JPH0610852B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0610852B2 JPH0610852B2 JP57137565A JP13756582A JPH0610852B2 JP H0610852 B2 JPH0610852 B2 JP H0610852B2 JP 57137565 A JP57137565 A JP 57137565A JP 13756582 A JP13756582 A JP 13756582A JP H0610852 B2 JPH0610852 B2 JP H0610852B2
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- JP
- Japan
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- magnetoresistive effect
- effect element
- insulating layer
- layer
- magnetic head
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は、磁気記録装置に係り、とくに磁気テープ装置
あるいは磁気ディスク装置における再生専用の磁気ヘッ
ドに関する。
あるいは磁気ディスク装置における再生専用の磁気ヘッ
ドに関する。
（ｂ）技術の背景 磁気記録装置における高密度記録化にともなって薄膜型
の磁気ヘッドが用いられるようになりつつあるが，その
うちで磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドは構造が簡単
であり、また比較的大きな出力信号が得られることから
再生専用ヘッドとして実用化が期待されている。
の磁気ヘッドが用いられるようになりつつあるが，その
うちで磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドは構造が簡単
であり、また比較的大きな出力信号が得られることから
再生専用ヘッドとして実用化が期待されている。
（ｃ）従来技術と問題点 磁気抵抗効果型磁気ヘッドは一定方向に磁化容易軸をそ
ろえて形成された強磁性体膜の磁化が、その近傍を通過
する外部磁界（例えば磁気記録媒体に記録されている磁
気信号）によって変化し、該強磁性体膜の抵抗が変化す
る現象を利用するものである。
ろえて形成された強磁性体膜の磁化が、その近傍を通過
する外部磁界（例えば磁気記録媒体に記録されている磁
気信号）によって変化し、該強磁性体膜の抵抗が変化す
る現象を利用するものである。
このような磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、第１図
に示すように例えばガラスあるいはSiO2等から成る非磁
性の基板３上に例えばNiFe等の強磁性体膜から成る２つ
の磁気抵抗効果素子１および２を例えばSiO2等から成る
絶縁層４を介して設け、それぞれの磁気抵抗効果素子１
および２に同方向の電流を流し、この電流によって２つ
の磁気抵抗効果素子が相互にバイアス磁界を印加し合う
形式のものがある。
に示すように例えばガラスあるいはSiO2等から成る非磁
性の基板３上に例えばNiFe等の強磁性体膜から成る２つ
の磁気抵抗効果素子１および２を例えばSiO2等から成る
絶縁層４を介して設け、それぞれの磁気抵抗効果素子１
および２に同方向の電流を流し、この電流によって２つ
の磁気抵抗効果素子が相互にバイアス磁界を印加し合う
形式のものがある。
なお、第１図において５および６はそれぞれ下部シール
ド層および上部シール層で双方ともに例えばNiFe等の強
磁性体膜からなり、また、７および８はシールド層５お
よび６と磁気抵抗効果素子２および１とを電気的に絶縁
する例えばSiO2等から成る絶縁層であり、さらにまた、
９は磁気ディスク等の記録媒体であって矢印の方向へ走
行する。
ド層および上部シール層で双方ともに例えばNiFe等の強
磁性体膜からなり、また、７および８はシールド層５お
よび６と磁気抵抗効果素子２および１とを電気的に絶縁
する例えばSiO2等から成る絶縁層であり、さらにまた、
９は磁気ディスク等の記録媒体であって矢印の方向へ走
行する。
第１図に示す磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、磁
気抵抗効果素子１および２が相互に印加し合うバイアス
磁界の方向は第２図に破線矢印で示すように、180度反
転している。
気抵抗効果素子１および２が相互に印加し合うバイアス
磁界の方向は第２図に破線矢印で示すように、180度反
転している。
ところで、一般に磁気抵抗効果素子においては、磁化の
方向と磁気抵抗効果素子を流流れる電流の方向とのなす
角が45度の近傍において最も高い感度が得られる。した
