JPH06110080A - アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法Info
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- JPH06110080A JPH06110080A JP25840492A JP25840492A JPH06110080A JP H06110080 A JPH06110080 A JP H06110080A JP 25840492 A JP25840492 A JP 25840492A JP 25840492 A JP25840492 A JP 25840492A JP H06110080 A JPH06110080 A JP H06110080A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ソース・ドレイン領域に注入された不純物を
金属製のゲート電極に対して自己整合的にレーザ照射で
活性化する薄膜トランジスタの製造方法。 【効果】 オフ電流が極めて小さな薄膜トランジスタを
大面積のガラス基板上に製作でき、高精細、高コントラ
スト、高開口率、無欠陥のアクティブマトリクス型液晶
表示体を製造することができる。
金属製のゲート電極に対して自己整合的にレーザ照射で
活性化する薄膜トランジスタの製造方法。 【効果】 オフ電流が極めて小さな薄膜トランジスタを
大面積のガラス基板上に製作でき、高精細、高コントラ
スト、高開口率、無欠陥のアクティブマトリクス型液晶
表示体を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示装置に関するもので
あり、特に非線形素子を備えた液晶表示装置に関するも
のである。
あり、特に非線形素子を備えた液晶表示装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】有力な平面ディスプレイであるアクティ
ブマトリクス型の液晶表示体が大量生産され始めてい
る。平面ディスプレイは、空間占有スペースが小さく、
軽量であることから、携帯コンピューターの表示装置や
産業用機械の表示部などに使用されている。将来は、画
面の大型化や高精細化が進み、家庭用のテレビジョンの
応用が期待される。薄膜トランジスタを駆動素子に用い
た液晶表示体の場合、高コントラストと色再現性のため
各画素の開口率を高め、また、画面のちらつきを防ぐ必
要がある。従来の画素のレイアウトは図８の様に、薄膜
トランジスタＴのドレイン領域８０６に電気的に接続し
た画素電極８２４が、平面的に重ならないようにゲート
ライン８０４とデータライン８０９の間にある程度の距
離をおいて形成されていた。さらに、画素電極８２４と
ゲートライン８０４およびデータライン８０９の隙間か
ら光が漏れないように、アクティブマトリクス基板の対
向基板に遮光膜を形成していた。このため、光が透過す
る有効な開口領域は、図８の実線８２５で囲まれた部分
であって、画素の有効面積が３０％程度になり、照度が
低い画面になる問題があった。
ブマトリクス型の液晶表示体が大量生産され始めてい
る。平面ディスプレイは、空間占有スペースが小さく、
軽量であることから、携帯コンピューターの表示装置や
産業用機械の表示部などに使用されている。将来は、画
面の大型化や高精細化が進み、家庭用のテレビジョンの
応用が期待される。薄膜トランジスタを駆動素子に用い
た液晶表示体の場合、高コントラストと色再現性のため
各画素の開口率を高め、また、画面のちらつきを防ぐ必
要がある。従来の画素のレイアウトは図８の様に、薄膜
トランジスタＴのドレイン領域８０６に電気的に接続し
た画素電極８２４が、平面的に重ならないようにゲート
ライン８０４とデータライン８０９の間にある程度の距
離をおいて形成されていた。さらに、画素電極８２４と
ゲートライン８０４およびデータライン８０９の隙間か
ら光が漏れないように、アクティブマトリクス基板の対
向基板に遮光膜を形成していた。このため、光が透過す
る有効な開口領域は、図８の実線８２５で囲まれた部分
であって、画素の有効面積が３０％程度になり、照度が
低い画面になる問題があった。
【０００３】この開口率が小さい問題点を克服する従来
の好例は公開特許公報平２−２０７２２２であり、図９
は、この従来例の開口率を高めたアクティブマトリクス
液晶表示装置の、駆動素子と画素のレイアウトを示して
いる。この従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、開口率を高めるために、透明な画素電極９２４とゲ
