JPH06107747A - プロピレンのブロック共重合体の製造方法 - Google Patents
プロピレンのブロック共重合体の製造方法Info
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- JPH06107747A JPH06107747A JP26017892A JP26017892A JPH06107747A JP H06107747 A JPH06107747 A JP H06107747A JP 26017892 A JP26017892 A JP 26017892A JP 26017892 A JP26017892 A JP 26017892A JP H06107747 A JPH06107747 A JP H06107747A
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- acid
- group
- component
- propylene
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- Graft Or Block Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は耐衝撃性と剛性のバランスに優れた
プロピレンブロック共重合体を製造する方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 下記1)〜3)により得られる重合触媒成分
を用いて、プロピレンの重合工程a)及びプロピレンと
エチレンの共重合工程b)を行うプロピレンのブロック
共重合体の製造方法。 1)金属酸化物,マグネシウム,チタン,ハロゲン及び
電子供与性化合物を必須とする固体触媒成分を、 2)有機アルミニウム化合物の存在下、 3)アルケニル基含有アルコキシシランと接触させてな
る重合触媒成分。
プロピレンブロック共重合体を製造する方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 下記1)〜3)により得られる重合触媒成分
を用いて、プロピレンの重合工程a)及びプロピレンと
エチレンの共重合工程b)を行うプロピレンのブロック
共重合体の製造方法。 1)金属酸化物,マグネシウム,チタン,ハロゲン及び
電子供与性化合物を必須とする固体触媒成分を、 2)有機アルミニウム化合物の存在下、 3)アルケニル基含有アルコキシシランと接触させてな
る重合触媒成分。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプロピレンブロック共重
合体の製造方法に関し、詳しくは、耐衝撃性と剛性のバ
ランスに優れたプロピレンブロック共重合体を製造する
方法に関する。
合体の製造方法に関し、詳しくは、耐衝撃性と剛性のバ
ランスに優れたプロピレンブロック共重合体を製造する
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】さまざまな種類の高立体規則性触媒を用
いて製造される高結晶性ポリプロピレンは、剛性や耐熱
性に優れていることから、近年需要が急増している。し
かしながら、これらの性質も、使用目的によっては未だ
不十分であり、剛性を改良する方法が種々提案されてい
るが、それらの多くはポリプロピレンに核剤等を添加す
るなどの後処理を施す方法である。従って、プロセス面
のコスト高である上、添加剤によっては成形品の外観を
損うものもある。添加剤による処理なしで、重合方法に
より剛性を改良する方法も提案されているが、いずれも
剛性は不十分である。
いて製造される高結晶性ポリプロピレンは、剛性や耐熱
性に優れていることから、近年需要が急増している。し
かしながら、これらの性質も、使用目的によっては未だ
不十分であり、剛性を改良する方法が種々提案されてい
るが、それらの多くはポリプロピレンに核剤等を添加す
るなどの後処理を施す方法である。従って、プロセス面
のコスト高である上、添加剤によっては成形品の外観を
損うものもある。添加剤による処理なしで、重合方法に
より剛性を改良する方法も提案されているが、いずれも
剛性は不十分である。
【0003】さらに、ポリプロピレンは本来、衝撃強度
が低いという欠点を有するため、エチレンなど他のオレ
フィンと共重合することによって耐衝撃性を改良する方
法が広く行われている。この方法により耐衝撃性は向上
するが、それに伴って剛性が低下する。そこでプロピレ
ンの他のオレフィンの重合比を変えながら段階的に重合
する方法、すなわち多段重合を行うことにより、共重合
体の剛性と耐衝撃性の物性バランスを改良する方法が種
々提案されている。しかし、これらの方法によっても、
十分にすぐれた物性バランスは得られない。
が低いという欠点を有するため、エチレンなど他のオレ
フィンと共重合することによって耐衝撃性を改良する方
法が広く行われている。この方法により耐衝撃性は向上
するが、それに伴って剛性が低下する。そこでプロピレ
ンの他のオレフィンの重合比を変えながら段階的に重合
する方法、すなわち多段重合を行うことにより、共重合
体の剛性と耐衝撃性の物性バランスを改良する方法が種
々提案されている。しかし、これらの方法によっても、
十分にすぐれた物性バランスは得られない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、より効果的
に、耐衝撃性と剛性のバランスに優れたプロピレンブロ
ック共重合体を製造する方法を提供することを目的とす
る。
に、耐衝撃性と剛性のバランスに優れたプロピレンブロ
ック共重合体を製造する方法を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を行った結果、特定の重合触媒成分を用いて共重合する
ことにより、本発明の目的を達成し得ることを見出し、
本発明を完成した。
を行った結果、特定の重合触媒成分を用いて共重合する
ことにより、本発明の目的を達成し得ることを見出し、
本発明を完成した。
【0006】発明の要旨 すなわち、本発明の要旨は、(A)金属酸化物,マグネ
シウム,チタン,ハロゲン及び電子供与性化合物を必須
成分とする固体触媒成分を、(B)有機アルミニウム化
合物の存在下、(C)一般式
シウム,チタン,ハロゲン及び電子供与性化合物を必須
成分とする固体触媒成分を、(B)有機アルミニウム化
合物の存在下、(C)一般式
【化2】 〔但し、R1 は炭素数1〜10個のアルキレン基若しく
はアリーレン基、R2 は炭素数1〜10個の脂肪族、脂
環式若しくは芳香族炭化水素基又はR4 O、R3は炭素
数3〜10個の脂肪族、脂環式若しくは芳香族炭化水素
基、R4 はR3 と同一か異なる炭素数3〜10個の脂肪
族、脂環式若しくは芳香族炭化水素基であり、xは1若
しくは2、yは0若しくは1、zは4−x−yであ
る。〕で表わされる有機珪素化合物と接触させてなる重
合触媒成分の存在下、(1)プロピレンを重合して高結
晶性ポリプロピレンを製造する工程(a)及び(2)プ
ロピレンとエチレンを共重合する工程(b)からなるプ
ロピレンのブロック共重合体の製造方法にある。
はアリーレン基、R2 は炭素数1〜10個の脂肪族、脂
環式若しくは芳香族炭化水素基又はR4 O、R3は炭素
数3〜10個の脂肪族、脂環式若しくは芳香族炭化水素
基、R4 はR3 と同一か異なる炭素数3〜10個の脂肪
族、脂環式若しくは芳香族炭化水素基であり、xは1若
しくは2、yは0若しくは1、zは4−x−yであ
る。〕で表わされる有機珪素化合物と接触させてなる重
合触媒成分の存在下、(1)プロピレンを重合して高結
晶性ポリプロピレンを製造する工程(a)及び(2)プ
ロピレンとエチレンを共重合する工程(b)からなるプ
ロピレンのブロック共重合体の製造方法にある。
【0007】固体触媒成分 本発明の触媒成分の一成分である固体触媒成分(以下、
成分Aという)は、金属酸化物,マグネシウム,チタ
ン,ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする
が、このような成分は通常金属酸化物、マグネシウム化
合物、チタン化合物及び電子供与性化合物、更に前記各
化合物がハロゲンを有しない化合物の場合は、ハロゲン
含有化合物を、それぞれ接触することにより調製され
る。
成分Aという)は、金属酸化物,マグネシウム,チタ
ン,ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする
が、このような成分は通常金属酸化物、マグネシウム化
合物、チタン化合物及び電子供与性化合物、更に前記各
化合物がハロゲンを有しない化合物の場合は、ハロゲン
含有化合物を、それぞれ接触することにより調製され
る。
【0008】(1)金属酸化物 本発明で用いられる金属酸化物は、元素の周期表第II族
〜第IV族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であり、
それらを例示すると、B2 O3 、MgO、Al 2 O3 、
SiO2 、CaO、TiO2 、ZnO、ZrO2 、Sn
O2 、BaO、ThO2 等が挙げられる。これらの中で
もB2 O3 、MgO、Al2 O3 、SiO2 、Ti
O2 、ZrO2 が望ましく、特にSiO2 が望ましい。
更に、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばSi
O2 −MgO、SiO2 −Al2 O3、SiO2 −Ti
O2 、SiO2 −V2 O5 、SiO2 −Cr2 O3 、S
iO2−TiO2 −MgO等も使用し得る。
〜第IV族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であり、
それらを例示すると、B2 O3 、MgO、Al 2 O3 、
SiO2 、CaO、TiO2 、ZnO、ZrO2 、Sn
O2 、BaO、ThO2 等が挙げられる。これらの中で
もB2 O3 、MgO、Al2 O3 、SiO2 、Ti
O2 、ZrO2 が望ましく、特にSiO2 が望ましい。
更に、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばSi
O2 −MgO、SiO2 −Al2 O3、SiO2 −Ti
O2 、SiO2 −V2 O5 、SiO2 −Cr2 O3 、S
iO2−TiO2 −MgO等も使用し得る。
【0009】これら金属酸化物の形状は通常粉末状のも
のが用いられる。粉末の大きさ及び形状等の形体は、得
られるオレフィン重合体の形体に影響を及ぼすことが多
いので、適宜調節することが望ましい。金属酸化物は、
使用に当って被毒物質を除去する目的等から、可能な限
り高温で焼成し、更に大気と直接接触しないように取扱
うのが望ましい。
のが用いられる。粉末の大きさ及び形状等の形体は、得
られるオレフィン重合体の形体に影響を及ぼすことが多
いので、適宜調節することが望ましい。金属酸化物は、
使用に当って被毒物質を除去する目的等から、可能な限
り高温で焼成し、更に大気と直接接触しないように取扱
うのが望ましい。
【0010】(2)マグネシウム化合物 マグネシウム化合物は、一般式MgR1 R2 で表わされ
る。式において、R1及びR2 は同一か異なる炭化水素
基、OR基(Rは炭化水素基)、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、R1 及びR2 の炭化水素基としては、炭
素数1〜20個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、OR基としては、Rが炭素
数1〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。
る。式において、R1及びR2 は同一か異なる炭化水素
基、OR基(Rは炭化水素基)、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、R1 及びR2 の炭化水素基としては、炭
素数1〜20個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、OR基としては、Rが炭素
数1〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。
【0011】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Me:メチル、Et:エチル、Pr :プ
ロピル、Bu:ブチル、He:ヘキシル、Oct:オク
チル、Ph:フェニル、cyHe:シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。 MgMe2 , MgEt2 , Mgi−Pr2 , MgB
u2 , MgHe2 , MgOct2 ,MgEtBu,Mg
Ph2 , MgcyHe2 , Mg(OMe)2 , Mg(O
Et)2 , Mg(OBu)2 , Mg(OHe)2 , Mg
(OOct)2 , Mg(OPh)2 , Mg(OcyH
e)2 , EtMgCl,BuMgCl,HeMgCl,
i−BuMgCl,t−BuMgCl,PhMgCl,
PhCH2 MgCl,EtMgBr,BuMgBr,P
hMgBr,BuMgI,EtOMgCl,BuOMg
Cl,HeOMgCl,PhOMgCl,EtOMgB
r,BuOMgBr,EtOMgI,MgCl2 , Mg
Br2 , MgI2 。
学式において、Me:メチル、Et:エチル、Pr :プ
ロピル、Bu:ブチル、He:ヘキシル、Oct:オク
チル、Ph:フェニル、cyHe:シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。 MgMe2 , MgEt2 , Mgi−Pr2 , MgB
u2 , MgHe2 , MgOct2 ,MgEtBu,Mg
Ph2 , MgcyHe2 , Mg(OMe)2 , Mg(O
Et)2 , Mg(OBu)2 , Mg(OHe)2 , Mg
(OOct)2 , Mg(OPh)2 , Mg(OcyH
e)2 , EtMgCl,BuMgCl,HeMgCl,
i−BuMgCl,t−BuMgCl,PhMgCl,
PhCH2 MgCl,EtMgBr,BuMgBr,P
hMgBr,BuMgI,EtOMgCl,BuOMg
Cl,HeOMgCl,PhOMgCl,EtOMgB
r,BuOMgBr,EtOMgI,MgCl2 , Mg
Br2 , MgI2 。
【0012】上記マグネシウム化合物は、成分Aを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Xn M(OR)m-n のアルコキシ基含有化合物〔式にお
いて、Xは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜20
個の炭化水素基、Mは硼素、炭素、アルミニウム、珪素
又は燐原子、Rは炭素数1〜20個の炭化水素基、mは
Mの原子価、m>n≧0を示す。〕を接触させる方法が
挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のX及
びRの炭化水素基としては、メチル(Me) 、エチル
(Et) 、プロピル(Pr)、i−プロピル(i−P
r) 、ブチル(Bu) 、i−ブチル(i−Bu) 、ヘキ
シル(He) 、オクチル(Oct)等のアルキル基、シ