がって、第２図において磁気抵抗効果素子１および２に
流す電流ｉを適当に選ぶことによって動作点、すなわち
上記のように磁気抵抗効果素子を流れる電流の方向に対
する磁化方向のなす角度を、一方の磁気抵抗効果素子に
おいは＋45度近傍に、他方の磁気抵抗効果素子において
は−45度近傍に設定することができる。
方向と磁気抵抗効果素子を流流れる電流の方向とのなす
角が45度の近傍において最も高い感度が得られる。した
がって、第２図において磁気抵抗効果素子１および２に
流す電流ｉを適当に選ぶことによって動作点、すなわち
上記のように磁気抵抗効果素子を流れる電流の方向に対
する磁化方向のなす角度を、一方の磁気抵抗効果素子に
おいは＋45度近傍に、他方の磁気抵抗効果素子において
は−45度近傍に設定することができる。
このようにして、本形式の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいては、外部からのバイアス磁界が不要となる。ま
た、第３図（Ａ）に示すように外部磁気信号Ｓに対する
第１の磁気抵抗効果素子２の出力信号R1と第２の磁気抵
抗効果素子１の出力信号R2は逆極性となっており、これ
を差動増幅器により差を採れば第３図（Ｂ）に示すよう
に磁気抵抗効果素子が１つの時よりも大きな出力信号Ｒ
が得られる。
おいては、外部からのバイアス磁界が不要となる。ま
た、第３図（Ａ）に示すように外部磁気信号Ｓに対する
第１の磁気抵抗効果素子２の出力信号R1と第２の磁気抵
抗効果素子１の出力信号R2は逆極性となっており、これ
を差動増幅器により差を採れば第３図（Ｂ）に示すよう
に磁気抵抗効果素子が１つの時よりも大きな出力信号Ｒ
が得られる。
なお、第３図（Ａ）において、曲線Ｃ磁気抵抗効果素子
の抵抗率（ρ）と上述した電流の方向に対する磁化の方
向のなす角（θ）との関係を示し、Δρｍは抵抗率変化
の最大値である。
の抵抗率（ρ）と上述した電流の方向に対する磁化の方
向のなす角（θ）との関係を示し、Δρｍは抵抗率変化
の最大値である。
さて、上記のような形式の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
製造する場合、従来は基板上に前記シールド層５、前記
絶縁層７、第１の磁気抵抗効果素子２を形成するための
強磁性体膜とを順次成膜した後、フォトエッチングによ
って前記強磁性体膜をエッチングし、第４図に示すよう
なパターンを有する第１の磁気抵抗効果素子２を形成す
る。その後、この上に前記絶縁層４と、第２の磁気抵抗
効果素子１を形成するための強磁性体膜を成膜し、フォ
トエッチングにより磁気抵抗効果素子２と同形状の第２
の磁気抵抗効果素子１を形成する。
製造する場合、従来は基板上に前記シールド層５、前記
絶縁層７、第１の磁気抵抗効果素子２を形成するための
強磁性体膜とを順次成膜した後、フォトエッチングによ
って前記強磁性体膜をエッチングし、第４図に示すよう
なパターンを有する第１の磁気抵抗効果素子２を形成す
る。その後、この上に前記絶縁層４と、第２の磁気抵抗
効果素子１を形成するための強磁性体膜を成膜し、フォ
トエッチングにより磁気抵抗効果素子２と同形状の第２
の磁気抵抗効果素子１を形成する。
本形式の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、周波数
特性および感度の点から、絶縁層４の厚さはできるだけ
小さいことが望ましい。
特性および感度の点から、絶縁層４の厚さはできるだけ
小さいことが望ましい。
しかしながら、上記従来の製造工程によれば、第１の磁
気抵抗効果素子２を形成するためのエッチング工程ある
いはこれとその後に行われる絶縁層４の成膜工程との間
における塵埃の混入あるいは付着のために、絶縁層４は
その厚さが小さくなるにともなって絶縁破壊等の不良が
多発しやすくなること、また、フォトエッチング工程に
おいて使用したフォトレジストの残渣等により磁気抵抗
効果素子２の成膜時の下地に凹凸が生じ、かつ成形され
た磁気抵抗効果素子２のエッジプロフィールが不均一に
なるために反磁界の消去が不充分になる等磁気特性の劣
化を引き起しやすくなること、さらにまた、磁気抵抗効
果素子２および１を個別に成形するために、両者間のパ
ターンずれを生じ、前記と同様の磁気特性の劣化を生じ
やすい等の欠点があり、これらはまた、製品の歩留りを
引き下げ製造コストを引き上げる欠点ともなっていた。
気抵抗効果素子２を形成するためのエッチング工程ある
いはこれとその後に行われる絶縁層４の成膜工程との間
における塵埃の混入あるいは付着のために、絶縁層４は
その厚さが小さくなるにともなって絶縁破壊等の不良が
多発しやすくなること、また、フォトエッチング工程に
おいて使用したフォトレジストの残渣等により磁気抵抗
効果素子２の成膜時の下地に凹凸が生じ、かつ成形され
た磁気抵抗効果素子２のエッジプロフィールが不均一に
なるために反磁界の消去が不充分になる等磁気特性の劣