ートライン９０４、および画素電極９２４とデータライ
ン９０９の間に有機薄膜の層間絶縁膜を形成し、画素電
極９２４をゲートライン９０４とデータライン９０９の
両方に重なるように形成していた。
の好例は公開特許公報平２−２０７２２２であり、図９
は、この従来例の開口率を高めたアクティブマトリクス
液晶表示装置の、駆動素子と画素のレイアウトを示して
いる。この従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、開口率を高めるために、透明な画素電極９２４とゲ
ートライン９０４、および画素電極９２４とデータライ
ン９０９の間に有機薄膜の層間絶縁膜を形成し、画素電
極９２４をゲートライン９０４とデータライン９０９の
両方に重なるように形成していた。
【０００４】この図９のＡ−Ｂに沿った断面図を図１０
に示す。
に示す。
【０００５】公開特許公報平２−２０７２２２では逆ス
タガー型薄膜トランジスタを画素電極のスイッチング素
子に使用しているが、プレーナー型薄膜トランジスタで
も、従来例の本質は変わらないので、実施例との比較の
ためプレーナー型薄膜トランジスタで従来例を説明す
る。ガラス基板１００１に不純物の拡散を防ぐためのパ
ッシベーション膜１００２を形成し、ソース領域１００
５ドレイン領域１００６と活性シリコン層１００７が連
続的に構成され、活性シリコン層１００７上にゲート絶
縁膜１００３が被着形成し、さらに活性シリコン層１０
０７に重なるようにゲート電極１００４がある。ゲート
電極１００４を、第１の層間絶縁膜１００８と第２の層
間絶縁膜１０１０で覆う。また、第１の層間絶縁膜１０
０８と第２の層間絶縁膜１０１０の間には、ソース領域
１００５に接続されたソース電極がある。さらに、ドレ
イン領域１００６に到達するように層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成し、第２の層間絶縁膜１０１０上に画
素電極１０２１、１０２２、１０２３を形成する。図１
０に示されるように画素電極１０２１、１０２２、１０
２３はゲート電極１００４に重なるように形成してい
る。つまり、薄膜トランジスタ１０１９のゲート電極と
ゲートライン上には、薄膜トランジスタ１０１９の画素
電極１０２１の一部と、隣の薄膜トランジスタ１０２０
の画素電極１０２２の一部が重なりあっていた。さら
に、図９のレイアウトに示すようにゲートラインと同様
にデータラインと画素電極も一部分が重なりあってい
た。
タガー型薄膜トランジスタを画素電極のスイッチング素
子に使用しているが、プレーナー型薄膜トランジスタで
も、従来例の本質は変わらないので、実施例との比較の
ためプレーナー型薄膜トランジスタで従来例を説明す
る。ガラス基板１００１に不純物の拡散を防ぐためのパ
ッシベーション膜１００２を形成し、ソース領域１００
５ドレイン領域１００６と活性シリコン層１００７が連
続的に構成され、活性シリコン層１００７上にゲート絶
縁膜１００３が被着形成し、さらに活性シリコン層１０
０７に重なるようにゲート電極１００４がある。ゲート
電極１００４を、第１の層間絶縁膜１００８と第２の層
間絶縁膜１０１０で覆う。また、第１の層間絶縁膜１０
０８と第２の層間絶縁膜１０１０の間には、ソース領域
１００５に接続されたソース電極がある。さらに、ドレ
イン領域１００６に到達するように層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成し、第２の層間絶縁膜１０１０上に画
素電極１０２１、１０２２、１０２３を形成する。図１
０に示されるように画素電極１０２１、１０２２、１０
２３はゲート電極１００４に重なるように形成してい
る。つまり、薄膜トランジスタ１０１９のゲート電極と
ゲートライン上には、薄膜トランジスタ１０１９の画素
電極１０２１の一部と、隣の薄膜トランジスタ１０２０
の画素電極１０２２の一部が重なりあっていた。さら
に、図９のレイアウトに示すようにゲートラインと同様
にデータラインと画素電極も一部分が重なりあってい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の公開
特許公報平２−２０７２２２の方法では次のような問題
があった。
特許公報平２−２０７２２２の方法では次のような問題
があった。
【０００７】データラインと透明画素電極の間に、４０
０ｎｍの厚みの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン
