し、また、図１Ｂで上述したＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜２を形成する工程を省略されてい
ることによって、半導体基板本体１上のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜２を有していない。
導体レ―ザの製法においては、まず、図１Ａ〜図３Ｈで
上述した本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法で上述したのと同様の工程をとって、同様のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板１２を用
意する（図４Ａ）。ただし、このＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜選択成長用半導体基板１２は、その半導体基板
本体１がｎ型を有し、また、図１Ｂで上述したＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜２を形成する工程を省略されてい
ることによって、半導体基板本体１上のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜２を有していない。
【００４８】次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板１２上に、図１Ｉで上述したと同様の
工程をとって、同様の素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜１３を、同様に形成する（図４Ｂ）。ただし、
この素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、
（ｉ）ノンド―プＩｎＰバッファ層２１と、（ｉｉ）ノ
ンド―プＩｎＧａＡｓＰ系層２２と、（ｉｉｉ）ノンド
―プＩｎＧａＡｓ系層２３とＩｎＡｌＡｓ系層２４とが
交互順次に積層された量子井戸構造を有する半導体積層
体２５と、（ｉｖ）ノンド―プＧａＡｓＰ系層２６と、
（ｖ）ｐ型ＩｎＰクラッド層２７との半導体積層体でな
るものとして形成した。
成長用半導体基板１２上に、図１Ｉで上述したと同様の
工程をとって、同様の素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜１３を、同様に形成する（図４Ｂ）。ただし、
この素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３を、
（ｉ）ノンド―プＩｎＰバッファ層２１と、（ｉｉ）ノ
ンド―プＩｎＧａＡｓＰ系層２２と、（ｉｉｉ）ノンド
―プＩｎＧａＡｓ系層２３とＩｎＡｌＡｓ系層２４とが
交互順次に積層された量子井戸構造を有する半導体積層
体２５と、（ｉｖ）ノンド―プＧａＡｓＰ系層２６と、
（ｖ）ｐ型ＩｎＰクラッド層２７との半導体積層体でな
るものとして形成した。
【００４９】次に、半導体基板本体１上から、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、弗酸を用い
て除去する（図４Ｃ）。
Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクを、弗酸を用い
て除去する（図４Ｃ）。
【００５０】次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板１２上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスク７の除去された領域において、ｐ
型ＩｎＰ電流ブロック層３０、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ系エ
ッチングストップ用層３１、及びｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層３２の半導体積層体３３を形成する（図４Ｄ）。
成長用半導体基板１２上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスク７の除去された領域において、ｐ
型ＩｎＰ電流ブロック層３０、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ系エ
ッチングストップ用層３１、及びｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層３２の半導体積層体３３を形成する（図４Ｄ）。
【００５１】次に、半導体積層体３３のｎ型ＩｎＰ電流
ブロック層３２に、エッチング処理によって、窓３４
を、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３上に
おいて、形成する（図５Ｅ）。
ブロック層３２に、エッチング処理によって、窓３４
を、素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜１３上に
おいて、形成する（図５Ｅ）。
【００５２】次に、半導体積層体３３上に、ｐ型ＩｎＰ
埋込層３５、及びｐ型ＩｎＧａＡｓ系電極付層３６でな
る半導体積層体３７を形成する（図５Ｆ）。
埋込層３５、及びｐ型ＩｎＧａＡｓ系電極付層３６でな
る半導体積層体３７を形成する（図５Ｆ）。
【００５３】次に、半導体積層体３７上に電極層３８を
形成し、また、半導体基板本体１をうらがわにおいて研
磨し、その面上に電極層３９を形成する（図５Ｇ）。
形成し、また、半導体基板本体１をうらがわにおいて研
磨し、その面上に電極層３９を形成する（図５Ｇ）。
【００５４】以上が、本発明の適用された半導体レ―ザ
の製法の実施例である。
の製法の実施例である。
【００５５】このような半導体レ―ザの製法によれば、
半導体レ―ザを容易に製造することができる。
半導体レ―ザを容易に製造することができる。
【００５６】また、上述した半導体レ―ザの製法では、
素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成するの
に、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法
を適用しているが、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
形成法によれば、図１〜図３で上述した本発明によるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法と同様の作用効果が
得られることは明らかである。
素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を形成するの
に、本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法
を適用しているが、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
形成法によれば、図１〜図３で上述した本発明によるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法と同様の作用効果が
得られることは明らかである。
【００５７】なお、上述においては、本発明のわずかな
実施例を示したに留まり、本発明の精神を脱することな
しに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
実施例を示したに留まり、本発明の精神を脱することな
しに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
【図１】本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法の第１の実施例を示す、順次の工程における略線的
断面図である。
成法の第１の実施例を示す、順次の工程における略線的
断面図である。
【図２】本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法の第１の実施例を示す、図１に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的断面図である。
成法の第１の実施例を示す、図１に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的断面図である。
【図３】本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法の第１の実施例を示す、図２に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的断面図である。
成法の第１の実施例を示す、図２に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的断面図である。
【図４】本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法の第２の実施例を適用した半導体レ―ザの製法を示
す、順次の工程における略線的断面図である。
成法の第２の実施例を適用した半導体レ―ザの製法を示
す、順次の工程における略線的断面図である。
【図５】本発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形
