JPH0610848B2 - 積層磁性材料 - Google Patents
積層磁性材料Info
- Publication number
- JPH0610848B2 JPH0610848B2 JP1082086A JP1082086A JPH0610848B2 JP H0610848 B2 JPH0610848 B2 JP H0610848B2 JP 1082086 A JP1082086 A JP 1082086A JP 1082086 A JP1082086 A JP 1082086A JP H0610848 B2 JPH0610848 B2 JP H0610848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic material
- laminated
- films
- laminated magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッド等に適した積層磁性材料に関するも
のである。
のである。
従来の技術 従来より、周波数特性の改善の為に磁性体の間に絶縁体
をはさんだ積層磁性材料が案出されており、又近年磁性
体自体を多層膜化して軟磁性を改良しようとする試みが
なされている。例えば前者の例としては、第２図に示す
ように、磁歪定数の小さい6.5wt％Fe-Si膜４を多層膜化
し、その間に上記Fe-Si膜４よりも薄い非磁性体のSiO2
絶縁層５を配したものがある。後者の例としては第３図
に示すように、３０〜１００Åぐらい極めて薄いNi-Fe
膜６を介在させる事によりFe-Si膜４の磁気特性を改善
しようとするものがある。
をはさんだ積層磁性材料が案出されており、又近年磁性
体自体を多層膜化して軟磁性を改良しようとする試みが
なされている。例えば前者の例としては、第２図に示す
ように、磁歪定数の小さい6.5wt％Fe-Si膜４を多層膜化
し、その間に上記Fe-Si膜４よりも薄い非磁性体のSiO2
絶縁層５を配したものがある。後者の例としては第３図
に示すように、３０〜１００Åぐらい極めて薄いNi-Fe
膜６を介在させる事によりFe-Si膜４の磁気特性を改善
しようとするものがある。
発明が解決しようとする問題点 上記従来多層膜において、非磁性層SiO2の膜厚を増大さ
せれば、全体での耐摩耗性は向上するが、磁性体部Fe-S
iが偏摩耗を生じかつFe-Siの軟磁気特性が劣化すると同
時に、相対的にFe-Si膜部が積層膜全体に占める割合が
減って、積層膜全体としての飽和磁化が減少し望ましく
ない。一方軟磁性体であるNi-Fe膜をFe-Si膜の間にはさ
んだ場合、比較的Ni-Fe膜が厚くなってもFe-Si膜の軟磁
性はそこなわれにくいが、全体としての耐摩耗性はNi-F
e，Fe-Si膜ともに低い為、これら多層膜を磁気ヘッド等
に応用する場合問題となっていた。
せれば、全体での耐摩耗性は向上するが、磁性体部Fe-S
iが偏摩耗を生じかつFe-Siの軟磁気特性が劣化すると同
時に、相対的にFe-Si膜部が積層膜全体に占める割合が
減って、積層膜全体としての飽和磁化が減少し望ましく
ない。一方軟磁性体であるNi-Fe膜をFe-Si膜の間にはさ
んだ場合、比較的Ni-Fe膜が厚くなってもFe-Si膜の軟磁
性はそこなわれにくいが、全体としての耐摩耗性はNi-F
e，Fe-Si膜ともに低い為、これら多層膜を磁気ヘッド等
に応用する場合問題となっていた。
本発明は、上記のような問題点を解決し、耐摩耗性と磁
気特性の両者を兼ね備えた磁性材料を実現することを目
的とする。
気特性の両者を兼ね備えた磁性材料を実現することを目
的とする。
問題点を解決するための手段 磁歪定数λが1×10-5以下のFeとSiを主成分とする薄膜
１と、上記λが1×10-5以下で耐摩耗性に優れた非晶質
合金もしくはFe-Si-Al系合金より成る薄膜２とを、前記
薄膜１，２の一層分の膜厚をそれぞれt1,t2とするとき t1,t2＜1000Åでかつt1＜２ｔ２ であるように交互に積層して多層膜を作成する。
１と、上記λが1×10-5以下で耐摩耗性に優れた非晶質
合金もしくはFe-Si-Al系合金より成る薄膜２とを、前記
薄膜１，２の一層分の膜厚をそれぞれt1,t2とするとき t1,t2＜1000Åでかつt1＜２ｔ２ であるように交互に積層して多層膜を作成する。
作用 本発明者らは２種類の膜を多層化し、その各々の１層の
薄膜を極めて薄くして行けば、異なる膜の間の偏摩耗が
小さくなり、全体としての摩耗も一方の膜に耐摩耗性の
良好な非晶質合金やFe-Si-Al系合金膜を用いる事により
改善される事を発見した。全体としての飽和磁化が高く
