JPH06105239A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH06105239A JPH06105239A JP4277867A JP27786792A JPH06105239A JP H06105239 A JPH06105239 A JP H06105239A JP 4277867 A JP4277867 A JP 4277867A JP 27786792 A JP27786792 A JP 27786792A JP H06105239 A JPH06105239 A JP H06105239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- horizontal transfer
- signal charges
- potential
- transfer register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 同一画素の信号電荷を各々分担して水平転送
する複数段の転送部からなる水平転送レジスタにおい
て、各転送部の取扱い電荷量を考慮しつつ信号電荷を振
り分けることを可能とした固体撮像装置を提供する。 【構成】 転送部４ａ，４ｂを有する第１の水平転送レ
ジスタ４において、各転送部４ａ，４ｂ間において信号
電荷の振分けを行う制御ゲート部５の一部の領域に、水
平転送方向に沿ってポテンシャルバリア部１３を形成
し、この制御ゲート部５のポテンシャルバリア部１３の
ない領域に、その領域の面積およびポテンシャルバリア
部１３のポテンシャル（高さ）によって決まる電荷量の
信号電荷を蓄積した後、制御ゲート部１３のポテンシャ
ルをミドルレベルとすることによって信号電荷を転送部
４ａと転送部４ｂに振り分ける。
する複数段の転送部からなる水平転送レジスタにおい
て、各転送部の取扱い電荷量を考慮しつつ信号電荷を振
り分けることを可能とした固体撮像装置を提供する。 【構成】 転送部４ａ，４ｂを有する第１の水平転送レ
ジスタ４において、各転送部４ａ，４ｂ間において信号
電荷の振分けを行う制御ゲート部５の一部の領域に、水
平転送方向に沿ってポテンシャルバリア部１３を形成
し、この制御ゲート部５のポテンシャルバリア部１３の
ない領域に、その領域の面積およびポテンシャルバリア
部１３のポテンシャル（高さ）によって決まる電荷量の
信号電荷を蓄積した後、制御ゲート部１３のポテンシャ
ルをミドルレベルとすることによって信号電荷を転送部
４ａと転送部４ｂに振り分ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特にいわゆる全画素読出しが可能な構成の固体撮像装置
に関する。
特にいわゆる全画素読出しが可能な構成の固体撮像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像装置として、解像度をよ
り高めるために、水平転送レジスタを例えば２本具備
し、奇数ラインの信号電荷と偶数ラインの信号電荷とを
別々の水平転送レジスタにて同時に水平転送し、１Ｈ
（Ｈは水平走査期間）内に２ライン分の信号電荷を読み
出すことによって全画素読出しを可能とした構成のもの
が周知である。
り高めるために、水平転送レジスタを例えば２本具備
し、奇数ラインの信号電荷と偶数ラインの信号電荷とを
別々の水平転送レジスタにて同時に水平転送し、１Ｈ
（Ｈは水平走査期間）内に２ライン分の信号電荷を読み
出すことによって全画素読出しを可能とした構成のもの
が周知である。
【０００３】ところで、水平転送レジスタの取扱い電荷
量を十分に多くするには、それに伴って水平転送レジス
タのチャネル幅を広くする必要がある。何故ならば、水
平転送用クロックパルスの振幅を一定としたとき、水平
転送レジスタの取扱い電荷量がレジスタの１ビット当り
の面積に比例するため、１ビット分のチャネル長および
チャネル幅を大きくすることによって取扱い電荷量を多
くすることができるが、水平転送レジスタの１ビット分
のチャネル長はイメージ部の寸法によって制約されてし
まい、大きくすることが許容されるのはチャネル幅だけ
だからである。
量を十分に多くするには、それに伴って水平転送レジス
タのチャネル幅を広くする必要がある。何故ならば、水
平転送用クロックパルスの振幅を一定としたとき、水平
転送レジスタの取扱い電荷量がレジスタの１ビット当り
の面積に比例するため、１ビット分のチャネル長および
チャネル幅を大きくすることによって取扱い電荷量を多
くすることができるが、水平転送レジスタの１ビット分
のチャネル長はイメージ部の寸法によって制約されてし
まい、大きくすることが許容されるのはチャネル幅だけ
だからである。
【０００４】しかし、チャネル幅を広くすると、転送電
極に印加した水平転送用クロックパルスによりレジスタ
に生じる電界強度が弱くなる。特に、水平転送レジスタ
のチャネル幅方向における中央部分において弱くなる。
そして、かかる転送電界強度の低下は水平転送レジスタ
での垂直方向への信号電荷の転送効率の低下を招き、一
部の信号電荷を転送しきれないことがある。したがっ
て、全画素読出しのＣＣＤ固体撮像装置においては、２
本の水平転送レジスタのうち、イメージ部側のレジスタ
からその反対側のレジスタへ、１ライン分の信号電荷を
パラレルに転送する場合に完全な転送ができなくなり、
これに伴い画質劣化をもたらす虞れがあった。
極に印加した水平転送用クロックパルスによりレジスタ
に生じる電界強度が弱くなる。特に、水平転送レジスタ
のチャネル幅方向における中央部分において弱くなる。
そして、かかる転送電界強度の低下は水平転送レジスタ
での垂直方向への信号電荷の転送効率の低下を招き、一
部の信号電荷を転送しきれないことがある。したがっ
て、全画素読出しのＣＣＤ固体撮像装置においては、２
本の水平転送レジスタのうち、イメージ部側のレジスタ
からその反対側のレジスタへ、１ライン分の信号電荷を
パラレルに転送する場合に完全な転送ができなくなり、
これに伴い画質劣化をもたらす虞れがあった。
【０００５】この全画素読出しのＣＣＤ固体撮像装置に
おいて、水平転送レジスタでの転送効率を低下させるこ
となく取扱い電荷量を多くするために、イメージ部側の
水平転送レジスタを複数段（例えば、２段）の転送部で
構成し、これら転送部によって同一画素の信号電荷を各
々分担して水平転送するようにしたものが本出願人によ
り提案されている（特開平３−７２７９０号公報参
照）。その構成の概略および動作について、以下に説明
する。図４において、画素単位で２次元配列された複数
