JPH06111368A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH06111368A JPH06111368A JP4259581A JP25958192A JPH06111368A JP H06111368 A JPH06111368 A JP H06111368A JP 4259581 A JP4259581 A JP 4259581A JP 25958192 A JP25958192 A JP 25958192A JP H06111368 A JPH06111368 A JP H06111368A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- -1 olefin hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N [Co].[Pt] Chemical compound [Co].[Pt] CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Gd] Chemical compound [Fe].[Co].[Gd] BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 干渉層を基板よりも屈折率の高い透光性材料
で形成することにより、カー効果エンハンスメントが大
きく、優れたS/Nを示す高品位な光記録媒体を提供す
ること。 【構成】 光記録媒体10は、透明な基板11上にトラ
ッキング用案内層12と、平坦化層13と、干渉層14
と、記録層15と、保護層16とをその順に積層して備
え、前記干渉層14は基板11よりも屈折率の高い透光
性の材料で形成されている。
で形成することにより、カー効果エンハンスメントが大
きく、優れたS/Nを示す高品位な光記録媒体を提供す
ること。 【構成】 光記録媒体10は、透明な基板11上にトラ
ッキング用案内層12と、平坦化層13と、干渉層14
と、記録層15と、保護層16とをその順に積層して備
え、前記干渉層14は基板11よりも屈折率の高い透光
性の材料で形成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光により情報の
記録・再生を行なう光ディスクメモリに用いられる光記
録媒体に関するものである。
記録・再生を行なう光ディスクメモリに用いられる光記
録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光記録媒体30は、図3に示すよ
うに、ポリオレフィン、オレフィン炭化水素、ポリ炭酸
エステル、メタクリル酸メチル共重合体等の中で耐溶剤
性のある樹脂材料、あるいは、ガラス等の透明無機材料
からなる基板11上に、トラッキング用金属案内層32
を所定の形状に設け、さらに、珪素(Si)、チタン
(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニア(Zr)等の
アルコキシドを材料とし、前記基板11とほぼ同等の屈
折率を有する平坦化層13と、ガドリウム鉄コバルト
(GdTbFe)、テルビ鉄コバルト合金(TbFeC
o)等からなる光磁気記録層15と、サイアロン(Si
AlON)、窒化アルミニウム(AlN)等からなる保
護層16と、アルミニウム(Al)等からなる反射層1
7とが順次積層されることにより構成されている。
うに、ポリオレフィン、オレフィン炭化水素、ポリ炭酸
エステル、メタクリル酸メチル共重合体等の中で耐溶剤
性のある樹脂材料、あるいは、ガラス等の透明無機材料
からなる基板11上に、トラッキング用金属案内層32
を所定の形状に設け、さらに、珪素(Si)、チタン
(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニア(Zr)等の
アルコキシドを材料とし、前記基板11とほぼ同等の屈
折率を有する平坦化層13と、ガドリウム鉄コバルト
(GdTbFe)、テルビ鉄コバルト合金(TbFeC
o)等からなる光磁気記録層15と、サイアロン(Si