磁気ヘッド用材に用いる事が出来るような軟磁性を示す
ものとしては、磁歪λが1×10-5以下のFe-Si系合金膜１
と、同じくλが1×10-5以下の耐摩耗性に優れた非晶質
合金膜もしくはFe-Si-Al系合金膜２との多層膜が適して
おり、各々の膜の厚みを上述のように制御することによ
り、良好な耐摩耗性を得ることができる。
薄膜を極めて薄くして行けば、異なる膜の間の偏摩耗が
小さくなり、全体としての摩耗も一方の膜に耐摩耗性の
良好な非晶質合金やFe-Si-Al系合金膜を用いる事により
改善される事を発見した。全体としての飽和磁化が高く
磁気ヘッド用材に用いる事が出来るような軟磁性を示す
ものとしては、磁歪λが1×10-5以下のFe-Si系合金膜１
と、同じくλが1×10-5以下の耐摩耗性に優れた非晶質
合金膜もしくはFe-Si-Al系合金膜２との多層膜が適して
おり、各々の膜の厚みを上述のように制御することによ
り、良好な耐摩耗性を得ることができる。
実施例 本発明は高飽和磁化を有し、かつ耐摩耗性に優れた積層
磁性材料を可能とするものである。本発明の積層磁性体
の概要を第１図に示した。同図(a)，(b)において、１は
磁歪定数λが1×10-5以下のFeとSiを主成分とする軟磁
性体のFe-Si膜で、飽和磁化４πMsが約16000〜18000Gau
ssの膜であり、２はやはりλが1×10-5以下でかつ耐摩
耗性に優れた非晶質磁性合金膜もしくはFe-Si-Al（セン
ダスト）膜である。又同図(b)の３はSiO2，Si3N4などの
層間絶縁膜である。ただし t1,t2＜1000Å，t1＜２t2 である事が後で実施例で示すように偏摩耗が生じない為
に重要な条件である。同図(b)において層間絶縁膜３
は、この積層磁性材料が使用される周波数領域に応じて
その表皮深さを考慮して入れればよく、同図(b)は一例
であって必らずしもこのように入れる必要はなく、周波
数に応じてもっと間隔をおいて入れてもよいし、又全膜
厚が使用される周波数での表皮深さより薄い場合は必ら
ずしも必要なものではない。
磁性材料を可能とするものである。本発明の積層磁性体
の概要を第１図に示した。同図(a)，(b)において、１は
磁歪定数λが1×10-5以下のFeとSiを主成分とする軟磁
性体のFe-Si膜で、飽和磁化４πMsが約16000〜18000Gau
ssの膜であり、２はやはりλが1×10-5以下でかつ耐摩
耗性に優れた非晶質磁性合金膜もしくはFe-Si-Al（セン
ダスト）膜である。又同図(b)の３はSiO2，Si3N4などの
層間絶縁膜である。ただし t1,t2＜1000Å，t1＜２t2 である事が後で実施例で示すように偏摩耗が生じない為
に重要な条件である。同図(b)において層間絶縁膜３
は、この積層磁性材料が使用される周波数領域に応じて
その表皮深さを考慮して入れればよく、同図(b)は一例
であって必らずしもこのように入れる必要はなく、周波
数に応じてもっと間隔をおいて入れてもよいし、又全膜
厚が使用される周波数での表皮深さより薄い場合は必ら
ずしも必要なものではない。
第１図に示した本発明の積層磁性材と第２図及び第３図
に示した従来の積層磁性材を比較的耐摩耗性に優れたセ
ラミック基板でサンドイッチしヘッドチップ形状にした
後、これを通常のＶＴＲデッキに取付けテープを走らせ
て耐摩耗性試験を行なった。試験結果の概要を第４図に
示す。図中(a)，(b)は第２図及び第３図に示した従来の
タイプの積層磁性材を基板でサンドイッチしたもの、図
中(c)は第１図(a)に示した本発明の積層磁性材を基板で
サンドイッチしたものである。具体的実施例は以下で詳
しく述べる事にするが、一般的傾向は第４図に示した通
りで、同図(a)の場合図中５で示したSiO2などの絶縁膜
は一般的に耐摩耗性が良い為、図中４で示したFe-Si膜
が偏摩耗しテープとのタッチが悪くなる。これを避ける
為に図中５のSiO2等の膜厚を薄くすると全体の摩耗がよ
り大きくなってしまい、逆にこの部分の膜厚を厚くする
と相対的にFe-Si磁性膜部の占める割合が減少し全体と
しての飽和磁化が減少すると共に、Fe-Si合金膜自体の
軟磁性がそこなわれる事が知られており好ましくない。
又同図(b)においては６で示されたNi-Fe膜が相対的に４
で示されたFe-Si膜部より薄い方が全体としての飽和磁
化も高く、Fe-Si膜の軟磁性も改良されて磁気特性には
好ましいが、どちらも耐摩耗性が低く基板部に比べて摩
耗料が大きくなってしまう欠点がある。同図(c)に示し
た本発明の磁性積層膜においては、Fe-Si膜１と非晶質
合金もしくはFe-Si-Al（センダスト）合金膜２の膜厚を
