JPH0697352A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0697352A JPH0697352A JP27241392A JP27241392A JPH0697352A JP H0697352 A JPH0697352 A JP H0697352A JP 27241392 A JP27241392 A JP 27241392A JP 27241392 A JP27241392 A JP 27241392A JP H0697352 A JPH0697352 A JP H0697352A
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- resin
- semiconductor device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置において、半導体チッ
プのエッジとインナーリードとのショート不良をなく
し、且つ半導体チップとインナーリードの接合部に熱応
力が集中することを防止する。 【構成】 半導体チップ１の各電極２に接続したインナ
ーリード４を外側に行くに従って該半導体チップ１から
離れる方向（上方向）に斜めに延びるように形成する。
プのエッジとインナーリードとのショート不良をなく
し、且つ半導体チップとインナーリードの接合部に熱応
力が集中することを防止する。 【構成】 半導体チップ１の各電極２に接続したインナ
ーリード４を外側に行くに従って該半導体チップ１から
離れる方向（上方向）に斜めに延びるように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特にインナーリードと半導体チップのエッジとの間
のショート不良が発生する虞れがなく、また半導体チッ
プとリードとの接合部に加わる熱ストレスを緩和するこ
とができる樹脂封止型半導体装置に関する。
置、特にインナーリードと半導体チップのエッジとの間
のショート不良が発生する虞れがなく、また半導体チッ
プとリードとの接合部に加わる熱ストレスを緩和するこ
とができる樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）及び（Ｂ）は樹脂封止型半導
体装置の従来例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。図５に
おいて、１は半導体チップ、２、２、…は該半導体チッ
プ１に形成された電極、３、３、…はバンプ、４、４、
…は一端が該バンプ３、３、…を介して半導体チップの
電極２、２、…に接続されたインナーリードで、例えば
銅からなる。
体装置の従来例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。図５に
おいて、１は半導体チップ、２、２、…は該半導体チッ
プ１に形成された電極、３、３、…はバンプ、４、４、
…は一端が該バンプ３、３、…を介して半導体チップの
電極２、２、…に接続されたインナーリードで、例えば
銅からなる。
【０００３】５、５、…はインナーリード４、４、、…
の他端に形成された例えばアルミニウムからなる中間材
（エッチングストッパ）で、インナーリード４、４、…
の該他端には該中間材５、５、…を介してアウターリー
ド６、６、…の一端が接続されている。尚、インナーリ
ード４、４、…とアウターリード６、６、…からなるリ
ードフレームの製造方法については、本願出願人会社か
ら特願平３−３０６６６９号等により各種提案が為され
ている。７は封止樹脂である。従来の樹脂封止型半導体
装置は、図５に示すように、インナーリード４、４、…
が水平方向（平面方向）に延びていた。
の他端に形成された例えばアルミニウムからなる中間材
（エッチングストッパ）で、インナーリード４、４、…
の該他端には該中間材５、５、…を介してアウターリー
ド６、６、…の一端が接続されている。尚、インナーリ
ード４、４、…とアウターリード６、６、…からなるリ
ードフレームの製造方法については、本願出願人会社か
ら特願平３−３０６６６９号等により各種提案が為され
ている。７は封止樹脂である。従来の樹脂封止型半導体
装置は、図５に示すように、インナーリード４、４、…
が水平方向（平面方向）に延びていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード４、
４、…が水平方向（平面方向）に延びていたので、半導
