JPH0244313Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0244313Y2 JPH0244313Y2 JP1983197805U JP19780583U JPH0244313Y2 JP H0244313 Y2 JPH0244313 Y2 JP H0244313Y2 JP 1983197805 U JP1983197805 U JP 1983197805U JP 19780583 U JP19780583 U JP 19780583U JP H0244313 Y2 JPH0244313 Y2 JP H0244313Y2
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- Expired
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はSiC（シリコンカーバイト）マトリツ
クス表示装置に関する。
クス表示装置に関する。
(ロ) 従来技術
第１図は従来のこの種表示装置を示し、１はｎ
型6H−SiC単結晶からなる基板、２は該基板上に
積層されたｎ型SiC単結晶からなるｎ層、３は該
ｎ層上に積層されたｐ型SiC単結晶からなるｐ
層、４は該ｐ層上に形成されAl−Si（アルミニウ
ム−シリコン）合金からなるオーミツク性のｐ側
電極であり、該電極はｐ層３表面にマトリツクス
配置されている。５はｐ側電極４と対向するよう
に基板１裏面に形成されたオーミツク性のｎ側電
極であり、該電極はNi（ニツケル）からなる。６
は上記ｐ層３上の露出面に形成された絶縁層であ
り、該絶縁層は例えば透光性のSiO2（二酸化シリ
コン）からなる。７は上記絶縁層６上に形成され
上記ｐ側電極４を行もしくは例方向に結線する配
線層である。
型6H−SiC単結晶からなる基板、２は該基板上に
積層されたｎ型SiC単結晶からなるｎ層、３は該
ｎ層上に積層されたｐ型SiC単結晶からなるｐ
層、４は該ｐ層上に形成されAl−Si（アルミニウ
ム−シリコン）合金からなるオーミツク性のｐ側
電極であり、該電極はｐ層３表面にマトリツクス
配置されている。５はｐ側電極４と対向するよう
に基板１裏面に形成されたオーミツク性のｎ側電
極であり、該電極はNi（ニツケル）からなる。６
は上記ｐ層３上の露出面に形成された絶縁層であ
り、該絶縁層は例えば透光性のSiO2（二酸化シリ
コン）からなる。７は上記絶縁層６上に形成され
上記ｐ側電極４を行もしくは例方向に結線する配
線層である。
斯る装置では対向する電極間に順方向バイアス
を印加することにより上記ｐ側電極４直下のpn
接合近傍より発光が生じる。また、SiC単結晶中
での電流の水平方向への拡がりは小であるため、
隣接する電極間に同時に順方向バイアスを印加し
た際にも隣接する電極間の距離を１mm以上とるこ
とにより夫々のｐ側電極４直下のｐ−ｎ接合近傍
より発した光は個個のドツトとして視認できる。
を印加することにより上記ｐ側電極４直下のpn
接合近傍より発光が生じる。また、SiC単結晶中
での電流の水平方向への拡がりは小であるため、
隣接する電極間に同時に順方向バイアスを印加し
た際にも隣接する電極間の距離を１mm以上とるこ
とにより夫々のｐ側電極４直下のｐ−ｎ接合近傍
より発した光は個個のドツトとして視認できる。
然るに斯る構成では絶縁層６を形成する必要が
あり、量産に適しているとはいえない。
あり、量産に適しているとはいえない。
(ハ) 考案の目的
本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、量産
性を向上させることの可能な構造を有したSiCド
ツトマトリツクス表示装置を提供せんとするもの
である。
性を向上させることの可能な構造を有したSiCド
ツトマトリツクス表示装置を提供せんとするもの
である。
(ニ) 考案の構成
本考案者が、ｐ型SiC単結晶上に電子ビーム蒸
着法を用いてAl層を形成したところ、斯るAl層
とｐ型SiC単結晶との間の電流−電圧特性は第２
図に示す如く、非オーミツク性となることが判明
した。尚、上記蒸着条件は真空度１〜２×10-6
Torr、基板温度150℃とした。
着法を用いてAl層を形成したところ、斯るAl層
とｐ型SiC単結晶との間の電流−電圧特性は第２
図に示す如く、非オーミツク性となることが判明
した。尚、上記蒸着条件は真空度１〜２×10-6
Torr、基板温度150℃とした。
本考案は斯る知見に基づいてなされたもので、
その特徴は半導体基板、該基板上に積層されたｎ
型SiC単結晶からなるｎ層、該ｎ層上に積層され
たｐ型SiC単結晶からなるｐ層、該ｐ層上にマト
リツクス状に形成された複数のオーミツク性電
極、該電極間を電気的に接続するように上記ｐ層
表面に形成されたAlからなる配線層を具備した
ことにある。
その特徴は半導体基板、該基板上に積層されたｎ
型SiC単結晶からなるｎ層、該ｎ層上に積層され
たｐ型SiC単結晶からなるｐ層、該ｐ層上にマト
リツクス状に形成された複数のオーミツク性電
極、該電極間を電気的に接続するように上記ｐ層
表面に形成されたAlからなる配線層を具備した
ことにある。
(ホ) 実施例
第３図は本考案の実施例を示し、１１はｎ型
6H−SiC単結晶からなる基板、１２は該基板の一
主面に液相エピタキシヤル成長方法により形され
たｎ型SiC単結晶からなるｎ層であり、該ｎ層は
ｎ型決定不純物としてのＮ（窒素）及び発光中心
としてのAlを含み、そのキヤリア濃度は５×
1017／cm3程度であり、かつその層厚は約10μmで
ある。１３は上記ｎ層１２上に液相エピタキシヤ
ル成長方法により形成されたｐ型SiC単結晶から
なるｐ層であり、該ｐ層はｐ型決定不純物として
のAlを含み、そのキヤリア濃度は５×1018／cm3程
度であり、その層厚は約10μmである。１４は上
記ｐ層１３表面上にマトリツクス状に配されたオ
ーミツク性のｐ側電極であり、該電極はAl：Si
＝89：11のAl−Si合金をマトリツクス状にｐ層
１３表面に積層した後、真空中あるいは、H2も
しくはArの高温（900℃〜1000℃）雰囲気中で５
