JPH09293207A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH09293207A JPH09293207A JP8108186A JP10818696A JPH09293207A JP H09293207 A JPH09293207 A JP H09293207A JP 8108186 A JP8108186 A JP 8108186A JP 10818696 A JP10818696 A JP 10818696A JP H09293207 A JPH09293207 A JP H09293207A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1274—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with "composite" cores, i.e. cores composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
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- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ
層等の貴金属層を積層し、さらに、この積層膜間に絶縁
膜を介在させた多層膜として、再生出力を向上させて、
いわゆるメタルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体に対し
て記録・再生を行うのに好適とされた磁気ヘッドを提供
する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体１，２の磁気ギャッ
プ形成面１ａ，２ａに、Ｆｅx Ｍy Ｎz （ただし、Ｍは
Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少な
くとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示
し、これらがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１
５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなる磁性薄膜
層と、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類
以上からなる層を積層し、さらに、この積層膜３０間に
ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれかか
らなる層３１，３１を少なくとも２層介在させてなる多
層膜とした。
層等の貴金属層を積層し、さらに、この積層膜間に絶縁
膜を介在させた多層膜として、再生出力を向上させて、
いわゆるメタルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体に対し
て記録・再生を行うのに好適とされた磁気ヘッドを提供
する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体１，２の磁気ギャッ
プ形成面１ａ，２ａに、Ｆｅx Ｍy Ｎz （ただし、Ｍは
Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少な
くとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示
し、これらがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１
５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなる磁性薄膜
層と、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類
以上からなる層を積層し、さらに、この積層膜３０間に
ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれかか
らなる層３１，３１を少なくとも２層介在させてなる多
層膜とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の磁気コア半
体よりなる磁気ヘッドのギャップ部を金属磁性膜で構成
したいわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドに
関する。詳しくは、金属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層とＰｔ層等の貴金属層とが積層された積層膜とされ、
さらにこの積層膜が絶縁膜を介して積層された多層膜と
して、再生出力を向上させて、いわゆるメタルテープ等
の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うのに
好適とされた磁気ヘッドに係わるものである。
体よりなる磁気ヘッドのギャップ部を金属磁性膜で構成
したいわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドに
関する。詳しくは、金属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層とＰｔ層等の貴金属層とが積層された積層膜とされ、
さらにこの積層膜が絶縁膜を介して積層された多層膜と
して、再生出力を向上させて、いわゆるメタルテープ等
の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うのに
好適とされた磁気ヘッドに係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記録
信号の高密度化が進行しており、高い抗磁力と高い残留
磁束密度を有する磁気記録媒体、例えば強磁性金属材料
を非磁性支持体上に直接被着せしめてなるメタルテープ
等が使用されるようになっている。これに伴って磁気ヘ
ッドに対しては、コア材料が高飽和磁束密度、高透磁率
を有することが要求されている。
信号の高密度化が進行しており、高い抗磁力と高い残留
磁束密度を有する磁気記録媒体、例えば強磁性金属材料
を非磁性支持体上に直接被着せしめてなるメタルテープ
等が使用されるようになっている。これに伴って磁気ヘ
ッドに対しては、コア材料が高飽和磁束密度、高透磁率
を有することが要求されている。
【０００３】かかる要求を満たすために、従来から、補
助コア材にフェライトを用い、そのフェライト上に高飽
和磁束密度を有する金属磁性膜を主コア材として形成
し、磁気ギャップ部を上記金属磁性膜により形成するよ
うにしたメタル・イン・ギャップ（Ｍｅｔａｌ ｉｎ
Ｇａｐ）型の磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド」と称
する。）が提案されており、メタルテープ等の記録・再
生に好適なものとなっている。
助コア材にフェライトを用い、そのフェライト上に高飽
和磁束密度を有する金属磁性膜を主コア材として形成
し、磁気ギャップ部を上記金属磁性膜により形成するよ
うにしたメタル・イン・ギャップ（Ｍｅｔａｌ ｉｎ
Ｇａｐ）型の磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド」と称
する。）が提案されており、メタルテープ等の記録・再
生に好適なものとなっている。
【０００４】ところで、この種の磁気ヘッドにおいて
は、最近の高記録密度化の著しい進展に伴い、上記メタ
ルテープ等のように高抗磁力の磁気記録媒体に対してよ
り良好に記録・再生を行うべく、記録磁界を十分とるた
めのより高い飽和磁束密度を持ち、かつ優れた軟磁気特
性を有する金属磁性材料の使用が求められている。
は、最近の高記録密度化の著しい進展に伴い、上記メタ
ルテープ等のように高抗磁力の磁気記録媒体に対してよ
り良好に記録・再生を行うべく、記録磁界を十分とるた
めのより高い飽和磁束密度を持ち、かつ優れた軟磁気特
性を有する金属磁性材料の使用が求められている。
【０００５】また、近年、Ｆｅを主成分とする微結晶金
属磁性膜が高い飽和磁束密度を持ち、面内方向において
優れた軟磁気特性を示すことから、従来の磁気ヘッド用
金属磁性材料を置き換える形で実用化され始めている。
属磁性膜が高い飽和磁束密度を持ち、面内方向において
優れた軟磁気特性を示すことから、従来の磁気ヘッド用
金属磁性材料を置き換える形で実用化され始めている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＩＧ
ヘッドにおいて従来の金属磁性膜の代わりに上記のＦｅ
を主成分とする微結晶金属磁性膜を使用してフェライト
上に当該微結晶金属磁性膜を成膜しても、この種のヘッ
ドでは面内方向の軟磁気特性だけでなく膜厚方向の軟磁
気特性も重要となるため、上記微結晶金属磁性膜の面内
方向の優れた軟磁気特性から期待されるほどヘッド効率
は改善されておらず、再生出力もさほど向上していな
い。
ヘッドにおいて従来の金属磁性膜の代わりに上記のＦｅ
を主成分とする微結晶金属磁性膜を使用してフェライト
上に当該微結晶金属磁性膜を成膜しても、この種のヘッ
ドでは面内方向の軟磁気特性だけでなく膜厚方向の軟磁
気特性も重要となるため、上記微結晶金属磁性膜の面内
方向の優れた軟磁気特性から期待されるほどヘッド効率
は改善されておらず、再生出力もさほど向上していな
い。
【０００７】このため、本願出願人は、一対の磁気コア
半体が磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化さ
れ、これら一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方の
磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性膜が成膜
されてなる磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性膜がＦｅ
x Ｍy Ｎz （ただし、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，
ｚは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ、７１≦
ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる
組成からなる磁性薄膜層と、Ｐｔ層が積層された多層膜
からなることを特徴とする磁気ヘッドを既に提供してい
る（平成８年特許願第１２９５６号参照）。
半体が磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化さ
れ、これら一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方の
磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性膜が成膜