体チップ１のエッジとインナーリード４との間で接触が
生じ易く、ショート不良の発生率が無視できない程高
く、樹脂封止型半導体装置の小型化、薄型化に応えよう
とする程その発生率が高くなる傾向にあった。
従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード４、
４、…が水平方向（平面方向）に延びていたので、半導
体チップ１のエッジとインナーリード４との間で接触が
生じ易く、ショート不良の発生率が無視できない程高
く、樹脂封止型半導体装置の小型化、薄型化に応えよう
とする程その発生率が高くなる傾向にあった。
【０００５】また、半導体チップ１とリード４とは線熱
膨張係数に大きな違いがあるので、インナーリード４を
水平に形成すると熱応力がインナーリード４と半導体チ
ップ１の電極２とのバンプ３を介しての接合部に加わ
り、その接合部あるいはその近傍部分がダメージを受け
るという問題があった。
膨張係数に大きな違いがあるので、インナーリード４を
水平に形成すると熱応力がインナーリード４と半導体チ
ップ１の電極２とのバンプ３を介しての接合部に加わ
り、その接合部あるいはその近傍部分がダメージを受け
るという問題があった。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体チップのエッジとインナーリ
ードとのショート不良をなくし、かつ半導体チップとイ
ンナーリードの接合部に熱応力が集中するのを防止する
ことを目的とする。
されたものであり、半導体チップのエッジとインナーリ
ードとのショート不良をなくし、かつ半導体チップとイ
ンナーリードの接合部に熱応力が集中するのを防止する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の樹脂封止型半
導体装置は、半導体チップの各電極に接続したインナー
リードを外側に行くに従って該半導体チップから離れる
方向に斜めに延びるように形成したことを特徴とする。
請求項２の樹脂封止型半導体装置は、請求項１の樹脂封
止型半導体装置において、各インナーリードのアウター
リードと接続された外端部表面が封止樹脂の表面から露
出せしめられてなることを特徴とする。
導体装置は、半導体チップの各電極に接続したインナー
リードを外側に行くに従って該半導体チップから離れる
方向に斜めに延びるように形成したことを特徴とする。
請求項２の樹脂封止型半導体装置は、請求項１の樹脂封
止型半導体装置において、各インナーリードのアウター
リードと接続された外端部表面が封止樹脂の表面から露
出せしめられてなることを特徴とする。
【０００８】
【作用】請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、イ
ンナーリードが外側に行くに従って該半導体チップから
離れる方向に斜めに延びているので、半導体チップのエ
ッジとショートする虞れがなくなるし、また、熱ストレ
スをインナーリードが曲ることによって吸収して熱スト
レスのインナーリードと半導体チップの電極との接合部
への集中を防止することができる。請求項２の樹脂封止
型半導体装置によれば、インナーリードの外端を露出せ
しめたので封止樹脂を徒らに厚くすることなく半導体チ
ップのエッジとインナーリードとのショート不良防止、
熱ストレスのインナーリードと半導体チップの電極との
接合部への集中を防止することができる。
ンナーリードが外側に行くに従って該半導体チップから
離れる方向に斜めに延びているので、半導体チップのエ
ッジとショートする虞れがなくなるし、また、熱ストレ
スをインナーリードが曲ることによって吸収して熱スト
レスのインナーリードと半導体チップの電極との接合部
への集中を防止することができる。請求項２の樹脂封止
型半導体装置によれば、インナーリードの外端を露出せ
しめたので封止樹脂を徒らに厚くすることなく半導体チ
ップのエッジとインナーリードとのショート不良防止、
熱ストレスのインナーリードと半導体チップの電極との
接合部への集中を防止することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面
図である。本実施例は、図５（Ａ）、（Ｂ）に示した樹
脂封止型半導体装置の従来例とは、半導体チップ１の各
電極２に接続したインナーリード４を外側に行くに従っ
て該半導体チップ１から離れる方向に斜めに延びるよう
に形成した点及び各インナーリード４のアウターリード
６と接続された端部表面が封止樹脂６から露出せしめら