クロヘキシル(cyHe)、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル(Ph) 、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、3−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数1〜10個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Xn M(OR)m-n のアルコキシ基含有化合物〔式にお
いて、Xは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜20
個の炭化水素基、Mは硼素、炭素、アルミニウム、珪素
又は燐原子、Rは炭素数1〜20個の炭化水素基、mは
Mの原子価、m>n≧0を示す。〕を接触させる方法が
挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のX及
びRの炭化水素基としては、メチル(Me) 、エチル
(Et) 、プロピル(Pr)、i−プロピル(i−P
r) 、ブチル(Bu) 、i−ブチル(i−Bu) 、ヘキ
シル(He) 、オクチル(Oct)等のアルキル基、シ
クロヘキシル(cyHe)、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル(Ph) 、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、3−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数1〜10個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。
【0013】Mが炭素の場合の化合物 式C(OR)4 に含まれるC(OMe)4 ,C(OE
t)4 ,C(OPr)4,C(OBu)4 ,C(Oi−
Bu)4 ,C(OHe)4 ,C(OOct)4 :式XC
(OR)3 に含まれるHC(OMe)3 ,HC(OE
t)3 ,HC(OPr)3 ,HC(OBu)3 ,HC
(OHe)3 , HC(OPh)3 ;MeC(OM
e)3 ,MeC(OEt)3 ,EtC(OMe)3 ,E
tC(OEt)3 ,cyHeC(OEt)3 ,PhC
(OMe)3 ,PhC(OEt)3 ,CH2 ClC(O
Et)3 ,MeCHBrC(OEt)3 ,MeCHCl
C(OEt)3 ;ClC(OMe)3 ,ClC(OE
t)3 ,ClC(Oi−Bu)3 ,BrC(OE
t)3 ;式X2 C(OR)2 に含まれるMeCH(OM
e)2 , MeCH(OEt)2 , CH2 (OMe)2 ,
CH2 (OEt)2 , CH2 ClCH(OEt)2 , C
HCl2 CH(OEt)2 , CCl3 CH(OE
t)2 , CH2 BrCH(OEt)2 , PhCH(OE
t)2 。
t)4 ,C(OPr)4,C(OBu)4 ,C(Oi−
Bu)4 ,C(OHe)4 ,C(OOct)4 :式XC
(OR)3 に含まれるHC(OMe)3 ,HC(OE
t)3 ,HC(OPr)3 ,HC(OBu)3 ,HC
(OHe)3 , HC(OPh)3 ;MeC(OM
e)3 ,MeC(OEt)3 ,EtC(OMe)3 ,E
tC(OEt)3 ,cyHeC(OEt)3 ,PhC
(OMe)3 ,PhC(OEt)3 ,CH2 ClC(O
Et)3 ,MeCHBrC(OEt)3 ,MeCHCl
C(OEt)3 ;ClC(OMe)3 ,ClC(OE
t)3 ,ClC(Oi−Bu)3 ,BrC(OE
t)3 ;式X2 C(OR)2 に含まれるMeCH(OM
e)2 , MeCH(OEt)2 , CH2 (OMe)2 ,
CH2 (OEt)2 , CH2 ClCH(OEt)2 , C
HCl2 CH(OEt)2 , CCl3 CH(OE
t)2 , CH2 BrCH(OEt)2 , PhCH(OE
t)2 。
【0014】Mが珪素の場合の化合物 式Si(OR)4 に含まれるSi(OMe)4 , Si
(OEt)4 , Si(OBu)4 , Si(Oi−Bu)
4 , Si(OHe)4 , Si(OOct)4 , Si(O
Ph)4 :式XSi(OR)3 に含まれるHSi(OE
t)3 , HSi(OBu)3 , HSi(OHe)3 ,H
Si(OPh)3 ;MeSi(OMe)3,MeSi
(OEt)3 , MeSi(OBu)3 , EtSi(OE
t)3 , PhSi(OEt)3 , EtSi(OP
h)3 ;ClSi(OMe)3 ,ClSi(OE
t)3 , ClSi(OBu)3 , ClSi(OP
h)3 ,BrSi(OEt)3 ;式X2 Si(OR)2
に含まれるMe2 Si(OMe)2 ,Me2 Si(OE
t)2 ,Et2 Si(OEt)2 ;MeClSi(OE
t)2 ;CHCl2SiH(OEt)2 ;CCl3 Si
H(OEt)2 ;MeBuSi(OEt)2:X3 Si
ORに含まれるMe3 SiOMe,Me3 SiOEt,
Me3 SiOBu,Me3 SiOPh,Et3 SiOE
t,Ph3 SiOEt。
(OEt)4 , Si(OBu)4 , Si(Oi−Bu)
4 , Si(OHe)4 , Si(OOct)4 , Si(O
Ph)4 :式XSi(OR)3 に含まれるHSi(OE
t)3 , HSi(OBu)3 , HSi(OHe)3 ,H
Si(OPh)3 ;MeSi(OMe)3,MeSi
(OEt)3 , MeSi(OBu)3 , EtSi(OE
t)3 , PhSi(OEt)3 , EtSi(OP
h)3 ;ClSi(OMe)3 ,ClSi(OE
t)3 , ClSi(OBu)3 , ClSi(OP
h)3 ,BrSi(OEt)3 ;式X2 Si(OR)2
に含まれるMe2 Si(OMe)2 ,Me2 Si(OE
t)2 ,Et2 Si(OEt)2 ;MeClSi(OE
t)2 ;CHCl2SiH(OEt)2 ;CCl3 Si
H(OEt)2 ;MeBuSi(OEt)2:X3 Si
ORに含まれるMe3 SiOMe,Me3 SiOEt,
Me3 SiOBu,Me3 SiOPh,Et3 SiOE
t,Ph3 SiOEt。
【0015】Mが硼素の場合の化合物 式B(OR)3 に含まれるB(OEt)3 , B(OB
u)3 , B(OHe)3, B(OPh)3 。
u)3 , B(OHe)3, B(OPh)3 。
【0016】Mがアルミニウムの場合の化合物 式Al(OR)3 に含まれるAl(OMe)3 ,Al
(OEt)3 , Al(OPr)3 ,Al(Oi−Pr)
3 ,Al(OBu)3 , Al(Ot−Bu)3 ,Al
(OHe)3 , Al(OPh)3 。
(OEt)3 , Al(OPr)3 ,Al(Oi−Pr)
3 ,Al(OBu)3 , Al(Ot−Bu)3 ,Al
(OHe)3 , Al(OPh)3 。
【0017】Mが燐の場合の化合物 式P(OR)3 に含まれるP(OMe)3 ,P(OE
t)3 , P(OBu)3, P(OHe)3 , P(OP
h)3 。
t)3 , P(OBu)3, P(OHe)3 , P(OP
h)3 。
【0018】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第II族又は第III a族金属(M)の有機化合物との錯体
も使用することができる。該錯体は一般式MgR1 R2
・n(MR3 m ) で表わされる。該金属としては、アル
ミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、R3 は炭素数1
〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルアルキル基である。又、mは金属Mの原子価
を、nは0.1〜10の数を示す。MR3 m で表わされ
る化合物の具体例としては、AlMe3 , AlEt 3 ,
Ali−Bu3 , AlPh3 , ZnMe2 ,, ZnEt
2 , ZnBu2 , ZnPh2 , CaEt2 , CaPh2
等が挙げられる。
第II族又は第III a族金属(M)の有機化合物との錯体
も使用することができる。該錯体は一般式MgR1 R2
・n(MR3 m ) で表わされる。該金属としては、アル
ミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、R3 は炭素数1
〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルアルキル基である。又、mは金属Mの原子価
を、nは0.1〜10の数を示す。MR3 m で表わされ
る化合物の具体例としては、AlMe3 , AlEt 3 ,
Ali−Bu3 , AlPh3 , ZnMe2 ,, ZnEt
2 , ZnBu2 , ZnPh2 , CaEt2 , CaPh2
等が挙げられる。
【0019】(3)チタン化合物 チタン化合物は、二価、三価及び四価のチタンの化合物
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。
【0020】(4)電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カル
ボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコー
ル類、エーテル類が好ましく用いられる。
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カル
ボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコー
ル類、エーテル類が好ましく用いられる。
【0021】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−1,2−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−4−メチルシクロヘキセン−1,
2−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、p−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−1,2−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−4−メチルシクロヘキセン−1,
2−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、p−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。
【0022】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、p−トルイル酸メチル、p
−第三級ブチル安息香酸エチル、p−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ2−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、p−トルイル酸メチル、p
−第三級ブチル安息香酸エチル、p−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ2−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。
【0023】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物を使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、1−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−4−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−4−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、p−トルイル酸クロリド、p−トルイ
ル酸ブロミド、p−アニス酸クロリド、p−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。
カルボン酸類の酸ハロゲン化物を使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、1−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−4−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−4−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、p−トルイル酸クロリド、p−トルイ
ル酸ブロミド、p−アニス酸クロリド、p−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。
【0024】アルコール類は、一般式ROHで表わされ
る。式においてRは炭素数1〜12個のアルキル、アル
ケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルであ
る。その具体例としては、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタ
ノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、
2−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピル
フェノール、p−ターシャリーブチルフェノール、n−
オクチルフェノール等である。
る。式においてRは炭素数1〜12個のアルキル、アル
ケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルであ
る。その具体例としては、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタ
ノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、
2−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピル
フェノール、p−ターシャリーブチルフェノール、n−
オクチルフェノール等である。
【0025】エーテル類は、一般式ROR1 で表わされ
る。式においてR,R1 は炭素数1〜12個のアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアル
キルであり、RとR1 は同じでも異ってもよい。その具
体例としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイ
ソアミルエーテル、ジ−2−エチルヘキシルエーテル、
ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル、ブチルアリ
ルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール、エチル
フェニルエーテル等である。
る。式においてR,R1 は炭素数1〜12個のアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアル
キルであり、RとR1 は同じでも異ってもよい。その具
体例としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイ
ソアミルエーテル、ジ−2−エチルヘキシルエーテル、
ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル、ブチルアリ
ルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール、エチル
フェニルエーテル等である。
【0026】成分Aの調製法としては、金属酸化物
(成分1)、マグネシウム化合物(成分2)、チタン化
合物(成分3)及び電子供与性化合物(成分4)をその
順序に接触させる。成分1と成分2を接触させた後、
成分4と成分3をその順序に接触させる。成分1,成
分2を接触させた後、成分3と成分4を同時に用いて接
触させる、成分2と成分3を接触させた後、成分4と
成分1をその順序に接触させる、成分2と成分4を接
触させた後、成分3と成分1をその順序に接触させる、
成分2,成分3及び成分4を同時に接触させた後、成
分1を接触させる等の方法が採用し得る。又、成分3を
用いて接触させる前にハロゲン含有化合物と接触させる
こともできる。
(成分1)、マグネシウム化合物(成分2)、チタン化
合物(成分3)及び電子供与性化合物(成分4)をその
順序に接触させる。成分1と成分2を接触させた後、
成分4と成分3をその順序に接触させる。成分1,成
分2を接触させた後、成分3と成分4を同時に用いて接
触させる、成分2と成分3を接触させた後、成分4と
成分1をその順序に接触させる、成分2と成分4を接
触させた後、成分3と成分1をその順序に接触させる、
成分2,成分3及び成分4を同時に接触させた後、成
分1を接触させる等の方法が採用し得る。又、成分3を
用いて接触させる前にハロゲン含有化合物と接触させる
こともできる。
【0027】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第 IIIa族、IVa
族、a族元素のハロゲン化物(以下、金属ハライドとい
う。)等が挙げられる。
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第 IIIa族、IVa
族、a族元素のハロゲン化物(以下、金属ハライドとい
う。)等が挙げられる。
【0028】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数1〜
12個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、1,2−
ジクロルエタン、1,2−ジブロムエタン、1,2−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、1,1,2−トリクロルエチ
レン、1,1,2−トリブロモエチレン、1,1,2,
2−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、n−プロピルク
ロライド、1,2−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、o−
ジクロルベンゼン、p−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、p−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。
12個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、1,2−
ジクロルエタン、1,2−ジブロムエタン、1,2−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、1,1,2−トリクロルエチ
レン、1,1,2−トリブロモエチレン、1,1,2,
2−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、n−プロピルク
ロライド、1,2−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、o−
ジクロルベンゼン、p−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、p−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。
【0029】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。それら化合
物を例示すると、2−クロルエタノール、1−クロル−
2−プロパノール、3−クロル−1−プロパノール、1
−クロル−2−メチル−2−プロパノール、4−クロル
−1−ブタノール、5−クロル−1−ペンタノール、6
−クロル−1−ヘキサノール、3−クロル−1,2−プ
ロパンジオール、2−クロルシクロヘキサノール、4−
クロルベンズヒドロール、(m,o,p)−クロルベン
ジルアルコール、4−クロルカテコール、4−クロル−
(m,o)−クレゾール、6−クロル−(m,o)−ク
レゾール、4−クロル−3,5−ジメチルフェノール、
クロルハイドロキノン、2−ベンジル−4−クロルフェ
ノール、4−クロル−1−ナフトール、(m,o,p)
−クロルフェノール、p−クロル−α−メチルベンジル
アルコール、2−クロル−4−フェニルフェノール、6
−クロルチモール、4−クロルレゾルシン、2−ブロム
エタノール、3−ブロム−1−プロパノール、1−ブロ
ム−2−プロパノール、1−ブロム−2−ブタノール、
2−ブロム−p−クレゾール、1−ブロム−2−ナフト
ール、6−ブロム−2−ナフトール、(m,o,p)−
ブロムフェノール、4−ブロムレゾルシン、(m,o,
p)−フロロフェノール、p−イオドフェノール:2,
2−ジクロルエタノール、2,3−ジクロル−1−プロ
パノール、1,3−ジクロル−2−プロパノール、3−
クロル−1−(α−クロルメチル)−1−プロパノー
ル、2,3−ジブロム−1−プロパノール、1,3−ジ
ブロム−2−プロパノール、2,4−ジブロムフェノー
ル、2,4−ジブロム−1−ナフトール:2,2,2−
トリクロルエタノール、1,1,1−トリクロル−2−
プロパノール、β,β,β−トリクロル−tert−ブタノ
ール、2,3,4−トリクロルフェノール、2,4,5
−トリクロルフェノール、2,4,6−トリクロルフェ
ノール、2,4,6−トリブロムフェノール、2,3,
5−トリブロム−2−ヒドロキシトルエン、2,3,5
−トリブロム−4−ヒドロキシトルエン、2,2,2−
トリフルオロエタノール、α,α,α−トリフルオロ−
m−クレゾール、2,4,6−トリイオドフェノール:
2,3,4,6−テトラクロルフェノール、テトラクロ
ルハイドロキノン、テトラクロルビスフェノールA、テ
トラブロムビスフェノールA、2,2,3,3−テトラ
フルオロ−1−プロパノール、2,3,5,6−テトラ
フルオロフェノール、テトラフルオロレゾルシン等が挙
げられる。
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。それら化合
物を例示すると、2−クロルエタノール、1−クロル−
2−プロパノール、3−クロル−1−プロパノール、1
−クロル−2−メチル−2−プロパノール、4−クロル
−1−ブタノール、5−クロル−1−ペンタノール、6
−クロル−1−ヘキサノール、3−クロル−1,2−プ
ロパンジオール、2−クロルシクロヘキサノール、4−
クロルベンズヒドロール、(m,o,p)−クロルベン
ジルアルコール、4−クロルカテコール、4−クロル−
(m,o)−クレゾール、6−クロル−(m,o)−ク
レゾール、4−クロル−3,5−ジメチルフェノール、
クロルハイドロキノン、2−ベンジル−4−クロルフェ
ノール、4−クロル−1−ナフトール、(m,o,p)
−クロルフェノール、p−クロル−α−メチルベンジル
アルコール、2−クロル−4−フェニルフェノール、6
−クロルチモール、4−クロルレゾルシン、2−ブロム
エタノール、3−ブロム−1−プロパノール、1−ブロ
ム−2−プロパノール、1−ブロム−2−ブタノール、
2−ブロム−p−クレゾール、1−ブロム−2−ナフト
ール、6−ブロム−2−ナフトール、(m,o,p)−
ブロムフェノール、4−ブロムレゾルシン、(m,o,
p)−フロロフェノール、p−イオドフェノール:2,
2−ジクロルエタノール、2,3−ジクロル−1−プロ
パノール、1,3−ジクロル−2−プロパノール、3−
クロル−1−(α−クロルメチル)−1−プロパノー
ル、2,3−ジブロム−1−プロパノール、1,3−ジ
ブロム−2−プロパノール、2,4−ジブロムフェノー
ル、2,4−ジブロム−1−ナフトール:2,2,2−
トリクロルエタノール、1,1,1−トリクロル−2−
プロパノール、β,β,β−トリクロル−tert−ブタノ
ール、2,3,4−トリクロルフェノール、2,4,5
−トリクロルフェノール、2,4,6−トリクロルフェ
ノール、2,4,6−トリブロムフェノール、2,3,
5−トリブロム−2−ヒドロキシトルエン、2,3,5
−トリブロム−4−ヒドロキシトルエン、2,2,2−
トリフルオロエタノール、α,α,α−トリフルオロ−
m−クレゾール、2,4,6−トリイオドフェノール:
2,3,4,6−テトラクロルフェノール、テトラクロ
ルハイドロキノン、テトラクロルビスフェノールA、テ
トラブロムビスフェノールA、2,2,3,3−テトラ
フルオロ−1−プロパノール、2,3,5,6−テトラ
フルオロフェノール、テトラフルオロレゾルシン等が挙
げられる。
【0030】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、HSiCl3 , H2SiCl2 , H3 S
iCl,HCH3 SiCl2 , HC2 H5 SiCl2 ,
H(t−C4 H9 )SiCl2 , HC6 H5 SiC
l2 , H(CH3 )2 SiCl,H(i−C3 H7 )S
iCl, H2 C2 H5 SiCl,H2 (n−C4 H9 )
SiCl,H2 (C6 H4 CH3 )SiCl, HSiC
l(C6 H5 )2 等が挙げられる。
合物としては、HSiCl3 , H2SiCl2 , H3 S
iCl,HCH3 SiCl2 , HC2 H5 SiCl2 ,
H(t−C4 H9 )SiCl2 , HC6 H5 SiC
l2 , H(CH3 )2 SiCl,H(i−C3 H7 )S
iCl, H2 C2 H5 SiCl,H2 (n−C4 H9 )
SiCl,H2 (C6 H4 CH3 )SiCl, HSiC
l(C6 H5 )2 等が挙げられる。
【0031】金属ハライドとしては、B, Al,Ga,
In,Tl,Si, Ge,Sn, Pb,As, Sb,B
iの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にBCl3 , BBr3 , BI3 , AlCl3 , AlBr
3 , GaCl3 , GaBr3, InCl3 , TlCl3 ,
SiCl4 , SnCl4 , SbCl5 , SbF5 等が
好適である。
In,Tl,Si, Ge,Sn, Pb,As, Sb,B
iの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にBCl3 , BBr3 , BI3 , AlCl3 , AlBr
3 , GaCl3 , GaBr3, InCl3 , TlCl3 ,
SiCl4 , SnCl4 , SbCl5 , SbF5 等が
好適である。
【0032】成分1,成分2,成分3及び成分4、更に
必要に応じて接触させることのできるハロゲン含有化合
物との接触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混
合攪拌するか、機械的に共粉砕することによりなされ
る。接触は40〜150℃の加熱下で行うことができ
る。
必要に応じて接触させることのできるハロゲン含有化合
物との接触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混
合攪拌するか、機械的に共粉砕することによりなされ
る。接触は40〜150℃の加熱下で行うことができ
る。
【0033】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。
【0034】本発明における成分Aの調製法の具体例と
しては、特開昭58−162607号、同55−949
09号、同55−115405号、同57−10810
7号、同61−21109号、同61−174204
号、同61−174205号、同61−174206
号、同62−7706号公報等に開示されている方法等
が挙げられる。より詳細には、
しては、特開昭58−162607号、同55−949
09号、同55−115405号、同57−10810
7号、同61−21109号、同61−174204
号、同61−174205号、同61−174206
号、同62−7706号公報等に開示されている方法等
が挙げられる。より詳細には、
【0035】 金属酸化物とマグネシウムジアルコキ
シドとの反応生成物を、電子供与性化合物及び4価のハ
ロゲン化チタンと接触させる方法(特開昭58−162
607号公報)、
シドとの反応生成物を、電子供与性化合物及び4価のハ
ロゲン化チタンと接触させる方法(特開昭58−162
607号公報)、
【0036】 無機酸化物とマグネシウムヒドロカル
ビルハライド化合物との反応生成物を、ルイス塩基化合
物及び四塩化チタンと接触させる方法(特開昭55−9
4909号公報)、
ビルハライド化合物との反応生成物を、ルイス塩基化合
物及び四塩化チタンと接触させる方法(特開昭55−9
4909号公報)、
【0037】 シリカ等の多孔質担体とアルキルマグ
ネシウム化合物との反応生成物を、チタン化合物と接触
させる前に電子供与性化合物及びハロゲン化珪素化合物
と接触させる方法(特開昭55−115405号、同5
7−108107号公報)、
ネシウム化合物との反応生成物を、チタン化合物と接触
させる前に電子供与性化合物及びハロゲン化珪素化合物
と接触させる方法(特開昭55−115405号、同5
7−108107号公報)、
【0038】 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネ
シウム化合物、オルト位にカルボキシル基を持つ芳香族
多価カルボン酸若しくはその誘導体及びチタン化合物を
接触させる方法(特開昭61−174204号公報)、
シウム化合物、オルト位にカルボキシル基を持つ芳香族
多価カルボン酸若しくはその誘導体及びチタン化合物を
接触させる方法(特開昭61−174204号公報)、
【0039】 金属酸化物、アルコキシ含有マグネシ
ウム化合物、水素−珪素結合を有する珪素化合物、電子
供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方法(特開
昭61−174205号公報)、
ウム化合物、水素−珪素結合を有する珪素化合物、電子
供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方法(特開
昭61−174205号公報)、
【0040】 金属酸化物、アルコキシ含有マグネシ
ウム化合物、ハロゲン元素若しくはハロゲン含有化合
物、電子供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方
法(特開昭61−174206号公報)、
ウム化合物、ハロゲン元素若しくはハロゲン含有化合
物、電子供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方
法(特開昭61−174206号公報)、