されてなる磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性膜がＦｅ
x Ｍy Ｎz （ただし、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，
ｚは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ、７１≦
ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる
組成からなる磁性薄膜層と、Ｐｔ層が積層された多層膜
からなることを特徴とする磁気ヘッドを既に提供してい
る（平成８年特許願第１２９５６号参照）。
【０００８】本発明は、このようなＭＩＧヘッドにおい
て、さらに大幅な再生出力を向上させて、いわゆるメタ
ルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生
を行うのに好適とされた磁気ヘッドを提供することを課
題とする。
て、さらに大幅な再生出力を向上させて、いわゆるメタ
ルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生
を行うのに好適とされた磁気ヘッドを提供することを課
題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明者等は鋭意検討した結果、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性
薄膜層（ここで、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも一種である。）において
は、Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類以
上からなる層を下地層とすることにより、強いα−Ｆｅ
（１１０）面の配向が生じ易く、磁性の均一性が高まり
軟磁気特性が膜全体として改善され、ＭＩＧヘッドの金
属磁性膜を上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴
金属層とが交互に積層された積層膜とすれば、再生特性
が向上するが、さらに、上記積層膜がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2，Ａｌ 2Ｏ 3，Ｃｒのうちのいずれかからなる層を介
して２層以上積層させると、ＭＩＧヘッドの高周波領域
での記録再生特性が向上することを見い出した。
めに本発明者等は鋭意検討した結果、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性
薄膜層（ここで、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも一種である。）において
は、Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類以
上からなる層を下地層とすることにより、強いα−Ｆｅ
（１１０）面の配向が生じ易く、磁性の均一性が高まり
軟磁気特性が膜全体として改善され、ＭＩＧヘッドの金
属磁性膜を上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴
金属層とが交互に積層された積層膜とすれば、再生特性
が向上するが、さらに、上記積層膜がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2，Ａｌ 2Ｏ 3，Ｃｒのうちのいずれかからなる層を介
して２層以上積層させると、ＭＩＧヘッドの高周波領域
での記録再生特性が向上することを見い出した。
【００１０】すなわち本発明は、一対の磁気コア半体を
磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化し、これ
ら一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア
半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性膜が成膜されてい
る磁気ヘッドの上記金属磁性膜をＦｅx Ｍy Ｎz （ただ
し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのう
ちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセン
トを示し、これらがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ
≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなる磁性
薄膜層とＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種
類以上からなる層とが交互に積層された積層膜が、さら
にこの積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのう
ちのいずれかからなる層を介して２層以上積層されてな
ることを特徴とするものである。
磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化し、これ
ら一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア
半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性膜が成膜されてい
る磁気ヘッドの上記金属磁性膜をＦｅx Ｍy Ｎz （ただ
し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのう
ちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセン
トを示し、これらがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ
≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなる磁性
薄膜層とＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種
類以上からなる層とが交互に積層された積層膜が、さら
にこの積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのう
ちのいずれかからなる層を介して２層以上積層されてな
ることを特徴とするものである。
【００１１】なお、この磁気ヘッドにおいては、金属磁
性膜を構成するＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくと
も１種類以上からなる層（以下、「Ｐｔ層等の貴金属
層」と称する。）の下地効果を十分なものとするため
に、このＰｔ層等の貴金属層の１層当たりの平均膜厚を
０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとすることが好ましい。
性膜を構成するＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくと
も１種類以上からなる層（以下、「Ｐｔ層等の貴金属
層」と称する。）の下地効果を十分なものとするため
に、このＰｔ層等の貴金属層の１層当たりの平均膜厚を
０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとすることが好ましい。
【００１２】上記Ｐｔ層等の貴金属層の１層当たりの平
均膜厚が０．３ｎｍ未満であると、十分な下地効果が得
られない。逆に１０．０ｎｍを越えると、膜厚が厚く、
厚膜化による形状効果によって該Ｐｔ層等の貴金属層が
疑似ギャップとして動作し再生出力特性でのうねりの発
生を招く。
均膜厚が０．３ｎｍ未満であると、十分な下地効果が得
られない。逆に１０．０ｎｍを越えると、膜厚が厚く、
厚膜化による形状効果によって該Ｐｔ層等の貴金属層が
疑似ギャップとして動作し再生出力特性でのうねりの発
生を招く。
【００１３】なお、金属磁性膜は、上記０．３ｎｍ〜１
０．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層を介して２層以上積層
されるが、その上限は約１０層である。
０．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層を介して２層以上積層
されるが、その上限は約１０層である。
【００１４】ところで、上記Ｐｔ層等の貴金属層や磁性
薄膜層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等に代表される真空薄膜形成方法により形
成される。そして、例えばスパッタリングにより形成さ
れるＰｔ層等の貴金属層の厚さが０．３ｎｍのときに
は、このＰｔ層等の貴金属層はきれいな薄膜状態ではな
く、粒子がアイランド状に点在した状態をなしていると
考えられる。そこで、Ｐｔ層等の貴金属層の厚さは１層
当たりの平均膜厚と表現している。
薄膜層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等に代表される真空薄膜形成方法により形
成される。そして、例えばスパッタリングにより形成さ
れるＰｔ層等の貴金属層の厚さが０．３ｎｍのときに
は、このＰｔ層等の貴金属層はきれいな薄膜状態ではな
く、粒子がアイランド状に点在した状態をなしていると
考えられる。そこで、Ｐｔ層等の貴金属層の厚さは１層
当たりの平均膜厚と表現している。
【００１５】また、この磁気ヘッドにおいては、金属磁
性膜を構成する磁性薄膜層がＰｔ層等の貴金属層の下地
効果を十分に受けられるように、その１層当たりの膜厚
を０．０５μｍ〜１．０μｍとすることが好ましい。
性膜を構成する磁性薄膜層がＰｔ層等の貴金属層の下地
効果を十分に受けられるように、その１層当たりの膜厚
を０．０５μｍ〜１．０μｍとすることが好ましい。
【００１６】上記磁性薄膜層の膜厚が０．０５μｍ未満
であると、この磁性薄膜層を形成するためのスパッタリ
ング等の成膜工程が増大し生産性が劣化する上に、Ｐｔ
層等の貴金属層の総数が増え実効的な飽和磁束密度が低
下する。逆に、この磁性薄膜層の膜厚が１．０μｍを越
えるとＰｔ層等の貴金属層の下地効果が薄れてしまう。
であると、この磁性薄膜層を形成するためのスパッタリ
ング等の成膜工程が増大し生産性が劣化する上に、Ｐｔ
層等の貴金属層の総数が増え実効的な飽和磁束密度が低
下する。逆に、この磁性薄膜層の膜厚が１．０μｍを越
えるとＰｔ層等の貴金属層の下地効果が薄れてしまう。
【００１７】さらに、上記のようなＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄
膜層を形成する場合、成膜後にアニールを行うが、この
とき、ＦｅとＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも
１種類以上からなる金属化合物（以下、「Ｆｅ−Ｐｔ等
の貴金属化合物」と称する。）が生じる。