膜、または１０００ｎｍの厚みの有機薄膜を挟み込ん
で、データラインと透明画素電極の一部の領域と、さら
にゲートラインと透明画素電極の一部の領域を重ねて、
開口率の向上を図っているが、ゲートラインと画素電極
の間で大きな寄生容量が発生し、透明画素電極に十分な
信号が印加されず、低コントラストの表示になってしま
う、いわゆるプッシュダウンの欠点と信号の遅延の問題
があった。さらに、データラインと画素電極の間に発生
する寄生容量は、データラインの信号の遅延やなまりに
よるクロストークの原因となり、高品質の画像が得られ
ない深刻な問題があった。
０ｎｍの厚みの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン
膜、または１０００ｎｍの厚みの有機薄膜を挟み込ん
で、データラインと透明画素電極の一部の領域と、さら
にゲートラインと透明画素電極の一部の領域を重ねて、
開口率の向上を図っているが、ゲートラインと画素電極
の間で大きな寄生容量が発生し、透明画素電極に十分な
信号が印加されず、低コントラストの表示になってしま
う、いわゆるプッシュダウンの欠点と信号の遅延の問題
があった。さらに、データラインと画素電極の間に発生
する寄生容量は、データラインの信号の遅延やなまりに
よるクロストークの原因となり、高品質の画像が得られ
ない深刻な問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】２枚の透明基板に液晶を
挟持し、少なくとも一方の基板上に非線形素子が形成さ
れた液晶表示装置のアクティブマトリクス基板におい
て、透明導電膜によって形成された絵素電極が上記非線
形素子を動作させるための配線に対して自己整合的に形
成されていること特徴とするアクティブマトリクス基板
である。
挟持し、少なくとも一方の基板上に非線形素子が形成さ
れた液晶表示装置のアクティブマトリクス基板におい
て、透明導電膜によって形成された絵素電極が上記非線
形素子を動作させるための配線に対して自己整合的に形
成されていること特徴とするアクティブマトリクス基板
である。
【０００９】また、透明基板に非線形素子と非線形素子
を制御する、遮光性の配線が形成されている基板に透明
導電膜を被着形成し、この透明導電膜上に感光性膜を被
着形成し、透明基板の非線形素子が形成されていない面
から、光を照射することによって、透明導電膜上の感光
性膜を、遮光性の配線に従って感光し、感光しない領域
の感光性膜を、透明導電膜上から除去し、上記の感光性
膜に覆われていない領域の透明導電膜にエネルギー粒子
を当てて導電性を喪失させる工程を特徴とするアクティ
ブマトリクス基板の製造方法である。
を制御する、遮光性の配線が形成されている基板に透明
導電膜を被着形成し、この透明導電膜上に感光性膜を被
着形成し、透明基板の非線形素子が形成されていない面
から、光を照射することによって、透明導電膜上の感光
性膜を、遮光性の配線に従って感光し、感光しない領域
の感光性膜を、透明導電膜上から除去し、上記の感光性
膜に覆われていない領域の透明導電膜にエネルギー粒子
を当てて導電性を喪失させる工程を特徴とするアクティ
ブマトリクス基板の製造方法である。
【００１０】本発明は上記の問題に鑑み、プッシュダウ
ンの原因となるゲートラインと画素電極の間で発生する
寄生容量を低減し、また、クロストークの原因となる配
線と画素電極の間で発生する寄生容量を低減することに
よって、鮮明な高品質の画像が得られる液晶表示体を構
成するアクティブマトリクス基板の構造と、その製造方
法を提供するものである。
ンの原因となるゲートラインと画素電極の間で発生する
寄生容量を低減し、また、クロストークの原因となる配
線と画素電極の間で発生する寄生容量を低減することに
よって、鮮明な高品質の画像が得られる液晶表示体を構
成するアクティブマトリクス基板の構造と、その製造方
法を提供するものである。
【００１１】
【実施例】図１は実施例の画素の平面図である。薄膜ト
ランジスタのゲート電極を兼ねたゲートライン１０４と
データライン１０９が格子状に配列し、その交差部に薄
膜トランジスタＴが形成されている。データライン１０
９は、薄膜トランジスタＴのソース領域１０５と、また
画素電極１２４はドレイン領域１０６に電気的に接続さ
れている。画素電極１２４はゲートライン１０４とデー
タライン１０９の配線が形成されていない領域に形成さ
れていて、画素電極１２４とゲートライン１０４とデー
タライン１０９の間に平面的に隙間がない。よって、ア
クティブマトリクス基板の背面から光を入射すると、ゲ
ートライン１０４とデータライン１０９が遮光膜を兼ね