成法の第２の実施例を適用した半導体レ―ザの製法を示
す、図４に示す順次の工程に続く順次の工程における略
線的断面図である。
成法の第２の実施例を適用した半導体レ―ザの製法を示
す、図４に示す順次の工程に続く順次の工程における略
線的断面図である。
１ 半導体基板本体 ２、３ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜 ４ マスク層 ５ 窓 ６ 窓 ７ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成
長用マスク ８、９、１０ 酸化物層 １１ 窓 １２ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板 １３ 素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜 １４、１５、１６ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層 １７ 半導体積層体 １８ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層
長用マスク ８、９、１０ 酸化物層 １１ 窓 １２ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択
成長用半導体基板 １３ 素子形成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜 １４、１５、１６ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層 １７ 半導体積層体 １８ ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板本体と、 その半導体基板本体上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜
を介してまたは介することなしに形成され且つ上記半導
体基板本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を
外部に臨ませる窓を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜選択成長用マスクとを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板において、 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスク
が、上記半導体基板本体または上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜の表面に形成された、上記半導体基板本体ま
たは上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物
でなる酸化物層でなることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体薄膜選択成長用半導体基板。 - 【請求項２】 半導体基板本体を予め用意する工程と、 上記半導体基板本体上に、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体薄膜を介してまたは介することなしに、上記半導体
基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄
膜を外部に臨ませる窓を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体薄膜を形成する工程と、 熱酸化処理によって、上記半導体基板本体または上記第
１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に
臨む領域において、上記半導体基板本体または上記第１
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる
酸化物層を、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用
マスクとして形成する工程と、 上記第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を、上記半導
体基板本体または上記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜上から除去する工程とを有することを特徴とするＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板形成
法。 - 【請求項３】 請求項２記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体薄膜選択成長用半導体基板形成法によって、上記半導
体基板本体と、その半導体基板本体上に上記第１のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体薄膜を介してまたは介することな
しに形成され且つ上記半導体基板本体または上記第１の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を有
するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用マスクと
を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導
体基板を用意する工程と、 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基
板上に、上記半導体基板本体または上記第１のＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体薄膜の上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜選択成長用マスクの窓に臨む領域において、素子形
成用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を選択成長させる工
程とを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27370392A JPH06104189A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27370392A JPH06104189A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104189A true JPH06104189A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17531385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27370392A Pending JPH06104189A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877071A (en) * | 1996-09-12 | 1999-03-02 | Motorola, Inc. | Masking methods during semiconductor device fabrication |
| JP2014502042A (ja) * | 2010-11-11 | 2014-01-23 | ツルン ユリオピスト | 基板を処理する方法および基板 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP27370392A patent/JPH06104189A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877071A (en) * | 1996-09-12 | 1999-03-02 | Motorola, Inc. | Masking methods during semiconductor device fabrication |
| JP2014502042A (ja) * | 2010-11-11 | 2014-01-23 | ツルン ユリオピスト | 基板を処理する方法および基板 |
| US9269763B2 (en) | 2010-11-11 | 2016-02-23 | Turun Yliopisto | Method for treating a substrate and a substrate |
| US9837486B2 (en) | 2010-11-11 | 2017-12-05 | Comptek Solutions Oy | Method for oxidizing a substrate surface using oxygen |
| US10256290B2 (en) | 2010-11-11 | 2019-04-09 | Comptek Solutions Oy | Method for oxidizing a substrate surface using oxygen |
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