JPH06112009A - 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法 - Google Patents
高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法Info
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- JPH06112009A JPH06112009A JP4258656A JP25865692A JPH06112009A JP H06112009 A JPH06112009 A JP H06112009A JP 4258656 A JP4258656 A JP 4258656A JP 25865692 A JP25865692 A JP 25865692A JP H06112009 A JPH06112009 A JP H06112009A
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- Electronic Switches (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のＮｉ−Ｃｒ合金膜の５倍以上の比抵抗
値と、実用的な抵抗温度係数を有する高抵抗膜と、その
製造方法。 【構成】 Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒの
うち少なくとも１つの遷移金属中にホウ素が２０〜８０
wt％含まれている高抵抗膜、夫々独立した蒸発源より遷
移金属とホウ素を同時にかつ蒸発量を変えながら蒸発さ
せ、基板上に遷移金属中にホウ素が所定量含まれた高抵
抗膜を形成する方法。
値と、実用的な抵抗温度係数を有する高抵抗膜と、その
製造方法。 【構成】 Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒの
うち少なくとも１つの遷移金属中にホウ素が２０〜８０
wt％含まれている高抵抗膜、夫々独立した蒸発源より遷
移金属とホウ素を同時にかつ蒸発量を変えながら蒸発さ
せ、基板上に遷移金属中にホウ素が所定量含まれた高抵
抗膜を形成する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高抵抗膜および高抵抗膜
の製造方法に関し、更に詳しくは薄膜抵抗器、サーマル
ヘッドの発熱抵抗体に用いる高抵抗膜およびその製造方
法に関する。
の製造方法に関し、更に詳しくは薄膜抵抗器、サーマル
ヘッドの発熱抵抗体に用いる高抵抗膜およびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から薄膜抵抗器の抵抗材料としては
Ｎｉ−Ｃｒ等が知られており、また、サーマルヘッドの
発熱抵抗体材料としてはＣｒ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−
Ｏ等が知られている。
Ｎｉ−Ｃｒ等が知られており、また、サーマルヘッドの
発熱抵抗体材料としてはＣｒ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−
Ｏ等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子部品の小形
化、高集積化の要求から比抵抗がより大きく、抵抗温度
係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗材料が要望されている。
化、高集積化の要求から比抵抗がより大きく、抵抗温度
係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗材料が要望されている。
【０００４】しかしながら、薄膜抵抗器の抵抗材料とし
て用いられているＮｉ−Ｃｒの比抵抗は１００μΩcm
（０．１ｍΩcm）と小さいため、高抵抗を得るには膜厚
を薄くしたり、パターンを微細にしなければならない。
しかし膜厚が２００Å以下では抵抗値が不安定になりや
すく、微細なパターンの製作は困難となるばかりではな
く、高周波特性を悪化させるという問題がある。
て用いられているＮｉ−Ｃｒの比抵抗は１００μΩcm
（０．１ｍΩcm）と小さいため、高抵抗を得るには膜厚
を薄くしたり、パターンを微細にしなければならない。
しかし膜厚が２００Å以下では抵抗値が不安定になりや
すく、微細なパターンの製作は困難となるばかりではな
く、高周波特性を悪化させるという問題がある。
【０００５】また、サーマルヘッドの発熱抵抗体材料と
して用いられているＣｒ−Ｓｉ−Ｏ、或いはＴａ−Ｓｉ
−Ｏは膜中の酸素濃度の僅かな変化でも抵抗値が大きく
変化するという問題がある。
して用いられているＣｒ−Ｓｉ−Ｏ、或いはＴａ−Ｓｉ
−Ｏは膜中の酸素濃度の僅かな変化でも抵抗値が大きく
変化するという問題がある。
【０００６】本発明はかかる従来の問題点を解消し、Ｎ
ｉ−Ｃｒの５倍以上の比抵抗と、実用的な抵抗温度係数
を有する高抵抗膜と、その製造方法を提供することを目
的とする。
ｉ−Ｃｒの５倍以上の比抵抗と、実用的な抵抗温度係数
を有する高抵抗膜と、その製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高抵抗膜は下記
に示す方法で製造された膜である。
に示す方法で製造された膜である。
【０００８】(1)真空蒸着法、活性化反応性蒸着法、イ
オンプレーティング法、ＣＶＤ法のいずれかの方法によ
り、真空中、或いは窒素成分を含むガス雰囲気中、或い
は炭素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素と炭素の混
合成分を含むガス雰囲気中で、遷移金属或いは遷移金属
元素を含む合金とホウ素を夫々独立した蒸発源から夫々
任意の蒸発速度で同時に蒸発させて、基板上にＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択さ
れた少なくとも１つの遷移金属中にホウ素を２０〜８０
wt％含有する合金膜を形成した高抵抗膜。或いは基板上
に窒素、炭素、窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの
１種類を０〜５０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少なくとも１つ
の遷移金属中にホウ素を５〜６０wt％含有する合金膜を
形成した高抵抗膜である。
オンプレーティング法、ＣＶＤ法のいずれかの方法によ
