JPH0479075B2 - - Google Patents
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- JPH0479075B2 JPH0479075B2 JP57165882A JP16588282A JPH0479075B2 JP H0479075 B2 JPH0479075 B2 JP H0479075B2 JP 57165882 A JP57165882 A JP 57165882A JP 16588282 A JP16588282 A JP 16588282A JP H0479075 B2 JPH0479075 B2 JP H0479075B2
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- film
- refractive index
- rotation angle
- kerr rotation
- thickness
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は情報の記録・再生・消去が可能なメモ
リ素子として期待される磁気光学記憶素子に関す
る。
リ素子として期待される磁気光学記憶素子に関す
る。
＜従来技術＞
従来、磁気光学記憶素子をメモリ素子として用
いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低いこ
とであつた。特に磁気光学記憶素子にレーザ光を
照射しその反射光によつて情報の再生を行なう所
謂カー効果再生方式では、一般的にカー回転角が
小さいので信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める事が困
難であつた。その為従来では記録媒体である磁性
材料の改良を行なつたり、記録媒体上にSiOや
SiO2の誘電体膜を形成してカー回転角を高める
工夫をしていた。
いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低いこ
とであつた。特に磁気光学記憶素子にレーザ光を
照射しその反射光によつて情報の再生を行なう所
謂カー効果再生方式では、一般的にカー回転角が
小さいので信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める事が困
難であつた。その為従来では記録媒体である磁性
材料の改良を行なつたり、記録媒体上にSiOや
SiO2の誘電体膜を形成してカー回転角を高める
工夫をしていた。
又この手法とは別にカー効果再生方式の磁気光
学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜を
形成することによつて見かけのカー回転角を向上
させる手法を出願人は提案（特願昭55−85695）
している。この構造を反射膜構造という。
学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜を
形成することによつて見かけのカー回転角を向上
させる手法を出願人は提案（特願昭55−85695）
している。この構造を反射膜構造という。
この構造の特徴は記録媒体面で反射されたレー
ザ光と記録媒体を透過し次に反射膜にて反射され
たレーザ光が合成される為に上記反射膜が存在し
ない構造体に比べて見かけのカー回転角が大きく
向上することである。この場合カー回転角の増大
率は使用するレーザ光の波長、磁性体膜の種類及
び膜厚、反射膜の膜厚等によつて変化することが
確認されている。
ザ光と記録媒体を透過し次に反射膜にて反射され
たレーザ光が合成される為に上記反射膜が存在し
ない構造体に比べて見かけのカー回転角が大きく
向上することである。この場合カー回転角の増大
率は使用するレーザ光の波長、磁性体膜の種類及
び膜厚、反射膜の膜厚等によつて変化することが
確認されている。
第１図に示すものは出願人が既に提案している
反射膜構造の磁気光学記憶素子の一例である。１
はガラス等の基板、２はGdTbFe非晶質薄膜、３
はSiO2透明膜、４はCu金属膜である。この構造
体においてSiO2透明膜３の膜厚を変化させると
カー回転角が大きく変化することを確認してい
る。第２図はレーザ光の波長を632.8nmとし、上
記SiO2透明膜３の膜厚を変化した時のカー回転
角の変化する様子を示したグラフ図である。同図
のカー回転角とSiO2透明膜３及びCu金属膜４が
無い時のカー回転角0.27゜とを比較すればCu金属
膜４及びSiO2透明膜３の存在の重要性が判る。
又、SiO2透明膜３が無い場合のカー回転角は他
の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変えても
最大で0.5゜であるからSiO2透明膜３の膜厚を適度
に調整すればカー回転角を大きく増加させること
ができるということも同図からよく判る。
反射膜構造の磁気光学記憶素子の一例である。１