AlON)、窒化アルミニウム(AlN)等からなる保
護層16と、アルミニウム(Al)等からなる反射層1
7とが順次積層されることにより構成されている。
【0003】このような光記録媒体30において、情報
を記録する際には、光記録媒体30の基板11側からレ
ーザ光を照射すると、それにより記録層15が加熱され
る。そして、記録層15がキュリー温度あるいは補償温
度以上に加熱されると同時に外部から磁界を印加する
と、磁化が反転し、情報が記録される。また再生する際
には、光記録媒体30の基板11側から直線偏光のレー
ザ光を照射することにより、反射光の偏光面の回転が磁
化の方向により反転するというカー効果を利用して行な
われる。さらに保護層16と反射層17における多重反
射とカー効果を利用している。
を記録する際には、光記録媒体30の基板11側からレ
ーザ光を照射すると、それにより記録層15が加熱され
る。そして、記録層15がキュリー温度あるいは補償温
度以上に加熱されると同時に外部から磁界を印加する
と、磁化が反転し、情報が記録される。また再生する際
には、光記録媒体30の基板11側から直線偏光のレー
ザ光を照射することにより、反射光の偏光面の回転が磁
化の方向により反転するというカー効果を利用して行な
われる。さらに保護層16と反射層17における多重反
射とカー効果を利用している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような平坦化層と記録層と保護層と反射層とによる構
成の光記録媒体では、平坦化層の屈折率と基板材料の屈
折率とがほぼ等しいため、干渉効果によるカー効果エン
ハンスメントが得られなくなっていた。このため高い再
生出力が得られないという問題があった。
たような平坦化層と記録層と保護層と反射層とによる構
成の光記録媒体では、平坦化層の屈折率と基板材料の屈
折率とがほぼ等しいため、干渉効果によるカー効果エン
ハンスメントが得られなくなっていた。このため高い再
生出力が得られないという問題があった。
【0005】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、平坦
化層の上面に、基板よりも屈折率の高い干渉層を形成す
ることにより、カー効果エンハンスメントを得ることの
できる光記録媒体を提供することにある。
になされたものであり、その目的とするところは、平坦
化層の上面に、基板よりも屈折率の高い干渉層を形成す
ることにより、カー効果エンハンスメントを得ることの
できる光記録媒体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光記録媒体は、基板と、トラッキング用案内
層と、前記基板とほぼ同等の屈折率を持つ平坦化層と、
記録層とを備えた光記録媒体であって、前記平坦化層上
に平坦化層の屈折率より高い屈折率の干渉層が形成され
ている。
に本発明の光記録媒体は、基板と、トラッキング用案内
層と、前記基板とほぼ同等の屈折率を持つ平坦化層と、
記録層とを備えた光記録媒体であって、前記平坦化層上
に平坦化層の屈折率より高い屈折率の干渉層が形成され
ている。
【0007】また、前記光記録媒体において干渉層の膜
厚を、(λ/4n)+(Mλ/2n; ただし、λ=真
空中の再生光波長、n=干渉層の屈折率、M=0,1,
2,・・)とした。
厚を、(λ/4n)+(Mλ/2n; ただし、λ=真
空中の再生光波長、n=干渉層の屈折率、M=0,1,
2,・・)とした。
【0008】
【作用】上記の構成を有する光記録媒体では、干渉層は
基板と比較して屈折率の高い材料であり、この干渉層に
おいて再生光の多重反射が生じる。それにより、カー効
果エンハンスメントが増大しS/Nが向上する。
基板と比較して屈折率の高い材料であり、この干渉層に
おいて再生光の多重反射が生じる。それにより、カー効
果エンハンスメントが増大しS/Nが向上する。
【0009】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0010】図1は、本発明の一実施例である光記録媒
体の10の要部断面図であり、この光記録媒体10は、
ガラス、あるいは、オレフィン炭化水素、ポリ炭酸エス
