JPH06112249A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH06112249A JPH06112249A JP4280759A JP28075992A JPH06112249A JP H06112249 A JPH06112249 A JP H06112249A JP 4280759 A JP4280759 A JP 4280759A JP 28075992 A JP28075992 A JP 28075992A JP H06112249 A JPH06112249 A JP H06112249A
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- JP
- Japan
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- solid
- wire
- imaging device
- state imaging
- state image
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子１の電極がワイヤ５を介して取
り出される固体撮像装置において、エッジショートの発
生する虞れを伴うことなくフレアを小さくする。 【構成】 ワイヤ５の立ち上り高さａを１００μｍ以下
にし、ワイヤアーチと固体撮像素子のチップエッヂとの
上下方向における間隔ｂが５０μｍ以上になるように固
体撮像素子１の角部を面取り６する。
り出される固体撮像装置において、エッジショートの発
生する虞れを伴うことなくフレアを小さくする。 【構成】 ワイヤ５の立ち上り高さａを１００μｍ以下
にし、ワイヤアーチと固体撮像素子のチップエッヂとの
上下方向における間隔ｂが５０μｍ以上になるように固
体撮像素子１の角部を面取り６する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置、特にボ
ンディングワイヤによるフレアの少ない固体撮像装置に
関する。
ンディングワイヤによるフレアの少ない固体撮像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は一般に薄い直方体形状
（ペレット状）に形成され、そして、電極はワイヤボン
ディングによりリードに接続され、このリードによりパ
ッケージ外部に導出されていた。
（ペレット状）に形成され、そして、電極はワイヤボン
ディングによりリードに接続され、このリードによりパ
ッケージ外部に導出されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
てワイヤは光を反射するので、そのワイヤで反射された
光が撮像面に入射してフレアとなり画質を低下させると
いう問題があった。そして、フレアはワイヤの立ち上り
高さが高くなる程強くなる。そこで、ワイヤの立ち上り
高さを低くすることが試みられた。しかし、ワイヤの立
ち上り高さを低くするとワイヤと固体撮像装置のチップ
エッジとの間隔が小さくなり、エッジショートが発生し
易くなるという問題があった。
てワイヤは光を反射するので、そのワイヤで反射された
光が撮像面に入射してフレアとなり画質を低下させると
いう問題があった。そして、フレアはワイヤの立ち上り
高さが高くなる程強くなる。そこで、ワイヤの立ち上り
高さを低くすることが試みられた。しかし、ワイヤの立
ち上り高さを低くするとワイヤと固体撮像装置のチップ
エッジとの間隔が小さくなり、エッジショートが発生し
易くなるという問題があった。
【０００４】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、エッジショートの発生する虞れを伴
うことなくフレアを小さくすることを目的とする。
されたものであり、エッジショートの発生する虞れを伴
うことなくフレアを小さくすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明固体撮像装置は、
ワイヤの立ち上り高さを１００μｍ以下にし、ワイヤア
ーチと固体撮像素子のチップエッジとの上下方向におけ
る間隔が５０μｍ以上になるように面取りをしたことを
特徴とする。
ワイヤの立ち上り高さを１００μｍ以下にし、ワイヤア
ーチと固体撮像素子のチップエッジとの上下方向におけ
る間隔が５０μｍ以上になるように面取りをしたことを
特徴とする。
【０００６】
【作用】本願発明者の実験によれば、ワイヤの立ち上り
高さが１００μｍ以下ならばフレアは無視できる程小さ
くなり、そして、ワイヤアーチと固体撮像素子のチップ
エッジとの上下方向における間隔が５０μｍ以上ならば
エッジショート事故はほとんど皆無である。従って、本
発明によれば、エッジショートの発生する虞れを伴うこ
となくフレアを小さくすることができる。
高さが１００μｍ以下ならばフレアは無視できる程小さ
くなり、そして、ワイヤアーチと固体撮像素子のチップ
エッジとの上下方向における間隔が５０μｍ以上ならば
エッジショート事故はほとんど皆無である。従って、本
発明によれば、エッジショートの発生する虞れを伴うこ
となくフレアを小さくすることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明固体撮像装置を図示実施例に従