〜10分間熱処理することにより形成できる。１５
は基板１１裏面に上記ｐ側電極１４と対向するよ
うにマトリツクス状に形成されたオーミツク性の
ｎ側電極であり、該電極は基板１１裏面にｐ側電
極１４と対向するようにNi層を形成後、真空あ
るいは、H2もしくはArの高温（約1000℃）雰囲
気中で約５分間熱処理することにより形成でき
る。１６はAlからなる層厚約2μmの配線層であ
り、該配線層は上記ｐ側電極１４を行もしくは列
方向に結線するようにｐ層１３上に形成されてい
る。斯る配線層１６の形成には電子ビーム蒸着法
を用い、その成長条件は真空度が１〜２×10-6
Torr、基板温度が150℃である。
6H−SiC単結晶からなる基板、１２は該基板の一
主面に液相エピタキシヤル成長方法により形され
たｎ型SiC単結晶からなるｎ層であり、該ｎ層は
ｎ型決定不純物としてのＮ（窒素）及び発光中心
としてのAlを含み、そのキヤリア濃度は５×
1017／cm3程度であり、かつその層厚は約10μmで
ある。１３は上記ｎ層１２上に液相エピタキシヤ
ル成長方法により形成されたｐ型SiC単結晶から
なるｐ層であり、該ｐ層はｐ型決定不純物として
のAlを含み、そのキヤリア濃度は５×1018／cm3程
度であり、その層厚は約10μmである。１４は上
記ｐ層１３表面上にマトリツクス状に配されたオ
ーミツク性のｐ側電極であり、該電極はAl：Si
＝89：11のAl−Si合金をマトリツクス状にｐ層
１３表面に積層した後、真空中あるいは、H2も
しくはArの高温（900℃〜1000℃）雰囲気中で５
〜10分間熱処理することにより形成できる。１５
は基板１１裏面に上記ｐ側電極１４と対向するよ
うにマトリツクス状に形成されたオーミツク性の
ｎ側電極であり、該電極は基板１１裏面にｐ側電
極１４と対向するようにNi層を形成後、真空あ
るいは、H2もしくはArの高温（約1000℃）雰囲
気中で約５分間熱処理することにより形成でき
る。１６はAlからなる層厚約2μmの配線層であ
り、該配線層は上記ｐ側電極１４を行もしくは列
方向に結線するようにｐ層１３上に形成されてい
る。斯る配線層１６の形成には電子ビーム蒸着法
を用い、その成長条件は真空度が１〜２×10-6
Torr、基板温度が150℃である。
斯る装置では、概述した如く配線層１６とｐ層
１３とは非オーミツク性であるため、配線層１６
に印加された電流はｐ側電極１４を介してのみｐ
層１３中に流れ込むこととなる。従つて本実施例
装置においても従来装置と同様にドツトマトリツ
クス型の表示を行なうことができる。
１３とは非オーミツク性であるため、配線層１６
に印加された電流はｐ側電極１４を介してのみｐ
層１３中に流れ込むこととなる。従つて本実施例
装置においても従来装置と同様にドツトマトリツ
クス型の表示を行なうことができる。
(ヘ) 考案の効果
本考案の装置では従来装置と同様にドツトマト
リツクス表示が可能であるにも拘らず、ｐ層上の
絶縁層が不用となるため製造工程が減少でき、量
産に適している。
リツクス表示が可能であるにも拘らず、ｐ層上の
絶縁層が不用となるため製造工程が減少でき、量
産に適している。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は本考案
者の実験結果を示す特性図、第３図は本考案の実
施例を示す断面図である。 １１……基板、１２……ｎ層、１３……ｐ層、
１４……ｐ側電極、１６……配線層。
者の実験結果を示す特性図、第３図は本考案の実
施例を示す断面図である。 １１……基板、１２……ｎ層、１３……ｐ層、
１４……ｐ側電極、１６……配線層。
Claims (1)
- 半導体基板、該基板上に積層されたｎ型SiC単
結晶からなるｎ層、該ｎ層上に積層されたｐ型
SiC単結晶からなるｐ層、該ｐ層上にマトリツク
ス状に形成された複数のオーミツク性電極、該電
極間を電気的に接続するように上記ｐ層表面に形
成されたAlからなる配線層を具備したことを特
徴とするSiCドツトマトリツクス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983197805U JPS60104869U (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | ＳｉＣドツトマトリツクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983197805U JPS60104869U (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | ＳｉＣドツトマトリツクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60104869U JPS60104869U (ja) | 1985-07-17 |
| JPH0244313Y2 true JPH0244313Y2 (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=30756290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983197805U Granted JPS60104869U (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | ＳｉＣドツトマトリツクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60104869U (ja) |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP1983197805U patent/JPS60104869U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60104869U (ja) | 1985-07-17 |
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