り、真空中、或いは窒素成分を含むガス雰囲気中、或い
は炭素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素と炭素の混
合成分を含むガス雰囲気中で、遷移金属或いは遷移金属
元素を含む合金とホウ素を夫々独立した蒸発源から夫々
任意の蒸発速度で同時に蒸発させて、基板上にＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択さ
れた少なくとも１つの遷移金属中にホウ素を２０〜８０
wt％含有する合金膜を形成した高抵抗膜。或いは基板上
に窒素、炭素、窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの
１種類を０〜５０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少なくとも１つ
の遷移金属中にホウ素を５〜６０wt％含有する合金膜を
形成した高抵抗膜である。
【０００９】(2)上記(1)の遷移金属、即ちＣｒ，Ｍｏ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された
少なくとも１つの遷移金属或いは遷移金属元素を含む合
金と、ホウ素とを任意の組成に混合して作製したターゲ
ットを用い、スパッタ法により窒素成分を含むガス雰囲
気中、或いは炭素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素
と炭素の混合成分を含むガス雰囲気中で該ターゲットに
スパッタリングして基板上に上記(1)の組成の合金膜、
即ちＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る
群から選択された少なくとも１つの遷移金属中にホウ素
を２０〜８０wt％含有する合金膜、或いは窒素、炭素、
窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの１種類を０〜５
０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒか
ら成る群から選択された少なくとも１つの遷移金属中に
ホウ素を５〜６０wt％含有する合金膜を形成した高抵抗
膜である。
Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された
少なくとも１つの遷移金属或いは遷移金属元素を含む合
金と、ホウ素とを任意の組成に混合して作製したターゲ
ットを用い、スパッタ法により窒素成分を含むガス雰囲
気中、或いは炭素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素
と炭素の混合成分を含むガス雰囲気中で該ターゲットに
スパッタリングして基板上に上記(1)の組成の合金膜、
即ちＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る
群から選択された少なくとも１つの遷移金属中にホウ素
を２０〜８０wt％含有する合金膜、或いは窒素、炭素、
窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの１種類を０〜５
０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒか
ら成る群から選択された少なくとも１つの遷移金属中に
ホウ素を５〜６０wt％含有する合金膜を形成した高抵抗
膜である。
【００１０】
【作用】本発明構成の高抵抗膜は、その組成域において
Ｎｉ−Ｃｒ合金膜の５倍以上の大きな比抵抗が得られ、
かつ抵抗温度係数が小さい高抵抗膜となる。
Ｎｉ−Ｃｒ合金膜の５倍以上の大きな比抵抗が得られ、
かつ抵抗温度係数が小さい高抵抗膜となる。
【００１１】
【実施例】本発明の具体的実施例を説明する。
【００１２】実施例１ 本実施例は真空蒸着法により基板上にＢ−Ｃｒから成る
二元合金膜を形成する１例である。
二元合金膜を形成する１例である。
【００１３】先ず、真空処理室（図示せず）内の上方に
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属元素としてクロム（Ｃｒ）を、また他方の蒸発
源内にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を
真空度１×１０-5Torr以下に設定し、各蒸発源でクロム
とホウ素を夫々加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変
えながら、基板上に蒸着させてクロムに対するホウ素の
添加量、即ちホウ素濃度が種々異なる膜厚０．３〜０．
４μｍのＢ−Ｃｒから成る二元合金膜を形成した。
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属元素としてクロム（Ｃｒ）を、また他方の蒸発
源内にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を
真空度１×１０-5Torr以下に設定し、各蒸発源でクロム
とホウ素を夫々加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変
えながら、基板上に蒸着させてクロムに対するホウ素の
添加量、即ちホウ素濃度が種々異なる膜厚０．３〜０．
４μｍのＢ−Ｃｒから成る二元合金膜を形成した。
【００１４】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｃｒ合金
膜の電気的特性として比抵抗と抵抗温度係数を測定し、
その結果を図１に比抵抗を曲線Ａとし、抵抗温度係数を
曲線Ｂとして示した。図１から明らかなように、ホウ素
の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
（０．１ｍΩcm）値の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、抵抗温度係数の値をほぼ零にすることも
可能である。
膜の電気的特性として比抵抗と抵抗温度係数を測定し、
その結果を図１に比抵抗を曲線Ａとし、抵抗温度係数を
曲線Ｂとして示した。図１から明らかなように、ホウ素
の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
（０．１ｍΩcm）値の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、抵抗温度係数の値をほぼ零にすることも