個のフォトセンサ１と、これらフォトセンサ１の垂直列
毎に配されてフォトセンサ１で発生した信号電荷を垂直
転送する複数本の垂直転送レジスタ２とによって、イン
ターライン転送方式のＣＣＤイメージ部３が構成されて
いる。
おいて、水平転送レジスタでの転送効率を低下させるこ
となく取扱い電荷量を多くするために、イメージ部側の
水平転送レジスタを複数段（例えば、２段）の転送部で
構成し、これら転送部によって同一画素の信号電荷を各
々分担して水平転送するようにしたものが本出願人によ
り提案されている（特開平３−７２７９０号公報参
照）。その構成の概略および動作について、以下に説明
する。図４において、画素単位で２次元配列された複数
個のフォトセンサ１と、これらフォトセンサ１の垂直列
毎に配されてフォトセンサ１で発生した信号電荷を垂直
転送する複数本の垂直転送レジスタ２とによって、イン
ターライン転送方式のＣＣＤイメージ部３が構成されて
いる。
【０００６】このイメージ部３の下には第１の水平転送
レジスタ４が配されており、この第１の水平転送レジス
タ４は１ライン分の信号電荷を互いに分担して水平転送
する２つの転送部４ａ，４ｂからなる。これら転送部４
ａ，４ｂは、チャネル幅が略同一で互いにやや離間して
平行に配置され、出力部で一体化している。そして、転
送部４ａと４ｂのチャネル幅の和が第１の水平転送レジ
スタ４のチャネル幅となり、これが十分な取扱い電荷量
を得ることのできる値に設定されている。第１の水平転
送レジスタ４において、２つの転送部４ａ，４ｂ間には
制御ゲート部５が設けられており、この制御ゲート部５
は同一の画素の信号電荷を転送部４ａ，４ｂに振り分け
る制御をなす。
レジスタ４が配されており、この第１の水平転送レジス
タ４は１ライン分の信号電荷を互いに分担して水平転送
する２つの転送部４ａ，４ｂからなる。これら転送部４
ａ，４ｂは、チャネル幅が略同一で互いにやや離間して
平行に配置され、出力部で一体化している。そして、転
送部４ａと４ｂのチャネル幅の和が第１の水平転送レジ
スタ４のチャネル幅となり、これが十分な取扱い電荷量
を得ることのできる値に設定されている。第１の水平転
送レジスタ４において、２つの転送部４ａ，４ｂ間には
制御ゲート部５が設けられており、この制御ゲート部５
は同一の画素の信号電荷を転送部４ａ，４ｂに振り分け
る制御をなす。
【０００７】第１の水平転送レジスタ４の下側には、こ
れとやや離間して第２の水平転送レジスタ６が平行に配
置されている。この第２の水平転送レジスタ６のチャネ
ル幅は、第１の水平転送レジスタ４のチャネル幅と略同
一に設定されている。第１の水平転送レジスタ４と第２
の水平転送レジスタ６との間には転送ゲート部７が設け
られており、この転送ゲート部７は垂直転送レジスタ５
から第１の水平転送レジスタ４へ転送された１ライン分
の信号電荷を、さらに第２の水平転送レジスタ６へ転送
する制御をなす。第１，第２の水平転送レジスタ４，６
によって水平転送された信号電荷は、各出力部８1 ，８
2 で信号電圧に変換されて出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２とし
て導出される。
れとやや離間して第２の水平転送レジスタ６が平行に配
置されている。この第２の水平転送レジスタ６のチャネ
ル幅は、第１の水平転送レジスタ４のチャネル幅と略同
一に設定されている。第１の水平転送レジスタ４と第２
の水平転送レジスタ６との間には転送ゲート部７が設け
られており、この転送ゲート部７は垂直転送レジスタ５
から第１の水平転送レジスタ４へ転送された１ライン分
の信号電荷を、さらに第２の水平転送レジスタ６へ転送
する制御をなす。第１，第２の水平転送レジスタ４，６
によって水平転送された信号電荷は、各出力部８1 ，８
2 で信号電圧に変換されて出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２とし
て導出される。
【０００８】このように、第１の水平転送レジスタ４を
複数段（本例では、２段）の転送部４ａ，４ｂによって
構成したことにより、第１の水平転送レジスタ４全体と
してのチャネル幅は広くても各転送部４ａ，４ｂのチャ
ネル幅は狭いので、転送電界強度の低下は起こらず、第
１の水平転送レジスタ４を介しての第２の水平転送レジ
スタ６への信号電荷の転送効率の低下も起こらない。換
言すれば、第１の水平転送レジスタ４での転送効率を低
下させることなく取扱い電荷量を多くできることにな
る。
複数段（本例では、２段）の転送部４ａ，４ｂによって
構成したことにより、第１の水平転送レジスタ４全体と
してのチャネル幅は広くても各転送部４ａ，４ｂのチャ
ネル幅は狭いので、転送電界強度の低下は起こらず、第
１の水平転送レジスタ４を介しての第２の水平転送レジ
スタ６への信号電荷の転送効率の低下も起こらない。換
言すれば、第１の水平転送レジスタ４での転送効率を低
下させることなく取扱い電荷量を多くできることにな
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、第１の水平
転送レジスタ４においては、２つの転送部４ａ，４ｂに
振り分けられて水平転送された信号電荷は出力部８1 で
再び合流することから、２つの転送部４ａ，４ｂで各々
転送される電荷量に関係なく、第１の水平転送レジスタ
４でのビット当りの取扱い電荷量は一定である。しかし
ながら、２つの転送部４ａ，４ｂでの各々のビット当り
の取扱い電荷量は、１ビット分のチャネル長およびチャ
ネル幅で決まることから、２つの転送部４ａ，４ｂ間で
信号電荷を振り分けた際に、一方の転送部に振り分けら
れた信号電荷が当該転送部の取扱い電荷量を越えた場合
には、第１の水平転送レジスタ４での取扱い電荷量を多
くできたにも拘らず、１画素分の全信号電荷を完全に転
送できないことになってしまう。したがって、２つの転
送部４ａ，４ｂ間で信号電荷を振り分ける際に、各転送
部４ａ，４ｂでの取扱い電荷量を考慮しつつ振り分ける
必要がある。
転送レジスタ４においては、２つの転送部４ａ，４ｂに
振り分けられて水平転送された信号電荷は出力部８1 で
再び合流することから、２つの転送部４ａ，４ｂで各々
転送される電荷量に関係なく、第１の水平転送レジスタ
４でのビット当りの取扱い電荷量は一定である。しかし
ながら、２つの転送部４ａ，４ｂでの各々のビット当り
の取扱い電荷量は、１ビット分のチャネル長およびチャ
ネル幅で決まることから、２つの転送部４ａ，４ｂ間で
信号電荷を振り分けた際に、一方の転送部に振り分けら
れた信号電荷が当該転送部の取扱い電荷量を越えた場合