【0041】 金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネ
シウム及びハロゲン含有アルコールを接触させることに
よって得られる反応生成物を、電子供与性化合物及びチ
タン化合物と接触させる方法(特開昭61−21109
号公報)、
シウム及びハロゲン含有アルコールを接触させることに
よって得られる反応生成物を、電子供与性化合物及びチ
タン化合物と接触させる方法(特開昭61−21109
号公報)、
【0042】 金属酸化物、ヒドロカルビルマグネシ
ウム及びヒドロカルビルオキシ基含有化合物(前記アル
コキシ基含有化合物に相当)を接触させることによって
得られる固体を、ハロゲン含有アルコールと接触させ、
更に電子供与性化合物及びチタン化合物と接触させる方
法(特開昭62−7706号公報)である。これらの内
でも〜の方法が、特に,の方法が望ましい。 上記のようにして成分Aは調製されるが、成分Aは必要
に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥
してもよい。
ウム及びヒドロカルビルオキシ基含有化合物(前記アル
コキシ基含有化合物に相当)を接触させることによって
得られる固体を、ハロゲン含有アルコールと接触させ、
更に電子供与性化合物及びチタン化合物と接触させる方
法(特開昭62−7706号公報)である。これらの内
でも〜の方法が、特に,の方法が望ましい。 上記のようにして成分Aは調製されるが、成分Aは必要
に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥
してもよい。
【0043】又、成分Aは、更に有機アルミニウム化合
物の存在下、オレフィンと接触させて成分A中に生成す
るオレフィンポリマーを含有させてもよい。有機アルミ
ニウム化合物としては、後記の有機アルミニウム化合物
の中から選ばれる。
物の存在下、オレフィンと接触させて成分A中に生成す
るオレフィンポリマーを含有させてもよい。有機アルミ
ニウム化合物としては、後記の有機アルミニウム化合物
の中から選ばれる。
【0044】オレフィンとしては、エチレンの他プロピ
レン、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペ
ンテン等のα−オレフィンが使用し得る。オレフィンと
の接触は、前記の不活性媒体の存在下行うのが望まし
い。接触は、通常100℃以下、望ましくは−10〜+
50℃の温度で行われる。成分A中に含有させるオレフ
ィンポリマーの量は、成分A1g当り通常0.1〜10
0gである。
レン、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペ
ンテン等のα−オレフィンが使用し得る。オレフィンと
の接触は、前記の不活性媒体の存在下行うのが望まし
い。接触は、通常100℃以下、望ましくは−10〜+
50℃の温度で行われる。成分A中に含有させるオレフ
ィンポリマーの量は、成分A1g当り通常0.1〜10
0gである。
【0045】成分Aとオレフィンの接触は、有機アルミ
ニウム化合物と共に電子供与性化合物を存在させてもよ
い。電子供与性化合物は、成分Aを調製する際に用いら
れる化合物およびSi−O−C結合もしくはSi−N−
C結合を有する有機珪素化合物などの中から選択され
る。オレフィンと接触した成分Aは必要に応じて前記の
不活性媒体で洗浄することができ、又更に乾燥すること
ができる。
ニウム化合物と共に電子供与性化合物を存在させてもよ
い。電子供与性化合物は、成分Aを調製する際に用いら
れる化合物およびSi−O−C結合もしくはSi−N−
C結合を有する有機珪素化合物などの中から選択され
る。オレフィンと接触した成分Aは必要に応じて前記の
不活性媒体で洗浄することができ、又更に乾燥すること
ができる。
【0046】有機アルミニウム化合物 有機アルミニウム化合物(以下成分Bという。)は、一
般式 Rn AlX3-n(但し、Rはアルキル基又はアリ
ール基、Xはハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子
を示し、nは1≦n≦3の範囲の任意の数である。)で
示されるものであり、例えばトリアルキルアルミニウ
ム、ジアルキルアルミニウムモノハライド、モノアルキ
ルアルミニウムジハライド、アルキルアルミニウムセス
キハライド、ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド
及びジアルキルアルミニウムモノハイドライドなどの炭
素数1ないし18個、好ましくは炭素数2ないし6個の
アルキルアルミニウム化合物又はその混合物若しくは錯
化合物が特に好ましい。具体的には、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミ
ニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリブチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシ
ルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウム、ジメ
チルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロ
リド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジエチルアルミ
ニウムアイオダイド、ジイソブチルアルミニウムクロリ
ドなどのジアルキルアルミニウムモノハライド、メチル
アルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリ
ド、メチルアルミニウムジブロミド、エチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジアイオダイド、イ
ソブチルアルミニウムジクロリドなどのモノアルキルア
ルミニウムジハライド、エチルアルミニウムセスキクロ
リドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド、ジメ
チルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエ
トキシド、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジプロ
ピルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウ
ムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムフェノキシド
などのジアルキルアルミニウムモノアルコキシド、ジメ
チルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウム
ハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、
ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキ
ルアルミニウムハイドライドが挙げられる。これらの中
でも、トリアルキルアルミニウムが、特にトリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが望ましい。
般式 Rn AlX3-n(但し、Rはアルキル基又はアリ
ール基、Xはハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子
を示し、nは1≦n≦3の範囲の任意の数である。)で
示されるものであり、例えばトリアルキルアルミニウ
ム、ジアルキルアルミニウムモノハライド、モノアルキ
ルアルミニウムジハライド、アルキルアルミニウムセス
キハライド、ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド
及びジアルキルアルミニウムモノハイドライドなどの炭
素数1ないし18個、好ましくは炭素数2ないし6個の
アルキルアルミニウム化合物又はその混合物若しくは錯
化合物が特に好ましい。具体的には、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミ
ニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリブチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシ
ルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウム、ジメ
チルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロ
リド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジエチルアルミ
ニウムアイオダイド、ジイソブチルアルミニウムクロリ
ドなどのジアルキルアルミニウムモノハライド、メチル
アルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリ
ド、メチルアルミニウムジブロミド、エチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジアイオダイド、イ
ソブチルアルミニウムジクロリドなどのモノアルキルア
ルミニウムジハライド、エチルアルミニウムセスキクロ
リドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド、ジメ
チルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエ
トキシド、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジプロ
ピルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウ
ムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムフェノキシド
などのジアルキルアルミニウムモノアルコキシド、ジメ
チルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウム
ハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、
ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキ
ルアルミニウムハイドライドが挙げられる。これらの中
でも、トリアルキルアルミニウムが、特にトリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが望ましい。
【0047】有機珪素化合物 有機アルミニウム化合物(成分B)の存在下、固体触媒
成分(成分A)と接触させる有機珪素化合物(以下、成
分Cという。)は、前記一般式で表わされる。
成分(成分A)と接触させる有機珪素化合物(以下、成
分Cという。)は、前記一般式で表わされる。
【0048】式において、R1 のアルキレン基は−Cn
H2n−(n=1〜10)で表わされるが、望ましくは−
(CH2 )n −で表わされる(ポリ)メチレン基及びイ
ソプロピレン基である。又、アリーレン基は二価の芳香
族炭化水素を示すが、望ましくはフェニレン、ビフェニ
レン、ナフチレン基、特に望ましくはフェニレン基であ
る。
H2n−(n=1〜10)で表わされるが、望ましくは−
(CH2 )n −で表わされる(ポリ)メチレン基及びイ
ソプロピレン基である。又、アリーレン基は二価の芳香
族炭化水素を示すが、望ましくはフェニレン、ビフェニ
レン、ナフチレン基、特に望ましくはフェニレン基であ
る。
【0049】R2 ,R3 及びR4 OにおけるR4 の脂肪
族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基等
が、脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基、シ
クロアルケニル基、シクロアルカジエニル基等が、芳香
族炭化水素基としては、アリール基、アルアルキル基等
が挙げられる。
族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基等
が、脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基、シ
クロアルケニル基、シクロアルカジエニル基等が、芳香
族炭化水素基としては、アリール基、アルアルキル基等
が挙げられる。
【0050】アルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル、s−ブチ
ル、t−ブチル、アミル、i−アミル、t−アミル、ヘ
キシル、オクチル、2−エチルヘキシル、デシル基等
が、アルケニル基としては、ビニル、アリル、プロペニ
ル、1−ブテニル、1−ペンテニル、1−ヘキセニル、
1−オクテニル、1−デケニル、1−メチル−1−ペン
チニル、1−メチル−1−ヘプテニル、1−メチルエテ
ニル、1−エチルエテニル、1−n−プロピルエテニ
ル、1−n−ブチルエテニル等が、シクロアルキル基と
しては、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシク
ロヘキシル基等が、シクロアルケニル基としては、シク
ロペンテニル、シクロヘキセニル、メチルシクロヘキセ
ニル基等が、シクロアルカジエニル基としては、シクロ
ペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、インデ
ニル基等が、アリール基としては、フェニル、トリル、
キシリル基等が、アルアルキル基としては、ベンジル、
フェネチル、3−フェニルプロピル基等が挙げられる。
ロピル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル、s−ブチ
ル、t−ブチル、アミル、i−アミル、t−アミル、ヘ
キシル、オクチル、2−エチルヘキシル、デシル基等
が、アルケニル基としては、ビニル、アリル、プロペニ
ル、1−ブテニル、1−ペンテニル、1−ヘキセニル、
1−オクテニル、1−デケニル、1−メチル−1−ペン
チニル、1−メチル−1−ヘプテニル、1−メチルエテ
ニル、1−エチルエテニル、1−n−プロピルエテニ
ル、1−n−ブチルエテニル等が、シクロアルキル基と
しては、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシク
ロヘキシル基等が、シクロアルケニル基としては、シク
ロペンテニル、シクロヘキセニル、メチルシクロヘキセ
ニル基等が、シクロアルカジエニル基としては、シクロ
ペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、インデ
ニル基等が、アリール基としては、フェニル、トリル、
キシリル基等が、アルアルキル基としては、ベンジル、
フェネチル、3−フェニルプロピル基等が挙げられる。
【0051】以下、成分Cの具体例を列挙する。なお、
下記において、VはCH2 =CHを意味し、MeはCH
3 (メチル基)、EtはC2 H5 (エチル基)、Prは
(C 3 H7 (プロピル基)、BuはC4 H9 (ブチル
基)、PeはC5 H11(ペンチル基)、HexはC6 H
13(ヘキシル基)、PhはC6 H5 (フェニル基)、c
yはシクロをそれぞれ示す。なお、以下化学式における