それぞれt1,t2とするとき、 t1＜1000Å，かつt1＜２t2 であるかぎり、同図(c)に示したように偏摩耗も全体の
摩耗も小さく押さえる事が出来る事がわかった。これは
t1自体を１０００Å以下と十分小さくすると同時に、t1
＜２t2とする事により耐摩耗性の低いFe-Si膜１が隣接
する耐摩耗性の良好な磁性膜部２により保護される為と
思われる。実際にt1＞1000Åにしたり、t1＜1000Åでも
t1＞２t2とすなるとFe-Si膜部１が偏摩耗して同図(a)の
場合と同様な結果になる事がわかった。又膜部２の厚さ
t2を１０００Åより厚くするとFe-Si膜の軟磁性がそこ
なわれる事がわかったので結局、 t1,t2＜1000Åかつt1＜２t2 ……(1) である事が望ましい。一方t2を５００Å以下にすると、
膜部１のFe-Si膜の軟磁性がより改良される事がわかっ
たが、この時膜部２にFe-Si-Al合金を用いた場合これの
軟磁性が多少劣化する事がわかつた。しかし膜部２に非
晶質合金を用いた場合はt2＜５００Åでも軟磁性はそこ
なわれず、 t1,t2＜500Åかつt1＜２ｔ２ ……(2) でより全体としての磁気特性が改善され、かつ(1)の条
件よりも更に膜部１の偏摩耗が小さく押さえられる事が
わかった。
に示した従来の積層磁性材を比較的耐摩耗性に優れたセ
ラミック基板でサンドイッチしヘッドチップ形状にした
後、これを通常のＶＴＲデッキに取付けテープを走らせ
て耐摩耗性試験を行なった。試験結果の概要を第４図に
示す。図中(a)，(b)は第２図及び第３図に示した従来の
タイプの積層磁性材を基板でサンドイッチしたもの、図
中(c)は第１図(a)に示した本発明の積層磁性材を基板で
サンドイッチしたものである。具体的実施例は以下で詳
しく述べる事にするが、一般的傾向は第４図に示した通
りで、同図(a)の場合図中５で示したSiO2などの絶縁膜
は一般的に耐摩耗性が良い為、図中４で示したFe-Si膜
が偏摩耗しテープとのタッチが悪くなる。これを避ける
為に図中５のSiO2等の膜厚を薄くすると全体の摩耗がよ
り大きくなってしまい、逆にこの部分の膜厚を厚くする
と相対的にFe-Si磁性膜部の占める割合が減少し全体と
しての飽和磁化が減少すると共に、Fe-Si合金膜自体の
軟磁性がそこなわれる事が知られており好ましくない。
又同図(b)においては６で示されたNi-Fe膜が相対的に４
で示されたFe-Si膜部より薄い方が全体としての飽和磁
化も高く、Fe-Si膜の軟磁性も改良されて磁気特性には
好ましいが、どちらも耐摩耗性が低く基板部に比べて摩
耗料が大きくなってしまう欠点がある。同図(c)に示し
た本発明の磁性積層膜においては、Fe-Si膜１と非晶質
合金もしくはFe-Si-Al（センダスト）合金膜２の膜厚を
それぞれt1,t2とするとき、 t1＜1000Å，かつt1＜２t2 であるかぎり、同図(c)に示したように偏摩耗も全体の
摩耗も小さく押さえる事が出来る事がわかった。これは
t1自体を１０００Å以下と十分小さくすると同時に、t1
＜２t2とする事により耐摩耗性の低いFe-Si膜１が隣接
する耐摩耗性の良好な磁性膜部２により保護される為と
思われる。実際にt1＞1000Åにしたり、t1＜1000Åでも
t1＞２t2とすなるとFe-Si膜部１が偏摩耗して同図(a)の
場合と同様な結果になる事がわかった。又膜部２の厚さ
t2を１０００Åより厚くするとFe-Si膜の軟磁性がそこ
なわれる事がわかったので結局、 t1,t2＜1000Åかつt1＜２t2 ……(1) である事が望ましい。一方t2を５００Å以下にすると、
膜部１のFe-Si膜の軟磁性がより改良される事がわかっ
たが、この時膜部２にFe-Si-Al合金を用いた場合これの
軟磁性が多少劣化する事がわかつた。しかし膜部２に非
晶質合金を用いた場合はt2＜５００Åでも軟磁性はそこ
なわれず、 t1,t2＜500Åかつt1＜２ｔ２ ……(2) でより全体としての磁気特性が改善され、かつ(1)の条
件よりも更に膜部１の偏摩耗が小さく押さえられる事が
わかった。
磁気特性の改善には熱処理が有効であるが、t1,t2が極
めて小さくなると熱処理中に膜１と膜２との間での相互
拡散が問題になる。この場合膜１と２の間に固溶しにく
いAg,Cu,Mgなどの膜を介在させるとこの相互拡散が押さ
えられる事がわかった。
めて小さくなると熱処理中に膜１と膜２との間での相互
拡散が問題になる。この場合膜１と２の間に固溶しにく
いAg,Cu,Mgなどの膜を介在させるとこの相互拡散が押さ
えられる事がわかった。
高透磁率を得るには磁歪定数λを1×10-5以下に押さえ
る必要があるがFe-Si合金膜ではＳｉが6.5重量パーセン
ト（残部Ｆｅ）付近でこれが満足される。なこFe-Si合
