JPH06105499B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に使用できる垂直磁気記録用
の磁気記録媒体に関するものである。

従来の技術 近年、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体は量産性を考
慮した材料に開発が移ってきている。

以下、第３図及び第４図を参照しながら、従来の垂直磁
気記録用の磁気記録媒体について説明する。

第３図に示した磁気記録媒体において、（１）は高分子
フィルムから成る基板で、（２）はCo−Crスパッタ膜に
代表される垂直磁化膜、（３）は保護膜である。

第４図に示した磁気記録媒体においては、（４）は高分
子フィルム基板、（５）は軟磁性層で、もっぱらパーマ
ロイ薄膜が用いられており、（６）は垂直磁化膜、
（７）は保護膜で、かかる構成のものは、軟磁性層
（５）を介在させることで、第３図の構成のものより垂
直磁化膜（６）に課せられる条件がゆるく、量産時の再
現性は良好になるものと期待されており、特公昭58−91
号公報に於て詳しく記載されている。

以上の構成のいずれかの磁気記録媒体は、補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを組み合わせることで、高密度記録時の
減磁の改良がなされ、記録ビット間隔が約0.2μｍに於
ても充分な飽和特性を示すことが確認されている〔例え
ば、映像情報、第15巻、第２号、第33〜40頁（1983
年）〕。

一方、垂直磁気記録に対する期待を現実のものにするに
は、高品質な垂直磁気記録に適する磁気記録媒体の量産
化が重大な課題のひとつであることは、前記文献の映像
情報第40頁にも記載されている通りであり、その点に鑑
みて、Co−Ｏ系、Co−Ni−Ｏ系の垂直磁化膜の利用が最
近提案されている〔特開昭59−162622号公報、特開昭59
−163810号公報〕。これらの垂直磁化膜は、既に実用に
供されているCo−Ｏ系、Co−Ni−Ｏ系の斜め蒸着膜に製
法も極めて近く、Co−Cr蒸着膜より低い基板温度で大き
な垂直方向の抗磁力が得られる点において、量産性は現
状では最も優れているものといえる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、Co−Ｏ系、Co−Ni−Ｏ系の垂直磁化膜
は、磁気特性をCo−Crスパッタ膜と比較した時、垂直方
向の抗磁力、反磁場補正したヒステリシス曲線の垂直方
向の角形性については、ほぼ近い性能を有するものの、
磁気記録媒体としての重要な記録再生特性について確か
めた時、Co−Crスパッタ膜、Co−Cr蒸着膜で得られてい
る性能〔例えば日本応用磁気学会誌、第８巻、第１号、
第28〜31頁（1984年）〕に比較した時性能的には劣る。
この原因については明確ではないが、巨視的には磁気特
性で把握できても、微視的にはスペーシング損失となる
酸化層が厚くなりすぎるものと推察されるものである。
従って、Co−Ｏ系、Co−Ni−Ｏ系垂直磁化膜の製法上の
利点を生かすには、媒体性能を改良する必要がある。

本発明は、上記問題点に鑑み、微視的な構造からくる酸
化層によるスペーシング損失を減少せしめる材料構成を
とることにより、量産性にも優れ、垂直磁気記録再生特
性にも優れた構成の垂直磁気記録に適した磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の磁気記録媒体
は、Co−Ｍ−Ｏ系垂直磁化膜を備え、その組成におい
て、ＯがCoに対して10〜30原子％、ＭがAu、Cu、Pt、Ni
−Au、Ni−Cu、Ni−Ptの群より選ばれ、Coに対して５〜
30原子％の範囲にある構成にした。

作用 上記構成において、Au又Cu又はPtの存在により垂直磁化
膜に形成される表面酸化層（CoO、NiO、Co₃O₄等）が薄
くなり、スペーシング損失を低減できるので、短波長、
狭トラックによる高密度記録においても信号の再生出力
を大きくすることができることとなる。

実施例 以下、本発明の実施例について、第１図及び第２図に基
づき説明する。

第１図は本発明の一実施例にかかる磁気記録媒体を示し
ており、同図において、（11）は高分子フィルムよりな
る基板、（12）は基板（11）上に形成された軟磁性層、
（13）は軟磁性層（12）上に形成された本発明構成の垂
直磁化膜、（14）は保護膜である。