膜層を形成する場合、成膜後にアニールを行うが、この
とき、ＦｅとＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも
１種類以上からなる金属化合物（以下、「Ｆｅ−Ｐｔ等
の貴金属化合物」と称する。）が生じる。
【００１８】このＦｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物は、マイ
ナス磁歪の硬質材料であるため、金属磁性膜中のＦｅ−
Ｐｔ等の貴金属化合物が多くなると、金属磁性膜の保磁
力の増加だけでなく、金属磁性膜の磁歪が大きくマイナ
ス側にシフトし、好ましくない。
ナス磁歪の硬質材料であるため、金属磁性膜中のＦｅ−
Ｐｔ等の貴金属化合物が多くなると、金属磁性膜の保磁
力の増加だけでなく、金属磁性膜の磁歪が大きくマイナ
ス側にシフトし、好ましくない。
【００１９】そこで、Ｆｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物の量
を抑え、このような現象を回避すべく、上記金属磁性薄
膜中のＰｔ層等の貴金属層の膜厚の合計が上記金属磁性
膜の全厚に対して占める割合を５％以下とすることが好
ましく、さらには２％以下とすることが好ましい。
を抑え、このような現象を回避すべく、上記金属磁性薄
膜中のＰｔ層等の貴金属層の膜厚の合計が上記金属磁性
膜の全厚に対して占める割合を５％以下とすることが好
ましく、さらには２％以下とすることが好ましい。
【００２０】また、磁性層の磁歪をほぼゼロとするには
総膜厚に占めるＰｔ層等の貴金属層の割合を考慮に入れ
て、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層の磁歪をプラスの符号を持
つ適当な大きさとすることで実現することができる。
総膜厚に占めるＰｔ層等の貴金属層の割合を考慮に入れ
て、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層の磁歪をプラスの符号を持
つ適当な大きさとすることで実現することができる。
【００２１】本発明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁
気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気
ギャップ形成面に、金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層とが交互に積層された積
層膜を形成しており、この磁気ヘッドの製造工程におい
てＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を成膜した後に熱処理を行っ
てアモルファス状態から微結晶を形成させる際には、Ｐ
ｔ層等の貴金属層の下地効果により、熱処理後のＦｅ−
Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強いα−Ｆｅ（１１０）配向を起こ
すこととなり、金属磁性膜の磁性の均一性が高まり、軟
磁気特性の向上がなされる。このような配向は、磁性膜
の膜厚が厚くなると分散する傾向にあるが、Ｐｔ層等の
貴金属層の層数を増やし磁性膜の膜厚をある程度薄くす
ることで、Ｐｔ層等の貴金属層による優先配向が膜全体
に亘って生じさせることができる。
気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気
ギャップ形成面に、金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層とが交互に積層された積
層膜を形成しており、この磁気ヘッドの製造工程におい
てＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を成膜した後に熱処理を行っ
てアモルファス状態から微結晶を形成させる際には、Ｐ
ｔ層等の貴金属層の下地効果により、熱処理後のＦｅ−
Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強いα−Ｆｅ（１１０）配向を起こ
すこととなり、金属磁性膜の磁性の均一性が高まり、軟
磁気特性の向上がなされる。このような配向は、磁性膜
の膜厚が厚くなると分散する傾向にあるが、Ｐｔ層等の
貴金属層の層数を増やし磁性膜の膜厚をある程度薄くす
ることで、Ｐｔ層等の貴金属層による優先配向が膜全体
に亘って生じさせることができる。
【００２２】また、本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属
層とが交互に積層された積層膜としていることから、金
属磁性膜内においてＦｅ−Ｐｔ層等の貴金属化合物が生
じ、磁気的にハードな部分が生じる。この部分は、磁区
の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進さ
れ、金属磁性膜における高周波領域の透磁率が高まる。
属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属
層とが交互に積層された積層膜としていることから、金
属磁性膜内においてＦｅ−Ｐｔ層等の貴金属化合物が生
じ、磁気的にハードな部分が生じる。この部分は、磁区
の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進さ
れ、金属磁性膜における高周波領域の透磁率が高まる。
【００２３】さらに、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰ
ｔ層等の貴金属層とが積層された積層膜とされ、さらに
この積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうち
のいずれかからなる層（以下、「ＳｉＯ2 等の非磁性
層」と称する。）を介して２層以上積層されてなること
により、磁化方向が同一な領域である磁区が膜面内で一
様に膜厚方向に反平行に積まれた磁気的構造を有する、
いわゆる静磁結合膜が形成される。このため、高周波磁
界が印加された際の磁壁共鳴が抑制され、高周波での透
磁率の向上が図られ、この結果この磁性積層膜を用いた
ＭＩＧヘッドの高周波領域での記録再生特性が向上す
る。
ｔ層等の貴金属層とが積層された積層膜とされ、さらに
この積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうち
のいずれかからなる層（以下、「ＳｉＯ2 等の非磁性
層」と称する。）を介して２層以上積層されてなること
により、磁化方向が同一な領域である磁区が膜面内で一
様に膜厚方向に反平行に積まれた磁気的構造を有する、
いわゆる静磁結合膜が形成される。このため、高周波磁
界が印加された際の磁壁共鳴が抑制され、高周波での透
磁率の向上が図られ、この結果この磁性積層膜を用いた
ＭＩＧヘッドの高周波領域での記録再生特性が向上す
る。
【００２４】なお、本発明の磁気ヘッドにおいて、金属
磁性膜を構成するＰｔ層等の貴金属層１層当たりの平均
膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとしたり、金属磁性膜
を構成する磁性薄膜層の１層当たりの膜厚を０．０５μ
ｍ〜１．０μｍとすることで、Ｐｔ層等の貴金属層の下
地効果による磁性薄膜層における上記のような優先配向
が膜全体に亘って生じ易くなる。また、Ｐｔ層等の貴金
属層を上記のような厚さとすれば、これが疑似ギャップ
として動作することもない。
磁性膜を構成するＰｔ層等の貴金属層１層当たりの平均
膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとしたり、金属磁性膜
を構成する磁性薄膜層の１層当たりの膜厚を０．０５μ
ｍ〜１．０μｍとすることで、Ｐｔ層等の貴金属層の下
地効果による磁性薄膜層における上記のような優先配向
が膜全体に亘って生じ易くなる。また、Ｐｔ層等の貴金
属層を上記のような厚さとすれば、これが疑似ギャップ
として動作することもない。
【００２５】さらに、本発明の磁気ヘッドにおいて、金
属磁性膜中のＰｔ層等の貴金属層の膜厚の合計が上記金
属磁性膜の全厚に対して占める割合を数％であり、実効
的な飽和磁束密度（Ｂｓ）の低下は非常に小さい。ま
た、Ｐｔ層等の貴金属層は磁気ギャップｇと平行に配列
されているが、膜厚が数ｎｍであり疑似ギャップとして
動作することがない。
属磁性膜中のＰｔ層等の貴金属層の膜厚の合計が上記金
属磁性膜の全厚に対して占める割合を数％であり、実効
的な飽和磁束密度（Ｂｓ）の低下は非常に小さい。ま
た、Ｐｔ層等の貴金属層は磁気ギャップｇと平行に配列
されているが、膜厚が数ｎｍであり疑似ギャップとして
動作することがない。
【００２６】また、上記ＳｉＯ2 等の非磁性層の膜厚
は、０．５ｎｍ〜１０．０ｎｍであることが好ましい。
膜厚が０．５ｎｍ未満であると磁気的分断層として機能
しないために、いわゆる静磁結合膜を形成せず、逆に、
１０．０ｎｍを越えると疑似ギャップとして動作するお
それがでてくる。上記のＳｉＯ2 等の非磁性層は、渦電
流の低減と、静磁結合膜形成による高周波領域での磁壁
共鳴の抑制効果により、軟磁性膜全体としての高周波特
性が大幅に改善される。
は、０．５ｎｍ〜１０．０ｎｍであることが好ましい。
膜厚が０．５ｎｍ未満であると磁気的分断層として機能
しないために、いわゆる静磁結合膜を形成せず、逆に、
１０．０ｎｍを越えると疑似ギャップとして動作するお
それがでてくる。上記のＳｉＯ2 等の非磁性層は、渦電
流の低減と、静磁結合膜形成による高周波領域での磁壁
共鳴の抑制効果により、軟磁性膜全体としての高周波特
性が大幅に改善される。
【００２７】このように、下地効果のあるＰｔ層等の貴
金属層を介した積層膜を、さらに、ＳｉＯ2 等の非磁性
層を介して積層された軟磁性静磁結合薄膜とし、この軟
磁性静磁結合薄膜をメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘ
ッドに適用することにより、軟磁気特性が向上し、膜厚
方向透磁率と高周波透磁率の改善が図られ、再生特性の
大幅な向上が期待できる。
金属層を介した積層膜を、さらに、ＳｉＯ2 等の非磁性
層を介して積層された軟磁性静磁結合薄膜とし、この軟
磁性静磁結合薄膜をメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘ
ッドに適用することにより、軟磁気特性が向上し、膜厚
方向透磁率と高周波透磁率の改善が図られ、再生特性の
大幅な向上が期待できる。
【００２８】上記金属磁性膜をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層
とＰｔ層等の貴金属層とＳｉＯ2 等の非磁性層の成膜方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法等に代表される真空薄膜形成技術がいず
れも適応することができる。この場合、スパッタリング
工程数の増加は、装置を多ターゲット化することで解決
することができる。