化を引き起しやすくなること、さらにまた、磁気抵抗効
果素子２および１を個別に成形するために、両者間のパ
ターンずれを生じ、前記と同様の磁気特性の劣化を生じ
やすい等の欠点があり、これらはまた、製品の歩留りを
引き下げ製造コストを引き上げる欠点ともなっていた。
（ｄ）発明の目的 本発明は、上記従来の製造方法の欠点を除去し、周波数
特性、感度ならびに経済性のすぐれた磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
特性、感度ならびに経済性のすぐれた磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
（ｅ）発明の構成 上記目的は本発明により、基板上に第１絶縁層、第１の
磁気抵抗効果素子層、第２絶縁層、第２の磁気抵抗効果
素子層を順次連続して成膜する工程、第２磁気抵抗効果
素子層において、第１磁気抵抗効果素子層への端子取出
窓位置に対応する部分をエッチングする工程、第１磁気
抵抗効果素子層、第２絶縁層及び第２磁気抵抗効果素子
層を最終の磁気ヘッド形状にエッチングする工程、第３
絶縁層を被着し、この絶縁層及び第２絶縁層をエッチン
グして、第１及び第２磁気抵抗効果素子膜へ端子取出窓
としてのスルーホールを形成する工程を含むことを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によって達
成される。
磁気抵抗効果素子層、第２絶縁層、第２の磁気抵抗効果
素子層を順次連続して成膜する工程、第２磁気抵抗効果
素子層において、第１磁気抵抗効果素子層への端子取出
窓位置に対応する部分をエッチングする工程、第１磁気
抵抗効果素子層、第２絶縁層及び第２磁気抵抗効果素子
層を最終の磁気ヘッド形状にエッチングする工程、第３
絶縁層を被着し、この絶縁層及び第２絶縁層をエッチン
グして、第１及び第２磁気抵抗効果素子膜へ端子取出窓
としてのスルーホールを形成する工程を含むことを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によって達
成される。
（ｆ）発明の実施例 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第５図以下は本発明の好適な一実施例を説明するための
図であり、それぞれにおいて（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）において一点鎖線で示す部分の断面図である。こ
れらの図において、既掲の図と同じものには同一符号を
付してある。
図であり、それぞれにおいて（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）において一点鎖線で示す部分の断面図である。こ
れらの図において、既掲の図と同じものには同一符号を
付してある。
第５図において、基板３上に密着層（後続して成膜され
る下部シールド層５と基板３との付着強度を上げるため
の層）として５００Åの厚さのAl・Cu合金層および1000
Åの厚さのTi層（いずれも図示省略）を形成した後、Ni
Feから成る下部シールド層５を厚さ２μｍ、SiO2から成
る第１絶縁層７を厚さ0.3μｍ、NiFeから成りかつ第１
の磁気抵抗効果素子となる第１の強磁性体膜100を厚さ5
00Å、SiO2から成る第２絶縁層４を厚さ0.3μｍ、NiFe
から成りかつ第２の磁気抵抗効果素子となる第２の強磁
性体膜200を厚さ500Åに形成する。
る下部シールド層５と基板３との付着強度を上げるため
の層）として５００Åの厚さのAl・Cu合金層および1000
Åの厚さのTi層（いずれも図示省略）を形成した後、Ni
Feから成る下部シールド層５を厚さ２μｍ、SiO2から成
る第１絶縁層７を厚さ0.3μｍ、NiFeから成りかつ第１
の磁気抵抗効果素子となる第１の強磁性体膜100を厚さ5
00Å、SiO2から成る第２絶縁層４を厚さ0.3μｍ、NiFe
から成りかつ第２の磁気抵抗効果素子となる第２の強磁
性体膜200を厚さ500Åに形成する。
ここまでの工程において、SiO2から成る絶縁層４および
７は一般にスパッタリングにより、その他の密着層、下
部シールド層５、強磁性体膜100および200はスパッタリ
ングもしくは蒸着によって形成され、各層の生成ごとに
大気中に取り出すことなく成膜することも可能である。
７は一般にスパッタリングにより、その他の密着層、下
部シールド層５、強磁性体膜100および200はスパッタリ
ングもしくは蒸着によって形成され、各層の生成ごとに
大気中に取り出すことなく成膜することも可能である。
第５図において、強磁性体膜200はフォトエッチングに
より、同図（Ａ）にハッチを付して示した形状に成形し
た状態を示してあるが、これは後述する磁気抵抗効果素
子１の端子取出窓を避けるようにあらかじめ強磁性体膜