るので、従来の液晶表示装置に必要だった対向基板の遮
光膜がなくなるため、有効な画素領域が著しく増加す
る。
ランジスタのゲート電極を兼ねたゲートライン１０４と
データライン１０９が格子状に配列し、その交差部に薄
膜トランジスタＴが形成されている。データライン１０
９は、薄膜トランジスタＴのソース領域１０５と、また
画素電極１２４はドレイン領域１０６に電気的に接続さ
れている。画素電極１２４はゲートライン１０４とデー
タライン１０９の配線が形成されていない領域に形成さ
れていて、画素電極１２４とゲートライン１０４とデー
タライン１０９の間に平面的に隙間がない。よって、ア
クティブマトリクス基板の背面から光を入射すると、ゲ
ートライン１０４とデータライン１０９が遮光膜を兼ね
るので、従来の液晶表示装置に必要だった対向基板の遮
光膜がなくなるため、有効な画素領域が著しく増加す
る。
【００１２】さらに、遮光膜を不要にした図９と図１０
の従来例と違い、ゲートライン１０４やデータライン１
０９と、画素電極１２４の重ね合わせが無いので、ゲー
トラインと画素電極の間で発生する寄生容量や、データ
ラインと画素電極の間で発生する寄生容量が極めて小さ
くなるので、クロストークやプッシュダウン現象が発生
しなくなる。したがって、本発明の構造のアクティブマ
トリクス基板を用いて作られた液晶表示装置は、明る
く、コントラストが高く、フリッカーやクローストーク
の無い高品質の画質を実現できる。
の従来例と違い、ゲートライン１０４やデータライン１
０９と、画素電極１２４の重ね合わせが無いので、ゲー
トラインと画素電極の間で発生する寄生容量や、データ
ラインと画素電極の間で発生する寄生容量が極めて小さ
くなるので、クロストークやプッシュダウン現象が発生
しなくなる。したがって、本発明の構造のアクティブマ
トリクス基板を用いて作られた液晶表示装置は、明る
く、コントラストが高く、フリッカーやクローストーク
の無い高品質の画質を実現できる。
【００１３】次に、図２から図７の図面を示しながら、
本発明のアクィブマトリクス基板の製造方法を詳細に説
明する。
本発明のアクィブマトリクス基板の製造方法を詳細に説
明する。
【００１４】まず、図２に示すように、ガラスのような
透明基板２０１に、不純物拡散防止を目的とする窒化膜
や酸化膜でできたパッシベーション膜２０２を被着形成
する。次に、この絶縁膜２０２上にパターニングしたシ
リコン膜を被着形成し、さらに酸化膜でできた絶縁膜２
０３を形成する。次に、パターニングした遮光性の導電
膜でできたゲートライン２０４をシリコン膜に重なるよ
うに形成する。このゲートライン２０４は図１の薄膜ト
ランジスタＴのゲート電極を兼ねている。次にこのゲー
トライン２０４に対して自己整合的に不純物をシリコン
膜にイオン注入し、ソース領域２０５とドレイン領域２
０６を形成する。ソース領域２０４とドレイン領域２０
５の間が活性シリコン層２０７となる。
透明基板２０１に、不純物拡散防止を目的とする窒化膜
や酸化膜でできたパッシベーション膜２０２を被着形成
する。次に、この絶縁膜２０２上にパターニングしたシ
リコン膜を被着形成し、さらに酸化膜でできた絶縁膜２
０３を形成する。次に、パターニングした遮光性の導電
膜でできたゲートライン２０４をシリコン膜に重なるよ
うに形成する。このゲートライン２０４は図１の薄膜ト
ランジスタＴのゲート電極を兼ねている。次にこのゲー
トライン２０４に対して自己整合的に不純物をシリコン
膜にイオン注入し、ソース領域２０５とドレイン領域２
０６を形成する。ソース領域２０４とドレイン領域２０
５の間が活性シリコン層２０７となる。
【００１５】さらに、第１の層間絶縁膜２０８をゲート
ライン２０４を覆うように被着形成し、遮光性の導電膜
でできたデータライン２０９をコンタクトホールを通じ
て電気的にソース領域２０５に接続する。さらに、第２
の層間絶縁膜２１０をデータライン２０９を覆うように
被着形成し、さらにコンタクトホールを介して電気的に
ドレイン領域２０６に接続するよう光透過性の導電性
膜、例えばスパッタ法で形成したインジウム・すす酸化
膜２１１を基板全面に被着形成する。
ライン２０４を覆うように被着形成し、遮光性の導電膜
でできたデータライン２０９をコンタクトホールを通じ
て電気的にソース領域２０５に接続する。さらに、第２
の層間絶縁膜２１０をデータライン２０９を覆うように
被着形成し、さらにコンタクトホールを介して電気的に
ドレイン領域２０６に接続するよう光透過性の導電性
膜、例えばスパッタ法で形成したインジウム・すす酸化
膜２１１を基板全面に被着形成する。