可能である。
【００１５】実施例２ 遷移金属としてクロムの代わりにニオブ（Ｎｂ）を用い
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ素の
濃度が種々異なるＢ−Ｎｂから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｎｂ合金膜の夫々につい
て電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定した
ところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また
抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ素の
濃度が種々異なるＢ−Ｎｂから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｎｂ合金膜の夫々につい
て電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定した
ところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また
抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００１６】実施例３ 遷移金属としてクロムの代わりにチタン（Ｔｉ）を用い
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ素濃
度が種々異なるＢ−Ｔｉから成る二元合金膜を形成し、
ホウ素の濃度の異なる各Ｂ−Ｔｉ合金膜の夫々について
電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したと
ころ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また抵
抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ素濃
度が種々異なるＢ−Ｔｉから成る二元合金膜を形成し、
ホウ素の濃度の異なる各Ｂ−Ｔｉ合金膜の夫々について
電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したと
ころ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また抵
抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００１７】実施例４ 遷移金属としてクロムの代わりにモリブデン（Ｍｏ）を
用いた以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ
素濃度が種々異なるＢ−Ｍｏから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｍｏ合金膜の夫々につい
て電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定した
ところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また
抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
用いた以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ
素濃度が種々異なるＢ−Ｍｏから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｍｏ合金膜の夫々につい
て電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定した
ところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また
抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００１８】実施例５ 遷移金属としてクロムの代わりにタングステン（Ｗ）を
用いた以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ
素濃度が種々異なるＢ−Ｗから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｗ合金膜の夫々について
電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したと
ころ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また抵
抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
用いた以外は前記実施例１と同様の方法で基板上にホウ
素濃度が種々異なるＢ−Ｗから成る二元合金膜を形成
し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｗ合金膜の夫々について
電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したと
ころ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、また抵
抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００１９】実施例６ 基板上にＢ−Ｃｒ合金膜を形成するための方法として真
空蒸着法の代わりにＨＣＤ（中空陰極放電）法によるイ
オンプレーティング法を用いた以外は前記実施例１と同
様の方法でホウ素濃度が種々異なるＢ−Ｃｒから成る二
元合金膜を形成し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｃｒ合金
膜の夫々について電気的特性として比抵抗値と抵抗温度
係数を測定したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以
上であり、また抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内
であった。
空蒸着法の代わりにＨＣＤ（中空陰極放電）法によるイ
オンプレーティング法を用いた以外は前記実施例１と同
様の方法でホウ素濃度が種々異なるＢ−Ｃｒから成る二
