JPH07185875A - パルスレーザによる材料加工方法 - Google Patents
パルスレーザによる材料加工方法Info
- Publication number
- JPH07185875A JPH07185875A JP5354917A JP35491793A JPH07185875A JP H07185875 A JPH07185875 A JP H07185875A JP 5354917 A JP5354917 A JP 5354917A JP 35491793 A JP35491793 A JP 35491793A JP H07185875 A JPH07185875 A JP H07185875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- pulse laser
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- several
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パルスレーザの照射による加工に際し、その
加工によって生じる加工カスを簡単に除去することを目
的とする。 【構成】 加工対象の材料の表面に、予め液体の薄層を
形成しておいてから、パルスレーザを照射して加工す
る。加工カスは加工部位の周囲に飛散するが、その加工
カスは周囲の液体に付着し、材料の表面に直接付着する
ことはない。加工後に材料の表面を洗浄すれば、加工カ
スは液体とともに流出する。これにより加工カスは除去
されることになる。
加工によって生じる加工カスを簡単に除去することを目
的とする。 【構成】 加工対象の材料の表面に、予め液体の薄層を
形成しておいてから、パルスレーザを照射して加工す
る。加工カスは加工部位の周囲に飛散するが、その加工
カスは周囲の液体に付着し、材料の表面に直接付着する
ことはない。加工後に材料の表面を洗浄すれば、加工カ
スは液体とともに流出する。これにより加工カスは除去
されることになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パルスレーザを利用し
た材料加工方法に関する。
た材料加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザのような短波長のパルス
レーザを、ポリマーなどの高分子材料の表面に照射し
て、所要の形状に加工することは既によく知られてい
る。このようなパルスレーザを照射すると、その照射部
分が瞬間的に分解、飛散する。この加工法はＣＯ２レー
ザ、ＹＡＧレーザなどによる熱加工とは異なり、照射周
囲への熱拡散が極めて少なく、加工エッジをシャープに
加工することができ、また短波長であるため、微細加工
が可能であるといった、各種の利点を備えている。
レーザを、ポリマーなどの高分子材料の表面に照射し
て、所要の形状に加工することは既によく知られてい
る。このようなパルスレーザを照射すると、その照射部
分が瞬間的に分解、飛散する。この加工法はＣＯ２レー
ザ、ＹＡＧレーザなどによる熱加工とは異なり、照射周
囲への熱拡散が極めて少なく、加工エッジをシャープに
加工することができ、また短波長であるため、微細加工
が可能であるといった、各種の利点を備えている。
【０００３】この加工方法は、図１に示すようにパルス
レーザの光路に加工形状のマスク１を配置し、このマス
ク１を通過したパルスレーザを、適当な光学系２により
材料に適した照射エネルギー密度、加工寸法に調整し、
材料３に照射して行う。
レーザの光路に加工形状のマスク１を配置し、このマス
ク１を通過したパルスレーザを、適当な光学系２により
材料に適した照射エネルギー密度、加工寸法に調整し、
材料３に照射して行う。
【０００４】しかしこのような加工方法では、材料３の
加工部位４の周囲にデブリスと呼ばれる加工カス５が堆
積して付着することがある。このように付着した加工カ
スを加工後に除去することは、材料によっても異なるが
通常は困難である。
加工部位４の周囲にデブリスと呼ばれる加工カス５が堆
積して付着することがある。このように付着した加工カ
スを加工後に除去することは、材料によっても異なるが
通常は困難である。
【０００５】一般的には加工の最中に加工部位４にヘリ
ウムガスをノズルによって吹き付けて、その加工カスを
吹き飛ばすことが行われているが、これによっても確実
に加工カスを除去することはできないし、またこのよう
なガスを使用することは、加工コストの増大の原因とな
る。
ウムガスをノズルによって吹き付けて、その加工カスを
吹き飛ばすことが行われているが、これによっても確実
に加工カスを除去することはできないし、またこのよう
なガスを使用することは、加工コストの増大の原因とな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パルスレー
ザの照射による加工に際し、その加工によって生じる加
工カスを簡単に除去することを目的とする。
ザの照射による加工に際し、その加工によって生じる加
工カスを簡単に除去することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、加工対象の材
料の表面に、液体の薄層を形成した状態で、パルスレー
ザを照射して加工することを特徴とする。
料の表面に、液体の薄層を形成した状態で、パルスレー
ザを照射して加工することを特徴とする。
【０００８】
【作用】加工の際、加工部位の周囲は液体で覆われてい
ることにより、加工によって生じた加工カスは、その液
体の表面を浮上するか、またはその液体中を浮遊もしく
は沈積し、材料の表面に直接付着することはない。加工
後にその液体を洗い流すことによって、加工カスは簡単
に材料の表面から除去することができる。
ることにより、加工によって生じた加工カスは、その液
体の表面を浮上するか、またはその液体中を浮遊もしく
は沈積し、材料の表面に直接付着することはない。加工
後にその液体を洗い流すことによって、加工カスは簡単
に材料の表面から除去することができる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例方法を図を参照して説明す
る。本発明にしたがい、加工の開始にさきだって、図２
に示すように、材料３（たとえばポリイミドフィルム）
の表面に、液体６を、数μｍ〜数百μｍ程度に薄く塗布
しておく。なお液体６はパルスレーザに対して透明のも
のであっても、または不透明のものであってもよい。
る。本発明にしたがい、加工の開始にさきだって、図２
に示すように、材料３（たとえばポリイミドフィルム）
の表面に、液体６を、数μｍ〜数百μｍ程度に薄く塗布
しておく。なお液体６はパルスレーザに対して透明のも
のであっても、または不透明のものであってもよい。
【００１０】液体６としては、材料３の表面に対する濡
れ性を考慮して適当に選択すればよい。たとえば液体と
して水を用いる場合、水のみでもよいが、脂肪酸石鹸水
のような界面活性剤を添加してもよい。このような界面
活性剤を添加することにより液体６の表面張力が小さく
なり、その塗布層を極力薄くすることができる。塗布層
を厚くするとパルスレーザの損失が大きくなるため、加
工効率が悪くなるとともに、加工後除去する際に手間が
かかり、得策ではない。
れ性を考慮して適当に選択すればよい。たとえば液体と
して水を用いる場合、水のみでもよいが、脂肪酸石鹸水
のような界面活性剤を添加してもよい。このような界面
活性剤を添加することにより液体６の表面張力が小さく
なり、その塗布層を極力薄くすることができる。塗布層
を厚くするとパルスレーザの損失が大きくなるため、加
工効率が悪くなるとともに、加工後除去する際に手間が
かかり、得策ではない。
【００１１】このように液体６を薄く塗布した状態でパ
ルスレーザを照射すると、その照射の当初において、照
射領域の表面の液体は、数ショットのパルスレーザで飛
散してしまう。しかし加工部位４の周囲の表面には液体
６が残っている状態となる。
ルスレーザを照射すると、その照射の当初において、照
射領域の表面の液体は、数ショットのパルスレーザで飛
散してしまう。しかし加工部位４の周囲の表面には液体
６が残っている状態となる。
【００１２】ここで加工カスが飛散してくると、その加
工カスはこのように残っている液体６の表面を浮上し、