【００１６】次に、図３に示すように、図２で形成した
光透過性の導電性膜２１１上に、感光性の有機薄膜３１
２を基板全面に形成する。
光透過性の導電性膜２１１上に、感光性の有機薄膜３１
２を基板全面に形成する。
【００１７】次に、図４に示すように基板の、有機薄膜
が形成されていない側から光４１３を照射する。する
と、遮光性のゲートライン４０４とデータライン４０９
が形成されていない領域の有機薄膜には光が当たるので
感光した有機薄膜４１４となり、ゲートライン４０４や
データライン４０９に重なっている領域の有機薄膜は感
光せずに、そのままである。また、ドレイン領域のシリ
コン層の厚みが４０ｎｍであれば、３００から４００ｎ
ｍの光は、十分透過するのでドレイン領域上の有機薄膜
も感光する。
が形成されていない側から光４１３を照射する。する
と、遮光性のゲートライン４０４とデータライン４０９
が形成されていない領域の有機薄膜には光が当たるので
感光した有機薄膜４１４となり、ゲートライン４０４や
データライン４０９に重なっている領域の有機薄膜は感
光せずに、そのままである。また、ドレイン領域のシリ
コン層の厚みが４０ｎｍであれば、３００から４００ｎ
ｍの光は、十分透過するのでドレイン領域上の有機薄膜
も感光する。
【００１８】次に、図５に示すように感光した有機薄膜
を有機用剤で取り除いて、光透過性の導電性膜を露出す
る。５１６は光透過性膜が露出した領域を示す。
を有機用剤で取り除いて、光透過性の導電性膜を露出す
る。５１６は光透過性膜が露出した領域を示す。
【００１９】次に、図６に示すように、露出した光透過
性の導電膜に、高エネルギーの粒子６１７、例えば酸素
プラズマや酸素イオンを照射して、光透過性の導電膜６
１１の導電率を変える。この処理によって、例えば光透
過性の導電膜がインジウム・すず酸化膜である場合、こ
の膜の成分は酸素過剰となり、数１０Ωｃｍ-1〜数ｋΩ
ｃｍ-1の電気的に高抵抗の膜６１８となる。感光した有
機薄膜６１４で覆われた領域の光透過性の導電膜は、高
エネルギーの粒子６１７があたらないので、導電率は高
い。
性の導電膜に、高エネルギーの粒子６１７、例えば酸素
プラズマや酸素イオンを照射して、光透過性の導電膜６
１１の導電率を変える。この処理によって、例えば光透
過性の導電膜がインジウム・すず酸化膜である場合、こ
の膜の成分は酸素過剰となり、数１０Ωｃｍ-1〜数ｋΩ
ｃｍ-1の電気的に高抵抗の膜６１８となる。感光した有
機薄膜６１４で覆われた領域の光透過性の導電膜は、高
エネルギーの粒子６１７があたらないので、導電率は高
い。
【００２０】この結果、図７に示すように光透過性の導
電性膜は、画素毎に電気的に絶縁された画素電極７２
１、７２２、７２３になる。
電性膜は、画素毎に電気的に絶縁された画素電極７２
１、７２２、７２３になる。
【００２１】以上の製造法により、図１に示されたよう
な、ゲートライン１０４とデータライン１０９に対して
自己整合的に画素電極１２４を形成することができるの
で、有効な画素面積を著しく大きくすることができる。
な、ゲートライン１０４とデータライン１０９に対して
自己整合的に画素電極１２４を形成することができるの
で、有効な画素面積を著しく大きくすることができる。
【００２２】また、配線と画素電極が重ならず、配線と
画素電極の間には、厚みが１〜２μｍの低誘電率の有機
薄膜でできた第２の層間絶縁膜ができているため、配線
と画素電極の間で寄生容量の発生が極めて小さくなるの
で、画素電極に印加された信号の歪がなくなり、コント
ラストが高く、フリッカーやクロストークがない鮮明な
高品質の画像が得られるようになった。
画素電極の間には、厚みが１〜２μｍの低誘電率の有機
薄膜でできた第２の層間絶縁膜ができているため、配線
と画素電極の間で寄生容量の発生が極めて小さくなるの
で、画素電極に印加された信号の歪がなくなり、コント
ラストが高く、フリッカーやクロストークがない鮮明な
高品質の画像が得られるようになった。
【００２３】この実施例では、画素電極はインジウム・
すず酸化膜であるが、この材質に限らず、高エネルギー
粒子の照射により電気的性質が変化する膜ならば、本発
明を応用することが可能である。
すず酸化膜であるが、この材質に限らず、高エネルギー
粒子の照射により電気的性質が変化する膜ならば、本発
明を応用することが可能である。
【００２４】また、配線と画素電極の間の層間絶縁膜は
有機薄膜に限らず、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で
も応用できる。