テル、メタクリル酸メチル共重合体等の樹脂材料からな
る透明な基板11上にトラッキング用案内層12と、平
坦化層13と、干渉層14と、記録層15と、保護層1
6とをその順に積層することにより構成されている。
体の10の要部断面図であり、この光記録媒体10は、
ガラス、あるいは、オレフィン炭化水素、ポリ炭酸エス
テル、メタクリル酸メチル共重合体等の樹脂材料からな
る透明な基板11上にトラッキング用案内層12と、平
坦化層13と、干渉層14と、記録層15と、保護層1
6とをその順に積層することにより構成されている。
【0011】トラッキング用案内層12は、タンタル
(Ta)で作製されており、前記基板11上に同心円、
スパイラル、直線等のパターン形状で、連続または不連
続に固着されている。このトラッキング用案内層12
は、よく知られているフォトリソグラフィーにより作製
される。具体的には、基板11上にTa膜を真空蒸着、
あるいはスパッタリング等の手段で形成し、その上にレ
ジストをスピンコート法等で塗布する。次に、レーザ露
光法等のフォトリソグラフィーによりレジストを前記パ
ターン形状に取り除く。さらに、酸、アルカリ等を用い
たエッチング、あるいは、プラズマエッチング等により
金属膜のレジストが取り除かれた部分をエッチングす
る。
(Ta)で作製されており、前記基板11上に同心円、
スパイラル、直線等のパターン形状で、連続または不連
続に固着されている。このトラッキング用案内層12
は、よく知られているフォトリソグラフィーにより作製
される。具体的には、基板11上にTa膜を真空蒸着、
あるいはスパッタリング等の手段で形成し、その上にレ
ジストをスピンコート法等で塗布する。次に、レーザ露
光法等のフォトリソグラフィーによりレジストを前記パ
ターン形状に取り除く。さらに、酸、アルカリ等を用い
たエッチング、あるいは、プラズマエッチング等により
金属膜のレジストが取り除かれた部分をエッチングす
る。
【0012】トラッキング用案内層12上には、スパッ
タリング法、あるいは、回転塗布・焼成によるゾルゲル
成膜法等により形成される光透過性絶縁膜からなる平坦
化層13が形成される。この平坦化層13としては、望
ましくは、珪素(Si)、チタン(Ti)、タンタル
(Ta)、ジルコニア(Zr)等のアルコキシドを材料
とするものが使用される。
タリング法、あるいは、回転塗布・焼成によるゾルゲル
成膜法等により形成される光透過性絶縁膜からなる平坦
化層13が形成される。この平坦化層13としては、望
ましくは、珪素(Si)、チタン(Ti)、タンタル
(Ta)、ジルコニア(Zr)等のアルコキシドを材料
とするものが使用される。
【0013】平坦化層13上には、サイアロン(SiA
lON)、窒化アルミニウム(AlN)、二酸化チタン
(TiO2)等をスパッタリング法、あるいは、回転塗
布・焼成によるゾルゲル成膜法等により形成した干渉層
14が形成されている。その干渉層14の膜厚Dは、干
渉層14中を通過する再生レーザ光の波長のおよそ1/
4程度とする。但し、前記平坦化層13の屈折率が基板
11の屈折率よりも大きい場合は、前記平坦化層13の
膜厚と干渉層14の膜厚とを合計した膜厚を前記再生レ
ーザ光の波長のおよそ1/4程度とする。なお、干渉層
14として、SiAlONを用いたときの屈折率は2.
2、AlNを用いたときの屈折率は、TiO2を用いた
ときの屈折率は2.7、窒化シリコン(SiN)を用い
たときの屈折率は2.0付近になり、いずれも基板11
としてガラスを用いたときの屈折率1.46よりも大き
くなる。
lON)、窒化アルミニウム(AlN)、二酸化チタン
(TiO2)等をスパッタリング法、あるいは、回転塗
布・焼成によるゾルゲル成膜法等により形成した干渉層
14が形成されている。その干渉層14の膜厚Dは、干
渉層14中を通過する再生レーザ光の波長のおよそ1/
4程度とする。但し、前記平坦化層13の屈折率が基板
11の屈折率よりも大きい場合は、前記平坦化層13の
膜厚と干渉層14の膜厚とを合計した膜厚を前記再生レ
ーザ光の波長のおよそ1/4程度とする。なお、干渉層
14として、SiAlONを用いたときの屈折率は2.