はガラス等の基板、２はGdTbFe非晶質薄膜、３
はSiO2透明膜、４はCu金属膜である。この構造
体においてSiO2透明膜３の膜厚を変化させると
カー回転角が大きく変化することを確認してい
る。第２図はレーザ光の波長を632.8nmとし、上
記SiO2透明膜３の膜厚を変化した時のカー回転
角の変化する様子を示したグラフ図である。同図
のカー回転角とSiO2透明膜３及びCu金属膜４が
無い時のカー回転角0.27゜とを比較すればCu金属
膜４及びSiO2透明膜３の存在の重要性が判る。
又、SiO2透明膜３が無い場合のカー回転角は他
の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変えても
最大で0.5゜であるからSiO2透明膜３の膜厚を適度
に調整すればカー回転角を大きく増加させること
ができるということも同図からよく判る。
＜目的＞
本発明は、透明誘電体膜と金属反射膜との組み
合わせによつて最適なカー回転角を得ることので
きる磁気光学記憶素子の構成を提供することを目
的とする。
合わせによつて最適なカー回転角を得ることので
きる磁気光学記憶素子の構成を提供することを目
的とする。
＜実施例＞
第３図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の構成説明図である。同図で５は空気であり
この部分にガラス基板が配されてもよい。６は
GdTbFe、GdTbDyFe、TbDyFe、TbFe、
DyFeCoSn等の希土類−遷移金属系非晶質薄膜で
ありこの薄膜６は30nm以下の膜厚、例えば15nm
の膜厚を備える。この程度の膜厚であれば入射レ
ーザ光が薄膜６を通過でき、上述したカー回転角
の増大の効果を得ることができる。７は金属膜か
らなる反射膜若しくはSiO、SiO2、MgF2、
Si3N4、Ta2O5、TiO2、CeO2、ZrO2、Al2O3等の
透明膜とその下面にCu、Ag、Au、Al等の金属
膜とが層設されてなる反射膜であつて、この反射
膜７の屈折率（上述した様に透明膜と金属膜とが
層設される場合は仮想屈折率）の実数部Ａは０＜
Ａ≦0.5、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧−1.5の値を有す
る。
施例の構成説明図である。同図で５は空気であり
この部分にガラス基板が配されてもよい。６は
GdTbFe、GdTbDyFe、TbDyFe、TbFe、
DyFeCoSn等の希土類−遷移金属系非晶質薄膜で
ありこの薄膜６は30nm以下の膜厚、例えば15nm
の膜厚を備える。この程度の膜厚であれば入射レ
ーザ光が薄膜６を通過でき、上述したカー回転角
の増大の効果を得ることができる。７は金属膜か
らなる反射膜若しくはSiO、SiO2、MgF2、
Si3N4、Ta2O5、TiO2、CeO2、ZrO2、Al2O3等の
透明膜とその下面にCu、Ag、Au、Al等の金属
膜とが層設されてなる反射膜であつて、この反射
膜７の屈折率（上述した様に透明膜と金属膜とが
層設される場合は仮想屈折率）の実数部Ａは０＜
Ａ≦0.5、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧−1.5の値を有す
る。
次に上記反射膜７の屈折率の適切な値が如何程
かを理論的に解明する。空気５の屈折率をn0、希
土類−遷移金属薄膜６の屈折率をn1、反射膜７の
屈折率をn2とする。ここで希土類−遷移金属薄膜
６の屈折率n1はその膜の磁化の状態によつて右ま
わりの円偏光と左まわりの円偏光とで屈折率が相
違する。上記一方の屈折率をn1 +、他方の屈折率
をn1 -とする。この時空気５と希土類−遷移金属
薄膜６との界面Ａでの左右の両円偏光の反射率を
r1 +、r1 -とすると、r1 +＝n0−n1 +／n0＋n1 +、r1 -＝ n0−n1 -／n0＋n1 -である。又希土類−遷移金属薄膜６と
反 射膜７との界面Ｂでの左右の両円偏光の反射率を
r2 +、r2 -とすると、r2 +＝n1 +−n2／n1 +＋n2、r2 -＝ n1 -−n2／n1 -＋n2である。これより希土類−遷移金属薄
膜 ６内部で干渉しその後界面Ａから表出する左右の
両円偏光をR+、R-とすれば、R+＝
r1 +＋r2 +e-i〓+／１＋r1 +r2 +e-i〓、R-＝r1 -＋r2 +e-i〓
-／１＋r1 -r2 -e-i〓-で表わさ れる。但しδ+＝4πn1 +d／λ、δ-＝4πn1 -d／λ、
ｄ：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
かを理論的に解明する。空気５の屈折率をn0、希
土類−遷移金属薄膜６の屈折率をn1、反射膜７の
屈折率をn2とする。ここで希土類−遷移金属薄膜
６の屈折率n1はその膜の磁化の状態によつて右ま
わりの円偏光と左まわりの円偏光とで屈折率が相
違する。上記一方の屈折率をn1 +、他方の屈折率
をn1 -とする。この時空気５と希土類−遷移金属
