JPH0610683Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0610683Y2 JPH0610683Y2 JP1989060537U JP6053789U JPH0610683Y2 JP H0610683 Y2 JPH0610683 Y2 JP H0610683Y2 JP 1989060537 U JP1989060537 U JP 1989060537U JP 6053789 U JP6053789 U JP 6053789U JP H0610683 Y2 JPH0610683 Y2 JP H0610683Y2
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- JP
- Japan
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- wire
- wire bond
- semiconductor device
- striped pattern
- electrode
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案はワイヤボンド配線がなされた半導体装置に関す
る。
る。
(ロ)従来の技術 従来より発光ダイオード等の半導体素子においては、特
開昭60−52066号公報等に示される様にエピタキ
シャル成長層の上に電極を設け、この電極の上にワイヤ
ボンド法により配線を施こしている。
開昭60−52066号公報等に示される様にエピタキ
シャル成長層の上に電極を設け、この電極の上にワイヤ
ボンド法により配線を施こしている。
(ハ)考案が解決しようとする課題 ところで近年種々の半導体材料が発光素子として着目さ
れるようになってきたが、その中でもエピタキシャル成
長の不均一さが生じるものがあり、例えばスパイラル状
のパターンが生じるものは基板上のある核を中心に結晶
が成長し、それらがそれぞれ成長し合体する。
れるようになってきたが、その中でもエピタキシャル成
長の不均一さが生じるものがあり、例えばスパイラル状
のパターンが生じるものは基板上のある核を中心に結晶
が成長し、それらがそれぞれ成長し合体する。
アルミニウムを含む発光素子(化合物半導体)では第2
図に示すように、エピタキシャル成長によって表面に縞
模様(12)が生じる。従来この縞模様と作業性との関係は
注目されていなかったが、ワイヤボンド不良との間に相
関関係がある事が判った。
図に示すように、エピタキシャル成長によって表面に縞
模様(12)が生じる。従来この縞模様と作業性との関係は
注目されていなかったが、ワイヤボンド不良との間に相
関関係がある事が判った。
(ニ)課題を解決するための手段 本考案は上述の分析に基づいてなされたもので、ワイヤ
ボンドの金属細線の延在方向と縞模様とを略直交させた
ものである。
ボンドの金属細線の延在方向と縞模様とを略直交させた
ものである。
(ホ)作用 斯る縞模様は化合物半導体の結晶むらやエピタキシャル
成長時の温度むらに起因するものと推測されるが、ワイ
ヤボンド時の衝撃や金属細線の張架時の引張応力によ
り、化合物半導体の歪方向に力が加わる等によりチップ
欠けや電極剥離、金属細線密着不良が生じていたものと
考えられ、この様な不良が生じ難い結晶性方位が縞模様
に直交する方向ということである。
成長時の温度むらに起因するものと推測されるが、ワイ
ヤボンド時の衝撃や金属細線の張架時の引張応力によ
り、化合物半導体の歪方向に力が加わる等によりチップ
欠けや電極剥離、金属細線密着不良が生じていたものと
考えられ、この様な不良が生じ難い結晶性方位が縞模様
に直交する方向ということである。
(ヘ)実施例 第1図は本考案実施例の半導体装置の斜視図で、(1)
は縞模様(2)とワイヤボンド電極(3)とを表面に有
した半導体素子で、アルミニウムを含む化合物半導体、
例えばGaAlAs発光ダイオードからなり、裏面電極
(4)はプリントパターン、リードフレーム等の導体
(5)に導電接着剤等で固定されている。この様な半導
体素子の表面側は、例えば液相エピタキシャル成長によ
って形成された混晶比約0.6のGaAlAs層上にA
uNiGeを主成分とする電極材料を蒸着し400〜5
00℃、5〜30分熱処理してオーミック接触のとられ
た厚さ0.9μmの乃至1.5μmのワイヤボンド電極
(3)を形成したものである。
は縞模様(2)とワイヤボンド電極(3)とを表面に有
した半導体素子で、アルミニウムを含む化合物半導体、
例えばGaAlAs発光ダイオードからなり、裏面電極
(4)はプリントパターン、リードフレーム等の導体
(5)に導電接着剤等で固定されている。この様な半導
体素子の表面側は、例えば液相エピタキシャル成長によ
って形成された混晶比約0.6のGaAlAs層上にA
uNiGeを主成分とする電極材料を蒸着し400〜5
00℃、5〜30分熱処理してオーミック接触のとられ
た厚さ0.9μmの乃至1.5μmのワイヤボンド電極
(3)を形成したものである。
(6)はワイヤボンド電極(3)に第1ワイヤボンド、
導体(7)に第2ワイヤボンドされた金属細線で、半導
体素子(1)の表面の縞模様(2)に対して略直交する
ように延在している。
導体(7)に第2ワイヤボンドされた金属細線で、半導
体素子(1)の表面の縞模様(2)に対して略直交する
ように延在している。
(ト)考案の効果 この様なワイヤボンド方向についての効果は以下の通り
である。尚、各ロットは素子300個に対するチップの
欠け、電極剥離、金属細線密着不良(目視判断)等の不
良を示している。
である。尚、各ロットは素子300個に対するチップの
欠け、電極剥離、金属細線密着不良(目視判断)等の不
良を示している。
第1図は本考案実施例の半導体装置の斜視図、第2図は
従来の半導体装置の平面図である。 (1)…半導体素子、(2)…縞模様、(3)…ワイヤ
ボンド電極、(6)…金属細線。
従来の半導体装置の平面図である。 (1)…半導体素子、(2)…縞模様、(3)…ワイヤ
ボンド電極、(6)…金属細線。
Claims (1)
- 【請求項1】表面にエピタキシャル成長によって生じた
縞模様とワイヤボンド電極とを有する化合物半導体から
なる半導体素子と、その素子のワイヤボンド電極にワイ
ヤボンドされ縞模様と略直交する方向に延在する金属細
線とを具備した事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989060537U JPH0610683Y2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989060537U JPH0610683Y2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031536U JPH031536U (ja) | 1991-01-09 |
| JPH0610683Y2 true JPH0610683Y2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=31587984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989060537U Expired - Lifetime JPH0610683Y2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610683Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP1989060537U patent/JPH0610683Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031536U (ja) | 1991-01-09 |
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