元合金膜を形成し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｃｒ合金
膜の夫々について電気的特性として比抵抗値と抵抗温度
係数を測定したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以
上であり、また抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内
であった。
【００２０】実施例７ 基板上にＢ−Ｔｉ合金膜を形成するための方法として真
空蒸着法の代わりにＢ2Ｈ6とＴｉＣｌ4を原料ガスとし
たＣＶＤ法を用いた以外は前記実施例１と同様の方法で
ホウ素濃度が種々異なるＢ−Ｔｉから成る二元合金膜を
形成し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｔｉ合金膜の夫々に
ついて電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定
したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、
また抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
空蒸着法の代わりにＢ2Ｈ6とＴｉＣｌ4を原料ガスとし
たＣＶＤ法を用いた以外は前記実施例１と同様の方法で
ホウ素濃度が種々異なるＢ−Ｔｉから成る二元合金膜を
形成し、ホウ素濃度の異なる各Ｂ−Ｔｉ合金膜の夫々に
ついて電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定
したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、
また抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００２１】実施例８ 本実施例は活性化反応性蒸着法により基板上にＢ−Ｃｒ
−Ｃから成る三元合金膜を形成する１例である。
−Ｃから成る三元合金膜を形成する１例である。
【００２２】先ず、真空処理室（図示せず）内の上方に
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属としてクロム（Ｃｒ）を、また他方の蒸発源内
にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を真空
度１×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が
４×１０-4Torrとなるように炭素成分としてＣ2Ｈ2ガス
を導入して炭素ガス雰囲気とした。
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属としてクロム（Ｃｒ）を、また他方の蒸発源内
にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を真空
度１×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が
４×１０-4Torrとなるように炭素成分としてＣ2Ｈ2ガス
を導入して炭素ガス雰囲気とした。
【００２３】続いて、各蒸発源でクロムとホウ素を夫々
加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変えながら、基板
上に蒸着させてクロム中の炭素量が５０at％であって、
かつクロムに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚０．
４〜０．５μｍのＢ−Ｃｒ−Ｃから成る三元合金膜を形
成した。
加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変えながら、基板
上に蒸着させてクロム中の炭素量が５０at％であって、
かつクロムに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚０．
４〜０．５μｍのＢ−Ｃｒ−Ｃから成る三元合金膜を形
成した。
【００２４】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｃｒ−Ｃ
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図２に比抵抗を曲線Ｃ、抵抗温度係数
を曲線Ｄとして示した。図２から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図２に比抵抗を曲線Ｃ、抵抗温度係数
を曲線Ｄとして示した。図２から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
【００２５】実施例９ クロム中の炭素量を２０at％、４０at％とした以外は前
記実施例８と同様の方法でホウ素の濃度が種々異なるＢ
−Ｃｒ−Ｃから成る三元合金膜を形成した。
記実施例８と同様の方法でホウ素の濃度が種々異なるＢ
−Ｃｒ−Ｃから成る三元合金膜を形成した。
【００２６】そして各Ｂ−Ｃｒ−Ｃ合金膜の電気的特性
として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したところ、比抵
抗値はいずれのＢ−Ｃｒ−Ｃ合金膜もＮｉ−Ｃｒの５倍
以上であり、また、抵抗温度係数はいずれのＢ−Ｃｒ−
Ｃ合金膜も±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
として比抵抗値と抵抗温度係数を測定したところ、比抵
抗値はいずれのＢ−Ｃｒ−Ｃ合金膜もＮｉ−Ｃｒの５倍
以上であり、また、抵抗温度係数はいずれのＢ−Ｃｒ−
Ｃ合金膜も±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であった。
【００２７】実施例１０ 本実施例は活性化反応性蒸着法により基板上にＢ−Ｔｉ
−Ｃから成る三元合金膜を形成する１例である。
−Ｃから成る三元合金膜を形成する１例である。
【００２８】遷移金属としてクロムの代わりにチタン
（Ｔｉ）を用いた以外は前記実施例８と同様の方法で基
板上に蒸着せるチタン中の炭素量が５０at％であって、
かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚０．
５〜０．７μｍのＢ−Ｔｉ−Ｃから成る三元合金膜を形
成した。
（Ｔｉ）を用いた以外は前記実施例８と同様の方法で基
板上に蒸着せるチタン中の炭素量が５０at％であって、
かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚０．
５〜０．７μｍのＢ−Ｔｉ−Ｃから成る三元合金膜を形
成した。
【００２９】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｔｉ−Ｃ
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図３に比抵抗を曲線Ｅ、抵抗温度係数
を曲線Ｆとして示した。図３から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の７倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図３に比抵抗を曲線Ｅ、抵抗温度係数
を曲線Ｆとして示した。図３から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の７倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
【００３０】実施例１１ 本実施例は活性化反応性蒸着法により基板上にＢ−Ｔｉ
−Ｃ−Ｎから成る四元合金膜を形成する場合の１例であ
る。
−Ｃ−Ｎから成る四元合金膜を形成する場合の１例であ
る。
【００３１】先ず、真空処理室（図示せず）内の上方に
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属としてチタン（Ｔｉ）を、また他方の蒸発源内
にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を真空
度１×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が
４×１０-4Torrとなるように炭素成分としてＣ2Ｈ2ガス
と、窒素成分としてＮ2ガスを導入して炭素と窒素の混
合ガス雰囲気（分圧１：１）とした。
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配設し
た１対の蒸発源（図示せず）のうち、一方の蒸発源内に
遷移金属としてチタン（Ｔｉ）を、また他方の蒸発源内
にホウ素（Ｂ）を充填した。次に、真空処理室内を真空
度１×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が
４×１０-4Torrとなるように炭素成分としてＣ2Ｈ2ガス
と、窒素成分としてＮ2ガスを導入して炭素と窒素の混
合ガス雰囲気（分圧１：１）とした。
【００３２】続いて、各蒸発源でチタンとホウ素を夫々
加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変えながら、基板
上に蒸着させてチタン中の炭素量が２５at％、窒素量が
２５at％であって、かつチタンに対するホウ素の濃度が
種々異なる膜厚０．５〜０．６μｍのＢ−Ｔｉ−Ｃ−Ｎ
から成る四元合金膜を形成した。
加熱し、蒸発させ、その蒸発量を種々変えながら、基板
上に蒸着させてチタン中の炭素量が２５at％、窒素量が
２５at％であって、かつチタンに対するホウ素の濃度が
種々異なる膜厚０．５〜０．６μｍのＢ−Ｔｉ−Ｃ−Ｎ
から成る四元合金膜を形成した。
【００３３】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｔｉ−Ｃ
−Ｎ合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数
を測定し、その結果を図４に比抵抗を曲線Ｇ、抵抗温度
係数を曲線Ｈとして示した。図４から明らかなように、
ホウ素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比
抵抗値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得ら
れ、また、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減
少し、±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有するこ
とが分かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係
数の値をほぼ零にすることも可能である。
−Ｎ合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数
を測定し、その結果を図４に比抵抗を曲線Ｇ、抵抗温度
係数を曲線Ｈとして示した。図４から明らかなように、
ホウ素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比
抵抗値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得ら
れ、また、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減
少し、±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有するこ
とが分かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係
数の値をほぼ零にすることも可能である。
【００３４】実施例１２ 本実施例は活性化反応性蒸着法により基板上にＢ−Ｔｉ
−Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。
−Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。
【００３５】遷移金属としてクロムの代わりにチタン
（Ｔｉ）を用い、また合金膜の形成時の真空処理室内の
雰囲気を炭素ガス雰囲気の代わりに窒素成分としてＮ2
ガスを導入し、真空処理室内の圧力を４×１０-4Torrの
窒素ガス雰囲気とした以外は前記実施例９と同様の方法
で基板上に蒸着せるクロム中の窒素量が５０at％であっ
て、かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚
０．６〜０．７μｍのＢ−Ｔｉ−Ｎから成る三元合金膜
を形成した。
（Ｔｉ）を用い、また合金膜の形成時の真空処理室内の
雰囲気を炭素ガス雰囲気の代わりに窒素成分としてＮ2
ガスを導入し、真空処理室内の圧力を４×１０-4Torrの
窒素ガス雰囲気とした以外は前記実施例９と同様の方法
で基板上に蒸着せるクロム中の窒素量が５０at％であっ