200を除去しておくためであって、高度のパターン精度
は必要としない。
より、同図（Ａ）にハッチを付して示した形状に成形し
た状態を示してあるが、これは後述する磁気抵抗効果素
子１の端子取出窓を避けるようにあらかじめ強磁性体膜
200を除去しておくためであって、高度のパターン精度
は必要としない。
つぎに、イオンミリング（Arイオン等を加速して物体に
照射して切削等の加工を行う乾式のエッチング方法）に
より強磁性体膜100および200と絶縁層４を第６図に300
で示した形状に一括して成形する。
照射して切削等の加工を行う乾式のエッチング方法）に
より強磁性体膜100および200と絶縁層４を第６図に300
で示した形状に一括して成形する。
ここまでの工程によって、強磁性体膜100および200はそ
れぞれ磁気抵抗効果素子１および２としてのほぼ最終形
状に成形されている。
れぞれ磁気抵抗効果素子１および２としてのほぼ最終形
状に成形されている。
さて上記に引続き、第７図に示すように下部シールド層
５および絶縁層７の余分な部分をイオンミリングにより
除去する。この上に、第８図に示すように、SiO2から成
る第３絶縁層８を0.3μｍの厚さに全面にわたって成膜
した後、その一部表面にNiFeから成る上部シールド層６
を２μｍの厚さに帯状に成膜する。
５および絶縁層７の余分な部分をイオンミリングにより
除去する。この上に、第８図に示すように、SiO2から成
る第３絶縁層８を0.3μｍの厚さに全面にわたって成膜
した後、その一部表面にNiFeから成る上部シールド層６
を２μｍの厚さに帯状に成膜する。
さらに第９図に示すように、SiO2から成る保護層10を１
μｍの厚さに全面にわたって成膜した後、端子取出窓11
および12の部分の絶縁層をフォトエッチングにより除去
し、磁気抵抗効果素子１および２の端子部分を露出させ
る。
μｍの厚さに全面にわたって成膜した後、端子取出窓11
および12の部分の絶縁層をフォトエッチングにより除去
し、磁気抵抗効果素子１および２の端子部分を露出させ
る。
上記のようにして設けられた端子取出窓11および12を通
じて磁気抵抗効果素子１および２の端子部分と導通する
ようにして、Al等から成る端子層13、14および15を第10
図に示すように設ける。なお端子層15は磁気抵抗効果素
子１および２それぞれの一方の端子部分に共通して接続
される共通端子である。
じて磁気抵抗効果素子１および２の端子部分と導通する
ようにして、Al等から成る端子層13、14および15を第10
図に示すように設ける。なお端子層15は磁気抵抗効果素
子１および２それぞれの一方の端子部分に共通して接続
される共通端子である。
最後に、第10図におけるＸ−Ｘ線に沿って切断し、その
切断面を研磨加工することによって磁気抵抗効果素子１
および２は第４図に示した最終形状に成形され、磁気抵
抗効果型磁気ヘッドが完成される。
切断面を研磨加工することによって磁気抵抗効果素子１
および２は第４図に示した最終形状に成形され、磁気抵
抗効果型磁気ヘッドが完成される。
なお、上記において非磁性の基板３の代りにフェライト
等の磁性基板を用いれば下部シールド層５の形成を省略
でき、工程を簡略化可能であることは言うまでもない。
等の磁性基板を用いれば下部シールド層５の形成を省略
でき、工程を簡略化可能であることは言うまでもない。
（ｇ）発明の効果 本発明によれば、２つの磁気抵抗効果素子の間の絶縁層
の厚さを従来の製造方法による場合における厚さ、およ
そ0.5μｍよりも小さくすることが可能であり、またこ
れらの磁気抵抗効果素子のエッジプロフィールを均一に
でき、かつこれら相互の重なりのずれを無くすことが可
能であり、これによって再生出力が大きく周波数特性が
すぐれた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供できる効果が
ある。
の厚さを従来の製造方法による場合における厚さ、およ
そ0.5μｍよりも小さくすることが可能であり、またこ
れらの磁気抵抗効果素子のエッジプロフィールを均一に
でき、かつこれら相互の重なりのずれを無くすことが可
能であり、これによって再生出力が大きく周波数特性が
すぐれた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供できる効果が
ある。
また、従来の方法に比して製品の歩留りの向上および工
程数の低減が可能となり、これにより低コストの磁気ヘ
ッドを提供できる効果がある。
程数の低減が可能となり、これにより低コストの磁気ヘ
ッドを提供できる効果がある。
第１図は２つの磁気抵抗効果素子を設けた磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの基本構成を示す模式図、第２図および第
３図は第１図に示す構成の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