には、第１の水平転送レジスタ４での取扱い電荷量を多
くできたにも拘らず、１画素分の全信号電荷を完全に転
送できないことになってしまう。したがって、２つの転
送部４ａ，４ｂ間で信号電荷を振り分ける際に、各転送
部４ａ，４ｂでの取扱い電荷量を考慮しつつ振り分ける
必要がある。
【００１０】本発明は、同一画素の信号電荷を各々分担
して水平転送する複数段の転送部からなる水平転送レジ
スタにおいて、各転送部の取扱い電荷量を考慮しつつ信
号電荷を振り分けることを可能とした固体撮像装置を提
供することを目的とする。
して水平転送する複数段の転送部からなる水平転送レジ
スタにおいて、各転送部の取扱い電荷量を考慮しつつ信
号電荷を振り分けることを可能とした固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、画素単位で２次元配列された複数個のフ
ォトセンサと、この複数個のフォトセンサで発生した信
号電荷を垂直列毎に垂直転送する複数本の垂直転送レジ
スタと、この複数本の垂直転送レジスタからライン単位
で転送された信号電荷を水平転送する第１の水平転送レ
ジスタと、複数本の垂直転送レジスタから第１の水平転
送レジスタを介してライン単位で転送された信号電荷を
水平転送する第２の水平転送レジスタとを具備した固体
撮像装置において、第１の水平転送レジスタが、同一画
素からの信号電荷を各々分担して水平転送する複数段の
転送部と、この複数段の転送部間において信号電荷の振
分けを行う制御ゲート部と、この制御ゲート部の一部の
領域に水平転送方向に沿って形成されたポテンシャルバ
リア部とを有し、制御ゲート部に信号電荷を蓄積した
後、制御ゲート部と転送部との相対的ポテンシャル差を
制御することによって信号電荷を振り分ける構成を採っ
ている。
に、本発明は、画素単位で２次元配列された複数個のフ
ォトセンサと、この複数個のフォトセンサで発生した信
号電荷を垂直列毎に垂直転送する複数本の垂直転送レジ
スタと、この複数本の垂直転送レジスタからライン単位
で転送された信号電荷を水平転送する第１の水平転送レ
ジスタと、複数本の垂直転送レジスタから第１の水平転
送レジスタを介してライン単位で転送された信号電荷を
水平転送する第２の水平転送レジスタとを具備した固体
撮像装置において、第１の水平転送レジスタが、同一画
素からの信号電荷を各々分担して水平転送する複数段の
転送部と、この複数段の転送部間において信号電荷の振
分けを行う制御ゲート部と、この制御ゲート部の一部の
領域に水平転送方向に沿って形成されたポテンシャルバ
リア部とを有し、制御ゲート部に信号電荷を蓄積した
後、制御ゲート部と転送部との相対的ポテンシャル差を
制御することによって信号電荷を振り分ける構成を採っ
ている。
【００１２】
【作用】複数段の転送部を有する第１の水平転送レジス
タにおいて、ポテンシャルバリア部が形成された制御ゲ
ート部に信号電荷を蓄積した後、制御ゲート部と転送部
との相対的ポテンシャル差を制御することによって信号
電荷を振り分けることにより、一方の転送部にて転送さ
れる電荷量は、制御ゲート部のポテンシャルバリア部の
ない領域の面積およびポテンシャルバリア部のポテンシ
ャル（高さ）によって決まり、他方の転送部にて転送さ
れる電荷量は残りの電荷量となる。したがって、一方の
転送部にて転送される電荷量を、当該転送部での取扱い
電荷量に基づいて決定することにより、各転送部の取扱
い電荷量を考慮しつつ信号電荷を各転送部に振り分ける
ことができる。
タにおいて、ポテンシャルバリア部が形成された制御ゲ
ート部に信号電荷を蓄積した後、制御ゲート部と転送部
との相対的ポテンシャル差を制御することによって信号
電荷を振り分けることにより、一方の転送部にて転送さ
れる電荷量は、制御ゲート部のポテンシャルバリア部の
ない領域の面積およびポテンシャルバリア部のポテンシ
ャル（高さ）によって決まり、他方の転送部にて転送さ
れる電荷量は残りの電荷量となる。したがって、一方の
転送部にて転送される電荷量を、当該転送部での取扱い
電荷量に基づいて決定することにより、各転送部の取扱
い電荷量を考慮しつつ信号電荷を各転送部に振り分ける
ことができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面パタ
ーン図であり、図４における第１の水平転送レジスタ４
の一部分のみを示している。図１において、第１の水平
転送レジスタ４は、イメージ部３（図４参照）から転送
された１ライン分の信号電荷を互いに分担して水平転送
する複数段、例えば２段の転送部４ａ，４ｂからなる。
これら転送部４ａ，４ｂは、チャネル幅が略同一で互い
にやや離間して平行に配置されている。第１の水平転送
レジスタ４において、その基板上には蓄積ゲート電極
（一点鎖線）１１と転送ゲート電極（二点鎖線）１２が
水平転送方向において交互に配列されて対をなしてお
り、これら電極対に印加される水平転送用クロックパル
スφＨ１，φＨ２によって２相駆動される。
に説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面パタ
ーン図であり、図４における第１の水平転送レジスタ４
の一部分のみを示している。図１において、第１の水平
転送レジスタ４は、イメージ部３（図４参照）から転送
された１ライン分の信号電荷を互いに分担して水平転送
する複数段、例えば２段の転送部４ａ，４ｂからなる。
これら転送部４ａ，４ｂは、チャネル幅が略同一で互い
にやや離間して平行に配置されている。第１の水平転送
レジスタ４において、その基板上には蓄積ゲート電極
（一点鎖線）１１と転送ゲート電極（二点鎖線）１２が
水平転送方向において交互に配列されて対をなしてお
り、これら電極対に印加される水平転送用クロックパル
スφＨ１，φＨ２によって２相駆動される。
【００１４】転送部４ａ，４ｂ間には、同一の画素の信
号電荷を転送部４ａ，４ｂに振り分けるための制御ゲー
ト部５が設けられている。この制御ゲート部５の転送部
４ａ側の一部領域には、水平転送方向に沿ってポテンシ
ャルバリア部１３が形成されている。このポテンシャル
バリア部１３は、その形成位置に転送チャネルを形成す
る不純物とは逆導電型の不純物を打ち込んだり、その形
成位置以外の制御ゲート部５の領域に同導電型の不純物
を打ち込んだりすることによって形成される。また、制
御ゲート部５のゲート酸化膜（図示せず）の膜厚を制御
することによってもポテンシャルバリア部１３を形成す
ることが可能である。なお、図中、散点部分１４はチャ
ネルストップ部である。
号電荷を転送部４ａ，４ｂに振り分けるための制御ゲー