薄膜６との界面Ａでの左右の両円偏光の反射率を
r1 +、r1 -とすると、r1 +＝n0−n1 +／n0＋n1 +、r1 -＝ n0−n1 -／n0＋n1 -である。又希土類−遷移金属薄膜６と
反 射膜７との界面Ｂでの左右の両円偏光の反射率を
r2 +、r2 -とすると、r2 +＝n1 +−n2／n1 +＋n2、r2 -＝ n1 -−n2／n1 -＋n2である。これより希土類−遷移金属薄
膜 ６内部で干渉しその後界面Ａから表出する左右の
両円偏光をR+、R-とすれば、R+＝
r1 +＋r2 +e-i〓+／１＋r1 +r2 +e-i〓、R-＝r1 -＋r2 +e-i〓
-／１＋r1 -r2 -e-i〓-で表わさ れる。但しδ+＝4πn1 +d／λ、δ-＝4πn1 -d／λ、
ｄ：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
膜面に垂直に直線偏光が入射した場合光の進行
方向をＺ軸、振動面をＸ−Ｚ平面にとると界面Ａ
から表出する左右の両円偏光のｘ，ｙ方向成分
Rx，RyはRx＝１／２（R+＋R-）、Ry＝ｉ／２（R-− R+）である。ここでθx＝arg（Rx）、θy＝arg
（Ry）と置けばカー回転角αは次の式にて表わさ
れる。
方向をＺ軸、振動面をＸ−Ｚ平面にとると界面Ａ
から表出する左右の両円偏光のｘ，ｙ方向成分
Rx，RyはRx＝１／２（R+＋R-）、Ry＝ｉ／２（R-− R+）である。ここでθx＝arg（Rx）、θy＝arg
（Ry）と置けばカー回転角αは次の式にて表わさ
れる。
α＝１／２tan-1２｜Rx｜｜Ry｜／｜Ry｜2−｜Rx｜2cos
（θx−θy） このカー回転角αの数式に次の各数値を代入す
る事によつて反射膜の屈折率に対するカー回転角
の変化の状態を調べた。希土類−遷移金属膜６は
GdTbFe磁性体膜としてその屈折率n1 ±は入射レ
ーザ光の波長が6328Åの時、n1 ±＝n1±δn｛n1＝
2.3−3.0i、δn＝１／２（0.05−0.02i）｝とした。上
記 n1は磁性体膜の左右の円偏光に対する屈折率平均
値、δnは左右の円偏光に対する上記屈折率平均
値からのずれを示す。そして上記希土類−遷移金
属膜６の膜厚ｄを30nmと15nmとして夫々の膜厚
ｄについて調べた。以上の各数値を用いて上記カ
ー回転角αの数式より第４図に示すグラフを得
た。同図ａは希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが
30nmの時のグラフであり同図ｂは希土類−遷移
金属膜６の膜厚ｄが15nmの時のグラフである。
同図に示すものは言わば反射膜の屈折率に関する
カー回転角の等高線である。横軸が屈折率の実数
部、縦軸が屈折率の虚数部である。同図から希土
類−遷移金属膜６の膜厚ｄが30nmの時は反射膜
７の屈折率n2の実数部Ａが０＜Ａ≦0.5、虚数部
Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大き
く、希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが15nmの時
は反射膜７の屈折率n2の実数部Ａが０＜Ａ≦0.3、
虚数部Ｂが0.2≧Ｂ≧−0.8の時にカー回転角が最
も大きい事が判る。これらの第４図に図示した結
果及び他の図示しない結果から希土類−遷移金属
膜６の膜厚が略30nm以下の時においては上記反
射膜の屈折率は実数部Ａが０＜Ａ≦0.5、虚数部
Ｂが０≧Ｂ≧−1.5の時に実用上満足し得るカー
回転角が得られる事が判明した。
（θx−θy） このカー回転角αの数式に次の各数値を代入す
る事によつて反射膜の屈折率に対するカー回転角
の変化の状態を調べた。希土類−遷移金属膜６は
GdTbFe磁性体膜としてその屈折率n1 ±は入射レ
ーザ光の波長が6328Åの時、n1 ±＝n1±δn｛n1＝
2.3−3.0i、δn＝１／２（0.05−0.02i）｝とした。上
記 n1は磁性体膜の左右の円偏光に対する屈折率平均
値、δnは左右の円偏光に対する上記屈折率平均
値からのずれを示す。そして上記希土類−遷移金
属膜６の膜厚ｄを30nmと15nmとして夫々の膜厚
ｄについて調べた。以上の各数値を用いて上記カ
ー回転角αの数式より第４図に示すグラフを得
た。同図ａは希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが
30nmの時のグラフであり同図ｂは希土類−遷移
金属膜６の膜厚ｄが15nmの時のグラフである。
同図に示すものは言わば反射膜の屈折率に関する
カー回転角の等高線である。横軸が屈折率の実数
部、縦軸が屈折率の虚数部である。同図から希土
類−遷移金属膜６の膜厚ｄが30nmの時は反射膜
７の屈折率n2の実数部Ａが０＜Ａ≦0.5、虚数部
Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大き
く、希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが15nmの時