動作の概要を説明するための図、第４図は第１図に示す
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の
形状の例を示す模式図、第５図から第10図は本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程を説明するため
の模式図である。 図において、１および２は磁気抵抗効果素子、３は基
板、４、７および８は絶縁層、５は下部シールド層、６
は上部シールド層、９は記録媒体、10は保護絶縁層、11
および12は端子取出窓、13、14および15は端子層、100
および200は強磁性体膜、300は一括成型された磁気抵抗
効果素子の形状である。
型磁気ヘッドの基本構成を示す模式図、第２図および第
３図は第１図に示す構成の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
動作の概要を説明するための図、第４図は第１図に示す
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の
形状の例を示す模式図、第５図から第10図は本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程を説明するため
の模式図である。 図において、１および２は磁気抵抗効果素子、３は基
板、４、７および８は絶縁層、５は下部シールド層、６
は上部シールド層、９は記録媒体、10は保護絶縁層、11
および12は端子取出窓、13、14および15は端子層、100
および200は強磁性体膜、300は一括成型された磁気抵抗
効果素子の形状である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久米 富美夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−58515（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−86124（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第１絶縁層、第１の磁気抵抗効果
素子層、第２絶縁層、第２の磁気抵抗効果素子層を順次
連続して成膜する工程、第２磁気抵抗効果素子層におい
て、第１磁気抵抗効果素子層への端子取出窓位置に対応
する部分をエッチングする工程、第１磁気抵抗効果素子
層、第２絶縁層及び第２磁気抵抗効果素子層を最終の磁
気ヘッド形状にエッチングする工程、第３絶縁層を被着
し、この絶縁層及び第２絶縁層をエッチングして、第１
及び第２磁気抵抗効果素子膜へ端子取出窓としてのスル
ーホールを形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137565A JPH0610852B2 (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137565A JPH0610852B2 (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928213A JPS5928213A (ja) | 1984-02-14 |
| JPH0610852B2 true JPH0610852B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15201686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137565A Expired - Lifetime JPH0610852B2 (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610852B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258515A (en) * | 1975-11-08 | 1977-05-14 | Nec Corp | Magnetic resistance effect head |
| JPS5786124A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic resistance effect type magnetic head and its manufacture |
-
1982
- 1982-08-07 JP JP57137565A patent/JPH0610852B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5928213A (ja) | 1984-02-14 |
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