ト部５が設けられている。この制御ゲート部５の転送部
４ａ側の一部領域には、水平転送方向に沿ってポテンシ
ャルバリア部１３が形成されている。このポテンシャル
バリア部１３は、その形成位置に転送チャネルを形成す
る不純物とは逆導電型の不純物を打ち込んだり、その形
成位置以外の制御ゲート部５の領域に同導電型の不純物
を打ち込んだりすることによって形成される。また、制
御ゲート部５のゲート酸化膜（図示せず）の膜厚を制御
することによってもポテンシャルバリア部１３を形成す
ることが可能である。なお、図中、散点部分１４はチャ
ネルストップ部である。
【００１５】次に、上記構成の第１の水平転送レジスタ
４における信号電荷の振分け動作について、図２のタイ
ミングチャートおよび図３のポテンシャル図を参照しつ
つ説明する。図２において、φＶＨ２は垂直転送レジス
タ２の出力部のゲート電極１５に印加されるゲートパル
ス、φＨ１は２相の水平転送用クロックパルスの１相目
のパルス、φＨＨＧは制御ゲート部５のゲート電極１６
に印加されるゲートパルスである。なお、２相目の水平
転送用クロックパルスφＨ２については、信号電荷の振
分けのタイミングでは常時ハイレベルとなっているため
図示していない。また、図３は、図１におけるＡ−Ａ′
線断面のポテンシャルを示しており、同図において、時
刻Ｔ１〜Ｔ５は図２の時刻Ｔ１〜Ｔ５に対応している。
４における信号電荷の振分け動作について、図２のタイ
ミングチャートおよび図３のポテンシャル図を参照しつ
つ説明する。図２において、φＶＨ２は垂直転送レジス
タ２の出力部のゲート電極１５に印加されるゲートパル
ス、φＨ１は２相の水平転送用クロックパルスの１相目
のパルス、φＨＨＧは制御ゲート部５のゲート電極１６
に印加されるゲートパルスである。なお、２相目の水平
転送用クロックパルスφＨ２については、信号電荷の振
分けのタイミングでは常時ハイレベルとなっているため
図示していない。また、図３は、図１におけるＡ−Ａ′
線断面のポテンシャルを示しており、同図において、時
刻Ｔ１〜Ｔ５は図２の時刻Ｔ１〜Ｔ５に対応している。
【００１６】時刻Ｔ１は、垂直転送レジスタ２から第１
の水平転送レジスタ４へ信号電荷を転送する直前の状態
である。時刻Ｔ２において、ゲートパルスφＶＨ２がハ
イレベルとなると、垂直転送レジスタ２から第１の水平
転送レジスタ４へ信号電荷が転送される。この時刻Ｔ２
では、クロックパルスφＨ１がローレベルであることか
ら、転送部４ｂのポテンシャルは浅く、またクロックパ
ルスφＨ２が上述した如くハイレベルでかつゲートパル
スφＨＨＧもハイレベルであることから、転送部４ａお
よび制御ゲート部５のポテンシャルは深くなっている。
の水平転送レジスタ４へ信号電荷を転送する直前の状態
である。時刻Ｔ２において、ゲートパルスφＶＨ２がハ
イレベルとなると、垂直転送レジスタ２から第１の水平
転送レジスタ４へ信号電荷が転送される。この時刻Ｔ２
では、クロックパルスφＨ１がローレベルであることか
ら、転送部４ｂのポテンシャルは浅く、またクロックパ
ルスφＨ２が上述した如くハイレベルでかつゲートパル
スφＨＨＧもハイレベルであることから、転送部４ａお
よび制御ゲート部５のポテンシャルは深くなっている。
【００１７】したがって、垂直転送レジスタ５からの信
号電荷は、転送部４ａおよび制御ゲート部５に転送さ
れ、特に制御ゲート部５にはポテンシャルバリア部１３
があるため、このポテンシャルバリア部１３以外の領域
に多く蓄積される。制御ゲート部５に信号電荷を蓄積し
た後、時刻Ｔ３において、ゲートパルスφＨＨＧの電位
をミドルレベルとし、ポテンシャルバリア部１３のポテ
ンシャルをその変動可能範囲のミドル（中間）レベルに
変化させることにより、制御ゲート部５のポテンシャル
バリア部１３のない領域には、その領域の面積およびポ
テンシャルバリア部１３のポテンシャル（高さ）に応じ
た電荷量だけ信号電荷が蓄積される。
号電荷は、転送部４ａおよび制御ゲート部５に転送さ
れ、特に制御ゲート部５にはポテンシャルバリア部１３
があるため、このポテンシャルバリア部１３以外の領域
に多く蓄積される。制御ゲート部５に信号電荷を蓄積し
た後、時刻Ｔ３において、ゲートパルスφＨＨＧの電位
をミドルレベルとし、ポテンシャルバリア部１３のポテ
ンシャルをその変動可能範囲のミドル（中間）レベルに
変化させることにより、制御ゲート部５のポテンシャル
バリア部１３のない領域には、その領域の面積およびポ
テンシャルバリア部１３のポテンシャル（高さ）に応じ
た電荷量だけ信号電荷が蓄積される。
【００１８】この電荷量は、転送部４ｂでの取扱い電荷
量を考慮して、制御ゲート部５のポテンシャルバリア部
１３のない領域の面積およびポテンシャルバリア１３の
ポテンシャルによって決定され、そのまま転送部４ｂに
て転送される電荷量となる。このとき、ポテンシャルバ
リア部１３のポテンシャルは、転送部４ｂのポテンシャ
ルと同じか、又はそれよりも深くなるように設定され
る。制御ゲート部５に蓄積可能な電荷量には限りがある
ため、制御ゲート部５に溜まり切らずにポテンシャルバ
リア部１３から溢れた電荷は、転送部４ａの領域に蓄積
される。すなわち、転送部４ａにて水平転送される電荷
量は、垂直転送レジスタ２から転送された全電荷量か
ら、転送部４ｂにて水平転送される電荷量を差し引いた
量となる。
量を考慮して、制御ゲート部５のポテンシャルバリア部
１３のない領域の面積およびポテンシャルバリア１３の
ポテンシャルによって決定され、そのまま転送部４ｂに
て転送される電荷量となる。このとき、ポテンシャルバ
リア部１３のポテンシャルは、転送部４ｂのポテンシャ
ルと同じか、又はそれよりも深くなるように設定され
る。制御ゲート部５に蓄積可能な電荷量には限りがある
ため、制御ゲート部５に溜まり切らずにポテンシャルバ
リア部１３から溢れた電荷は、転送部４ａの領域に蓄積
される。すなわち、転送部４ａにて水平転送される電荷
量は、垂直転送レジスタ２から転送された全電荷量か
ら、転送部４ｂにて水平転送される電荷量を差し引いた
量となる。
【００１９】時刻Ｔ４では、クロックパルスφＨ１がハ
イレベルになり、転送部４ｂのポテンシャルが深くなる
ことにより、制御ゲート部５に蓄積された信号電荷が転
送部４ｂに転送される。そして、時刻Ｔ５では、ゲート
パルスφＨＨＧがローレベルとなることによって制御ゲ
ート部５のポテンシャルが最も浅くなる。以上の一連の
動作により、垂直転送レジスタ２から第１の水平転送レ
ジスタ４へ転送されてきた同一画素の信号電荷が、転送
部４ｂでの取扱い電荷量を基準にして転送部４ａと転送
部４ｂに振り分けられる。