または液体６中に浮遊、または堆積することにより、材
料３の表面に直接付着するようなことはない。加工後に
材料３をエタノールまたは中性洗剤で洗浄する。加工カ
スは材料３に直接付着していないことにより、加工カス
は液体６とともに材料３の表面から簡単に除去される。
工カスはこのように残っている液体６の表面を浮上し、
または液体６中に浮遊、または堆積することにより、材
料３の表面に直接付着するようなことはない。加工後に
材料３をエタノールまたは中性洗剤で洗浄する。加工カ
スは材料３に直接付着していないことにより、加工カス
は液体６とともに材料３の表面から簡単に除去される。
【００１３】なお使用する液体６として液体窒素、アル
コールなどのような揮発性の高いものを使用した場合、
あるいは加工に要する時間が長いことによって液体が蒸
発してしまうような場合は、その液体を補充する目的で
加工部位の周囲から液体を少量ずつ流しながら加工する
ようにしてもよい。この楊合、加工部位を冷却する効果
が加わり、さらに熱影響がないシャープな加工が可能と
なり、都合がよい。
コールなどのような揮発性の高いものを使用した場合、
あるいは加工に要する時間が長いことによって液体が蒸
発してしまうような場合は、その液体を補充する目的で
加工部位の周囲から液体を少量ずつ流しながら加工する
ようにしてもよい。この楊合、加工部位を冷却する効果
が加わり、さらに熱影響がないシャープな加工が可能と
なり、都合がよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ルスレーザにより材料を加工する際に生じる加工カス
を、単に材料の表面に液体を薄く塗布しておくだけで、
加工後に簡単にしかも確実に除去することができる効果
を奏する。
ルスレーザにより材料を加工する際に生じる加工カス
を、単に材料の表面に液体を薄く塗布しておくだけで、
加工後に簡単にしかも確実に除去することができる効果
を奏する。
【図１】本発明の実施例方法を示す加工配置図である。
【図２】液体を塗布した材料の拡大断面図である。
３ 材料 ６ 液体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出野 愼一 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内 (72)発明者 川北 有 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 加工対象の材料の表面に、液体の薄層を
形成した状態で、パルスレーザを照射して加工すること
を特徴とするパルスレーザによる材料加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354917A JPH07185875A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | パルスレーザによる材料加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354917A JPH07185875A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | パルスレーザによる材料加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07185875A true JPH07185875A (ja) | 1995-07-25 |
Family
ID=18440783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5354917A Pending JPH07185875A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | パルスレーザによる材料加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07185875A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409998A (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using a surfactant film |
| CN100363144C (zh) * | 2004-11-05 | 2008-01-23 | 中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种用于钛合金激光焊接的活性剂使用方法 |
| JP2008078581A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2008229722A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーマーキング方法、レーザーマーキング装置 |
| JP2008238260A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | レーザ表面改質装置及びその方法 |
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| US9242312B2 (en) | 2003-06-06 | 2016-01-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser machining using a surfactant film |
| WO2019117129A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 株式会社村田製作所 | 二次電池の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5354917A patent/JPH07185875A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| US9242312B2 (en) | 2003-06-06 | 2016-01-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser machining using a surfactant film |
| GB2409998A (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using a surfactant film |
| GB2409998B (en) * | 2004-01-13 | 2007-07-11 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using a surfactant film |
| CN100363144C (zh) * | 2004-11-05 | 2008-01-23 | 中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种用于钛合金激光焊接的活性剂使用方法 |
| JP2008078581A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2008238260A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | レーザ表面改質装置及びその方法 |
| JP2008229722A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーマーキング方法、レーザーマーキング装置 |
| WO2019117129A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 株式会社村田製作所 | 二次電池の製造方法 |
| JPWO2019117129A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2020-12-03 | 株式会社村田製作所 | 二次電池の製造方法 |
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