は反射膜７の屈折率n2の実数部Ａが０＜Ａ≦0.3、
虚数部Ｂが0.2≧Ｂ≧−0.8の時にカー回転角が最
も大きい事が判る。これらの第４図に図示した結
果及び他の図示しない結果から希土類−遷移金属
膜６の膜厚が略30nm以下の時においては上記反
射膜の屈折率は実数部Ａが０＜Ａ≦0.5、虚数部
Ｂが０≧Ｂ≧−1.5の時に実用上満足し得るカー
回転角が得られる事が判明した。
さて一般的な金属膜、例えばスパツタリングに
よつて形成されたCu膜の屈折率は大体0.25−3.1i
であつて、その値は上記結論として得られた反射
膜の好ましい屈折率の範囲内に存在しない場合が
多い。この様な場合は次の手法によつて反射膜の
屈折率を制御する事ができる。即ち金属膜の代わ
りにSiO2等の透明誘電体膜と金属膜とを層設し
てなる２層膜を反射膜とする事によつて上記金属
膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事ができ
る。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率
と呼称する。例えば希土類−遷移金属膜６の裏面
にSiO2透明誘電体膜とCu膜とをこの順にて層設
した構造体の素子において、上記SiO2透明誘電
体膜の膜厚を変化させた時の屈折率の変化（仮想
屈折率の変化）を第５図に示す。第５図ａはその
一部拡大図である。第５図に示す様にSiO2透明
誘電体膜の膜厚が0nm、50nm、100nm、150nm、
200nmと増加していくにつれ屈折率の値は複素平
面上で円を描く。又第５図ａによればSiO2透明
誘電体膜の膜厚が30乃至60nm程度で屈折率の値
が0.1−1.2i乃至0.05−0.3i程度の値を占めており、
SiO2透明誘電体膜の存在しない時即ちその膜厚
が0nmの時の屈折率の値0.25−3.1iから大きく変
化している。そして反射膜の屈折率が上記した好
ましい屈折率の範囲内に移行している事が判る。
よつて形成されたCu膜の屈折率は大体0.25−3.1i
であつて、その値は上記結論として得られた反射
膜の好ましい屈折率の範囲内に存在しない場合が
多い。この様な場合は次の手法によつて反射膜の
屈折率を制御する事ができる。即ち金属膜の代わ
りにSiO2等の透明誘電体膜と金属膜とを層設し
てなる２層膜を反射膜とする事によつて上記金属
膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事ができ
る。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率
と呼称する。例えば希土類−遷移金属膜６の裏面
にSiO2透明誘電体膜とCu膜とをこの順にて層設
した構造体の素子において、上記SiO2透明誘電
体膜の膜厚を変化させた時の屈折率の変化（仮想
屈折率の変化）を第５図に示す。第５図ａはその
一部拡大図である。第５図に示す様にSiO2透明
誘電体膜の膜厚が0nm、50nm、100nm、150nm、
200nmと増加していくにつれ屈折率の値は複素平
面上で円を描く。又第５図ａによればSiO2透明
誘電体膜の膜厚が30乃至60nm程度で屈折率の値
が0.1−1.2i乃至0.05−0.3i程度の値を占めており、
SiO2透明誘電体膜の存在しない時即ちその膜厚
が0nmの時の屈折率の値0.25−3.1iから大きく変
化している。そして反射膜の屈折率が上記した好
ましい屈折率の範囲内に移行している事が判る。
因に原理上、屈折率n′の膜上に屈折率n″の透明
膜を層設した時その２層膜の仮想屈折率は複素平
面上においてn″（１−r2）／１＋r2を中心とした半径n
″・ ｜2r｜／｜１−r2｜の円を描くものである。但し｜ｒ｜ ＝n″−n′／n″＋n′。従つて上記したSiO2透明誘電体
膜と Cu金属膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈
折率を制御する為の透明誘電体膜としてはMgF2
膜、Si3N4膜、Ta2O5膜、TiO2膜、CeO2膜、
ZrO2膜、Al2O3膜等が使用できる。
膜を層設した時その２層膜の仮想屈折率は複素平
面上においてn″（１−r2）／１＋r2を中心とした半径n
″・ ｜2r｜／｜１−r2｜の円を描くものである。但し｜ｒ｜ ＝n″−n′／n″＋n′。従つて上記したSiO2透明誘電体
膜と Cu金属膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈
折率を制御する為の透明誘電体膜としてはMgF2
膜、Si3N4膜、Ta2O5膜、TiO2膜、CeO2膜、
ZrO2膜、Al2O3膜等が使用できる。
以上の様にして反射膜の構造を変化させる事で
その屈折率を制御し得、その制御によつて実用上
満足し得るカー回転角を得る事が判明した。
その屈折率を制御し得、その制御によつて実用上
満足し得るカー回転角を得る事が判明した。
