JPH037125B2 - - Google Patents

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JPH037125B2
JPH037125B2 JP58128718A JP12871883A JPH037125B2 JP H037125 B2 JPH037125 B2 JP H037125B2 JP 58128718 A JP58128718 A JP 58128718A JP 12871883 A JP12871883 A JP 12871883A JP H037125 B2 JPH037125 B2 JP H037125B2
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thin film
alloy
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Takashi Hatauchi
Koichi Mukasa
Hiroshi Shimada
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Alps Electric Co Ltd
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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に係り、特に垂直磁気記
録ができる磁気記録媒体に関するものである。 近年、磁気記録媒体の記録密度を高めるため、
垂直磁気記録方式が検討されている。この記録方
式に用いられる磁気記録媒体は、基材と、その基
材の表面に形成された第１の磁性材薄膜と、その
第１の磁性材薄膜の表面に形成された第２の磁性
材薄膜とから構成されている。そしてこの第２の
磁性材薄膜の膜厚方向、すなわち垂直方向に磁化
されることにより、所望のデータが記録されるよ
うになつている。 前記第１の磁性材薄膜は第２の磁性材薄膜を磁
化するときに磁路の一部を形成する役割を有して
おり、保磁力が低く、しかも透磁率ならびに飽和
磁束密度がともに高いことが要求される。一方、
第２の磁性材薄膜としては、特に垂直方向に異方
性を有することが要求され、この要求に応えるも
のとして、コバルト−クロムの２成分系合金ある
いはこれにロジウムなどの第３金属を添加した３
成分系合金などのコバルト−クロム系合金薄膜が
ある。 従来のこの種の磁気記録媒体では第１の磁性材
薄膜として、鉄−ニツケル合金からなるパーマロ
イが用いられている。ところがこのものは透磁率
ならびに飽和磁束密度が十分に高くなく、しかも
前記コバルト−クロム系合金からなる第２の磁性
材薄膜との磁気特性上の所謂相性が良くない。す
なわち、結晶構造が面心立方晶系のパーマロイか
らなる第１の磁性材薄膜の上に、コバルト−クロ
ム系合金の第２の磁性材薄膜を形成した場合、そ
れの下層にあたるパーマロイ薄膜の影響を受けて
（特に第２の磁性材薄膜が薄いことも関係して）、
そのコバルト−クロム系合金薄膜の結晶構造が正
規の六方晶系になり難い。そのためクロム−コバ
ルト系合金の特長である優れた垂直異方性が十分
に発揮されない。このようにパーマロイはコバル
ト−クロム系合金との磁気特性上の相性が良くな
いことと、前述のように透磁率ならびに飽和磁束
密度が十分に高くないことが原因で、折角、磁気
特性の優れたコバルト−クロム系合金からなる第
２の磁性材薄膜を用いても、その特性が十分に発
揮できない欠点があつた。 本発明の目的は、このような従来技術の欠点を
解消し、磁気特性の優れた磁気記録媒体を提供す
るにある。 本発明者らは、スパツタリングなどによつて得
られるアモルフアス合金薄膜について種々研究し
た結果、コバルト（Co）を主成分とし、少量の
ハフニウム（Hf）とタンタル（Ta）を添加した
Co−Hf−Taの３成分系アモルフアス合金が、こ
の種の磁気記録媒体の第１の磁性材薄膜として優
れた特性を有していることを見出した。 基板に結晶化ガラスを用い、コバルトデイスク
（直径101.6mm、厚さ５mm）上にハフニウムのペレ
シツとタンタルのペレツト（いずれのペレツトも
縦10mm、横10mm、厚さ１mm）を中心より放射状に
交互に配置し、ターゲツト上のペレツトの数を調
整することにより合金組成が変えられるようにす
る。そしてアルゴンによる置換前の真空度が１×
10-6Torr以下の高真空にし、アルゴンの雰囲気
中で、高周波電力2W／cm2でスパツタリングを行
ない、基板上にコバルトを主成分とするCo−Hf
−Taの３成分系アモルフアス合金薄膜を作成す
る。このようにして作成された各種組成の合金試
料が後述の各特性試験に使用される。 第１図は、後記の合金組成表において合金中の
Ta含有率Ｙが常に4.5原子％になるようにして、
Hf含有率Ｘを種々変えた場合の磁気特性図であ
る。
【表】 なお、図中において曲線Bsは飽和磁束密度、
曲線μeは周波数1MHzにおける困難軸方向の透磁
率、曲線Hcは困難軸方向の保磁力である。この
図から明らかなように、Hf含有率が０原子％の
Co−Ta2成分系合金は、Bsは高いが、Hcが高過
ぎ、μeが低い。これにHfを少量添加するとHcが
極端に下がり、μeは逆に高くなる。なお、Hfの
含有率がある程度以上になると、Hcは高くなり、
μeは低くなる。一方、Bsは極端ではないがHfの
含有率の増大とともに低下する傾向にある。 このような特性傾向のなかで、Bsを高く保ち、
Hcを下げ、高μeにするためには、Hfの含有率Ｘ
を１原子％以上でかつ５原子％未満の範囲、好ま
しくは1.5〜３原子％の範囲に規制する必要があ
る。このことはTa含有率Ｙを若干変化させても
同様である。 第２図は、前記合金組成表において合金中の
Hf含有率Ｘが常に2.2原子％になるようにして、