とＰｔ層等の貴金属層とＳｉＯ2 等の非磁性層の成膜方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法等に代表される真空薄膜形成技術がいず
れも適応することができる。この場合、スパッタリング
工程数の増加は、装置を多ターゲット化することで解決
することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００３０】本例の磁気ヘッドは、図１および図２に示
すように、磁気記録媒体対接面の略中央に位置する磁気
ギャップｇを境として左右別々に作成された一対の磁気
コア半体１，２が突き合わせ面である磁気ギャップ形成
面１ａ，２ａを突き合わせて接合一体化されてなるもの
である。
すように、磁気記録媒体対接面の略中央に位置する磁気
ギャップｇを境として左右別々に作成された一対の磁気
コア半体１，２が突き合わせ面である磁気ギャップ形成
面１ａ，２ａを突き合わせて接合一体化されてなるもの
である。
【００３１】上記磁気コア半体１，２は、補助コア部で
ある磁気コア基板３，４と、主コア部である金属磁性膜
５，６とから構成されている。上記磁気コア基板３，４
は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト等の軟磁性酸化物材料よりなり、上記金属磁性膜
５，６とともに閉磁路を構成する補助コア部となってい
る。上記磁気コア基板３，４の前記磁気ギャップ形成面
１ａ，２ａと対向する主面３ａ，４ａ側には、上記磁気
ギャップｇのトラック幅Ｔｗを規制するためのトラック
幅規制溝７，８，９，１０が磁気ギャップｇの両端縁近
傍部よりそれぞれデプス方向にわたって円弧状に形成さ
れている。なお、上記トラック幅規制溝７，８，９，１
０内には、それぞれ磁気記録媒体との当たり特性を確保
すると共に摺接による偏摩耗を防止する目的で、ガラス
等の非磁性材１１が充填されている。
ある磁気コア基板３，４と、主コア部である金属磁性膜
５，６とから構成されている。上記磁気コア基板３，４
は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト等の軟磁性酸化物材料よりなり、上記金属磁性膜
５，６とともに閉磁路を構成する補助コア部となってい
る。上記磁気コア基板３，４の前記磁気ギャップ形成面
１ａ，２ａと対向する主面３ａ，４ａ側には、上記磁気
ギャップｇのトラック幅Ｔｗを規制するためのトラック
幅規制溝７，８，９，１０が磁気ギャップｇの両端縁近
傍部よりそれぞれデプス方向にわたって円弧状に形成さ
れている。なお、上記トラック幅規制溝７，８，９，１
０内には、それぞれ磁気記録媒体との当たり特性を確保
すると共に摺接による偏摩耗を防止する目的で、ガラス
等の非磁性材１１が充填されている。
【００３２】また、上記磁気コア基板３，４のうちの一
方の磁気コア基板４の前記磁気ギャップ形成面１ａと対
向する主面４ａには、前記磁気ギャップｇのデプスを規
制すると共に、図示しないコイルを巻装するための断面
略コ字状の巻線溝１２が形成されている。なお、上記巻
線溝は、他方の磁気コア基板３にも同様に形成されてい
ても良い。
方の磁気コア基板４の前記磁気ギャップ形成面１ａと対
向する主面４ａには、前記磁気ギャップｇのデプスを規
制すると共に、図示しないコイルを巻装するための断面
略コ字状の巻線溝１２が形成されている。なお、上記巻
線溝は、他方の磁気コア基板３にも同様に形成されてい
ても良い。
【００３３】一方、金属磁性膜５，６は、上記磁気コア
基板３，４と共に閉磁路を構成する主コア部となるもの
で、磁気ギャップ形成面１ａ，２ａと対向し、且つ当該
磁気コア基板３，４の対向面となる主面３ａ，４ａにそ
れぞれフロントギャップ部よりバックギャップ部にわた
って成膜されている。従って、これら金属磁性膜５，６
の対向面５ａ，６ａが、すなわち前記磁気コア半体１，
２の磁気ギャップ形成面１ａ，２ａとなっている。な
お、上記金属磁性膜５，６は、上記磁気コア基板３，４
の対向面となる主面３ａ，４ａのみならず前記トラック
幅規制溝７，８，９，１０内にも成膜されている。この
金属磁性膜５は巻線溝１２内の全面若しくは少なくとも
その一部に亘っても成膜されている。
基板３，４と共に閉磁路を構成する主コア部となるもの
で、磁気ギャップ形成面１ａ，２ａと対向し、且つ当該
磁気コア基板３，４の対向面となる主面３ａ，４ａにそ
れぞれフロントギャップ部よりバックギャップ部にわた
って成膜されている。従って、これら金属磁性膜５，６
の対向面５ａ，６ａが、すなわち前記磁気コア半体１，
２の磁気ギャップ形成面１ａ，２ａとなっている。な
お、上記金属磁性膜５，６は、上記磁気コア基板３，４
の対向面となる主面３ａ，４ａのみならず前記トラック
幅規制溝７，８，９，１０内にも成膜されている。この
金属磁性膜５は巻線溝１２内の全面若しくは少なくとも
その一部に亘っても成膜されている。
【００３４】そして、本例の磁気ヘッドにおいては特
に、上記金属磁性膜５，６が、図３に示すように（図３
中においては一方の金属磁性膜５のみを示す。）、Ｆｅ
−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６とが
交互に積層された積層膜（図３中において、この積層膜
構造を符号「３０」として示す。）とされ、さらにこの
積層膜３０がＳｉＯ2 等の非磁性層３１を介して２層以
上積層されてなる。
に、上記金属磁性膜５，６が、図３に示すように（図３
中においては一方の金属磁性膜５のみを示す。）、Ｆｅ
−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６とが
交互に積層された積層膜（図３中において、この積層膜
構造を符号「３０」として示す。）とされ、さらにこの
積層膜３０がＳｉＯ2 等の非磁性層３１を介して２層以
上積層されてなる。
【００３５】まず、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５は
Ｆｅx Ｍy Ｎz の組成を有するものであり、ＭはＴａ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも
一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示し、これ
らがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ
≦１６の範囲とされている。
Ｆｅx Ｍy Ｎz の組成を有するものであり、ＭはＴａ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも
一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示し、これ
らがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ
≦１６の範囲とされている。
【００３６】さらに、本例の磁気ヘッドにおいては、磁
気コア基板３，４上に反応防止膜１３，１４を形成し、
その上に金属磁性膜５，６を形成するようにして、磁気
コア基板３，４の構成材料として一般的なフェライトと
金属磁性膜５，６間での拡散反応を防止し、疑似ギャッ
プの発生を抑えるようにしている。
気コア基板３，４上に反応防止膜１３，１４を形成し、
その上に金属磁性膜５，６を形成するようにして、磁気
コア基板３，４の構成材料として一般的なフェライトと
金属磁性膜５，６間での拡散反応を防止し、疑似ギャッ
プの発生を抑えるようにしている。
【００３７】本例の磁気ヘッドにおいては、前述のよう
に、金属磁性膜５，６はＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５と
Ｐｔ層等の貴金属層１６からなる積層膜とされており、
これら金属磁性膜５，６は、図３に示すように、反応防
止膜１３上に上記のような組成を有するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６の順で順次交互
に積層され、さらに、この積層膜３０がＳｉＯ2 等の非
磁性層３１を介して２層以上積層されてなる。
に、金属磁性膜５，６はＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５と
Ｐｔ層等の貴金属層１６からなる積層膜とされており、
これら金属磁性膜５，６は、図３に示すように、反応防
止膜１３上に上記のような組成を有するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６の順で順次交互
に積層され、さらに、この積層膜３０がＳｉＯ2 等の非
磁性層３１を介して２層以上積層されてなる。
【００３８】上記反応防止層１３は、上記金属磁性膜５
の下地膜を兼ねてＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なく
とも１種類以上からなる層を用いても良い。
の下地膜を兼ねてＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なく
とも１種類以上からなる層を用いても良い。
【００３９】また、上記金属磁性膜５は、図４に示すよ
うに、反応防止膜１３上に、Ｐｔ層等の貴金属層１６、
Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５の順で順次交互に積層され
た積層膜であってもよい。そして、このような図３の場
合とは逆の反応防止膜１３とＰｔ層等の貴金属層１６が
積層形成されることにより、反応防止効果と下地効果の
両方が得られより好ましい。
うに、反応防止膜１３上に、Ｐｔ層等の貴金属層１６、
Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５の順で順次交互に積層され
た積層膜であってもよい。そして、このような図３の場
合とは逆の反応防止膜１３とＰｔ層等の貴金属層１６が
積層形成されることにより、反応防止効果と下地効果の
両方が得られより好ましい。
【００４０】また、本例の磁気ヘッドにおいては、上記
金属磁性膜５を形成する積層膜の最上層膜はＦｅ−Ｍ−
Ｎ磁性薄膜層１５であっても、Ｐｔ層等の貴金属層１６
であっても構わない。
金属磁性膜５を形成する積層膜の最上層膜はＦｅ−Ｍ−
Ｎ磁性薄膜層１５であっても、Ｐｔ層等の貴金属層１６
であっても構わない。
【００４１】なお、他方の磁気コア基板４に成膜される
金属磁性膜６も上記金属磁性膜５と同様に、Ｆｅ−Ｍ−
Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層１６が積層された積
層膜３０とされ、さらに、この積層膜３０がＳｉＯ2 等
の非磁性層３１を介して２層以上積層されてなる多層膜
構造とされていることは言うまでもない。
金属磁性膜６も上記金属磁性膜５と同様に、Ｆｅ−Ｍ−
Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層１６が積層された積
層膜３０とされ、さらに、この積層膜３０がＳｉＯ2 等
の非磁性層３１を介して２層以上積層されてなる多層膜
構造とされていることは言うまでもない。