〔OC(=CH2 )Me〕のC(=CH2 )Meは1−
メチルエテニルを、〔OC(=CH2 )Et〕のC(=
CH2 )Etは1−エチルエテニルをそれぞれ示す。
下記において、VはCH2 =CHを意味し、MeはCH
3 (メチル基)、EtはC2 H5 (エチル基)、Prは
(C 3 H7 (プロピル基)、BuはC4 H9 (ブチル
基)、PeはC5 H11(ペンチル基)、HexはC6 H
13(ヘキシル基)、PhはC6 H5 (フェニル基)、c
yはシクロをそれぞれ示す。なお、以下化学式における
〔OC(=CH2 )Me〕のC(=CH2 )Meは1−
メチルエテニルを、〔OC(=CH2 )Et〕のC(=
CH2 )Etは1−エチルエテニルをそれぞれ示す。
【0052】(1)x=1,y=0,z=3のとき V−C2 H4 −Si(Oi−Pr)3 ,V−C2 H4 −
Si(On−Bu)3,V−C2 H4 −Si(Os−B
u)3 ,V−C2 H4 −Si(Ot−Bu)3,V−C
2 H4 −Si(On−Pe)3 ,V−C2 H4 −Si
(On−Hex) 3 ,V−C2 H4 −Si〔OC(=C
H2 )Me〕3 ,V−C2 H4 −Si〔OC(=C
H2 )Et〕3 ,V−C3 H6 −Si(Oi−P
r)3 ,V−C3 H6 −Si(On−Bu)3,V−C
3 H6 −Si(Os−Bu)3 ,V−C3 H6 −Si
(Ot−Bu)3,V−C3 H6 −Si(On−Pe)
3 ,V−C3 H6 −Si(On−Hex) 3 ,V−C3
H6 −Si〔OC(=CH2 )Me〕3 ,V−C3 H6
−Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,V−C4 H8 −S
i(Oi−Pr)3 ,V−C4 H8 −Si(On−B
u)3,V−C4 H8 −Si(Os−Bu)3 ,V−C
4 H8 −Si(Ot−Bu)3,V−C4 H8 −Si
(On−Pe)3 ,V−C4 H8 −Si(On−He
x) 3 ,V−C4 H8 −Si〔OC(=CH2 )Me〕
3 ,V−C4 H8 −Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,
V−C5 H10−Si(Oi−Pr)3 ,V−C5 H10−
Si(On−Bu)3,V−C5 H10−Si(Os−B
u)3 ,V−C5 H10−Si(Ot−Bu)3,V−C
5 H10−Si(On−Pe)3 ,V−C5 H10−Si
(On−Hex) 3 ,V−C5 H10−Si〔OC(=C
H2 )Me〕3 ,V−C5 H10−Si〔OC(=C
H2 )Et〕3 ,V−C6 H12−Si(Oi−P
r)3 ,V−C6 H12−Si(On−Bu)3,V−C
6 H12−Si(Os−Bu)3 ,V−C6 H12−Si
(Ot−Bu)3,V−C6 H12−Si(On−Pe)
3 ,V−C6 H12−Si(On−Hex) 3 ,V−C6
H12−Si〔OC(=CH2 )Me〕3 ,V−C6 H12
−Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,V−C2 H4 −S
i(OPh)3 ,V−C2 H4 −Si(OcyHex)
3 ,V−C4 H8 −Si(OPh)3 ,V−C4 H8 −
Si(OcyHex)3 ,V−C6 H12−Si(OP
h)3 ,V−C6 H12−Si(OcyHex)3 ,V−
C6 H4 −Si(Oi−Pr)3 ,V−C6 H4 −Si
(Ot−Bu)3 。
Si(On−Bu)3,V−C2 H4 −Si(Os−B
u)3 ,V−C2 H4 −Si(Ot−Bu)3,V−C
2 H4 −Si(On−Pe)3 ,V−C2 H4 −Si
(On−Hex) 3 ,V−C2 H4 −Si〔OC(=C
H2 )Me〕3 ,V−C2 H4 −Si〔OC(=C
H2 )Et〕3 ,V−C3 H6 −Si(Oi−P
r)3 ,V−C3 H6 −Si(On−Bu)3,V−C
3 H6 −Si(Os−Bu)3 ,V−C3 H6 −Si
(Ot−Bu)3,V−C3 H6 −Si(On−Pe)
3 ,V−C3 H6 −Si(On−Hex) 3 ,V−C3
H6 −Si〔OC(=CH2 )Me〕3 ,V−C3 H6
−Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,V−C4 H8 −S
i(Oi−Pr)3 ,V−C4 H8 −Si(On−B
u)3,V−C4 H8 −Si(Os−Bu)3 ,V−C
4 H8 −Si(Ot−Bu)3,V−C4 H8 −Si
(On−Pe)3 ,V−C4 H8 −Si(On−He
x) 3 ,V−C4 H8 −Si〔OC(=CH2 )Me〕
3 ,V−C4 H8 −Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,
V−C5 H10−Si(Oi−Pr)3 ,V−C5 H10−
Si(On−Bu)3,V−C5 H10−Si(Os−B
u)3 ,V−C5 H10−Si(Ot−Bu)3,V−C
5 H10−Si(On−Pe)3 ,V−C5 H10−Si
(On−Hex) 3 ,V−C5 H10−Si〔OC(=C
H2 )Me〕3 ,V−C5 H10−Si〔OC(=C
H2 )Et〕3 ,V−C6 H12−Si(Oi−P
r)3 ,V−C6 H12−Si(On−Bu)3,V−C
6 H12−Si(Os−Bu)3 ,V−C6 H12−Si
(Ot−Bu)3,V−C6 H12−Si(On−Pe)
3 ,V−C6 H12−Si(On−Hex) 3 ,V−C6
H12−Si〔OC(=CH2 )Me〕3 ,V−C6 H12
−Si〔OC(=CH2 )Et〕3 ,V−C2 H4 −S
i(OPh)3 ,V−C2 H4 −Si(OcyHex)
3 ,V−C4 H8 −Si(OPh)3 ,V−C4 H8 −
Si(OcyHex)3 ,V−C6 H12−Si(OP
h)3 ,V−C6 H12−Si(OcyHex)3 ,V−
C6 H4 −Si(Oi−Pr)3 ,V−C6 H4 −Si
(Ot−Bu)3 。
【0053】(2)x=1,y=1,z=2のとき V−C2 H4 −Si(Me)(Oi−Pr)2 ,V−C
2 H4 −Si(Me)(Ot−Bu)2 ,V−C2 H4
−Si(Et)(Oi−Pr)2 ,V−C2 H 4 −Si
(n−Pr)(Ot−Bu)2 ,V−C2 H4 −Si
(Ot−Bu)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8 −Si
(Me)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8−Si(E
t)(Ot−Bu)2 ,V−C4 H8 −Si(n−P
r)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8 −Si(i−P
r)(Ot−Bu)2 ,V−C4 H8 −Si(Ot−B
u)(Oi−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Me)
(Oi−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Me)(Ot
−Bu)2 ,V−C6 H12−Si(Ot−Bu)(Oi
−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Oi−Pr)(Ot
−Bu)2 ,V−C2 H4 −Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C2 H4 −Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C4 H8 −Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C4 H8 −Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H12−Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H12−Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H4 −Si(Me)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H4 −Si(Me)(Ot−B
u)2 。
2 H4 −Si(Me)(Ot−Bu)2 ,V−C2 H4
−Si(Et)(Oi−Pr)2 ,V−C2 H 4 −Si
(n−Pr)(Ot−Bu)2 ,V−C2 H4 −Si
(Ot−Bu)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8 −Si
(Me)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8−Si(E
t)(Ot−Bu)2 ,V−C4 H8 −Si(n−P
r)(Oi−Pr)2 ,V−C4 H8 −Si(i−P
r)(Ot−Bu)2 ,V−C4 H8 −Si(Ot−B
u)(Oi−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Me)
(Oi−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Me)(Ot
−Bu)2 ,V−C6 H12−Si(Ot−Bu)(Oi
−Pr)2 ,V−C6 H12−Si(Oi−Pr)(Ot
−Bu)2 ,V−C2 H4 −Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C2 H4 −Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C4 H8 −Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C4 H8 −Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H12−Si(Ph)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H12−Si(cyHex)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H4 −Si(Me)(Oi−P
r)2 ,V−C6 H4 −Si(Me)(Ot−B
u)2 。
【0054】(3)x=2,y=0,z=2のとき (V−C2 H4 )2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C2
H4 )2 Si(On−Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 S
i(Os−Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 Si(Ot−
Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C2 H4)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
2 H4 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
2 H4 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
3 H6 )2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C3 H6 )2
Si(On−Bu)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C3 H6)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
3 H6 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
3 H6 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
4 H8 )2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C4 H8 )2
Si(On−Bu)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C4 H8)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
4 H8 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
4 H8 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
5 H10)2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C5 H10)2
Si(On−Bu)2 ,(V−C5 H10)2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C5 H10)2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C5 H10)2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C5 H10)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
5 H10)2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
5 H10)2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
6 H12)2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C6 H12)2
Si(On−Bu)2 ,(V−C6 H12)2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C6 H12)2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C6 H12)2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C6 H12)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
6 H12)2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
6 H12)2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
6 H12) 2 Si(OPh)2 ,(V−C6 H12)2 Si
(OcyHex)2 。
H4 )2 Si(On−Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 S
i(Os−Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 Si(Ot−
Bu)2 ,(V−C2 H4 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C2 H4)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