って詳細に説明する。図１は本発明固体撮像装置の一つ
の実施例を示す断面図である。図面において、１は固体
撮像素子で、パッケージ２の固体撮像素子収納凹部３底
面上にボンディングされている。４は固体撮像素子１の
電極を外部に導出する外部リード、５はワイヤ、６は切
欠、７は封止用ガラス板である。
って詳細に説明する。図１は本発明固体撮像装置の一つ
の実施例を示す断面図である。図面において、１は固体
撮像素子で、パッケージ２の固体撮像素子収納凹部３底
面上にボンディングされている。４は固体撮像素子１の
電極を外部に導出する外部リード、５はワイヤ、６は切
欠、７は封止用ガラス板である。
【０００８】本固体撮像装置は、従来の固体撮像装置と
は、先ず固体撮像素子１表面の電極８、８、…が形成さ
れた両側の角部に面取り（切欠）６、６が形成されてい
る点で相違する。そして、面取り６、６を形成すること
によってワイヤアーチと固体撮像素子のチップエッジと
の上下方向における間隔が５０μｍ以上されている。こ
れはワイヤ５と固体撮像素子１のエッジとのショート事
故を防止するためである。
は、先ず固体撮像素子１表面の電極８、８、…が形成さ
れた両側の角部に面取り（切欠）６、６が形成されてい
る点で相違する。そして、面取り６、６を形成すること
によってワイヤアーチと固体撮像素子のチップエッジと
の上下方向における間隔が５０μｍ以上されている。こ
れはワイヤ５と固体撮像素子１のエッジとのショート事
故を防止するためである。
【０００９】また、ワイヤ５の立ち上り高さａは１００
μｍ以下にされ、戻りｃ（図５の上部参照）は０にされ
ている。これはフレアを無視できる程度に弱めるためで
ある。尚、このようにショート事故を防止しつつフレア
を弱めることができる点については後で実験データに基
づいて改めて説明する。
μｍ以下にされ、戻りｃ（図５の上部参照）は０にされ
ている。これはフレアを無視できる程度に弱めるためで
ある。尚、このようにショート事故を防止しつつフレア
を弱めることができる点については後で実験データに基
づいて改めて説明する。
【００１０】図３は固体撮像素子１の面取り方法を説明
する斜視図である。９はフレームで、このフレーム９の
上のシート１０上に固体撮像素子形成済みウェハ１１が
接着されて面取り用のブレード１２により面取り６が形
成される。１３、１３はブレード１２の面取り面であ
る。
する斜視図である。９はフレームで、このフレーム９の
上のシート１０上に固体撮像素子形成済みウェハ１１が
接着されて面取り用のブレード１２により面取り６が形
成される。１３、１３はブレード１２の面取り面であ
る。
【００１１】図４は面取り後の状態を示す斜視図であ
る。そして、面取り終了後はフルカッティング用ブレー
ドによるウェハ１１を縦横に切断してペレタイズする。
１４はフルカッティング用ブレード１１によりカッティ
ングされた溝である。ペレタイズ後は固体撮像素子１の
ペレットボンディング、ワイヤボンディングを行い、そ
の後ガラス板７で封止すると図１に示す固体撮像装置が
出来上ることになる。
る。そして、面取り終了後はフルカッティング用ブレー
ドによるウェハ１１を縦横に切断してペレタイズする。
１４はフルカッティング用ブレード１１によりカッティ
ングされた溝である。ペレタイズ後は固体撮像素子１の
ペレットボンディング、ワイヤボンディングを行い、そ
の後ガラス板７で封止すると図１に示す固体撮像装置が
出来上ることになる。
【００１２】図５は１１通りのワイヤアーチループ条件
（各条件にケース１〜１１の番号を与えた）でワイヤボ
ンディングを行った場合のワイヤアーチとチップエッジ
との上下方向における間隔（ｂ）と、ワイヤの立ち上り
高さ（ａ）との関係図である。尚、すべてのケースにお
いてワイヤアーチの戻りｃは０である。この図５は本願
発明者による実験により得たものである。
（各条件にケース１〜１１の番号を与えた）でワイヤボ
ンディングを行った場合のワイヤアーチとチップエッジ
との上下方向における間隔（ｂ）と、ワイヤの立ち上り
高さ（ａ）との関係図である。尚、すべてのケースにお
いてワイヤアーチの戻りｃは０である。この図５は本願
発明者による実験により得たものである。
【００１３】本願発明者による実験によれば、ワイヤの
立ち上り高さａが１００μｍ以下だとフレアがほとんど
発生しない。発生しても無視できる程度である。また、
ワイヤアーチとチップエッジとの上下方向における間隔
ｂが５０μｍ以上ないとエッジショート事故の発生率が
無視できない値になる。従って、従来の場合だと合格
（ＯＫ）になるのは図５に示す二点鎖線に示す範囲に納
まる場合だけであった。
立ち上り高さａが１００μｍ以下だとフレアがほとんど
発生しない。発生しても無視できる程度である。また、
ワイヤアーチとチップエッジとの上下方向における間隔
ｂが５０μｍ以上ないとエッジショート事故の発生率が
無視できない値になる。従って、従来の場合だと合格
（ＯＫ）になるのは図５に示す二点鎖線に示す範囲に納
まる場合だけであった。
【００１４】しかし、本発明を実施すれば面取りにより
ワイヤアーチとチップエッジの上下方向における間隔ｂ
を大きくできるので、１点鎖線に示す範囲に収まる場合
も合格にできる。具体的にはケース１、２、９の場合に