【００４２】そして、本例の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜５，６を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５
の１層当たりの膜厚を０．０５μｍ〜１．０μｍとし、
同じく金属磁性膜５，６を構成するＰｔ層等の貴金属層
１６の１層当たりの平均膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎ
ｍとしている。
属磁性膜５，６を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５
の１層当たりの膜厚を０．０５μｍ〜１．０μｍとし、
同じく金属磁性膜５，６を構成するＰｔ層等の貴金属層
１６の１層当たりの平均膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎ
ｍとしている。
【００４３】さらに、本例の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜５，６中のＰｔ層等の貴金属層１６の膜厚の合
計が上記金属磁性膜５，６の全厚に対して占める割合が
数％以下となるようにしている。
属磁性膜５，６中のＰｔ層等の貴金属層１６の膜厚の合
計が上記金属磁性膜５，６の全厚に対して占める割合が
数％以下となるようにしている。
【００４４】本例の磁気ヘッドにおいては、前述のよう
に、一対の磁気コア半体１，２の磁気ギャップ形成面１
ａ，２ａに、金属磁性膜５，６として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６が積層された積
層膜とされ、さらにこの積層膜がＳｉＯ2 等の非磁性層
３１を２層以上積層されてなる多層膜を形成している。
に、一対の磁気コア半体１，２の磁気ギャップ形成面１
ａ，２ａに、金属磁性膜５，６として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層１５とＰｔ層等の貴金属層１６が積層された積
層膜とされ、さらにこの積層膜がＳｉＯ2 等の非磁性層
３１を２層以上積層されてなる多層膜を形成している。
【００４５】このＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５は、後述
の製造方法において述べるように成膜した後に熱処理を
行ってアモルファス状態から微結晶を生じさせて形成す
るが、本例の磁気ヘッドにおいては、上記Ｐｔ層等の貴
金属層１６の下地効果により、熱処理後に上記Ｆｅ−Ｍ
−Ｎ磁性薄膜層１５に強いα−Ｆｅ（１１０）配向が起
こり、金属磁性膜５，６の磁性の均一性が高まり、軟磁
気特性の向上がなされる。
の製造方法において述べるように成膜した後に熱処理を
行ってアモルファス状態から微結晶を生じさせて形成す
るが、本例の磁気ヘッドにおいては、上記Ｐｔ層等の貴
金属層１６の下地効果により、熱処理後に上記Ｆｅ−Ｍ
−Ｎ磁性薄膜層１５に強いα−Ｆｅ（１１０）配向が起
こり、金属磁性膜５，６の磁性の均一性が高まり、軟磁
気特性の向上がなされる。
【００４６】また、本例の磁気ヘッドにおいては、金属
磁性膜５，６内においてＦｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物が
生じ、磁気的にハードな部分が生じる。この部分は、磁
区の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進さ
れ、金属磁性膜５，６における高周波領域の透磁率が高
まる。
磁性膜５，６内においてＦｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物が
生じ、磁気的にハードな部分が生じる。この部分は、磁
区の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進さ
れ、金属磁性膜５，６における高周波領域の透磁率が高
まる。
【００４７】ここで、上記磁性薄膜の磁区構造を、カー
効果を利用した磁区観察装置にて観察した結果を図５乃
至図７に示す。図５がＦｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜の場合であ
り、図６がＳｉＯ2 等の非磁性層を持たないＦｅ−Ｔａ
−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の場合であり、図
７が（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層）ＳｉＯ
2 等の非磁性層３１からなる積層膜の場合の磁区の構造
の模式図である。
効果を利用した磁区観察装置にて観察した結果を図５乃
至図７に示す。図５がＦｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜の場合であ
り、図６がＳｉＯ2 等の非磁性層を持たないＦｅ−Ｔａ
−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の場合であり、図
７が（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層）ＳｉＯ
2 等の非磁性層３１からなる積層膜の場合の磁区の構造
の模式図である。
【００４８】図７から明らかなように、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
／Ｐｔ積層膜中にＳｉＯ2 等の非磁性層３１を設けるこ
とにより、いわゆる静磁結合膜が構成されることが分か
る。ここで、Ｐｔ層等の貴金属層の厚さを３．０ｎｍと
した場合でも図７と同様な磁区構造をもつ。
／Ｐｔ積層膜中にＳｉＯ2 等の非磁性層３１を設けるこ
とにより、いわゆる静磁結合膜が構成されることが分か
る。ここで、Ｐｔ層等の貴金属層の厚さを３．０ｎｍと
した場合でも図７と同様な磁区構造をもつ。
【００４９】これは、Ｐｔ等の貴金属層１６は磁気的分
断層としての機能は持たないが、ＳｉＯ2 等の非磁性層
３１は磁気的分断層として機能するので、静磁結合膜を
得るためにはＳｉＯ2等の非磁性層３１を設けることが
必要であることが分かる。このような静磁結合膜は少な
くとも２以上設けられるが、２以上の偶数層を設けるこ
とにより上記効果が得られる。
断層としての機能は持たないが、ＳｉＯ2 等の非磁性層
３１は磁気的分断層として機能するので、静磁結合膜を
得るためにはＳｉＯ2等の非磁性層３１を設けることが
必要であることが分かる。このような静磁結合膜は少な
くとも２以上設けられるが、２以上の偶数層を設けるこ
とにより上記効果が得られる。
【００５０】さらに、本例の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜５，６を構成するＰｔ層等の貴金属層１６の１
層当たりの平均膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとし、
金属磁性膜５，６を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１
５の１層当たりの膜厚を０．０５μｍ〜１．０μｍとし
ていることから、Ｐｔ層等の貴金属層１６の下地効果に
よるＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５における上記のような
優先配向が膜全体に亘って生じ易くなる。また、Ｐｔ層
等の貴金属層１６を上記のような厚さとしていることか
ら、これが疑似ギャップとして動作することもない。
属磁性膜５，６を構成するＰｔ層等の貴金属層１６の１
層当たりの平均膜厚を０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍとし、
金属磁性膜５，６を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１
５の１層当たりの膜厚を０．０５μｍ〜１．０μｍとし
ていることから、Ｐｔ層等の貴金属層１６の下地効果に
よるＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５における上記のような
優先配向が膜全体に亘って生じ易くなる。また、Ｐｔ層
等の貴金属層１６を上記のような厚さとしていることか
ら、これが疑似ギャップとして動作することもない。
【００５１】さらにまた、本例の磁気ヘッドにおいて
は、金属磁性膜５，６中のＰｔ層等の貴金属層１６の膜
厚の合計が上記金属磁性膜５，６の全厚に対して占める
割合を数％以下としており、実効的な飽和磁束密度の低
下は非常に小さくなされている。
は、金属磁性膜５，６中のＰｔ層等の貴金属層１６の膜
厚の合計が上記金属磁性膜５，６の全厚に対して占める
割合を数％以下としており、実効的な飽和磁束密度の低
下は非常に小さくなされている。
【００５２】次に、本例の磁気ヘッドを製造する方法に
ついて工程順に説明する。
ついて工程順に説明する。
【００５３】先ず、図８に示すように、例えばＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライトよりなる板状の基板１７を用意する。次
に、図８中に示すように、基板１７の一主面１７ａに断
面略半円状の複数の（図８中においては２箇所とす
る。）トラック幅規制溝１８，１９を形成する。上記ト
ラック幅規制溝１８，１９は基板１７の例えば幅方向に
形成され、トラック幅規制溝１８，１９同士の間には所
定のトラック幅と同じ間隔が形成されることとなる。
ｎ系フェライトよりなる板状の基板１７を用意する。次
に、図８中に示すように、基板１７の一主面１７ａに断
面略半円状の複数の（図８中においては２箇所とす
る。）トラック幅規制溝１８，１９を形成する。上記ト
ラック幅規制溝１８，１９は基板１７の例えば幅方向に
形成され、トラック幅規制溝１８，１９同士の間には所
定のトラック幅と同じ間隔が形成されることとなる。
【００５４】次に、図９に示すように、上記基板１７の
一主面１７ａ上に、先のトラック幅規制溝１８，１９内
も含めて反応防止膜２０を例えばスパッタリング等の手
法により成膜する。本例では反応防止効果の観点から反
応防止膜２０として膜厚４ｎｍのＳｉＯ2 層を形成し
た。
一主面１７ａ上に、先のトラック幅規制溝１８，１９内
も含めて反応防止膜２０を例えばスパッタリング等の手
法により成膜する。本例では反応防止効果の観点から反
応防止膜２０として膜厚４ｎｍのＳｉＯ2 層を形成し
た。
【００５５】続いて、図１０に示すように、上記反応防
止膜２０の上に前述のような組成を有するＦｅ−Ｍ−Ｎ
磁性薄膜層２１を形成する。次いで、図１１に示すよう
に、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１上にＰｔ層等の貴金属
層２２を形成する。さらに、図１２に示すように、上記
Ｐｔ層等の貴金属層２２上に再度Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層２１を形成し、このようにＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１とＰｔ層等の貴金属層２２とＳｉＯ2 等の非磁性層３