有機薄膜に限らず、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で
も応用できる。
【００２５】
【発明の効果】図１に示されたような、ゲートラインと
データラインに対して自己整合的に画素電極を形成する
ことができるので、有効な画素面積を著しく大きくする
ことができるので明るい画像が得られるようになった。
データラインに対して自己整合的に画素電極を形成する
ことができるので、有効な画素面積を著しく大きくする
ことができるので明るい画像が得られるようになった。
【００２６】また、配線と画素電極が重ならず、しかも
配線と画素電極の間には低誘電率の厚みが１〜２μｍの
有機薄膜形成されているので、配線と画素電極の間で寄
生容量が極めて小さくなるので、画素電極に印加された
信号の歪がなくなり、コントラストが高く、フリッカー
やクロストークがない鮮明な高品質の画像が得られるよ
うになった。
配線と画素電極の間には低誘電率の厚みが１〜２μｍの
有機薄膜形成されているので、配線と画素電極の間で寄
生容量が極めて小さくなるので、画素電極に印加された
信号の歪がなくなり、コントラストが高く、フリッカー
やクロストークがない鮮明な高品質の画像が得られるよ
うになった。
【図１】 本発明のアクティブマトリクス基板の平面
図。
図。
【図２】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図３】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図４】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図５】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図６】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図７】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
図。
図。
【図８】 従来のアクティブマトリクス基板の平面図。
【図９】 従来のアクティブマトリクス基板の平面図。
【図１０】 従来のアクティブマトリクス基板の断面
図。
図。
Ｔ …薄膜トランジスタ 201、1001 …ガラス基板 202、1002 …パッシベーション膜 203、1003 …ゲート絶縁膜 104、204、404、804、904、1004 …ゲート電極およびゲート
ライン 105、205、805、905、1005 …ソース領域 106、206、806、906、1006 …ドレイン領域 207、1007 …活性シリコン領域 208、1008 …第１の層間絶縁膜 109、209、409、809、909、1009 …ソース電極およびデータ
ライン 210、1010 …第２の層間絶縁膜 211 …透明導電膜 312 …感光性膜 413 …光 414、614 …感光した感光性膜 415 …感光しなかった感光性膜 516 …透明導電膜が露出した領
域 617 …高エネルギーの粒子の照
射 618 …高エネルギー粒子の照射
でできた高抵抗膜 719、1019 …第１の薄膜トランジスタ 720、1020 …第１の隣の第２薄膜トラ
ンジスタ 721、1021 …第１の薄膜トランジスタ
の画素電極 722、1022 …第２の薄膜トランジスタ
の画素電極 723、1023 …第２の薄膜トランジスタ
の隣の画素電極 124、824、924 …画素電極 825 …対向基板に遮光膜が形成
されていない領域 926 …ゲートラインと画素電極
の重なり部 927 …データラインと画素電極
の重なり部
ライン 105、205、805、905、1005 …ソース領域 106、206、806、906、1006 …ドレイン領域 207、1007 …活性シリコン領域 208、1008 …第１の層間絶縁膜 109、209、409、809、909、1009 …ソース電極およびデータ
ライン 210、1010 …第２の層間絶縁膜 211 …透明導電膜 312 …感光性膜 413 …光 414、614 …感光した感光性膜 415 …感光しなかった感光性膜 516 …透明導電膜が露出した領
域 617 …高エネルギーの粒子の照
射 618 …高エネルギー粒子の照射
でできた高抵抗膜 719、1019 …第１の薄膜トランジスタ 720、1020 …第１の隣の第２薄膜トラ
ンジスタ 721、1021 …第１の薄膜トランジスタ
の画素電極 722、1022 …第２の薄膜トランジスタ