イレベルになり、転送部４ｂのポテンシャルが深くなる
ことにより、制御ゲート部５に蓄積された信号電荷が転
送部４ｂに転送される。そして、時刻Ｔ５では、ゲート
パルスφＨＨＧがローレベルとなることによって制御ゲ
ート部５のポテンシャルが最も浅くなる。以上の一連の
動作により、垂直転送レジスタ２から第１の水平転送レ
ジスタ４へ転送されてきた同一画素の信号電荷が、転送
部４ｂでの取扱い電荷量を基準にして転送部４ａと転送
部４ｂに振り分けられる。
【００２０】第１の水平転送レジスタ４において、転送
部４ａと転送部４ｂに振り分けられた信号電荷は、水平
転送後に再び１画素分の信号電荷に戻される。１画素分
の信号電荷に戻すためには、例えば、第１の水平転送レ
ジスタ４の最終段、即ち当該レジスタ４を２段に分割す
る必要のない場所において、転送部４ａ，４ｂのチャネ
ルを繋げることにより、分離された信号電荷を水平転送
時に再び１つの塊とすることができる。ここで、第１の
水平転送レジスタ４を２段に分割する必要のない場所と
は、例えば、図４の構成において、第１の水平転送レジ
スタ４から第２の水平転送レジスタ６へ信号電荷の転送
を行う必要のない場所、具体的には、有効画素信号が垂
直転送レジスタ２から第１の水平転送レジスタ４へ転送
されてこない水平ダミービットなどのことである。
部４ａと転送部４ｂに振り分けられた信号電荷は、水平
転送後に再び１画素分の信号電荷に戻される。１画素分
の信号電荷に戻すためには、例えば、第１の水平転送レ
ジスタ４の最終段、即ち当該レジスタ４を２段に分割す
る必要のない場所において、転送部４ａ，４ｂのチャネ
ルを繋げることにより、分離された信号電荷を水平転送
時に再び１つの塊とすることができる。ここで、第１の
水平転送レジスタ４を２段に分割する必要のない場所と
は、例えば、図４の構成において、第１の水平転送レジ
スタ４から第２の水平転送レジスタ６へ信号電荷の転送
を行う必要のない場所、具体的には、有効画素信号が垂
直転送レジスタ２から第１の水平転送レジスタ４へ転送
されてこない水平ダミービットなどのことである。
【００２１】なお、上記実施例では、ゲートパルスφＨ
ＨＧとして、３値レベルをとるクロックを用い、そのミ
ドルレベルで信号電荷の振分けを行う構成について説明
したが、必ずしも３値レベルをとるクロックである必要
はなく、遅延回路などを用いてゲートパルスφＨＨＧの
立下がりスピードを十分遅くするようにしても、信号電
荷の振分けを行うことが可能である。さらに、上記実施
例においては、第１の水平転送レジスタ４を２段に分割
した構成のものに適用した場合について説明したが、第
１の水平転送レジスタ４の分割は２段に限定されるもの
ではなく、３段以上の分割であっても良いことは勿論で
ある。
ＨＧとして、３値レベルをとるクロックを用い、そのミ
ドルレベルで信号電荷の振分けを行う構成について説明
したが、必ずしも３値レベルをとるクロックである必要
はなく、遅延回路などを用いてゲートパルスφＨＨＧの
立下がりスピードを十分遅くするようにしても、信号電
荷の振分けを行うことが可能である。さらに、上記実施
例においては、第１の水平転送レジスタ４を２段に分割
した構成のものに適用した場合について説明したが、第
１の水平転送レジスタ４の分割は２段に限定されるもの
ではなく、３段以上の分割であっても良いことは勿論で
ある。
【００２２】また、各転送部４ａ，４ｂの取扱い電荷量
を考慮した信号電荷の振分けを行う必要がない場合に
は、垂直転送レジスタ２からの信号電荷を制御ゲート部
５を含む第１の水平転送レジスタ４全体に蓄積した後、
転送部４ａ，４ｂのポテンシャルを変化させずに制御ゲ
ート部５のポテンシャルを浅くすることによっても信号
電荷を振り分けることができる。なお、この場合には、
各転送部４ａ，４ｂの取扱い電荷量を考慮した信号電荷
の振分けはなされないものの、制御ゲート部５にポテン
シャルバリア部１３が存在することにより、制御ゲート
部５において第１の水平転送レジスタ４側（イメージ部
３）側が高く、その反対側が低いポテンシャルが構築さ
れるため、第１の水平転送レジスタ４から第２の水平転
送レジスタ６へ信号電荷を垂直転送する場合に、その転
送をよりスムーズに行うことができる。
を考慮した信号電荷の振分けを行う必要がない場合に
は、垂直転送レジスタ２からの信号電荷を制御ゲート部
５を含む第１の水平転送レジスタ４全体に蓄積した後、
転送部４ａ，４ｂのポテンシャルを変化させずに制御ゲ
ート部５のポテンシャルを浅くすることによっても信号
電荷を振り分けることができる。なお、この場合には、
各転送部４ａ，４ｂの取扱い電荷量を考慮した信号電荷
の振分けはなされないものの、制御ゲート部５にポテン
シャルバリア部１３が存在することにより、制御ゲート
部５において第１の水平転送レジスタ４側（イメージ部
３）側が高く、その反対側が低いポテンシャルが構築さ
れるため、第１の水平転送レジスタ４から第２の水平転
送レジスタ６へ信号電荷を垂直転送する場合に、その転
送をよりスムーズに行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数段の転送部を有する第１の水平転送レジスタにおい
て、各転送部間において信号電荷の振分けを行う制御ゲ
ート部の一部の領域に、水平転送方向に沿ってポテンシ
ャルバリア部を形成し、この制御ゲート部に信号電荷を
蓄積した後、制御ゲート部と転送部との相対的ポテンシ
ャル差を制御することによって信号電荷を振り分けるよ
うにしたことにより、一方の転送部にて転送される電荷
量が、制御ゲート部のポテンシャルバリア部のない領域
の面積およびポテンシャルバリア部のポテンシャルによ
って決まるため、その電荷量を当該転送部での取扱い電
荷量に基づいて決定することによって各転送部の取扱い
電荷量を考慮しつつ信号電荷を各転送部に振り分けるこ
とができる。
複数段の転送部を有する第１の水平転送レジスタにおい
て、各転送部間において信号電荷の振分けを行う制御ゲ
ート部の一部の領域に、水平転送方向に沿ってポテンシ
ャルバリア部を形成し、この制御ゲート部に信号電荷を
蓄積した後、制御ゲート部と転送部との相対的ポテンシ
ャル差を制御することによって信号電荷を振り分けるよ
うにしたことにより、一方の転送部にて転送される電荷
量が、制御ゲート部のポテンシャルバリア部のない領域
の面積およびポテンシャルバリア部のポテンシャルによ
って決まるため、その電荷量を当該転送部での取扱い電
荷量に基づいて決定することによって各転送部の取扱い
電荷量を考慮しつつ信号電荷を各転送部に振り分けるこ
とができる。
【００２４】また、制御ゲート部のイメージ部側の一部