磁気光学記憶素子を用いた場合読出信号の大き
さの目安となるものは反射率をＲ、カー回転角を
αとしてRα2である。従つて上記読出信号の大き
さは殆どカー回転角αの大きさによつて左右され
る。実験によれば上記反射率Ｒの値はカー回転角
αの大きくなる領域で逆に小さくなるものである
が、上記読出信号の大きさはカー回転角αの値に
よる影響が強いので上記読出信号の大なる範囲は
カー回転角の大なる範囲と略一致する。
さの目安となるものは反射率をＲ、カー回転角を
αとしてRα2である。従つて上記読出信号の大き
さは殆どカー回転角αの大きさによつて左右され
る。実験によれば上記反射率Ｒの値はカー回転角
αの大きくなる領域で逆に小さくなるものである
が、上記読出信号の大きさはカー回転角αの値に
よる影響が強いので上記読出信号の大なる範囲は
カー回転角の大なる範囲と略一致する。
例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが15nm、
反射膜の屈折率n2が0.2−0.4iの時反射率Ｒは
0.22、カー回転角αは0.62゜でありRα2は約0.085で
ある。一方希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが100nm
と比較的に厚く反射膜効果がない時の反射率Ｒは
0.54、カー回転角αは0.21゜でありRα2は約0.024で
ある。以上の様に反射膜の効果がある場合は読出
信号が非常に大きいことが判る。そしてその結果
カー回転角が大きい程よい事が判る。
反射膜の屈折率n2が0.2−0.4iの時反射率Ｒは
0.22、カー回転角αは0.62゜でありRα2は約0.085で
ある。一方希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが100nm
と比較的に厚く反射膜効果がない時の反射率Ｒは
0.54、カー回転角αは0.21゜でありRα2は約0.024で
ある。以上の様に反射膜の効果がある場合は読出
信号が非常に大きいことが判る。そしてその結果
カー回転角が大きい程よい事が判る。
又、磁気光学記憶素子を用いた場合記録感度は
希土類−遷移金属膜の吸収率によつて左右され
る。そしてこの吸収率の観点からすれば希土類−
遷移金属膜の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方
が吸収率が大きい。例えば希土類−遷移金属膜の
膜厚ｄが15nm、反射膜の屈折率n2が0.2−0.4iの
時は希土類−遷移金属膜には入射光の72％が吸収
される。一方希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが
100nmと比較的に厚く反射膜効果がない時は希土
類−遷移金属膜には入射光の46％だけが吸収され
るのみである。以上の様に記録感度の点において
も反射膜構造の素子が優れている事が判る。
希土類−遷移金属膜の吸収率によつて左右され
る。そしてこの吸収率の観点からすれば希土類−
遷移金属膜の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方
が吸収率が大きい。例えば希土類−遷移金属膜の
膜厚ｄが15nm、反射膜の屈折率n2が0.2−0.4iの
時は希土類−遷移金属膜には入射光の72％が吸収
される。一方希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが
100nmと比較的に厚く反射膜効果がない時は希土
類−遷移金属膜には入射光の46％だけが吸収され
るのみである。以上の様に記録感度の点において
も反射膜構造の素子が優れている事が判る。
＜効果＞
以上説明したように本発明によれば、透明誘電
体膜と金属反射膜との組み合わせによつて仮想屈
折率の実数部Ａを０＜Ａ≦0.5、虚数部Ｂを０≧
Ｂ≧−1.5としたので、吸収率が大きいので記録
感度が優れているとともに、カー回転角を大きく
することができ、読出信号を大きくすることがで
きるので、優れた特性を有する磁気光学記憶素子
を提供することができる。
体膜と金属反射膜との組み合わせによつて仮想屈
折率の実数部Ａを０＜Ａ≦0.5、虚数部Ｂを０≧
Ｂ≧−1.5としたので、吸収率が大きいので記録
感度が優れているとともに、カー回転角を大きく
することができ、読出信号を大きくすることがで
きるので、優れた特性を有する磁気光学記憶素子
を提供することができる。
第１図は反射膜構造の磁気光学記憶素子の構成
説明図、第２図はそのカー回転角の特性のグラフ
図、第３図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構
成説明図、第４図はその反射膜の屈折率に対する
カー回転角の特性のグラフ図、第５図はSiO2透
明誘電体膜の膜厚を変化させた時の仮想屈折率の
変化を示すグラフ図である。 図中、１：基板、２：GdTbFe非晶質薄膜、
３：SiO2透明膜、４：Cu金属膜、５：空気、