2、AlNを用いたときの屈折率は、TiO2を用いた
ときの屈折率は2.7、窒化シリコン(SiN)を用い
たときの屈折率は2.0付近になり、いずれも基板11
としてガラスを用いたときの屈折率1.46よりも大き
くなる。
【0014】干渉層14上に形成される記録層15とし
ては、望ましくは希土類と遷移金属とを主成分とするア
モルファス合金である光磁気材料、さらに望ましくは、
テルビ鉄コバルト合金(TbFeCo)が使用される。
あるいは、白金コバルト(Pt/Co)やガーネット系
の酸化物等を用いてもよい。これらの材料をスパッタリ
ングや真空蒸着、焼結等により干渉層14上に形成する
ことにより、記録層15が作製される。
ては、望ましくは希土類と遷移金属とを主成分とするア
モルファス合金である光磁気材料、さらに望ましくは、
テルビ鉄コバルト合金(TbFeCo)が使用される。
あるいは、白金コバルト(Pt/Co)やガーネット系
の酸化物等を用いてもよい。これらの材料をスパッタリ
ングや真空蒸着、焼結等により干渉層14上に形成する
ことにより、記録層15が作製される。
【0015】保護層16は、記録層15を化学変化から
保護するためのものであり、サイアロン(SiAlO
N)、窒化アルミニウム(AlN)等の材料にスパッタ
リングあるいは真空蒸着等の処理を施すことにより形成
される。
保護するためのものであり、サイアロン(SiAlO
N)、窒化アルミニウム(AlN)等の材料にスパッタ
リングあるいは真空蒸着等の処理を施すことにより形成
される。
【0016】そして、このように構成された光記録媒体
10において、その基板11を通してレーザ光が記録層
15に照射されると、磁気光学効果により記録層15に
おける局部磁化方向に関連して反射光のカー回転角が変
化させられ、この反射光のカー回転角に基づいて、情報
が読み出される。また、情報の書き込みに際しては、レ
ーザ光の照射により記録層15をキュリー点あるいは補
償温度まで局部加熱し、この局部の冷却時に外部磁界の
方向を所望する方向へ制御することにより磁化方向に対
応した情報を記録する。
10において、その基板11を通してレーザ光が記録層
15に照射されると、磁気光学効果により記録層15に
おける局部磁化方向に関連して反射光のカー回転角が変
化させられ、この反射光のカー回転角に基づいて、情報
が読み出される。また、情報の書き込みに際しては、レ
ーザ光の照射により記録層15をキュリー点あるいは補
償温度まで局部加熱し、この局部の冷却時に外部磁界の
方向を所望する方向へ制御することにより磁化方向に対
応した情報を記録する。
【0017】上記の構成を有する光記録媒体10では、
干渉層14は基板11と比較して屈折率の高い透光性材
料であり、基板11と記録層15との間で多重反射が生
じる。記録層15におけるカー効果エンハンスメントを
最大とし、且つ、見かけのカー回転角をが増大するため
に、S/Nを向上させる条件は、干渉層14の膜厚をD
とすると、D=λ/4n+Mλ/2nである。すなわ
ち、前記干渉層14の膜厚Dが再生光の干渉層14中で
の波長の約1/4、あるいはそれに半波長の整数倍を加
えたものに設定されている。このため本実施例の光記録
媒体10では、記録層15におけるカー効果エンハンス
メントが増大し、S/Nが向上する。ただし干渉層14
の膜厚Dは、厳密に上記の理想値とならなくても理想値
からプラスマイナス30%程度の厚さになっていればカ
ー効果エンハンスメントは充分に得ることができる。以
上のような作用により、本実施例の光記録媒体10では
S/Nが向上すると共にトラッキング特性が安定し、高
品位な製品が得られる。
干渉層14は基板11と比較して屈折率の高い透光性材
料であり、基板11と記録層15との間で多重反射が生
じる。記録層15におけるカー効果エンハンスメントを
最大とし、且つ、見かけのカー回転角をが増大するため
に、S/Nを向上させる条件は、干渉層14の膜厚をD
とすると、D=λ/4n+Mλ/2nである。すなわ
ち、前記干渉層14の膜厚Dが再生光の干渉層14中で
の波長の約1/4、あるいはそれに半波長の整数倍を加
えたものに設定されている。このため本実施例の光記録
媒体10では、記録層15におけるカー効果エンハンス
メントが増大し、S/Nが向上する。ただし干渉層14
の膜厚Dは、厳密に上記の理想値とならなくても理想値
からプラスマイナス30%程度の厚さになっていればカ
ー効果エンハンスメントは充分に得ることができる。以
上のような作用により、本実施例の光記録媒体10では
S/Nが向上すると共にトラッキング特性が安定し、高
品位な製品が得られる。
【0018】以上、本発明の一実施例を図1に基づいて
詳細に説明したが、本発明は他の態様で実施することが
できる。
詳細に説明したが、本発明は他の態様で実施することが
できる。
【0019】例えば、図2(a)に示すように、記録層
15の厚さを薄くし、保護層16の上面に反射層17を
形成してもよい。このように構成すれば、基板11側か