Ta含有率Ｙを種々変えた場合の磁気特性図であ
る。 この図から明らかなように、Ta含有率が０原
子％のCo−Hf2成分系合金も前述と同様に、Bs
は高いが、Hcが高過ぎ、μeが低い。これにTaを
少量添加することによりHcが極端に下がり、μe
が逆に高くなる。なお、Taの含有率がある程度
以上になると、Hcは高くなり、μeは低くなる。
一方、Bsは極端ではないがTaの含有率の増大と
ともに低下する傾向がある。 このような特性傾向のなかで、Bsを高く保ち、
Hcを下げ、高μeにするためには、Taの含有率Ｙ
を４〜10原子％、好ましくは６〜８原子％の範囲
に規制する必要がある。このことはHf含有率Ｘ
を若干変化させても同様である。 第３図は、本発明に係るCo（93.3原子％）−Hf
（2.2原子％）−Ta（4.5原子％）の３成分系アモル
フアス合金（曲線Ａ）とCo（97.8原子％）−Hf
（2.2原子％）の２成分系アモルフアス合金（曲線
Ｂ）の各周波数におけるμeを比較して示す図で
ある。この図からも明らかなように、本発明のア
モルフアス合金は各周波数においても常に高い周
波数を有し、広い周波数領域において特性が安定
している。 第４図は、本発明の実施例に係る磁気記録媒体
を説明するための図である。ポリエステル、ポリ
イミドなどの合成樹脂あるいは陽極酸化したアル
ミニウム板などからなる基材１の表面に、Co有
率が93.3原子％、Hf含有率が2.2原子％、Ta含有
率が4.5原子％であるCo−Hf−Taの３成分系ア
モルフアス合金薄膜をスパツタリングによつて形
成して、第１の磁性材薄膜２とする。次にこの第
１の磁性材薄膜２の表面に、コバルトを主成分と
し、これに少量のクロムを添加したCo−Crの２
成分系合金薄膜をスパツタリングによつて形成し
て、第２の磁性材薄膜３とする。この磁性材薄膜
２，３の膜厚は、両者とも約0.3μｍである。これ
ら基材１と第１の磁性材薄膜２と第２の磁性材薄
膜３とからテープ状あるいはデイスク状の磁気記
録媒体が構成される。前記磁性材薄膜２，３は基
材１の両面に設ける場合もある。 この磁気記録媒体を間に挟むようにして、主磁
極５と補助磁極６とが配置されている。主磁極５
は厚さが約1μ程度のもので、ガラスやポリイミ
ド樹脂などからなる非磁性材の基板４上にスパツ
タリングによつて形成される。補助磁極６には、
コイル７が所定ターン数だけ巻装されている。こ
のコイル７に記録されるべき信号電流を流して主
磁極５を補助磁極６側から励磁すると、主磁極５
の先端付近に強い垂直磁界が発生する。これによ
つて主磁極５の先端近傍にある磁性材薄膜２，３
が厚さ方向に磁化され、第２の磁性材薄膜３にデ
ータが記録される。第１の磁性材薄膜２は第２磁
性材薄膜３にデータを磁気記録する際、磁路の一
部を構成するのに役立つ。 本発明は前述のように、基材と、その基材の表
面に形成された第１の磁性材薄膜と、その第１の
磁性材薄膜の表面に形成されて垂直異方性を有す
る第２の磁性材薄膜とを備え、前記第２の磁性材
薄膜が膜厚方向に磁化される磁気記録媒体におい
て、前記第１の磁性材薄膜が、コバルトを主成分
とし、それに少量のジルコニウムとニオブを添加
した３成分系のアモルフアス合金から構成され、
その合金中におけるハフニウムの含有率を１原子
％以上でかつ５原子％未満、タンタルの含有率を
４原子％以上でかつ10原子％以下の範囲に規制し
たことを特徴とするものである。 前述のアモルフアス合金は、保磁力が低く、透
磁率ならびに飽和磁束密度が高く、しかもコバル
ト−クロム系合金との磁気特性がよく似通つてお
り、コバルト−クロム系合金の優れた磁気異方性
がそのまま発揮できる。そのため優れた記録、再
生特性を有し、また第２の磁性材薄膜を可及的に
薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るCo−Hf−Ta系アモルフ
アス合金中のHf含有率と各種磁気特性との関係
を示す特性図、第２図は前記合金中のTa含有率
と各種磁気特性との関係を示す特性図、第３図は
前記合金と比較例の合金との各周波数における磁
気特性図、第４図は本発明の実施例に係る磁気記
録媒体を説明するための説明図である。 １……基材、２……第１の磁性材薄膜、３……
第２の磁性材薄膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基材と、その基材の表面に形成された第１の
    磁性材薄膜と、その第１の磁性材薄膜の表面に形
    成されて垂直異方性を有する第２の磁性材薄膜と
    を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化
    される磁気記録媒体において、前記第１の磁性材
    薄膜が、コバルトを主成分とし、それに少量のハ
    フニウムとタンタルを添加した３成分系のアモル
    フアス合金で構成され、その合金中におけるハフ
    ニウムの含有率を１原子％以上でかつ５原子％未
    満、タンタルの含有率を４原子％以上でかつ10原
    子％以下の範囲に規制され、 かつ前記第２の磁性材薄膜がコバルトおよびク
    ロムを含むコバルト−クロム系合金薄膜で構成さ
    ていることを特徴とする磁気記録媒体。
JP58128718A 1983-07-16 1983-07-16 磁気記録媒体 Granted JPS6021508A (ja)

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DE19843426178 DE3426178A1 (de) 1983-07-16 1984-07-16 Magnetischer aufzeichnungstraeger
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