の画素電極 723、1023 …第２の薄膜トランジスタ
の隣の画素電極 124、824、924 …画素電極 825 …対向基板に遮光膜が形成
されていない領域 926 …ゲートラインと画素電極
の重なり部 927 …データラインと画素電極
の重なり部
Claims (2)
- 【請求項１】 ２枚の透明基板に液晶を挟持し、少なく
とも一方の基板上に非線形素子が形成された液晶表示装
置のアクティブマトリクス基板において、透明導電膜に
よって形成された絵素電極が上記非線形素子を動作させ
るための配線に対して自己整合的に形成されていること
特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 【請求項２】 透明基板に非線形素子と非線形素子を制
御する、遮光性の配線が形成されている基板に透明導電
膜を被着形成し、この透明導電膜上に感光性膜を被着形
成し、透明基板の非線形素子が形成されていない面か
ら、光を照射することによって、透明導電膜上の感光性
膜を、遮光性の配線に従って感光し、感光しない領域の
感光性膜を、透明導電膜上から除去し、上記の感光性膜
に覆われていない領域の透明導電膜にエネルギー粒子を
当てて導電性を喪失させる工程を特徴とするアクティブ
マトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840492A JPH06110080A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840492A JPH06110080A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110080A true JPH06110080A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17319765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25840492A Pending JPH06110080A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06110080A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008719A (en) * | 1994-07-01 | 1999-12-28 | Thomson-Csf | Electrical control device with crosstalk correction, and application thereof to magnetic write/read heads |
| KR20000004412A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 액정 표시 장치의 제조방법 |
| US8099454B2 (en) | 2007-08-03 | 2012-01-17 | International Business Machines Corporation | Staging a file within a distributed computing system |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25840492A patent/JPH06110080A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008719A (en) * | 1994-07-01 | 1999-12-28 | Thomson-Csf | Electrical control device with crosstalk correction, and application thereof to magnetic write/read heads |
| KR20000004412A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 액정 표시 장치의 제조방법 |
| US8099454B2 (en) | 2007-08-03 | 2012-01-17 | International Business Machines Corporation | Staging a file within a distributed computing system |
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