領域にポテンシャルバリア部を形成したことにより、制
御ゲート部においてイメージ部側が高く、その反対側が
低いポテンシャルが構築されるため、イメージ部側の水
平転送レジスタからその反対側の水平転送レジスタへ信
号電荷を垂直転送する場合に、その転送をよりスムーズ
に行うことができるという効果もある。
領域にポテンシャルバリア部を形成したことにより、制
御ゲート部においてイメージ部側が高く、その反対側が
低いポテンシャルが構築されるため、イメージ部側の水
平転送レジスタからその反対側の水平転送レジスタへ信
号電荷を垂直転送する場合に、その転送をよりスムーズ
に行うことができるという効果もある。
【図１】本発明の一実施例を示す平面パターン図であ
り、図４における第１の水平転送レジスタ４の一部分の
みを示している。
り、図４における第１の水平転送レジスタ４の一部分の
みを示している。
【図２】信号電荷の振分け動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
ングチャートである。
【図３】図１におけるＡ−Ａ′線断面のポテンシャル図
である。
である。
【図４】水平転送レジスタの取扱い電荷量向上と水平転
送レジスタ間の転送効率向上を両立させるための構成を
採った全画素読出しのＣＣＤ固体撮像装置の構成の一例
を示す平面図である。
送レジスタ間の転送効率向上を両立させるための構成を
採った全画素読出しのＣＣＤ固体撮像装置の構成の一例
を示す平面図である。
３ イメージ部 ４ 第１の水平
転送レジスタ ４ａ，４ｂ 転送部 ５ 制御ゲート
部 ６ 第２の水平転送レジスタ ７ 転送ゲート
部 １３ ポテンシャルバリア部 １４ チャネル
ストップ部
転送レジスタ ４ａ，４ｂ 転送部 ５ 制御ゲート
部 ６ 第２の水平転送レジスタ ７ 転送ゲート
部 １３ ポテンシャルバリア部 １４ チャネル
ストップ部
Claims (5)
- 【請求項１】 画素単位で２次元配列された複数個のフ
ォトセンサと、前記複数個のフォトセンサで発生した信
号電荷を垂直列毎に垂直転送する複数本の垂直転送レジ
スタと、前記複数本の垂直転送レジスタからライン単位
で転送された信号電荷を水平転送する第１の水平転送レ
ジスタと、前記複数本の垂直転送レジスタから前記第１
の水平転送レジスタを介してライン単位で転送された信
号電荷を水平転送する第２の水平転送レジスタとを具備
した固体撮像装置において、 前記第１の水平転送レジスタは、同一画素からの信号電
荷を各々分担して水平転送する複数段の転送部と、前記
複数段の転送部間において信号電荷の振分けを行う制御
ゲート部と、前記制御ゲート部の一部の領域に水平転送
方向に沿って形成されたポテンシャルバリア部とを有
し、前記制御ゲート部に信号電荷を蓄積した後、前記制
御ゲート部と前記転送部との相対的ポテンシャル差を制
御することによって信号電荷を振り分けることを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記第１の水平転送レジスタにおいて、
前記複数段の転送部のうち前記第２の水平転送レジスタ
側の転送部と前記ポテンシャルバリア部との間の領域に
信号電荷を蓄積し、この蓄積の際に前記ポテンシャルバ
リア部から溢れた信号電荷を前記第２の水平転送レジス
タ側の転送部に蓄積した後、前記第２の水平転送レジス
タ側の転送部のポテンシャルを深くすることを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記第２の水平転送レジスタ側の転送部
と前記ポテンシャルバリア部との間の領域に信号電荷を
蓄積する際に、前記ポテンシャルバリア部のポテンシャ
ルを、前記第２の水平転送レジスタとは反対側の転送部
のポテンシャルと同じか、又はそれよりも深くなるよう
に設定することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装
置。 - 【請求項４】 前記第２の水平転送レジスタ側の転送部
と前記ポテンシャルバリア部との間の領域に信号電荷を
蓄積する際に、前記ポテンシャルバリア部のポテンシャ
ルを、その変動可能範囲の中間レベルに設定することを
特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記第１の水平転送レジスタにおいて、
同一画素からの信号電荷を前記複数段の転送部全体に蓄
積した後、前記前記制御ゲート部のポテンシャルを浅く
することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27786792A JP3271200B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| KR1019930006250A KR970005989B1 (ko) | 1992-09-22 | 1993-04-14 | 채널별 임의의 음원선택회로 |
| KR1019930018760A KR100274077B1 (ko) | 1992-09-22 | 1993-09-17 | 고체촬상장치 |
| US08/124,211 US5387935A (en) | 1992-09-22 | 1993-09-21 | Solid state imaging device having dual H-CCD with a compound channel |
| DE69327629T DE69327629T2 (de) | 1992-09-22 | 1993-09-22 | Bildaufnahmevorrichtung mit Dual-H-CCD und Verbundkanal |
| EP93115298A EP0593922B1 (en) | 1992-09-22 | 1993-09-22 | Solid state imaging device having dual-H-CCD with a compound channel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27786792A JP3271200B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06105239A true JPH06105239A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3271200B2 JP3271200B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=17589393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27786792A Expired - Lifetime JP3271200B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5387935A (ja) |