れてなることを特徴とする点で相違するが、それ以外の
点では共通し、共通点については既に説明済みなのでそ
の説明は省略し、相違する点についてのみ説明する。ま
た、全図を通して共通部分には共通の符号を使用した。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面
図である。本実施例は、図５（Ａ）、（Ｂ）に示した樹
脂封止型半導体装置の従来例とは、半導体チップ１の各
電極２に接続したインナーリード４を外側に行くに従っ
て該半導体チップ１から離れる方向に斜めに延びるよう
に形成した点及び各インナーリード４のアウターリード
６と接続された端部表面が封止樹脂６から露出せしめら
れてなることを特徴とする点で相違するが、それ以外の
点では共通し、共通点については既に説明済みなのでそ
の説明は省略し、相違する点についてのみ説明する。ま
た、全図を通して共通部分には共通の符号を使用した。
【００１０】本樹脂封止型半導体装置のインナーリード
４は、バンプ３を介して半導体チップ１の電極２に接続
された内端から外側へ行くに従って半導体チップ１から
離れる方向に斜めに、即ち斜め上方に延びるように形成
されている。そして、インナーリード４の外端は、下面
が中間材５を介してアウターリード６の上面に接続され
ており、上面が封止樹脂７の上面と同一平面を成すよう
に露出せしめられている。
４は、バンプ３を介して半導体チップ１の電極２に接続
された内端から外側へ行くに従って半導体チップ１から
離れる方向に斜めに、即ち斜め上方に延びるように形成
されている。そして、インナーリード４の外端は、下面
が中間材５を介してアウターリード６の上面に接続され
ており、上面が封止樹脂７の上面と同一平面を成すよう
に露出せしめられている。
【００１１】従って、本樹脂封止型半導体装置によれ
ば、先ず第１に、インナーリード４が内端から外側へ行
くに従って半導体チップ１から離れる方向に斜めに、即
ち斜め上方に延びるように形成されているので、インナ
ーリード４と半導体チップ１のエッジとのショート事故
が生じにくい。尚、斜め上方に延びるインナーリード４
の半導体チップ１表面に対する角度θは図１の樹脂封止
型半導体装置の各別の変形例を示す図２（Ａ）、（Ｂ）
のように小さくしたり大きくしたり任意に選択すること
ができる。
ば、先ず第１に、インナーリード４が内端から外側へ行
くに従って半導体チップ１から離れる方向に斜めに、即
ち斜め上方に延びるように形成されているので、インナ
ーリード４と半導体チップ１のエッジとのショート事故
が生じにくい。尚、斜め上方に延びるインナーリード４
の半導体チップ１表面に対する角度θは図１の樹脂封止
型半導体装置の各別の変形例を示す図２（Ａ）、（Ｂ）
のように小さくしたり大きくしたり任意に選択すること
ができる。
【００１２】第２に、インナーリード４が半導体チップ
１の平面方向と平行に延びるのではなく斜め上方に延び
るように形成されているのでインナーリード４のバンプ
３を介して半導体チップ１の電極２との接合部に熱スト
レスがかかる虞れはない。即ち、半導体チップ１の線熱
膨張係数は２．３×１０-6／℃、封止樹脂７の線熱膨張
係数は２．０×１０-5／℃、インナーリード（銅）の線
熱膨張係数は１．７×１０-5／℃であり、半導体チップ
１とインナーリード４との間には線熱膨張係数に相当に
大きな差がある。
１の平面方向と平行に延びるのではなく斜め上方に延び
るように形成されているのでインナーリード４のバンプ
３を介して半導体チップ１の電極２との接合部に熱スト
レスがかかる虞れはない。即ち、半導体チップ１の線熱
膨張係数は２．３×１０-6／℃、封止樹脂７の線熱膨張
係数は２．０×１０-5／℃、インナーリード（銅）の線
熱膨張係数は１．７×１０-5／℃であり、半導体チップ
１とインナーリード４との間には線熱膨張係数に相当に
大きな差がある。
【００１３】従って、図３（Ｂ）に示す従来のようにイ
ンナーリード４が半導体チップ１の平面方向と平行に延
びている場合には、熱ストレスがインナーリード４と半
導体チップ１の接合点にもろに加わり、その接合点及び
その近傍に不良が発生し易くなる。しかるに、本樹脂封
止型半導体装置によればインナーリード４が斜め上方に
延びているので、線熱膨張係数の違いによる熱ストレス
が半導体チップ１の平面方向と平行に作用したとき図３
（Ａ）に示すようにインナーリード４が撓み度合を変え
る変形によってその熱ストレスを吸収することができ、
延いては熱ストレスがインナーリード４と半導体チップ