2 H4 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
2 H4 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
3 H6 )2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C3 H6 )2
Si(On−Bu)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C3 H6 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C3 H6)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
3 H6 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
3 H6 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
4 H8 )2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C4 H8 )2
Si(On−Bu)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C4 H8 )2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C4 H8)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
4 H8 )2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
4 H8 )2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
5 H10)2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C5 H10)2
Si(On−Bu)2 ,(V−C5 H10)2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C5 H10)2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C5 H10)2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C5 H10)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
5 H10)2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
5 H10)2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
6 H12)2 Si(Oi−Pr)2 ,(V−C6 H12)2
Si(On−Bu)2 ,(V−C6 H12)2 Si(Os
−Bu)2 ,(V−C6 H12)2 Si(Ot−B
u)2 ,(V−C6 H12)2 Si(On−Pe)2 ,
(V−C6 H12)2 Si(On−Hex)2 ,(V−C
6 H12)2 Si〔OC(=CH2 )Me〕2 ,(V−C
6 H12)2 Si〔OC(=CH2 )Et〕2 ,(V−C
6 H12) 2 Si(OPh)2 ,(V−C6 H12)2 Si
(OcyHex)2 。
【0055】(4)x=2,y=1,z=1のとき (V−C6 H12)2 Si(Me)(Ot−Bu),(V
−C6 H12)2 Si(Me)(On−Pe),(V−C
6 H12)2 Si(Et)(On−Hex),(V−C6
H12)2 Si(Ot−Bu)(Oi−Pr),(V−C
6 H12)2 Si(On−Hex)(Ot−Bu),(V
−C6 H12)2 Si(Ph)(OPh),(V−C6 H
12)2 Si(cyHex)(OcyHex)。
−C6 H12)2 Si(Me)(On−Pe),(V−C
6 H12)2 Si(Et)(On−Hex),(V−C6
H12)2 Si(Ot−Bu)(Oi−Pr),(V−C
6 H12)2 Si(On−Hex)(Ot−Bu),(V
−C6 H12)2 Si(Ph)(OPh),(V−C6 H
12)2 Si(cyHex)(OcyHex)。
【0056】予備重合 固体触媒成分(成分A)と有機珪素化合物(成分C)の
接触は、有機アルミニウム化合物(成分B)の存在下に
行われる。この接触(以下、予備重合という。)により
成分Aに成分Cの重合体が取り込まれる。
接触は、有機アルミニウム化合物(成分B)の存在下に
行われる。この接触(以下、予備重合という。)により
成分Aに成分Cの重合体が取り込まれる。
【0057】予備重合は、前記の不活性媒体の存在下で
行うのが望ましい。予備重合は、通常100℃以下の温
度、望ましくは−30℃〜+50℃、更に望ましくは−
5℃〜+30℃の温度で行われる。重合方式としては、
バッチ式、連続式のいずれでもよく、又二段以上の多段
で行ってもよい。多段で行う場合、重合条件をそれぞれ
変え得ることは当然である。成分Bは、予備重合系での
濃度が50〜500ミリモル/リットル、望ましくは8
0〜200ミリモル/リットルになるように用いられ、
又成分A中のチタン1グラム原子当り、4〜50,00
0モル、望ましくは6〜1,000モルとなるように用
いられる。
行うのが望ましい。予備重合は、通常100℃以下の温
度、望ましくは−30℃〜+50℃、更に望ましくは−
5℃〜+30℃の温度で行われる。重合方式としては、
バッチ式、連続式のいずれでもよく、又二段以上の多段
で行ってもよい。多段で行う場合、重合条件をそれぞれ
変え得ることは当然である。成分Bは、予備重合系での
濃度が50〜500ミリモル/リットル、望ましくは8
0〜200ミリモル/リットルになるように用いられ、
又成分A中のチタン1グラム原子当り、4〜50,00
0モル、望ましくは6〜1,000モルとなるように用
いられる。
【0058】予備重合は、電子供与性化合物の存在下に
行ってもよい。電子供与性化合物としては、成分Aを調
製する際に用いられる前記の化合物の中から適宜選ばれ
る他、有機珪素化合物からなる電子供与性化合物や、窒
素、イオウ、酸素、リン等のヘテロ原子を含む電子供与
性化合物も使用可能である。
行ってもよい。電子供与性化合物としては、成分Aを調
製する際に用いられる前記の化合物の中から適宜選ばれ
る他、有機珪素化合物からなる電子供与性化合物や、窒
素、イオウ、酸素、リン等のヘテロ原子を含む電子供与
性化合物も使用可能である。
【0059】有機珪素化合物としては、Si−O−C結
合又はSi−N−C結合を有する有機珪素化合物が挙げ
られるが、望ましくはSi−O−C結合を有する化合物
である。このような化合物としては、一般式 Rn Si
(OR1 )4-n 〔但し、Rは炭化水素基又はハロゲン原
子、R1 は炭化水素基、0≦n≦3を示す。〕で表され
る化合物が挙げられる。上記一般式におけるRの炭化水
素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基、アルケニル基、アルカジエニル
基、シクロアルケニル基、シクロアルカジニル基等が挙
げられる。Rのハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨ
ウ素等が挙げられる。又、R1 の炭化水素基としてはア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル
基等が挙げられる。更に、n個のRの炭化水素と(4−
n)個のOR1 のR1 の炭化水素基は同じでも異なって
もよい。
合又はSi−N−C結合を有する有機珪素化合物が挙げ
られるが、望ましくはSi−O−C結合を有する化合物
である。このような化合物としては、一般式 Rn Si
(OR1 )4-n 〔但し、Rは炭化水素基又はハロゲン原
子、R1 は炭化水素基、0≦n≦3を示す。〕で表され
る化合物が挙げられる。上記一般式におけるRの炭化水
素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基、アルケニル基、アルカジエニル
基、シクロアルケニル基、シクロアルカジニル基等が挙
げられる。Rのハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨ
ウ素等が挙げられる。又、R1 の炭化水素基としてはア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル
基等が挙げられる。更に、n個のRの炭化水素と(4−
n)個のOR1 のR1 の炭化水素基は同じでも異なって
もよい。
【0060】その具体例としては、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テ
トライソブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テ
トラ(p−メチルフェノキシ)シラン、テトラベンジル
オキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリイソブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラ
ン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシ
ラン、ブチルトリブトキシシラン、ブチルトリフェノキ
シシラン、イソブチルトリイソブトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジメ
チルジイソプロポキシシラン、ジメチルジブトキシシラ
ン、ジメチルジヘキシルオキシシラン、ジメチルジフェ
ノキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ
イソブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ
ブチルジイソプロポキシシラン、ジブチルジブトキシシ
ラン、ジブチルジフェノキシシラン、ジイソブチルジエ
トキシシラン、ジイソブチルジイソブトキシシラン、ジ
フェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジブトキシシラン、ジベンジルジエトキ
シシラン、ジビニルジフェノキシシラン、ジアリルジプ
ロポキシシラン、ジフェニルジアリルオキシシラン、メ
チルフェニルジメトキシシラン、クロロフェニルジエト
キシシラン等が挙げられる。
ン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テ
トライソブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テ
トラ(p−メチルフェノキシ)シラン、テトラベンジル
オキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリイソブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラ
ン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシ
ラン、ブチルトリブトキシシラン、ブチルトリフェノキ
シシラン、イソブチルトリイソブトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジメ
チルジイソプロポキシシラン、ジメチルジブトキシシラ
ン、ジメチルジヘキシルオキシシラン、ジメチルジフェ
ノキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ
イソブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ
ブチルジイソプロポキシシラン、ジブチルジブトキシシ
ラン、ジブチルジフェノキシシラン、ジイソブチルジエ
トキシシラン、ジイソブチルジイソブトキシシラン、ジ
フェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジブトキシシラン、ジベンジルジエトキ
シシラン、ジビニルジフェノキシシラン、ジアリルジプ
ロポキシシラン、ジフェニルジアリルオキシシラン、メ
チルフェニルジメトキシシラン、クロロフェニルジエト
キシシラン等が挙げられる。
【0061】ヘテロ原子を含む電子供与性化合物の具体
例としては、窒素原子を含む化合物として、2,2,
6,6−テトラメチルピペリジン、2,6−ジメチルピ
ペリジン、2,6−ジエチルピペリジン、2,6−ジイ
ソプロピルピペリジン、2,6−ジイソブチル−4−メ
チルピペリジン、1,2,2,6,6−ペンタメチルピ
ペリジン、2,2,5,5−テトラメチルピロリジン、
2,5−ジメチルピロリジン、2,5−ジエチルピロリ
ジン、2,5−ジイソプロピルピロリジン、1,2,
2,5,5−ペンタメチルピロリジン、2,2,5−ト
リメチルピロリジン、2−メチルピリジン、3−メチル
ピリジン、4−メチルピリジン、2,6−ジイソプロピ
ルピリジン、2,6−ジイソブチルピリジン、1,2,
4−トリメチルピペリジン、2,5−ジメチルピペリジ
ン、ニコチン酸メチル、ニコチン酸エチル、ニコチン酸
アミド、安息香酸アミド、2−メチルピロール、2,5
−ジメチルピロール、イミダゾール、トルイル酸アミ
ド、ベンゾニトリル、アセトニトリル、アニリン、パラ
トルイジン、オルトトルイジン、メタトルイジン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、テト
ラメチレンジアミン、トリブチルアミン等が、イオウ原
子を含む化合物として、チオフェノール、チオフェン、
2−チオフェンカルボン酸エチル、3−チオフェンカル
ボン酸エチル、2−メチルチオフェン、メチルメルカプ
タン、エチルメルカプタン、イソプロピルメルカプタ
ン、ブチルメルカプタン、ジエチルチオエーテル、ジフ
ェニルチオエーテル、ベンゼンスルフォン酸メチル、メ
チルサルファイト、エチルサルファイト等が、酸素原子
を含む化合物として、テトラヒドロフラン、2−メチル
テトラヒドロフラン、3−メチルテトラヒドロフラン、
2−エチルテトラヒドロフラン、2,2,5,5−テト
ラエチルテトラヒドロフラン、2,2,5,5−テトラ
メチルテトラヒドロフラン、2,2,6,6−テトラエ
チルテトラヒドロピラン、2,2,6,6−テトラメチ
ルヒドロピラン、ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエ
チルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテ
ル、ジフェニルエーテル、アニソール、アセトフェノ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセト
ン、o−トリル−t−ブチルケトン、メチル−2,6−
ジt−ブチルフェニルケトン、2−フラル酸エチル、2
−フラル酸イソアミル、2−フラル酸メチル、2−フラ
ル酸プロピル等が、リン原子を含む化合物として、トリ
フェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェ
ニルホスファイト、トリベンジルホスファイト、ジエチ