１を順次積層形成する。
止膜２０の上に前述のような組成を有するＦｅ−Ｍ−Ｎ
磁性薄膜層２１を形成する。次いで、図１１に示すよう
に、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１上にＰｔ層等の貴金属
層２２を形成する。さらに、図１２に示すように、上記
Ｐｔ層等の貴金属層２２上に再度Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層２１を形成し、このようにＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１とＰｔ層等の貴金属層２２とＳｉＯ2 等の非磁性層３
１を順次積層形成する。
【００５６】そして、図１３に示すように、Ｆｅ−Ｍ−
Ｎ磁性薄膜層２１とＰｔ層等の貴金属層２２を積層し、
さらに、この積層膜がＳｉＯ2 等の非磁性層３１を２層
以上積層させた多層膜である金属磁性膜２３を形成す
る。ただし、この状態では、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１はアモルファス状態をなしている。
Ｎ磁性薄膜層２１とＰｔ層等の貴金属層２２を積層し、
さらに、この積層膜がＳｉＯ2 等の非磁性層３１を２層
以上積層させた多層膜である金属磁性膜２３を形成す
る。ただし、この状態では、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１はアモルファス状態をなしている。
【００５７】なお、本例では、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層
２１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜を形成するも
のとする。すなわち、金属磁性膜２３を（Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁
性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層）ＳｉＯ2
等の非磁性層（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の
貴金属層／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ磁性薄膜層）ＳｉＯ2 等の非磁性層・・・／（Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層／Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜
層）の多層構造とした。
２１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜を形成するも
のとする。すなわち、金属磁性膜２３を（Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁
性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層）ＳｉＯ2
等の非磁性層（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の
貴金属層／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ磁性薄膜層）ＳｉＯ2 等の非磁性層・・・／（Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層／Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層・・・／Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜
層）の多層構造とした。
【００５８】本例では最初の層及び最終の層をＦｅ−Ｔ
ａ−Ｎ磁性薄膜層２１としたが、最初の層及び最終の層
はＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１或いはＰｔ層等の貴金属
層２２の何れでも良く、このようにしても同様な効果が
得られる。本例においては、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層を使用する例につい
て述べたが、Ｍが示す金属の部分が他の金属である例に
おいても同様の効果が得られる。
ａ−Ｎ磁性薄膜層２１としたが、最初の層及び最終の層
はＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１或いはＰｔ層等の貴金属
層２２の何れでも良く、このようにしても同様な効果が
得られる。本例においては、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２
１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層を使用する例につい
て述べたが、Ｍが示す金属の部分が他の金属である例に
おいても同様の効果が得られる。
【００５９】そして、本例では前述のように、反応防止
膜２０のＳｉＯ2 層の膜厚を３ｎｍとし、Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ磁性薄膜層２１とＰｔ層等の貴金属層２２とＳｉＯ2
等の非磁性層３１の多層膜である金属磁性膜２３は、厚
み１．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層２２を介して５層積
層されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属
層の積層膜８枚を厚さ２．０ｎｍのＳｉＯ2 層を介し
て、全膜厚が４μｍとなるように積層した多層膜とされ
ている。
膜２０のＳｉＯ2 層の膜厚を３ｎｍとし、Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ磁性薄膜層２１とＰｔ層等の貴金属層２２とＳｉＯ2
等の非磁性層３１の多層膜である金属磁性膜２３は、厚
み１．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層２２を介して５層積
層されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属
層の積層膜８枚を厚さ２．０ｎｍのＳｉＯ2 層を介し
て、全膜厚が４μｍとなるように積層した多層膜とされ
ている。
【００６０】なお、ここで比較のため、Ｐｔ層等の貴金
属層とＳｉＯ2 等の非磁性層３１を介さない単層で総膜
厚４．０μｍのＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜の磁気ヘ
ッドと、厚さ１．０ｎｍのＰｔ層のみを介して各々４０
層に積層された総膜厚４．０μｍのＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性
薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の磁気ヘッドも作
製した。
属層とＳｉＯ2 等の非磁性層３１を介さない単層で総膜
厚４．０μｍのＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜の磁気ヘ
ッドと、厚さ１．０ｎｍのＰｔ層のみを介して各々４０
層に積層された総膜厚４．０μｍのＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性
薄膜層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の磁気ヘッドも作
製した。
【００６１】さらに、上記基板１７と同様の基板を用意
し、上述の工程と同様にしてトラック幅規制溝，反応防
止膜，金属磁性膜を形成した。ただし、この基板には、
トラック幅規制溝形成面にこれと直交する方向で断面略
コ字状の巻線溝も形成した。
し、上述の工程と同様にしてトラック幅規制溝，反応防
止膜，金属磁性膜を形成した。ただし、この基板には、
トラック幅規制溝形成面にこれと直交する方向で断面略
コ字状の巻線溝も形成した。
【００６２】次いで、磁気ギャップのスペーサーとなる
ＳｉＯ2 膜を各基板の金属磁性膜上にそれぞれ１００ｎ
ｍの厚さで成膜した。
ＳｉＯ2 膜を各基板の金属磁性膜上にそれぞれ１００ｎ
ｍの厚さで成膜した。
【００６３】その後、図１４に示すように、上記基板１
７とこれと同様の巻線溝２４を有する基板２５をトラッ
ク幅規制溝１８，１９，２６，２７の位置合わせを行っ
て突き合わせた。そして、上記巻線溝２４内にガラス棒
を差し込んで加熱処理してガラス融着し、これら基板１
７，２５同士を接合一体化した。
７とこれと同様の巻線溝２４を有する基板２５をトラッ
ク幅規制溝１８，１９，２６，２７の位置合わせを行っ
て突き合わせた。そして、上記巻線溝２４内にガラス棒
を差し込んで加熱処理してガラス融着し、これら基板１
７，２５同士を接合一体化した。
【００６４】上記のようなガラス融着のための加熱処理
によりＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１においてアモルファ
ス状態から微結晶が形成されて、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶
磁性薄膜となる。
によりＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１においてアモルファ
ス状態から微結晶が形成されて、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶
磁性薄膜となる。
【００６５】そしてこのとき、Ｐｔ層等の貴金属層２２
の下地効果により、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜であ
るＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１には強いα−Ｆｅ（１１
０）配向が起こり、金属磁性膜２３の磁性の均一性が高
まり、軟磁気特性の向上がなされる。
の下地効果により、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜であ
るＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１には強いα−Ｆｅ（１１
０）配向が起こり、金属磁性膜２３の磁性の均一性が高
まり、軟磁気特性の向上がなされる。
【００６６】また、このとき、金属磁性膜２３内におい
てはＦｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物が生じ、磁気的にハー
ドな部分が生じる。この部分は、磁区の移動を防止する
働きをするため、回転磁化が促進され、金属磁性膜２３