金膜は耐食性にやや難があるが、Cr,Ni,Nb,Ti,Ru等を添
加したり窒化する事によりこれは改良できる。ただしこ
の時添加量もしくは窒化量に対応してＳｉ量を変化させ
てλを小さくする必要がある。
る必要があるがFe-Si合金膜ではＳｉが6.5重量パーセン
ト（残部Ｆｅ）付近でこれが満足される。なこFe-Si合
金膜は耐食性にやや難があるが、Cr,Ni,Nb,Ti,Ru等を添
加したり窒化する事によりこれは改良できる。ただしこ
の時添加量もしくは窒化量に対応してＳｉ量を変化させ
てλを小さくする必要がある。
Fe-Si-Al系ではいわゆるセンダスト組成領域でλ＜1×1
0-5となるが、非晶質合金の場合は、Ｃｏを主成分とす
るCo-Mn-(Fe)-(Si)-Ｂ系，Co-Nb-Zr系などでλが十分小
さくなる事がわかっている。
0-5となるが、非晶質合金の場合は、Ｃｏを主成分とす
るCo-Mn-(Fe)-(Si)-Ｂ系，Co-Nb-Zr系などでλが十分小
さくなる事がわかっている。
λ＜1×10-5のFe-Si系で飽和磁化４πMsが16000〜18000
Gauss、上記Fe-Si-Al（センダスト）合金系及び非晶質
合金系で４πMsが9000〜10000Gaussであるので、この積
層材料の平均＜４πMs＞は13000〜14000Gaussで、かつ
相方の一層当りの膜厚を本特許のように極めて薄くして
行くと、実用上両合金系の平均的な特性が得られ、高透
磁率高飽和磁束密度を有する磁性材料が得られる事がわ
かった。
Gauss、上記Fe-Si-Al（センダスト）合金系及び非晶質
合金系で４πMsが9000〜10000Gaussであるので、この積
層材料の平均＜４πMs＞は13000〜14000Gaussで、かつ
相方の一層当りの膜厚を本特許のように極めて薄くして
行くと、実用上両合金系の平均的な特性が得られ、高透
磁率高飽和磁束密度を有する磁性材料が得られる事がわ
かった。
以上より本発明積層磁性材料は耐摩耗性と高飽和磁化を
兼ね備えた軟磁性材料であり実用上極めて有用なもので
ある。以下具体的実施例により本発明の効果を示す事に
する。
兼ね備えた軟磁性材料であり実用上極めて有用なもので
ある。以下具体的実施例により本発明の効果を示す事に
する。
＜実施例１＞ セラミック基板上にスパッター法にて6.5wt％Fe-Si合金
膜１とCo87Nb9Zr4(at％）非晶質合金膜２とを交互に積
層した。膜１，２の一層の膜厚t1,t2を変化させ種々の
多層膜を作成したが、その諸特性は以下の通りであっ
た。
膜１とCo87Nb9Zr4(at％）非晶質合金膜２とを交互に積
層した。膜１，２の一層の膜厚t1,t2を変化させ種々の
多層膜を作成したが、その諸特性は以下の通りであっ
た。
なお４πMsは振動磁力計を用い、Ｈｃは６０ＨｚでのＢ
−Ｈ曲線より求めた、耐摩耗テストは通常のＶＴＲデッ
キに試料をヘッドチップ形状に加工して取付け、室温に
てメタルテープを１００時間走行し、第５図に示したよ
うに基板面よりの膜１，２の偏摩耗量をTalyステップで
測定した。
−Ｈ曲線より求めた、耐摩耗テストは通常のＶＴＲデッ
キに試料をヘッドチップ形状に加工して取付け、室温に
てメタルテープを１００時間走行し、第５図に示したよ
うに基板面よりの膜１，２の偏摩耗量をTalyステップで
測定した。
＜実施例２＞ 実施例１と同様スパッター法にて6.5wt％Fe-Si合金膜１
とFe85Si9.6Al5.4(wt％）合金膜２とを交互に積層し同
様の実験を行なった。結果は以下の通りであった。
とFe85Si9.6Al5.4(wt％）合金膜２とを交互に積層し同
様の実験を行なった。結果は以下の通りであった。
＜実施例３＞ 実施例１と同様にスパッター法にて6.5wt％Si-Fe膜（膜
１）とNi80-Fe20(at％）合金膜（膜１′）を積層した試
料FP,6.5wt％Si-Fe膜（膜１）とSiO2膜（膜３）を積層
した試料FI，及び6.5wt％Si-Fe膜とCo87Nb9Zr4非晶質合
金膜（膜２）とSiO2膜とを積層した試料FAIを作成し、
実施例１と同様の実験をして特性の比較をした結果を下
に示す。
１）とNi80-Fe20(at％）合金膜（膜１′）を積層した試
料FP,6.5wt％Si-Fe膜（膜１）とSiO2膜（膜３）を積層
した試料FI，及び6.5wt％Si-Fe膜とCo87Nb9Zr4非晶質合
金膜（膜２）とSiO2膜とを積層した試料FAIを作成し、
実施例１と同様の実験をして特性の比較をした結果を下
に示す。
なお試料FI51,FP51，及びFAIの摩耗の様子は第４図
(a)，(b)，及び第６図のようになる。
(a)，(b)，及び第６図のようになる。