| EP (1) | EP0593922B1 (ja) |
| JP (1) | JP3271200B2 (ja) |
| KR (2) | KR970005989B1 (ja) |
| DE (1) | DE69327629T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0705029A3 (en) * | 1994-09-27 | 1996-06-26 | Sony Corp | Solid state imaging device |
| US7602432B2 (en) | 2005-11-11 | 2009-10-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging element and solid-state imaging device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3088591B2 (ja) * | 1993-06-17 | 2000-09-18 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置および駆動方法 |
| US5786852A (en) * | 1994-06-20 | 1998-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus having an image sensing device including a photoelectric conversion part and a vertical transfer part |
| US6157408A (en) * | 1995-06-06 | 2000-12-05 | Takeharu Etoh | High-speed CCD image transfer apparatus |
| JP3492029B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2004-02-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US20020057349A1 (en) | 1996-03-06 | 2002-05-16 | Masanori Yamaguchi | Image pickup apparatus and solid state image pickup device |
| JPH09246519A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| KR100239409B1 (ko) * | 1997-01-25 | 2000-01-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자 |
| JP2000164848A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| GB0222990D0 (en) * | 2002-10-04 | 2002-11-13 | E2V Tech Uk Ltd | Solid state imaging device |
| JP2007173774A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP4431990B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2010-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4807037A (en) * | 1987-03-06 | 1989-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers |
| FR2629229B1 (fr) * | 1988-03-23 | 1992-09-11 | Thomson Csf | Dispositif de lecture des quantites de charges electriques fournies par des photodiodes a substrat semi-conducteur |
| JP2969702B2 (ja) * | 1989-02-14 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2867447B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1999-03-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5182623A (en) * | 1989-11-13 | 1993-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
| US5196939A (en) * | 1989-12-28 | 1993-03-23 | Loral Fairchild Corporation | Method and apparatus for transferring images from an imaging array |
| US5040071A (en) * | 1990-03-21 | 1991-08-13 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27786792A patent/JP3271200B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-14 KR KR1019930006250A patent/KR970005989B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-17 KR KR1019930018760A patent/KR100274077B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-21 US US08/124,211 patent/US5387935A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-22 DE DE69327629T patent/DE69327629T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-22 EP EP93115298A patent/EP0593922B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0705029A3 (en) * | 1994-09-27 | 1996-06-26 | Sony Corp | Solid state imaging device |