６：希土類−遷移金属系非晶薄膜、７：反射膜。
説明図、第２図はそのカー回転角の特性のグラフ
図、第３図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構
成説明図、第４図はその反射膜の屈折率に対する
カー回転角の特性のグラフ図、第５図はSiO2透
明誘電体膜の膜厚を変化させた時の仮想屈折率の
変化を示すグラフ図である。 図中、１：基板、２：GdTbFe非晶質薄膜、
３：SiO2透明膜、４：Cu金属膜、５：空気、
６：希土類−遷移金属系非晶薄膜、７：反射膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 膜厚が30nm程度以下の、膜面に垂直な方向に
磁化容易軸を有する希土類−遷移金属系非晶質磁
性体薄膜と、 透明誘電体膜と、 金属反射膜とを備え、 前記透明誘電体膜と前記金属反射膜との組み合
わせによつて仮想屈折率の実数部Ａを０＜Ａ≦
0.5、虚数部Ｂを０≧Ｂ≧−1.5とすることを特徴
とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16588282A JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16588282A JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211841A Division JP2908911B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954056A JPS5954056A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH0479075B2 true JPH0479075B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15820764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16588282A Granted JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954056A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0208549B1 (en) * | 1985-07-10 | 1991-01-23 | Mitsubishi Kasei Corporation | A magneto-optical medium |
| JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
| JPH01116942A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気カー回転角の増大方法および磁気カー効果材料 |
| JP2908911B2 (ja) * | 1991-08-23 | 1999-06-23 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| JPH06139637A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| DE69326525T2 (de) * | 1992-11-17 | 2000-01-27 | Mitsubishi Chemical Corp., Tokio/Tokyo | Magnetooptischer Aufzeichnungträger und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe von optischer Information |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712428A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-22 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS5727494A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-13 | Sharp Corp | Magneto-optical storage element |
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16588282A patent/JPS5954056A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954056A (ja) | 1984-03-28 |
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