以上の結果より本発明は軟磁性と高飽和磁化、かつ耐摩
耗性を兼ね備えた積層磁性材である事がわかる。
耗性を兼ね備えた積層磁性材である事がわかる。
＜実施例４＞ 実施例１と同様に6.5wt％Fe-Si膜１とCo87Nb9Zr4非晶質
合金膜２とをスパッター法により積層したものと、更に
これらの膜の間に１２ÅのＡｇ膜を介在させたものを４
００℃３０分間回転磁界中で熱処理した。結果を以下に
示す。
合金膜２とをスパッター法により積層したものと、更に
これらの膜の間に１２ÅのＡｇ膜を介在させたものを４
００℃３０分間回転磁界中で熱処理した。結果を以下に
示す。
即ち熱処理によりt1,t2が３００Å以上のものはより軟
磁性が改善されるが、t1,t2が５０Åぐらいになると恐
らく膜１，２の間で相互拡散が生じて軟磁性がそこなわ
れると思われる。従って膜１，２の間に非固溶のＡｇ膜
を介在させたものは相互拡散の障壁となり熱処理により
常に軟磁性が改善される事がわかる。又Cu,Mg等でもAg
と同様の効果がある事が実験よりわかった。
磁性が改善されるが、t1,t2が５０Åぐらいになると恐
らく膜１，２の間で相互拡散が生じて軟磁性がそこなわ
れると思われる。従って膜１，２の間に非固溶のＡｇ膜
を介在させたものは相互拡散の障壁となり熱処理により
常に軟磁性が改善される事がわかる。又Cu,Mg等でもAg
と同様の効果がある事が実験よりわかった。
発明の効果 本発明によれば、磁気特性に優れ、しかも高い耐摩耗性
を有する磁性材料を実現することができる。
を有する磁性材料を実現することができる。
第１図は本発明の実施例における積層磁性材料の断面
図、第２図，第３図は従来の積層磁性材料の断面図、第
４図，第５図，第６図は耐摩耗試験後の試料の偏摩耗を
示す断面図である。 １……Fe-Si膜、２……非晶質合金もしくはFe-Si-Al合
金膜。
図、第２図，第３図は従来の積層磁性材料の断面図、第
４図，第５図，第６図は耐摩耗試験後の試料の偏摩耗を
示す断面図である。 １……Fe-Si膜、２……非晶質合金もしくはFe-Si-Al合
金膜。
Claims (5)
- 【請求項１】磁歪定数λが1×10-5以下のFeとSiを主成
分とする第１の薄膜と、前記λが1×10-5以下で耐摩性
に優れた非晶質合金もしくはFe-Si-Al系合金の第２の薄
膜とを交互に積層するとともに、前記第１，第２の膜の
一層分の膜厚をそれぞれt1,t2とするとき、 t1,t2＜1000Åでかつt1＜２ｔ２ である事を特徴とする積層磁性材料。 - 【請求項２】t1,t2＜500Åかつt1＜2t2である事を特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の積層磁性材料。 - 【請求項３】第２の膜として非晶質合金膜を用いる事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層磁性材料。 - 【請求項４】Ag,Cu,Mg等のFe-Si及び非晶質合金と固溶
しにくい膜を適当な間隔で第１，第２の膜との間に配し
た事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層磁性
材料。 - 【請求項５】絶縁体膜を適当な間隔で第１，第２の膜と
の間に配した事を特徴とする特許請求の範囲第２項〜第
４項のいずれかに記載の積層磁性材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082086A JPH0610848B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 積層磁性材料 |
| US07/298,788 US4897318A (en) | 1986-01-21 | 1989-01-18 | Laminated magnetic materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082086A JPH0610848B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 積層磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170008A JPS62170008A (ja) | 1987-07-27 |