| US5812192A (en) * | 1994-09-27 | 1998-09-22 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus having a channel stop section for forming a transfer channel between first and second transfer sections in a horizontal transfer register |
| US7602432B2 (en) | 2005-11-11 | 2009-10-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging element and solid-state imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970005989B1 (ko) | 1997-04-22 |
| KR100274077B1 (ko) | 2000-12-15 |
| US5387935A (en) | 1995-02-07 |
| DE69327629D1 (de) | 2000-02-24 |
| JP3271200B2 (ja) | 2002-04-02 |
| KR940008432A (ko) | 1994-04-29 |
| EP0593922A1 (en) | 1994-04-27 |
| KR940024663A (ko) | 1994-11-18 |
| EP0593922B1 (en) | 2000-01-19 |
| DE69327629T2 (de) | 2000-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4329128B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法およびカメラ | |
| JPH06105239A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62160758A (ja) | 固体撮像素子 | |
| EP0513666A1 (en) | CCD shift register | |
| JP2699841B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0897397A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20070291150A1 (en) | Solid-state image pickup device having an accumulation gate for reading out, accumulating, and allocating signal charges | |
| JPH0834564B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JP2950317B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| JPWO2011004562A1 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
| JPH0473347B2 (ja) | ||
| JP4075989B2 (ja) | 電荷転送装置及び固体撮像装置 | |
| JPS63108876A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2907841B2 (ja) | ラインセンサ | |
| JPH04264773A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0372790A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH1127476A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2009111427A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法およびこれを用いたカメラ | |
| JPH02304939A (ja) | 電荷転送素子 | |
| JPH01308072A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63217659A (ja) | 電荷転送素子を用いた半導体装置 | |
| JPH10189943A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01138750A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05110057A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0759012A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080125 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090125 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100125 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100125 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 11 |