における高周波領域の透磁率が高まる。
てはＦｅ−Ｐｔ等の貴金属化合物が生じ、磁気的にハー
ドな部分が生じる。この部分は、磁区の移動を防止する
働きをするため、回転磁化が促進され、金属磁性膜２３
における高周波領域の透磁率が高まる。
【００６７】なお、本例においては、前述のように、巻
線溝２４が形成されている基板２５においても、トラッ
ク幅規制溝２６，２７内及び巻線溝２５内に、反応防止
膜２８としてＳｉＯ2 膜を成膜し、その上にＦｅ−Ｔａ
−Ｎ微結晶磁性薄膜であるＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１
とＰｔ層等の貴金属層とＳｉＯ2 等の非磁性層３１の多
層膜である金属磁性薄膜２９が成膜されている。しかし
ながら、磁性膜の膜応力によるガラス割れ等の不良低減
を目的として、上記のような各膜をスパッタリング等の
手法により形成する際に、巻線溝２４内の全面が成膜さ
れないようにマスクを使用しても再生出力に影響はな
い。
線溝２４が形成されている基板２５においても、トラッ
ク幅規制溝２６，２７内及び巻線溝２５内に、反応防止
膜２８としてＳｉＯ2 膜を成膜し、その上にＦｅ−Ｔａ
−Ｎ微結晶磁性薄膜であるＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２１
とＰｔ層等の貴金属層とＳｉＯ2 等の非磁性層３１の多
層膜である金属磁性薄膜２９が成膜されている。しかし
ながら、磁性膜の膜応力によるガラス割れ等の不良低減
を目的として、上記のような各膜をスパッタリング等の
手法により形成する際に、巻線溝２４内の全面が成膜さ
れないようにマスクを使用しても再生出力に影響はな
い。
【００６８】そして、最後に磁気記録媒体対接面となる
主面を円筒研削した後、図１４中に示すａ−ａ線および
ｂ−ｂ線で示す位置でスライシングを行い、図１及び図
２に示したような磁気ヘッドを完成する。
主面を円筒研削した後、図１４中に示すａ−ａ線および
ｂ−ｂ線で示す位置でスライシングを行い、図１及び図
２に示したような磁気ヘッドを完成する。
【００６９】なお、ここでは、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層
２１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜を使用した例
について述べたが、Ｍで示す金属の部分が他の金属であ
っても同様の作用効果を有し、同様にして製造される。
２１としてＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁性薄膜を使用した例
について述べたが、Ｍで示す金属の部分が他の金属であ
っても同様の作用効果を有し、同様にして製造される。
【００７０】また、本発明が、上述のような磁気ヘッド
のみならず、本発明の思想を逸脱することのない範囲内
で種々の磁気ヘッドに適用可能であることは言うまでも
ない。
のみならず、本発明の思想を逸脱することのない範囲内
で種々の磁気ヘッドに適用可能であることは言うまでも
ない。
【００７１】さらに、上述の例では、本発明を金属磁性
薄膜が磁気ギャップと平行に配されている磁気ヘッドに
対して適用した例について述べたが、本発明が、例えば
斜めに削り落とした磁気ギャップの形成面の斜面にそれ
ぞれ成膜した金属磁性膜同士の突き合わせ面に磁気ギャ
ップが構成される磁気ヘッドや、磁気ギャップがアジマ
ス角を有している磁気ヘッドに対しても適用可能である
ことは言うまでもない。
薄膜が磁気ギャップと平行に配されている磁気ヘッドに
対して適用した例について述べたが、本発明が、例えば
斜めに削り落とした磁気ギャップの形成面の斜面にそれ
ぞれ成膜した金属磁性膜同士の突き合わせ面に磁気ギャ
ップが構成される磁気ヘッドや、磁気ギャップがアジマ
ス角を有している磁気ヘッドに対しても適用可能である
ことは言うまでもない。
【００７２】
【実施例】以下、本発明を適用した好適な実施例につい
て実験結果に基づいて説明する。
て実験結果に基づいて説明する。
【００７３】本実験例においては、金属磁性膜中のＦｅ
−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層が５層、厚さ１ｎｍのＰｔ層を介し
て積層された積層膜８枚を厚さ２．０ｎｍのＳｉＯ2 等
の非磁性層を２層介在させて積層された総膜厚４．０μ
ｍの多層膜を５５０°Ｃで熱処理を施した後のＸ線回折
パターンを調査した。結果を図１５に示す。また、図１
５中には、比較のために、基板上に膜厚４．０μｍのＦ
ｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層のみを形成した単層膜の結果も併
せて示す。
−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層が５層、厚さ１ｎｍのＰｔ層を介し
て積層された積層膜８枚を厚さ２．０ｎｍのＳｉＯ2 等
の非磁性層を２層介在させて積層された総膜厚４．０μ
ｍの多層膜を５５０°Ｃで熱処理を施した後のＸ線回折
パターンを調査した。結果を図１５に示す。また、図１
５中には、比較のために、基板上に膜厚４．０μｍのＦ
ｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層のみを形成した単層膜の結果も併
せて示す。
【００７４】図１５を見て明らかなように、（Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層）／ＳｉＯ2 の多層膜の
方がα−Ｆｅ（１１０）面のピークが大きくなることが
分かる。すなわち、このようにＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁
性薄膜をＰｔ層等の貴金属層を介して積層することによ
り、α−Ｆｅ（１１０）面の配向が強まり、特に膜厚方
向の軟磁気特性が改善されると考えられる。上記現象
は、Ｐｔ以外のＡｕ，Ａｇ，Ｐｄの貴金属元素でも同様
に観察される。
ａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層）／ＳｉＯ2 の多層膜の
方がα−Ｆｅ（１１０）面のピークが大きくなることが
分かる。すなわち、このようにＦｅ−Ｔａ−Ｎ微結晶磁
性薄膜をＰｔ層等の貴金属層を介して積層することによ
り、α−Ｆｅ（１１０）面の配向が強まり、特に膜厚方
向の軟磁気特性が改善されると考えられる。上記現象
は、Ｐｔ以外のＡｕ，Ａｇ，Ｐｄの貴金属元素でも同様
に観察される。
【００７５】そして、上述の製造方法により作製した磁
気ヘッドの再生出力の比較結果を図１６に示す。比較し
た磁気ヘッドは、厚み１．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層
を介して５層積層されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ／Ｐｔ層等の貴
金属層の積層膜８枚を厚み２．０ｎｍのＳｉＯ2 層を２
層介在させて積層された軟磁性積層膜を有する磁気ヘッ
ドと、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層を厚み１．０ｎｍのＰ
ｔ層等の貴金属層を介して４０層（上記磁気ヘッドとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層の総数は同じ）積層された軟磁
性積層膜を有する磁気ヘッドと、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜
の磁気ヘッドである。これらは、いずれも軟磁性膜の総
膜厚みは４．０ｎｍである。
気ヘッドの再生出力の比較結果を図１６に示す。比較し
た磁気ヘッドは、厚み１．０ｎｍのＰｔ層等の貴金属層
を介して５層積層されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ／Ｐｔ層等の貴
金属層の積層膜８枚を厚み２．０ｎｍのＳｉＯ2 層を２
層介在させて積層された軟磁性積層膜を有する磁気ヘッ
ドと、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層を厚み１．０ｎｍのＰ
ｔ層等の貴金属層を介して４０層（上記磁気ヘッドとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層の総数は同じ）積層された軟磁
性積層膜を有する磁気ヘッドと、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜
の磁気ヘッドである。これらは、いずれも軟磁性膜の総
膜厚みは４．０ｎｍである。
【００７６】図１６には、膜厚４ｎｍの単層膜の磁気ヘ
ッドの再生出力を０ｄＢとした比較出力の値が示してあ
る。記録ヘッドには、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉをギャッ
プ面に平行に成膜したメタル・イン・ギャップ型の磁気
ヘッドを用いた。
ッドの再生出力を０ｄＢとした比較出力の値が示してあ
る。記録ヘッドには、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉをギャッ
プ面に平行に成膜したメタル・イン・ギャップ型の磁気
ヘッドを用いた。
【００７７】この図１６から明らかなように、磁性層を
α−Ｆｅ（１１０）面の配向が強くなると、再生出力が
向上するが、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴
金属層の積層膜をＳｉＯ2 層等の非磁性層を介して積層
させることにより、高周波領域でのヘッド特性が改善さ
れていることが分かる。
α−Ｆｅ（１１０）面の配向が強くなると、再生出力が
向上するが、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性薄膜層／Ｐｔ層等の貴
金属層の積層膜をＳｉＯ2 層等の非磁性層を介して積層
させることにより、高周波領域でのヘッド特性が改善さ
れていることが分かる。
【００７８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体のうち
少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面
に、金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ
層等の貴金属層が積層された積層膜を形成しており、こ
の磁気ヘッドの製造工程においてＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層を成膜した後に熱処理を行ってアモルファス状態から
微結晶を形成させる際には、Ｐｔ層等の貴金属層の下地
効果により、熱処理後のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強い
α−Ｆｅ（１１０）配向を起こすこととなり、金属磁性
膜の磁性の均一性が高まり、軟磁気特性の向上がなされ