| JPH0610848B2 true JPH0610848B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=11760990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082086A Expired - Lifetime JPH0610848B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 積層磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610848B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0357706U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-04 | ||
| WO1993011531A1 (fr) * | 1991-12-02 | 1993-06-10 | Nikko Kyodo Company, Limited | Tete magnetique a film mince |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1082086A patent/JPH0610848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62170008A (ja) | 1987-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4935311A (en) | Magnetic multilayered film and magnetic head using the same | |
| JPH0722044B2 (ja) | 高周波高透磁率磁性材料 | |
| US4943879A (en) | Thin film magnetic head including magnetic layers having high saturation magnetic flux density and metal film for avoiding deterioration during manufacturing | |
| EP0219714B1 (en) | Multi-layered ferromagnetic film and method of manufacturing the same | |
| US4897318A (en) | Laminated magnetic materials | |
| JP2950917B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS62170008A (ja) | 積層磁性材料 | |
| JPH09293207A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2690893B2 (ja) | 積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド | |
| JPH05263170A (ja) | 磁性合金膜及びその製造方法 | |
| JPH1116120A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP2925257B2 (ja) | 強磁性膜、その製造方法及び磁気ヘッド | |
| JPS6197906A (ja) | 高透磁率人工格子磁性薄膜 | |
| JPH0821502B2 (ja) | 薄膜永久磁石 | |
| JP2995784B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2790159B2 (ja) | 薄膜積層磁気ヘッド | |
| KR0179266B1 (ko) | 자기헤드용 연자성 박막구조 | |
| JP2002123906A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2639719B2 (ja) | 磁気ヘッド用磁性体膜 | |
| JP2675062B2 (ja) | 強磁性薄膜およびその製造方法 | |
| JP2000114041A (ja) | 薄膜積層体、薄膜積層体の製造方法、並びにこの薄膜積層体を用いた薄膜トランス、薄膜インダクタ、および薄膜磁気ヘッド | |
| JP2677226B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01143312A (ja) | 非晶質軟磁性積層膜 | |
| KR920006630B1 (ko) | 강자성 재료 및 이를 사용한 자기헤드 | |
| JP2551008B2 (ja) | 軟磁性薄膜 |