第２図は本発明の磁気記録媒体を製造するのに用いた蒸
着装置の要部構成を示しており、同図において、（21）
は基板（11）に軟磁性層（12）（第１図）に形成してな
る積層テープ、（22）はテープ（21）の送り出し軸、
（23）はテープ（21）の巻取り軸、（24）は円筒状キャ
ン、（25）はマスク、（26）はスリット状開口部、（2
7）は高周波放電電極、（28）は蒸発源容器、（29A）
（29B）はそれぞれ第１及び第２の蒸着材料、（30A）
（30B）はそれぞれ蒸着材料（29A）（29B）を蒸発させ
るための第１及び第２の電子ビームである。

本発明の磁気記録媒体を製造するために、あらかじめNi
−Fe軟磁性層（12）（Ni80wt％、膜厚0.4μｍ）を高周
波スパッタリング法と電子ビーム蒸着法によりそれぞれ
厚み12μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムから
なる基板（11）上に形成して得られた積層テープ（21）
を用い、第２図の蒸着装置にて、垂直磁化膜（13）を高
周波イオンプレーティング法によって形成した。この際
の製造条件の主なものを第１表に示す。なお、蒸気の入
射角は両蒸着材料（29A）（29B）ともに12度以内に保っ
た。

次に、得られた本発明の磁気記録媒体（試料１〜５）及
び比較例の物性と記録再生特性を、磁気ヘッドとして、
厚み0.2μｍのCo−Ｂ薄膜を主磁極とした補助磁極励磁
型垂直ヘッドを用いて測定した。その結果を第２表に示
す。なお、比較例は、高周波スパッタ法にて得た最も性
能のよいCo−Cr系垂直磁化膜とNi−Fe軟磁性膜（本発明
実施例と同一条件のものである）の積層型である。

＊S/Nは信号対雑音比で比較例を夫々０（dB）として示
してある。

＊＊上表の値は、保護膜のない状態で求めたものである
が、実際は公知の保護膜を用いるので、約1dB程度S/Nが
低下する。

以上とは別に、生産性においてほぼ同一と考えられるCo
−Ｏ系、或いはCo−Ni−Ｏ系垂直磁化膜を用いた数例に
ついても確認したが、S/Nは−16〜−13dBと極めて悪か
ったことから考えても、本発明による媒体は、スパッタ
法で得られるCo−Cr系垂直磁化膜と性能は同等以上で、
生産性は20倍以上であり、非常に優れていると言える。
また、電子ビーム蒸着法で得られるCo−Cr垂直磁化膜よ
り、S/Nで２〜4dB良好であり、実施例より明らかなよう
に、キャン温度が20〜30℃と低くてよく、電子ビーム蒸
着法でCo−Cr垂直磁化膜を得る時のキャン温度より200
℃近く低くできることから、廉価で表面性の良いポリエ
ステルフィルムが基板として使える等の利点がある。

なお、Ｃ−Ｍ−Ｏ系垂直磁化膜における原子比率の関係
は、垂直磁化膜となる条件と、S/Nが良好となる条件
（その目安は、比較例に対して−1dB以上とした）の双
方から決る。本発明の媒体において、S/Nが良好となる
理由は、Au、Pt,Cuに対してCoやCo−Niが優先的に強化
されて表面酸化層の形成にあずかる際に、Au、Pt,Cu
が、CoやCo−Niの飽和磁化を下げて、容易軸を垂直に向
ける作用をするため、表面酸化層が薄くできるからであ
る。

発明の効果 以上述べたごとく本発明によれば、生産性の優れた電子
ビーム蒸着法を基礎にして、低温基板上に、高密度記録
再生特性の優れた垂直磁化層を有する磁気記録媒体をう
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は磁気記録媒体製造装置の要部構成図、第
３図は従来の垂直磁気記録媒体で軟磁性層のない例の断
面図、第４図は従来の軟磁性層を有する垂直磁気記録用
の磁気記録媒体の断面図である。 （11）…基板、（12）…軟磁性層、（13）…Co−Ｍ−Ｏ
系垂直磁化膜、（14）…保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Co−Ｍ−Ｏで表わされる組成を有し、Ｏが
   Coに対して原子比率で10％〜30％の範囲で、ＭがAu、C
   u、Pt、Ni−Au、Ni−Cu、Ni−Ptの群より選ばれ、Coに
   対し原子比率で５％〜30％の範囲にあるCo−Ｍ−Ｏ系垂
   直磁化膜を備えた磁気記録媒体。