ルホスフェート、ジフェニルホスフェート等が挙げられ
る。
例としては、窒素原子を含む化合物として、2,2,
6,6−テトラメチルピペリジン、2,6−ジメチルピ
ペリジン、2,6−ジエチルピペリジン、2,6−ジイ
ソプロピルピペリジン、2,6−ジイソブチル−4−メ
チルピペリジン、1,2,2,6,6−ペンタメチルピ
ペリジン、2,2,5,5−テトラメチルピロリジン、
2,5−ジメチルピロリジン、2,5−ジエチルピロリ
ジン、2,5−ジイソプロピルピロリジン、1,2,
2,5,5−ペンタメチルピロリジン、2,2,5−ト
リメチルピロリジン、2−メチルピリジン、3−メチル
ピリジン、4−メチルピリジン、2,6−ジイソプロピ
ルピリジン、2,6−ジイソブチルピリジン、1,2,
4−トリメチルピペリジン、2,5−ジメチルピペリジ
ン、ニコチン酸メチル、ニコチン酸エチル、ニコチン酸
アミド、安息香酸アミド、2−メチルピロール、2,5
−ジメチルピロール、イミダゾール、トルイル酸アミ
ド、ベンゾニトリル、アセトニトリル、アニリン、パラ
トルイジン、オルトトルイジン、メタトルイジン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、テト
ラメチレンジアミン、トリブチルアミン等が、イオウ原
子を含む化合物として、チオフェノール、チオフェン、
2−チオフェンカルボン酸エチル、3−チオフェンカル
ボン酸エチル、2−メチルチオフェン、メチルメルカプ
タン、エチルメルカプタン、イソプロピルメルカプタ
ン、ブチルメルカプタン、ジエチルチオエーテル、ジフ
ェニルチオエーテル、ベンゼンスルフォン酸メチル、メ
チルサルファイト、エチルサルファイト等が、酸素原子
を含む化合物として、テトラヒドロフラン、2−メチル
テトラヒドロフラン、3−メチルテトラヒドロフラン、
2−エチルテトラヒドロフラン、2,2,5,5−テト
ラエチルテトラヒドロフラン、2,2,5,5−テトラ
メチルテトラヒドロフラン、2,2,6,6−テトラエ
チルテトラヒドロピラン、2,2,6,6−テトラメチ
ルヒドロピラン、ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエ
チルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテ
ル、ジフェニルエーテル、アニソール、アセトフェノ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセト
ン、o−トリル−t−ブチルケトン、メチル−2,6−
ジt−ブチルフェニルケトン、2−フラル酸エチル、2
−フラル酸イソアミル、2−フラル酸メチル、2−フラ
ル酸プロピル等が、リン原子を含む化合物として、トリ
フェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェ
ニルホスファイト、トリベンジルホスファイト、ジエチ
ルホスフェート、ジフェニルホスフェート等が挙げられ
る。
【0062】必要に応じて用いられる電子供与性化合物
は、予備重合系での濃度が1〜100ミリモル/リット
ル、望ましくは5〜50ミリモル/リットルになるよう
に用いられる。
は、予備重合系での濃度が1〜100ミリモル/リット
ル、望ましくは5〜50ミリモル/リットルになるよう
に用いられる。
【0063】予備重合により成分A中に取り込まれる成
分Cの重合体を、成分A1g当り0.05〜500g、
特に0.2〜50gとするのが望ましい。
分Cの重合体を、成分A1g当り0.05〜500g、
特に0.2〜50gとするのが望ましい。
【0064】上記のようにして調製された本発明の重合
触媒成分は、前記の不活性媒体で希釈或いは洗浄するこ
とができるが、触媒成分の保存劣化を防止する観点から
は、特に洗浄するのが望ましい。洗浄後、必要に応じて
乾燥してもよい。又、触媒成分を保存する場合は、出来
る丈低温で保存するのが望ましく、−50℃〜+30
℃、特に−20℃〜+5℃の温度範囲が推奨される。
触媒成分は、前記の不活性媒体で希釈或いは洗浄するこ
とができるが、触媒成分の保存劣化を防止する観点から
は、特に洗浄するのが望ましい。洗浄後、必要に応じて
乾燥してもよい。又、触媒成分を保存する場合は、出来
る丈低温で保存するのが望ましく、−50℃〜+30
℃、特に−20℃〜+5℃の温度範囲が推奨される。
【0065】α−オレフィンの重合 上記のようにして得られた本発明の重合触媒成分は、有
機金属化合物、更には必要に応じて電子供与性化合物と
組み合せて炭素数3〜10個のα−オレフィンの単独重
合又は他のモノオレフィン若しくは炭素数3〜10個の
ジオレフィンとの共重合の触媒として有用であるが、特
に炭素数3ないし6個のα−オレフィン、例えばプロピ
レン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘ
キセン等の単独重合又は上記のα−オレフィン相互及び
/又はエチレンとのランダム及びブロック共重合の触媒
として極めて優れた性能を示す。
機金属化合物、更には必要に応じて電子供与性化合物と
組み合せて炭素数3〜10個のα−オレフィンの単独重
合又は他のモノオレフィン若しくは炭素数3〜10個の
ジオレフィンとの共重合の触媒として有用であるが、特
に炭素数3ないし6個のα−オレフィン、例えばプロピ
レン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘ
キセン等の単独重合又は上記のα−オレフィン相互及び
/又はエチレンとのランダム及びブロック共重合の触媒
として極めて優れた性能を示す。
【0066】用い得る有機金属化合物は、周期表第I族
ないし第III 族金属の有機化合物である。該化合物とし
ては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及び
アルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中で
も特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得
る有機アルミニウム化合物としては、前記固体触媒成分
(成分A)の予備重合の際に用いられる化合物の中から
適宜選ばれるが、トリアルキルアルミニウム、特にトリ
エチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが望
ましい。又、これらトリアルキルアルミニウムは、その
他の有機アルミニウム化合物、例えば、工業的に入手し
易いジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウ
ムジクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジ
エチルアルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウム
ハイドライド又はこれらの混合物若しくは錯化合物等と
併用することができる。
ないし第III 族金属の有機化合物である。該化合物とし
ては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及び
アルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中で
も特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得
る有機アルミニウム化合物としては、前記固体触媒成分
(成分A)の予備重合の際に用いられる化合物の中から
適宜選ばれるが、トリアルキルアルミニウム、特にトリ
エチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが望
ましい。又、これらトリアルキルアルミニウムは、その
他の有機アルミニウム化合物、例えば、工業的に入手し
易いジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウ
ムジクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジ
エチルアルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウム
ハイドライド又はこれらの混合物若しくは錯化合物等と
併用することができる。
【0067】又、酸素原子や窒素原子を介して2個以上
のアルミニウムが結合した有機アルミニウム化合物も使
用可能である。そのような化合物としては、例えば(C
2 H5 )2 AlOAl(C2 H5 )2 ,(C4 H9 )2
AlOAl(C4 H 9 )2 、
のアルミニウムが結合した有機アルミニウム化合物も使
用可能である。そのような化合物としては、例えば(C
2 H5 )2 AlOAl(C2 H5 )2 ,(C4 H9 )2
AlOAl(C4 H 9 )2 、
【化3】 等を例示できる。
【0068】アルミニウム金属以外の金属の有機化合物
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他LiAl(C
2 H5 )4 ,LiAl(C7 H15)4 等の化合物が挙げ
られる。
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他LiAl(C
2 H5 )4 ,LiAl(C7 H15)4 等の化合物が挙げ
られる。
【0069】本発明の重合触媒成分及び有機金属化合物
と必要に応じて組み合せることができる電子供与性化合
物としては、前記成分Aの予備重合の際に用いられるこ
とがある電子供与性化合物の中から適宜選ばれる。これ
ら電子供与性化合物は、二種以上用いてもよい。又、こ
れら電子供与性化合物は、有機金属化合物を触媒成分と
組合せて用いる際に用いてもよく、予め有機金属化合物
と接触させた上で用いてもよい。
と必要に応じて組み合せることができる電子供与性化合
物としては、前記成分Aの予備重合の際に用いられるこ
とがある電子供与性化合物の中から適宜選ばれる。これ
ら電子供与性化合物は、二種以上用いてもよい。又、こ
れら電子供与性化合物は、有機金属化合物を触媒成分と
組合せて用いる際に用いてもよく、予め有機金属化合物
と接触させた上で用いてもよい。
【0070】本発明の重合触媒成分に対する有機金属化
合物の使用量は、該触媒中のチタン1グラム原子当り、
通常1〜2,000グラムモル、特に20〜500グラ
ムモルが望ましい。
合物の使用量は、該触媒中のチタン1グラム原子当り、
通常1〜2,000グラムモル、特に20〜500グラ
ムモルが望ましい。
【0071】又、有機金属化合物と電子供与性化合物の
比率は、電子供与性化合物1モルに対して有機金属化合
物がアルミニウムとして0.1〜40、好ましくは1〜
25グラム原子の範囲で選ばれる。
比率は、電子供与性化合物1モルに対して有機金属化合
物がアルミニウムとして0.1〜40、好ましくは1〜
25グラム原子の範囲で選ばれる。
【0072】プロピレン−エチレンブロック共重合体の
製造法 プロピレン−エチレンブロック共重合体の製造法の製造
方法は、プロピレンを重合して高結晶性ポリプロピレン
とする工程(工程a)と、プロピレンとエチレンを共重
合する工程(工程b)とからなる。
製造法 プロピレン−エチレンブロック共重合体の製造法の製造
方法は、プロピレンを重合して高結晶性ポリプロピレン
とする工程(工程a)と、プロピレンとエチレンを共重
合する工程(工程b)とからなる。
【0073】(1)工程a 工程aは、重合触媒成分の存在下、プロピレンを重合す
ることからなる。重合反応は、気相、液相のいずれでも
よく、液相で重合させる場合は、ノルマルブタン、イソ
ブタン、ノルマルペンタン、イソペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の不活性炭化水素中及び液状モノマー
中で行うことができる。重合温度は、通常−80℃〜+
150℃、好ましくは40〜120℃の範囲である。重
合圧力は、例えば1〜60気圧でよい。又得られる重合
体の分子量の調節は、水素若しくは他の公知の分子量調
節剤を存在せしめることにより行われる。工程aでは、
そこで得られるポリプロピレンが該ブロック共重合体の
50〜98重量%、特に70重量%〜95重量%となる
ようにするのが望ましい。
ることからなる。重合反応は、気相、液相のいずれでも
よく、液相で重合させる場合は、ノルマルブタン、イソ
ブタン、ノルマルペンタン、イソペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の不活性炭化水素中及び液状モノマー
中で行うことができる。重合温度は、通常−80℃〜+
150℃、好ましくは40〜120℃の範囲である。重
合圧力は、例えば1〜60気圧でよい。又得られる重合
体の分子量の調節は、水素若しくは他の公知の分子量調
節剤を存在せしめることにより行われる。工程aでは、
そこで得られるポリプロピレンが該ブロック共重合体の
50〜98重量%、特に70重量%〜95重量%となる
ようにするのが望ましい。
【0074】(2)工程b プロピレンとエチレンの共重合は、重合触媒成分の存在
下で行われる。共重合は、そこで得られる共重合体中の
エチレン含有量が30〜95重量%、望ましくは40〜
80重量%となるように、プロピレンとエチレンを接触
して反応することによりなされる。共重合反応は、工程
aで行われる重合条件の範囲の中から適宜選択するする
ことができ、又水素等の分子量調節剤の使用も工程aの
場合と同じである。工程bで得られる共重合体の量は、
通常該ブロック共重合体の50〜2重量%であるが、望
ましくは30〜5重量%である。
下で行われる。共重合は、そこで得られる共重合体中の
エチレン含有量が30〜95重量%、望ましくは40〜
80重量%となるように、プロピレンとエチレンを接触
して反応することによりなされる。共重合反応は、工程
aで行われる重合条件の範囲の中から適宜選択するする
ことができ、又水素等の分子量調節剤の使用も工程aの
場合と同じである。工程bで得られる共重合体の量は、
通常該ブロック共重合体の50〜2重量%であるが、望
ましくは30〜5重量%である。
【0075】本発明の方法は、工程aと工程bとからな
るが、工程aと工程bは、その順序に、又は逆に行う直
列方式の他、工程aと工程bを並列に行い、それぞれで
得られるポリマーを合体する方法が採用することができ
るが、これらの中でも、特に工程aと工程bをその順序
に行う方法が、装置上有利であり望ましい。
るが、工程aと工程bは、その順序に、又は逆に行う直
列方式の他、工程aと工程bを並列に行い、それぞれで
得られるポリマーを合体する方法が採用することができ
るが、これらの中でも、特に工程aと工程bをその順序
に行う方法が、装置上有利であり望ましい。
【0076】
【実施例】本発明を実施例及び比較例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント(%)は特に断ら
ない限り重量による。ポリマーの物性測定は、該ポリマ
ー粉末に、BHT(2,6−ジターシャリーブチル−4
−メチルフェノール)を0.18重量%、DSTDP
(ジステアリルチオジプロピオネート)を0.08重量
%、IRGANOX1010〔テトラキス−{メチレン
−(3,5−ジターシャリーブチル−4−ヒドロキシヒ
ドロ−シンナメート)メタン}〕を0.04重量%、カ
ルシウムステアレートを0.06重量%それぞれ添加
し、溶融混練によりペレットとした後、射出成形形によ
り試験片を作成して行った。曲げ弾性率:JIS K