はほとんど合格になる。
ワイヤアーチとチップエッジの上下方向における間隔ｂ
を大きくできるので、１点鎖線に示す範囲に収まる場合
も合格にできる。具体的にはケース１、２、９の場合に
はほとんど合格になる。
【００１５】
【発明の効果】本発明固体撮像装置は、ワイヤアーチと
固体撮像素子のチップエッジとの上下方向における間隔
が５０μｍ以上になるように固体撮像素子表面の電極形
成側の角部が面取りされたことを特徴とするものであ
る。従って、本発明固体撮像装置によれば、ワイヤの立
ち上り高さが１００μｍ以下ならばフレアは無視できる
程小さく、そして、ワイヤアーチと固体撮像素子のチッ
プエッジとの上下方向における間隔が５０μｍ以上なら
ばエッジショート事故はほとんど皆無であるので、エッ
ジショートの発生する虞れを伴うことなくフレアを小さ
くすることができる。
固体撮像素子のチップエッジとの上下方向における間隔
が５０μｍ以上になるように固体撮像素子表面の電極形
成側の角部が面取りされたことを特徴とするものであ
る。従って、本発明固体撮像装置によれば、ワイヤの立
ち上り高さが１００μｍ以下ならばフレアは無視できる
程小さく、そして、ワイヤアーチと固体撮像素子のチッ
プエッジとの上下方向における間隔が５０μｍ以上なら
ばエッジショート事故はほとんど皆無であるので、エッ
ジショートの発生する虞れを伴うことなくフレアを小さ
くすることができる。
【図１】本発明固体撮像装置の一つの実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】チップの斜視図である。
【図３】面取り方法を説明する斜視図である。
【図４】面取り後の状態を示す斜視図である。
【図５】ワイヤアーチとチップエッジとの上下方向にお
ける間隔ｂとワイヤ立ち上り高さａとの関係図である。
ける間隔ｂとワイヤ立ち上り高さａとの関係図である。
１ 固体撮像素子 ２ パッケージ ５ ワイヤ ６ 面取り
Claims (1)
- 【請求項１】 固体撮像素子の電極がワイヤを介して取
り出される固体撮像装置において、 ワイヤの立ち上り高さが１００μｍ以下にされ、 ワイヤアーチと固体撮像素子のチップエッジとの上下方
向における間隔が５０μｍ以上になるように固体撮像素
子表面の電極形成側の角部が面取りされたことを特徴と
する固体撮像装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280759A JPH06112249A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280759A JPH06112249A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112249A true JPH06112249A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17629562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4280759A Pending JPH06112249A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004261512A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Pentax Corp | 固体撮像素子、電子内視鏡 |
| US7446307B2 (en) * | 2005-07-21 | 2008-11-04 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Sensor semiconductor device and fabrication method of the sensor semiconductor device |
| JP2025169067A (ja) * | 2024-04-30 | 2025-11-12 | キヤノン株式会社 | 電子部品および機器 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4280759A patent/JPH06112249A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004261512A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Pentax Corp | 固体撮像素子、電子内視鏡 |
| US7446307B2 (en) * | 2005-07-21 | 2008-11-04 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Sensor semiconductor device and fabrication method of the sensor semiconductor device |
| JP2025169067A (ja) * | 2024-04-30 | 2025-11-12 | キヤノン株式会社 | 電子部品および機器 |
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