て、かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚
０．６〜０．７μｍのＢ−Ｔｉ−Ｎから成る三元合金膜
を形成した。
【００３６】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｔｉ−Ｎ
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図５に比抵抗を曲線Ｉ、抵抗温度係数
を曲線Ｊとして示した。図５から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図５に比抵抗を曲線Ｉ、抵抗温度係数
を曲線Ｊとして示した。図５から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
【００３７】実施例１３ 本実施例は活性化反応性蒸着法により基板上にＢ−Ｚｒ
−Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。
−Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。
【００３８】遷移金属としてクロムの代わりにジルコニ
ウム（Ｚｒ）を用い、また合金膜の形成時の真空処理室
内の雰囲気を炭素ガス雰囲気の代わりに窒素成分として
Ｎ2ガスを導入し、真空処理室内の圧力を４×１０-4Tor
rの窒素ガス雰囲気とした以外は前記実施例９と同様の
方法で基板上に蒸着せるジルコニウム中の窒素量が５０
at％であって、かつジルコニウムに対するホウ素の濃度
が種々異なる膜厚０．４〜０．５μｍのＢ−Ｚｒ−Ｎか
ら成る三元合金膜を形成した。
ウム（Ｚｒ）を用い、また合金膜の形成時の真空処理室
内の雰囲気を炭素ガス雰囲気の代わりに窒素成分として
Ｎ2ガスを導入し、真空処理室内の圧力を４×１０-4Tor
rの窒素ガス雰囲気とした以外は前記実施例９と同様の
方法で基板上に蒸着せるジルコニウム中の窒素量が５０
at％であって、かつジルコニウムに対するホウ素の濃度
が種々異なる膜厚０．４〜０．５μｍのＢ−Ｚｒ−Ｎか
ら成る三元合金膜を形成した。
【００３９】そして基板上に形成された各Ｂ−Ｚｒ−Ｎ
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図６に比抵抗を曲線Ｋ、抵抗温度係数
を曲線Ｌとして示した。図６から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測
定し、その結果を図６に比抵抗を曲線Ｋ、抵抗温度係数
を曲線Ｌとして示した。図６から明らかなように、ホウ
素の濃度の増加と共に、従来のＮｉ−Ｃｒ合金の比抵抗
値（０．１ｍΩcm）の５倍以上の比抵抗値が得られ、ま
た、抵抗温度係数はホウ素の濃度の増加と共に減少し、
±５００ｐｐｍ／Ｋ以内の実用的な値を有することが分
かった。また、前記実施例１と同様に抵抗温度係数の値
をほぼ零にすることも可能である。
【００４０】実施例１４ 本実施例はクロムとホウ素の合金ターゲットを用い、ス
パッタ法により基板上にＢ−Ｃｒから成る二元合金膜を
形成する１例である。
パッタ法により基板上にＢ−Ｃｒから成る二元合金膜を
形成する１例である。
【００４１】先ず、真空処理室（図示せず）内の上方に
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配置し
たＲＦマグネトロンカソード（図示せず）上にクロム
（Ｃｒ）にホウ素（Ｂ）を３０wt％、４０wt％、５０wt
％ドープしたターゲット材のいずれかを載置した。次
に、真空処理室内を真空度１×１０-5Torr以下に設定
し、続いて真空処理室内が１×１０-3Torr程度になるよ
うにアルゴンガスを導入した。続いてホウ素含有量の異
なるターゲット材の夫々についてＲＦマグネトロンスパ
ッタ法によりスパッタし、基板上にクロムに対するホウ
素の濃度が種々異なる膜厚０．５μｍのＢ−Ｃｒから成
る二元合金膜を形成した。
配設した基板保持装置（図示せず）にガラス製の基板
（図示せず）を保持し、該真空処理室内の下方に配置し
たＲＦマグネトロンカソード（図示せず）上にクロム
（Ｃｒ）にホウ素（Ｂ）を３０wt％、４０wt％、５０wt
％ドープしたターゲット材のいずれかを載置した。次
に、真空処理室内を真空度１×１０-5Torr以下に設定
し、続いて真空処理室内が１×１０-3Torr程度になるよ
うにアルゴンガスを導入した。続いてホウ素含有量の異
なるターゲット材の夫々についてＲＦマグネトロンスパ
ッタ法によりスパッタし、基板上にクロムに対するホウ
素の濃度が種々異なる膜厚０．５μｍのＢ−Ｃｒから成
る二元合金膜を形成した。
【００４２】そして、基板上に形成された各Ｂ−Ｃｒ合
金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定
したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、
また、抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であっ
た。
金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を測定
したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であり、
また、抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であっ
た。
【００４３】実施例１５ 本実施例はチタンとホウ素の合金ターゲットを用い、窒
素ガス雰囲気中でスパッタ法により基板上にＢ−Ｔｉ−
Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。先ず、真
空処理室（図示せず）内の上方に配設した基板保持装置
（図示せず）にガラス製の基板（図示せず）を保持し、
該真空処理室内の下方に配置したＲＦマグネトロンカソ
ード（図示せず）上にチタン（Ｔｉ）にホウ素（Ｂ）を
１０wt％、２０wt％、３０wt％ドープしたターゲット材
のいずれかを載置した。次に、真空処理室内を真空度１
×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が１×
１０-3Torrとなるようにアルゴンガスと窒素成分として
Ｎ2ガスを導入して窒素ガス雰囲気とした。
素ガス雰囲気中でスパッタ法により基板上にＢ−Ｔｉ−
Ｎから成る三元合金膜を形成する１例である。先ず、真
