JPH06112244A - 外部リード異物除去装置 - Google Patents

外部リード異物除去装置

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JPH06112244A
JPH06112244A JP4260988A JP26098892A JPH06112244A JP H06112244 A JPH06112244 A JP H06112244A JP 4260988 A JP4260988 A JP 4260988A JP 26098892 A JP26098892 A JP 26098892A JP H06112244 A JPH06112244 A JP H06112244A
Authority
JP
Japan
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foreign matter
semiconductor device
external lead
mask
external
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4260988A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Nakayama
康治 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
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Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置の外部リードに付着した繊維クズ,
メッキクズ等の異物を極めて短時間でより完全に除去す
る。 【構成】半導体装置5を一方向に移動させる搬送部2
と、外部リード9を露出し外郭体8を覆うマスク7と、
移動中の半導体装置5に、その移動方向と直交する方向
に走査し照射するレーザヘッド4を設け、外部リード9
に付着する異物の溶着部を剥離し、噴射ノズル11で異
物を吹き飛ばし、異物を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の外郭体よ
り突出する外部リードに付着する異物を除去する外部リ
ード異物除去装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の外部リード異物除去装置
は特別な専用装置はなく、汎用の超音波洗浄機による洗
浄や顕微鏡で見ながらピンセットで機械的に取除く方法
で行っていた。
【0003】しかしながら前者の洗浄方法では、完全に
異物を除去することが出来ず、超音波洗浄を行ってか
ら、後者の機械的な方法で残った異物を取除く方法を行
っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の異物除
去方法では、多大な作業工数を消費するばかりか、しば
しば、異物を取り残すという問題もある。
【0005】本発明の目的は、極めて短時間で異物をよ
り完全に除去できる外部リード異物除去装置を提供する
ことである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の外部リード異物
除去装値は、外部リードを露出させ半導体装置を覆うマ
スクと、このマスクに覆われる半導体装置を一方向に移
動させる搬送部と、前記一方向と直交する方向で走査さ
せレーザビームを移動中の前記半導体装置に照射するレ
ーザヘッドとを備えている。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の外部リード異物除去装置の
一実施例における構成を示す図及び部分拡大平面図であ
る。この外部リード異物除去装値は、図1に示すよう
に、供給部1から収納部3へ一方向にマスク7で覆われ
る半導体装置5を一方向に送る搬送部2と、マスク7に
覆われる半導体装置5にレーザビームを前記一方向に直
交する方向に走査する。レーザヘッド4と、レーザビー
ムで照射された半導体装置に乾燥空気を吹き付ける噴射
ノズル11を備えている。
【0009】次に、この外部リード異物除去装置の動作
を説明する。まず、供給部1からマスク7を覆せられた
半導体装置5が搬送部2で送られる。次に、レーザヘッ
ド4よりレーザビームを搬送方向に対して直交する方向
で走査し、図1(b)に示すように、レーザビームのス
ポット10でマスク7より露出した外部リード9に照射
する。このことにより外部リード9に付着した異物は外
部リード9より剥離する。次に、半導体装置5は更に送
られ、噴射ノズル11により異物を吹き飛ばす。そし
て、収納部3に送られる。次に、収納部3より供給部1
に戻し、半導体装置5を裏返しにし、外部リード9の裏
面も同様に行う。
【0010】なお、レーザヘッドは、YAGレーザ発振
器とガルバノミラーを組合せたもので良く、レーザスポ
ットの光強度密度を一定にし、ガルバノミラーの回転速
度により走査速度を調節して外部リード9のメッキ面を
損傷しない程度のエネルギー密度にする。
【0011】ちなみに半導体装置の外部リードの異物除
去を行ったところ、従来の超音波洗浄とピンセットによ
る異物除去の組合せで行った場合に比べ、その効率は数
10分の1という短時間で処理が行うことが出来た。
【0012】また、この実施例では、一方向から一台の
レーザヘッドにより照射して行っているが、複数台のレ
ーザヘッドを設け、両側あるいは上下から照射し、外部
リードの全ての面に照射すれば、よりその効率が向上す
ることは明らかである。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体装
置を一方向に送る搬送部と、半導体装置の外部リードを
露出させて、全体を覆うマスクと、このマスクを介して
半導体装置にレーザを前記一方向に直交する方向に走査
させ照射するレーザヘッドを設けることによって、人手
を介せずに極めて短時間に外部リードに付着する異物を
より完全で取除くことが出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の外部リード異物除去装置の一実施例に
おける構成を示す図及び部分拡大平面図である。
【符号の説明】
1 供給部 2 搬送部 3 収納部 4 レーザヘッド 5 半導体装置 7 マスク 8 外部体 9 外部リード 10 ビームスポット 11 照射ノズル

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部リードを露出させ半導体装置を覆う
    マスクと、このマスクに覆われる半導体装置を一方向に
    移動させる搬送部と、前記一方向と直交する方向で走査
    させレーザビームを移動中の前記半導体装置に照射する
    レーザヘッドとを備えることを特徴とする外部リード異
    物除去装置。
JP4260988A 1992-09-30 1992-09-30 外部リード異物除去装置 Withdrawn JPH06112244A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100283847B1 (ko) * 1994-05-16 2001-04-02 윤종용 몰드된 반도체 패키지의 디플래싱 장치 및 그 디플래싱 방법
JP2004343038A (ja) * 2003-05-12 2004-12-02 Jettech Ltd サイドフラッシュに切取溝を有する半導体パッケージおよびその切取溝の形成方法、並びに切取溝を有する半導体パッケージにおけるデフラッシュ方法
US8661655B2 (en) * 2002-05-24 2014-03-04 Koninklijke Philips N.V. Method suitable for transferring a component supported by a carrier to a desired position on a substrate, and a device designed for this

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KR100490680B1 (ko) * 2003-05-12 2005-05-19 주식회사 젯텍 사이드플래시에 절취홈을 갖는 반도체 패키지 및 그형성방법, 그리고 이를 이용한 디플래시 방법

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