るが、さらに、この積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれかからなる層を介して２層以
上積層されてなることにより、静磁結合膜が形成される
ために、磁性の均一性が高まり高い周波数領域までの軟
磁気特性が膜全体として改善される。
明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体のうち
少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面
に、金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ
層等の貴金属層が積層された積層膜を形成しており、こ
の磁気ヘッドの製造工程においてＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層を成膜した後に熱処理を行ってアモルファス状態から
微結晶を形成させる際には、Ｐｔ層等の貴金属層の下地
効果により、熱処理後のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強い
α−Ｆｅ（１１０）配向を起こすこととなり、金属磁性
膜の磁性の均一性が高まり、軟磁気特性の向上がなされ
るが、さらに、この積層膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれかからなる層を介して２層以
上積層されてなることにより、静磁結合膜が形成される
ために、磁性の均一性が高まり高い周波数領域までの軟
磁気特性が膜全体として改善される。
【００７９】従って、本発明の磁気ヘッドにおいては、
再生出力が大幅に向上され、その工業的価値は非常に高
い。
再生出力が大幅に向上され、その工業的価値は非常に高
い。
【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの金属磁性膜の一
例を拡大して示す断面図である。
例を拡大して示す断面図である。
【図４】本発明を適用した磁気ヘッドの金属磁性膜の他
の例を拡大して示す断面図である。
の例を拡大して示す断面図である。
【図５】磁性薄膜の磁区構造を磁気カー効果を利用した
磁区の構造の模式図であり、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜の場
合のものである。
磁区の構造の模式図であり、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ単層膜の場
合のものである。
【図６】磁性薄膜の磁区構造を磁気カー効果を利用した
磁区の構造の模式図であり、ＳｉＯ2 層を持たないＦｅ
−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の場合のも
のである。
磁区の構造の模式図であり、ＳｉＯ2 層を持たないＦｅ
−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ層等の貴金属層の積層膜の場合のも
のである。
【図７】磁性薄膜の磁区構造を磁気カー効果を利用した
磁区の構造の模式図であり、（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ
層等の貴金属層）ＳｉＯ2 等の非磁性層の場合のもので
ある。
磁区の構造の模式図であり、（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ層／Ｐｔ
層等の貴金属層）ＳｉＯ2 等の非磁性層の場合のもので
ある。
【図８】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板にトラック幅規制溝を形成す
る工程を示す斜視図である。
順に示すものであり、基板にトラック幅規制溝を形成す
る工程を示す斜視図である。
【図９】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板に反応防止膜を形成する工程
を示す斜視図である。
順に示すものであり、基板に反応防止膜を形成する工程
を示す斜視図である。
【図１０】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、反応防止膜上にＦｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層を形成する工程を拡大して示す斜視図である。
程順に示すものであり、反応防止膜上にＦｅ−Ｍ−Ｎ磁
性薄膜層を形成する工程を拡大して示す斜視図である。
【図１１】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層上にＰ
ｔ層等の貴金属層を形成する工程を拡大して示す斜視図
である。
程順に示すものであり、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層上にＰ
ｔ層等の貴金属層を形成する工程を拡大して示す斜視図
である。
【図１２】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、Ｐｔ層等の貴金属層上にＦｅ−
Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を形成する工程を拡大して示す斜視図
である。
程順に示すものであり、Ｐｔ層等の貴金属層上にＦｅ−
Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を形成する工程を拡大して示す斜視図
である。
【図１３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、基板上に反応防止膜、金属磁性
膜が形成された状態を示す斜視図である。
程順に示すものであり、基板上に反応防止膜、金属磁性
膜が形成された状態を示す斜視図である。
【図１４】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、基板同士を接合一体化する工程
を示す斜視図である。
程順に示すものであり、基板同士を接合一体化する工程
を示す斜視図である。
【図１５】金属磁性膜のＸ線回折パターンを示すチャー
トである。
トである。
【図１６】本発明を適用した磁気ヘッドの再生出力と比
較例の再生出力を比較して示す特性図である。
較例の再生出力を比較して示す特性図である。
１，２ 磁気コア半体、３，４ 磁気コア基板、５，
６，２３，２９ 金属磁性薄膜、１３，１４，２０，２
８ 反応防止膜、１５，２１ Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層、１６，２２ Ｐｔ層等の貴金属層、３０ Ｆｅ−Ｍ
−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層の積層構造、３１
ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれか
からなる層
６，２３，２９ 金属磁性薄膜、１３，１４，２０，２
８ 反応防止膜、１５，２１ Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜
層、１６，２２ Ｐｔ層等の貴金属層、３０ Ｆｅ−Ｍ
−Ｎ磁性薄膜層とＰｔ層等の貴金属層の積層構造、３１
ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれか
からなる層
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形成
面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気コ
ア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャ
ップ形成面に金属磁性膜が成膜されてなる磁気ヘッドに
おいて、 上記金属磁性膜がＦｅx Ｍy Ｎz （ただし、ＭはＴａ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうちの少なくとも
一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示し、これ
らがそれぞれ、７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ
≦１６である。）なる組成からなる磁性薄膜層とＰｔ，
Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類以上からなる
層とが交互に積層された積層膜とされ、さらにこの積層
膜がＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのうちのいずれ
かからなる層を介して２層以上積層されてなることを特
徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒのう
ちのいずれかからなる層の１層当たりの膜厚が０．５μ
ｍ〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 金属磁性膜を構成するＰｔ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｄのうち少なくとも１種類以上からなる層の１層
当たりの平均膜厚が０．３ｎｍ〜１０．０ｎｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 金属磁性膜を構成する磁性薄膜層の１層
当たりの膜厚が０．０５μｍ〜１．０μｍであることを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108186A JPH09293207A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 磁気ヘッド |
| US08/847,761 US5862023A (en) | 1996-04-26 | 1997-04-23 | Metal in gap magnetic head having metal magnetic film including precious metal layer |
| TW086105340A TW394938B (en) | 1996-04-26 | 1997-04-24 | Magnetic head |
| CN97109730A CN1166020A (zh) | 1996-04-26 | 1997-04-25 | 磁头 |
| KR1019970015534A KR970071489A (ko) | 1996-04-26 | 1997-04-25 | 자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108186A JPH09293207A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
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