空処理室（図示せず）内の上方に配設した基板保持装置
（図示せず）にガラス製の基板（図示せず）を保持し、
該真空処理室内の下方に配置したＲＦマグネトロンカソ
ード（図示せず）上にチタン（Ｔｉ）にホウ素（Ｂ）を
１０wt％、２０wt％、３０wt％ドープしたターゲット材
のいずれかを載置した。次に、真空処理室内を真空度１
×１０-5Torr以下に設定し、続いて真空処理室内が１×
１０-3Torrとなるようにアルゴンガスと窒素成分として
Ｎ2ガスを導入して窒素ガス雰囲気とした。
【００４４】続いて、ホウ素含有量の異なるターゲット
材の夫々についてＲＦマグネトロンスパッタ法によりス
パッタし、基板上にチタン中の窒素が５０at％であっ
て、かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚
０．５μｍのＢ−Ｔｉ−Ｎから成る三元合金膜を形成し
た。
材の夫々についてＲＦマグネトロンスパッタ法によりス
パッタし、基板上にチタン中の窒素が５０at％であっ
て、かつチタンに対するホウ素の濃度が種々異なる膜厚
０．５μｍのＢ−Ｔｉ−Ｎから成る三元合金膜を形成し
た。
【００４５】そして、基板上に形成された各Ｂ−Ｔｉ−
Ｎ合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を
測定したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であ
り、また、抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であ
った。
Ｎ合金膜の電気的特性として比抵抗値と抵抗温度係数を
測定したところ、比抵抗値はＮｉ−Ｃｒの５倍以上であ
り、また、抵抗温度係数は±５００ｐｐｍ／Ｋ以内であ
った。
【００４６】本発明の高抵抗膜の製造方法は前記実施例
のみに限定されるものではなく、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒのうち少なくとも１つの遷移金属中
にホウ素が２０〜８０wt％含まれる高抵抗膜を基板上に
形成する場合は、真空蒸着法、活性化反応性蒸着法、イ
オンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタ法のいずれ
かの方法を選択し、これらの方法の中で、遷移金属とホ
ウ素を夫々蒸発量を変化させながら加熱蒸発させたり、
或いはホウ素含有量の異なるターゲットにスパッタリン
グを行うことにより、遷移金属中にホウ素が任意の配合
比で組成された高抵抗膜を形成することが出来る。
のみに限定されるものではなく、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒのうち少なくとも１つの遷移金属中
にホウ素が２０〜８０wt％含まれる高抵抗膜を基板上に
形成する場合は、真空蒸着法、活性化反応性蒸着法、イ
オンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタ法のいずれ
かの方法を選択し、これらの方法の中で、遷移金属とホ
ウ素を夫々蒸発量を変化させながら加熱蒸発させたり、
或いはホウ素含有量の異なるターゲットにスパッタリン
グを行うことにより、遷移金属中にホウ素が任意の配合
比で組成された高抵抗膜を形成することが出来る。
【００４７】また、窒素、炭素、窒素と炭素の混合元素
のうちいずれか１種類を０〜５０at％の範囲で含有する
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒのうち少なく
とも１つの遷移金属中にホウ素が５〜６０wt％含まれる
高抵抗膜を基板上に形成する場合は、前記膜形成中に窒
素ガス、炭素ガスの単独ガスまたは混合ガスを導入、或
いはプラズマ雰囲気中で窒素ガス、炭素ガスの単独ガス
または混合ガスを導入しながら行うことにより遷移金属
中に炭素、窒素、炭素と窒素の混合元素のいずれか１種
類とホウ素が任意の配合比で組成された高抵抗膜を形成
することが出来る。
のうちいずれか１種類を０〜５０at％の範囲で含有する
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒのうち少なく
とも１つの遷移金属中にホウ素が５〜６０wt％含まれる
高抵抗膜を基板上に形成する場合は、前記膜形成中に窒
素ガス、炭素ガスの単独ガスまたは混合ガスを導入、或
いはプラズマ雰囲気中で窒素ガス、炭素ガスの単独ガス
または混合ガスを導入しながら行うことにより遷移金属
中に炭素、窒素、炭素と窒素の混合元素のいずれか１種
類とホウ素が任意の配合比で組成された高抵抗膜を形成
することが出来る。
【００４８】本発明の高抵抗膜の用途としては種々ある
が、その代表例を挙げると薄膜抵抗器、サーマルヘッド
の発熱抵抗体である。
が、その代表例を挙げると薄膜抵抗器、サーマルヘッド
の発熱抵抗体である。
【００４９】
【発明の効果】このように本発明の高抵抗膜によるとき
は、従来のＮｉ−Ｃｒ合金膜の５倍以上の大きな比抵抗
値と、実用的な抵抗温度係数を有するので、比抵抗が高
く、抵抗温度係数が小さいから、電子部品の小型化、高
集積化を図ることが出来る効果がある。
は、従来のＮｉ−Ｃｒ合金膜の５倍以上の大きな比抵抗
値と、実用的な抵抗温度係数を有するので、比抵抗が高
く、抵抗温度係数が小さいから、電子部品の小型化、高
集積化を図ることが出来る効果がある。
【００５０】また、本発明の高抵抗膜の製造方法による
ときは、比抵抗が高く、抵抗温度係数の小さい高抵抗膜
を極めて容易に製造することが出来る効果がある。
ときは、比抵抗が高く、抵抗温度係数の小さい高抵抗膜
を極めて容易に製造することが出来る効果がある。
【図１】 Ｂ−Ｃｒ膜中のＢ濃度と電気的特性との関係
を示す特性線図、
を示す特性線図、
【図２】 Ｂ−Ｃｒ−Ｃ膜中のＢ濃度と電気的特性との
関係を示す特性線図、
関係を示す特性線図、
【図３】 Ｂ−Ｔｉ−Ｃ膜中のＢ濃度と電気的特性との
関係を示す特性線図、
関係を示す特性線図、
【図４】 Ｂ−Ｔｉ−Ｃ−Ｎ膜中のＢ濃度と電気的特性
との関係を示す特性線図、
との関係を示す特性線図、
【図５】 Ｂ−Ｔｉ−Ｎ膜中のＢ濃度と電気的特性との
関係を示す特性線図、
関係を示す特性線図、
【図６】 Ｂ−Ｚｒ−ｎ膜中のＢ濃度と電気的特性との
関係を示す特性線図。
関係を示す特性線図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｃ 17/08 8834−5Ｅ (72)発明者 稲川 幸之助 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚ
ｒから成る群から選択された少なくとも１つの遷移金属
中にホウ素を２０〜８０wt％添加して成ることを特徴と
する高抵抗膜。 - 【請求項２】 窒素、炭素、窒素と炭素の混合元素のう
ちいずれかの１種類を０〜５０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少
なくとも１つの遷移金属中にホウ素を５〜６０wt％添加
して成ることを特徴とする高抵抗膜。 - 【請求項３】 夫々独立した蒸発源からＣｒ，Ｍｏ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少
なくとも１つの遷移金属とホウ素を同時に蒸発させ、真
空蒸着法、活性化反応性蒸着法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法のいずれかの方法で基板上にＣｒ，Ｍｏ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された
少なくとも１つの遷移金属中にホウ素を２０〜８０wt％
添加して成る高抵抗膜を形成することを特徴とする高抵
抗膜の製造方法。 - 【請求項４】 Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚ
ｒから成る群から選択された少なくとも１つの遷移金属
とホウ素を含むターゲットを用い、スパッタ法により該
ターゲットにスパッタリングして基板上にＣｒ，Ｍｏ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された
少なくとも１つの遷移金属中にホウ素を２０〜８０wt％
添加して成る高抵抗膜を形成することを特徴とする高抵
抗膜の製造方法。 - 【請求項５】 窒素成分を含むガス雰囲気中、或いは炭
素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素と炭素の混合成
分を含むガス雰囲気中で、夫々独立した蒸発源からＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から
選択された少なくとも１つの遷移金属とホウ素を同時に
蒸発させ、真空蒸着法、活性化反応性蒸着法、イオンプ
レーティング法、ＣＶＤ法のいずれかの方法で基板上に
窒素、炭素、窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの１
種類を０〜５０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少なくとも１つ
の遷移金属中にホウ素を５〜６０wt％添加して成る高抵
抗膜を形成することを特徴とする高抵抗膜の製造方法。 - 【請求項６】 窒素成分を含むガス雰囲気中、或いは炭
素成分を含むガス雰囲気中、或いは窒素と炭素の混合成
分を含むガス雰囲気中で、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少なくとも１つ
の遷移金属とホウ素を含むターゲットを用い、スパッタ
法により該ターゲットにスパッタリングして基板上に窒
素、炭素、窒素と炭素の混合元素のうちいずれかの１種
類を０〜５０at％含むＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｗ，Ｚｒから成る群から選択された少なくとも１つの遷
移金属中にホウ素を５〜６０wt％添加して成る高抵抗膜
を形成することを特徴とする高抵抗膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258656A JPH06112009A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258656A JPH06112009A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112009A true JPH06112009A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17323283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4258656A Pending JPH06112009A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112009A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220667A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-08-14 | Applied Materials Inc | スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 |
| JP2016519329A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-06-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | アモルファス層極端紫外線リソグラフィブランク及びそのための製造・リソグラフィシステム |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP4258656A patent/JPH06112009A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220667A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-08-14 | Applied Materials Inc | スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 |
| JP2016519329A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-06-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | アモルファス層極端紫外線リソグラフィブランク及びそのための製造・リソグラフィシステム |
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