ら入射したレーザ光は、記録層15を透過した後、反射
層17によって反射され、再び記録層15を透過する。
このことにより、カー効果だけせなく、ファラデー効果
も加わるため、さらに大きなカー効果エンハンスメント
が生じる。この場合もトラッキング用案内層12の反射
率低下を防ぎ、安定したトラッキング特性が得られる。
また、図2(b)に示すように、基板11上に形成され
た各層が案内層15の膜厚程度の段差を持ったものも有
り得る。さらに、図2(b)に示す構成において、図2
(a)に示す構成と同様に反射層17を備えるように変
形することも可能である。
15の厚さを薄くし、保護層16の上面に反射層17を
形成してもよい。このように構成すれば、基板11側か
ら入射したレーザ光は、記録層15を透過した後、反射
層17によって反射され、再び記録層15を透過する。
このことにより、カー効果だけせなく、ファラデー効果
も加わるため、さらに大きなカー効果エンハンスメント
が生じる。この場合もトラッキング用案内層12の反射
率低下を防ぎ、安定したトラッキング特性が得られる。
また、図2(b)に示すように、基板11上に形成され
た各層が案内層15の膜厚程度の段差を持ったものも有
り得る。さらに、図2(b)に示す構成において、図2
(a)に示す構成と同様に反射層17を備えるように変
形することも可能である。
【0020】また、記録層15としても光磁気材料だけ
でなく、テルル(Te)、ビスマス(Bi)等の穴開け
型や、テルル酸化物(TeOx)等の相変化形材料等を
用いることができる。
でなく、テルル(Te)、ビスマス(Bi)等の穴開け
型や、テルル酸化物(TeOx)等の相変化形材料等を
用いることができる。
【0021】更に、トラッキング方法はプシュプル法に
限定されず、3ビーム法によっても同様に良好に行なう
ことができる。
限定されず、3ビーム法によっても同様に良好に行なう
ことができる。
【0022】
【発明の効果】 以上説
明したことから明かなように、本発明の光記録媒体で
は、干渉層は基板よりも屈折率の高い透光性の材料で形
成されているため、この光記録媒体にレーザ光を照射し
た場合に干渉層において多重反射が生じ、カー効果エン
ハンスメントにより記録層の見かけのカー回転角が増大
するためS/Nが向上する。その結果、高品位の再生出
力を得ることができる。
明したことから明かなように、本発明の光記録媒体で
は、干渉層は基板よりも屈折率の高い透光性の材料で形
成されているため、この光記録媒体にレーザ光を照射し
た場合に干渉層において多重反射が生じ、カー効果エン
ハンスメントにより記録層の見かけのカー回転角が増大
するためS/Nが向上する。その結果、高品位の再生出
力を得ることができる。
【図1】本発明の一実施例である光記録媒体の要部断面
図である。
図である。
【図2】本発明の他の実施例である光記録媒体の要部断
面図である
面図である
【図3】従来の光記録媒体の一例を示す要部断面図であ
る。
る。
11 基板 12 トラッキング用案内層 13 平坦化層 14 干渉層 15 記録層
Claims (2)
- 【請求項1】 基板と、トラッキング用案内層と、前記
基板とほぼ同等の屈折率を持つ平坦化層と、記録層とを
備えた光記録媒体において、 前記平坦化層上に平坦化層の屈折率より高い屈折率であ
る干渉層が形成されていることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項2】 請求項1に記載の光記録媒体において、
干渉層の膜厚を、(λ/4n)+(Mλ/2n ; た
だし、λ=真空中の再生光波長、n=干渉層の屈折率、
M=0,1,2,・・)としたことを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259581A JPH06111368A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259581A JPH06111368A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111368A true JPH06111368A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17336108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4259581A Pending JPH06111368A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111368A (ja) |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4259581A patent/JPH06111368A/ja active Pending
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