7203−1982に:デュポン衝撃強度:JIS K
7211−1976にそれぞれ準拠。又、ポリマーの
MFRはASTM D−1238に従って測定した。
明する。なお、例におけるパーセント(%)は特に断ら
ない限り重量による。ポリマーの物性測定は、該ポリマ
ー粉末に、BHT(2,6−ジターシャリーブチル−4
−メチルフェノール)を0.18重量%、DSTDP
(ジステアリルチオジプロピオネート)を0.08重量
%、IRGANOX1010〔テトラキス−{メチレン
−(3,5−ジターシャリーブチル−4−ヒドロキシヒ
ドロ−シンナメート)メタン}〕を0.04重量%、カ
ルシウムステアレートを0.06重量%それぞれ添加
し、溶融混練によりペレットとした後、射出成形形によ
り試験片を作成して行った。曲げ弾性率:JIS K
7203−1982に:デュポン衝撃強度:JIS K
7211−1976にそれぞれ準拠。又、ポリマーの
MFRはASTM D−1238に従って測定した。
【0077】実施例1 成分Aの調製 滴下ロート及び攪拌機を取付けた200mlのフラスコを
窒素ガスで置換した。このフラスコに、酸化ケイ素(D
AVISON社製、商品名G−952)を窒素気流中に
おいて200℃で2時間、更に700℃で5時間焼成し
たものを5g及びn−ヘプタンを40ml入れた。更にn
−ブチルエチルマグネシウム(以下、BEMという。)
の20%n−ヘプタン溶液(テキサスアルキルズ社製、
商品名MAGALA BEM)20mlを加え、90℃で
1時間攪拌した。上記懸濁液を0℃に冷却した後、これ
にテトラエトキシシラン11.2gを20mlのn−ヘプ
タンに溶解した溶液を滴下ロートから30分掛けて滴下
した。滴下終了後、2時間掛けて50℃に昇温し、50
℃で1時間攪拌を続けた。反応終了後、デカンテーショ
ンにより上澄液を除去し、生成した固体を60mlのn−
ヘプタンにより室温で洗浄し、更にデカンテーションに
より上澄液を除去した。このn−ヘプタンによる洗浄処
理を更に4回行った。上記の固体に、50mlのn−ヘプ
タンを加えて懸濁液とし、これに2,2,2−トリクロ
ルエタノール8.0gを10mlのn−ヘプタンに溶解し
た溶液を、滴下ロートから25℃において15分間掛け
て滴下した。滴下終了後25℃で30分間攪拌を続け
た。反応終了後、室温において、60mlのn−ヘプタン
にて2回、60mlのトルエンにて3回それぞれ洗浄を行
った。得られた固体(固体成分I)を分析したところ、
SiO2 36.6%、マグネシウム5.1%、塩素3
8.5%を含んでいた。上記で得られた固体成分Iに、
n−ヘプタン10ml及び四塩化チタン40mlを加え、9
0℃迄昇温し、n−ヘプタン5mlに溶解したフタル酸ジ
n−ブチル0.6gを5分間掛けて添加した。その後、
115℃に昇温し、2時間反応させた。90℃に降温し
た後、デカンテーションにより上澄液を除き、n−ヘプ
タン70mlで2回洗浄を行った。更に、n−ヘプタン1
5mlと四塩化チタン40mlを加え、115℃で2時間反
応させた。反応終了後、得られた固体物質を60mlのn
−ヘキサンにて室温で8回洗浄を行った。次いで、減圧
下室温にて1時間乾燥を行い、8.3gの触媒成分(成
分A)を得た。この成分Aには、3.1%のチタンの他
酸化ケイ素、塩素及びフタル酸ジn−ブチルが含まれて
いた。
窒素ガスで置換した。このフラスコに、酸化ケイ素(D
AVISON社製、商品名G−952)を窒素気流中に
おいて200℃で2時間、更に700℃で5時間焼成し
たものを5g及びn−ヘプタンを40ml入れた。更にn
−ブチルエチルマグネシウム(以下、BEMという。)
の20%n−ヘプタン溶液(テキサスアルキルズ社製、
商品名MAGALA BEM)20mlを加え、90℃で
1時間攪拌した。上記懸濁液を0℃に冷却した後、これ
にテトラエトキシシラン11.2gを20mlのn−ヘプ
タンに溶解した溶液を滴下ロートから30分掛けて滴下
した。滴下終了後、2時間掛けて50℃に昇温し、50
℃で1時間攪拌を続けた。反応終了後、デカンテーショ
ンにより上澄液を除去し、生成した固体を60mlのn−
ヘプタンにより室温で洗浄し、更にデカンテーションに
より上澄液を除去した。このn−ヘプタンによる洗浄処
理を更に4回行った。上記の固体に、50mlのn−ヘプ
タンを加えて懸濁液とし、これに2,2,2−トリクロ
ルエタノール8.0gを10mlのn−ヘプタンに溶解し
た溶液を、滴下ロートから25℃において15分間掛け
て滴下した。滴下終了後25℃で30分間攪拌を続け
た。反応終了後、室温において、60mlのn−ヘプタン
にて2回、60mlのトルエンにて3回それぞれ洗浄を行
った。得られた固体(固体成分I)を分析したところ、
SiO2 36.6%、マグネシウム5.1%、塩素3
8.5%を含んでいた。上記で得られた固体成分Iに、
n−ヘプタン10ml及び四塩化チタン40mlを加え、9
0℃迄昇温し、n−ヘプタン5mlに溶解したフタル酸ジ
n−ブチル0.6gを5分間掛けて添加した。その後、
115℃に昇温し、2時間反応させた。90℃に降温し
た後、デカンテーションにより上澄液を除き、n−ヘプ
タン70mlで2回洗浄を行った。更に、n−ヘプタン1
5mlと四塩化チタン40mlを加え、115℃で2時間反
応させた。反応終了後、得られた固体物質を60mlのn
−ヘキサンにて室温で8回洗浄を行った。次いで、減圧
下室温にて1時間乾燥を行い、8.3gの触媒成分(成
分A)を得た。この成分Aには、3.1%のチタンの他
酸化ケイ素、塩素及びフタル酸ジn−ブチルが含まれて
いた。
【0078】予備重合 攪拌機を取付けた500mlの反応器に、窒素ガス雰囲気
下、上記で得られた成分A2.1g及びn−ヘプタン1
80mlを入れ、攪拌しながら10℃に冷却した。次にト
リエチルアルミニウム(以下TEALと略称する。)の
n−ヘプタン溶液(2.0モル/リットル)を最終的な
反応系におけるTEAL濃度が100ミリモル/リット
ルになるように添加し、5分間攪拌した。次いで1−ヘ
キセニルトリイソプロポキシシラン100mlを添加し、
4時間重合させた。重合終了後、各100mlのn−ヘキ
サンで3回、室温にて固相部を洗浄した。更に、固相部
を室温で1時間減圧乾燥して、触媒成分を調製した。触
媒成分に含まれるマグネシウム量を測定した結果、予備
重合量は成分A1g当り1.3gであった。
下、上記で得られた成分A2.1g及びn−ヘプタン1
80mlを入れ、攪拌しながら10℃に冷却した。次にト
リエチルアルミニウム(以下TEALと略称する。)の
n−ヘプタン溶液(2.0モル/リットル)を最終的な
反応系におけるTEAL濃度が100ミリモル/リット
ルになるように添加し、5分間攪拌した。次いで1−ヘ
キセニルトリイソプロポキシシラン100mlを添加し、
4時間重合させた。重合終了後、各100mlのn−ヘキ
サンで3回、室温にて固相部を洗浄した。更に、固相部
を室温で1時間減圧乾燥して、触媒成分を調製した。触
媒成分に含まれるマグネシウム量を測定した結果、予備
重合量は成分A1g当り1.3gであった。
【0079】実施例2〜4 実施例1の予備重合において、1−ヘキセニルトリイソ
プロポキシシランの代りに、表−1に示す有機珪素化合
物を、又TEAL若しくはTEALの代りにトリイソブ
チルアルミニウム(TIBAL)をそれぞれ表−1に示
す濃度で用い、かつ予備重合条件を表−1に示す通りに
した以外は、実施例1と同様にして成分Cの重合を行
い、触媒成分を調製した。なお実施例2及び3において
は、表−1に示す電子供与性化合物を表−1に示す濃度
で用いた。
プロポキシシランの代りに、表−1に示す有機珪素化合
物を、又TEAL若しくはTEALの代りにトリイソブ
チルアルミニウム(TIBAL)をそれぞれ表−1に示
す濃度で用い、かつ予備重合条件を表−1に示す通りに
した以外は、実施例1と同様にして成分Cの重合を行
い、触媒成分を調製した。なお実施例2及び3において
は、表−1に示す電子供与性化合物を表−1に示す濃度
で用いた。
【0080】比較例1 予備重合を行わなかった以外は、実施例1と同様にして
触媒成分(成分A)を調製した。
触媒成分(成分A)を調製した。
【0081】比較例2 実施例1の予備重合において、1−ヘキセニルトリイソ
プロポキシシランの代りに、プロピレンを用いた以外は
実施例1と同様にして触媒成分を調製した。
プロポキシシランの代りに、プロピレンを用いた以外は
実施例1と同様にして触媒成分を調製した。
【0082】
【表1】
【0083】重合 窒素置換をして充分に乾燥された5リットルのオートク
レーブに、重合触媒成分62.4mg、n−ヘプタン1リ
ットル中に0.3モルのトリエチルアルミウニムを含む
溶液4ml、及びn−ヘプタン1リットル中に0.08モ
ルのジフェニルジメトキシシランを含む溶液3mlを混合
し、5分間保持したものを入れた。次いで水素を2.0
リットル及び液体プロピレン3リットルを圧入した後、
オートクレーブ内部温度を70℃に昇温し、第1段重合
を行った。1時間後、未反応プロピレンおよび水素をパ
ージして、器内圧力を0.2kg/cm2 ・Gとした。
第1段目のポリマーを少量採取した後、系内に水素を導
入した。引き続いてプロピレンとエチレンのモル比が
1.5の混合ガスを供給して、プロピレン−エチレン共
重合を行った。器内圧力を6kg/cm2 ・Gに保ち、
75℃で2時間共重合を行った。重合終了後、未反応ガ
スをパージし、ポリマーを取り出し乾燥した。未反応ガ
ス中には0.3モル%の水素が含まれていた。得られた
ポリマーのMFRは10.5g/10分であった。分析
の結果、共重合によって得られたポリマーの生成量は2
3重量%であり、エチレン含有量は50重量%であっ
た。また、1段目終了後にサンプリングしたポリマーの
MFRは30.5g/10分であった。最終ポリマーの
物性を測定したところ、曲げ弾性率は8.14×10 3
kg/cm2 、デュポン衝撃強度は94.2kg・cm
であった。
レーブに、重合触媒成分62.4mg、n−ヘプタン1リ
ットル中に0.3モルのトリエチルアルミウニムを含む
溶液4ml、及びn−ヘプタン1リットル中に0.08モ
ルのジフェニルジメトキシシランを含む溶液3mlを混合
し、5分間保持したものを入れた。次いで水素を2.0
リットル及び液体プロピレン3リットルを圧入した後、
オートクレーブ内部温度を70℃に昇温し、第1段重合
を行った。1時間後、未反応プロピレンおよび水素をパ
ージして、器内圧力を0.2kg/cm2 ・Gとした。
第1段目のポリマーを少量採取した後、系内に水素を導
入した。引き続いてプロピレンとエチレンのモル比が
1.5の混合ガスを供給して、プロピレン−エチレン共
重合を行った。器内圧力を6kg/cm2 ・Gに保ち、
75℃で2時間共重合を行った。重合終了後、未反応ガ
スをパージし、ポリマーを取り出し乾燥した。未反応ガ
ス中には0.3モル%の水素が含まれていた。得られた
ポリマーのMFRは10.5g/10分であった。分析
の結果、共重合によって得られたポリマーの生成量は2
3重量%であり、エチレン含有量は50重量%であっ
た。また、1段目終了後にサンプリングしたポリマーの
MFRは30.5g/10分であった。最終ポリマーの
物性を測定したところ、曲げ弾性率は8.14×10 3
kg/cm2 、デュポン衝撃強度は94.2kg・cm
であった。
【0084】実施例2〜4、比較例1,2 実施例2〜4、比較例1及び2の予備重合触媒を用いて
プロピレンの共重合を行った。得られた最終ポリマーの
物性を表2及び図1に示した。これより本発明のもの
が、曲げ弾性率と衝撃強度にバランスよく優れているこ
とがわかる。
プロピレンの共重合を行った。得られた最終ポリマーの
物性を表2及び図1に示した。これより本発明のもの
が、曲げ弾性率と衝撃強度にバランスよく優れているこ
とがわかる。
【0085】
【表2】
【0086】
【発明の効果】本発明の方法を実施することによって、
衝撃強度と剛性のバランスに優れたプロピレン共重合体
を得ることができる。
衝撃強度と剛性のバランスに優れたプロピレン共重合体
を得ることができる。
【図1】図1は、本発明の実施例及び比較例で得られた
共重合体の曲げ弾性率と衝撃強度の測定値をプロットし
たものである。
共重合体の曲げ弾性率と衝撃強度の測定値をプロットし
たものである。
【図2】図2は、本発明の方法を示すフローチャート図
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 邦彦 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目3番1 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 植木 聰 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目3番1 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)金属酸化物,マグネシウム,チタ
ン,ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする固
体触媒成分を、(B)有機アルミニウム化合物の存在
下、(C)一般式 【化1】 〔但し、R1 は炭素数1〜10個のアルキレン基若しく
はアリーレン基、R2 は炭素数1〜10個の脂肪族、脂
環式若しくは芳香族炭化水素基又はR4 O、R3は炭素
数3〜10個の脂肪族、脂環式若しくは芳香族炭化水素
基、R4 はR3 と同一か異なる炭素数3〜10個の脂肪
族、脂環式若しくは芳香族炭化水素基であり、xは1若
しくは2、yは0若しくは1、zは4−x−yであ
る。〕で表わされる有機珪素化合物と接触させてなる重
合触媒成分の存在下、(1)プロピレンを重合して高結
晶性ポリプロピレンを製造する工程(a)及び(2)プ
ロピレンとエチレンを共重合する工程(b)からなるプ
ロピレンのブロック共重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26017892A JPH06107747A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プロピレンのブロック共重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26017892A JPH06107747A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プロピレンのブロック共重合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06107747A true JPH06107747A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17344411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26017892A Pending JPH06107747A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プロピレンのブロック共重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06107747A (ja) |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP26017892A patent/JPH06107747A/ja active Pending
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