１の接合点に集中することを回避することできる。
ンナーリード４が半導体チップ１の平面方向と平行に延
びている場合には、熱ストレスがインナーリード４と半
導体チップ１の接合点にもろに加わり、その接合点及び
その近傍に不良が発生し易くなる。しかるに、本樹脂封
止型半導体装置によればインナーリード４が斜め上方に
延びているので、線熱膨張係数の違いによる熱ストレス
が半導体チップ１の平面方向と平行に作用したとき図３
（Ａ）に示すようにインナーリード４が撓み度合を変え
る変形によってその熱ストレスを吸収することができ、
延いては熱ストレスがインナーリード４と半導体チップ
１の接合点に集中することを回避することできる。
【００１４】そして、インナーリード４の外端部上面が
封止樹脂７から露出した構造を採っているので、封止樹
脂７を徒らに厚くすることなく上述したインナーリード
４と半導体チップ１のエッジとのショート防止効果、熱
ストレス吸収効果を得ることができる。
封止樹脂７から露出した構造を採っているので、封止樹
脂７を徒らに厚くすることなく上述したインナーリード
４と半導体チップ１のエッジとのショート防止効果、熱
ストレス吸収効果を得ることができる。
【００１５】図４は本発明樹脂封止型半導体装置の他の
実施例を示す断面図である。本実施例は半導体チップ１
の底面が露出した点でのみ図１に示す実施例と異なって
いる。本実施例によれば半導体チップ１の底面が露出す
るようにしたので封止樹脂７の厚さをより薄くすること
ができ、樹脂封止型半導体装置のより一層の薄型化を図
ることが可能になると共に、半導体チップ１内で発生し
た熱を底面から直接外部に放熱することができ、より放
熱性を高めることができる。
実施例を示す断面図である。本実施例は半導体チップ１
の底面が露出した点でのみ図１に示す実施例と異なって
いる。本実施例によれば半導体チップ１の底面が露出す
るようにしたので封止樹脂７の厚さをより薄くすること
ができ、樹脂封止型半導体装置のより一層の薄型化を図
ることが可能になると共に、半導体チップ１内で発生し
た熱を底面から直接外部に放熱することができ、より放
熱性を高めることができる。
【００１６】
【発明の効果】請求項１の樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップの各電極に接続したインナーリードを外側に
行くに従って該半導体チップから離れる方向に斜めに延
びるように形成したことを特徴とするものである。従っ
て、請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、インナ
ーリードが外側に行くに従って該半導体チップから離れ
る方向に斜めに延びているので、半導体チップのエッジ
とショートする虞れがなくなるし、また、熱ストレスを
インナーリードが曲ることによって吸収して熱ストレス
のインナーリードと半導体チップの電極との接合部への
集中を防止することができる。
導体チップの各電極に接続したインナーリードを外側に
行くに従って該半導体チップから離れる方向に斜めに延
びるように形成したことを特徴とするものである。従っ
て、請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、インナ
ーリードが外側に行くに従って該半導体チップから離れ
る方向に斜めに延びているので、半導体チップのエッジ
とショートする虞れがなくなるし、また、熱ストレスを
インナーリードが曲ることによって吸収して熱ストレス
のインナーリードと半導体チップの電極との接合部への
集中を防止することができる。
【００１７】請求項２の樹脂封止型半導体装置は、各イ
ンナーリードのアウターリードと接続された端部表面が
封止樹脂から露出せしめられてなることを特徴とする。
従って、請求項２の樹脂封止型半導体装置によれば、イ
ンナーリードの外端を露出せしめたので封止樹脂を徒ら
に厚くすることなく半導体チップのエッジとインナーリ
ードとのショート不良防止、熱ストレスのインナーリー
ドと半導体チップの電極との接合部への集中を防止する
ことができる。
ンナーリードのアウターリードと接続された端部表面が
封止樹脂から露出せしめられてなることを特徴とする。
従って、請求項２の樹脂封止型半導体装置によれば、イ
ンナーリードの外端を露出せしめたので封止樹脂を徒ら
に厚くすることなく半導体チップのエッジとインナーリ
ードとのショート不良防止、熱ストレスのインナーリー
ドと半導体チップの電極との接合部への集中を防止する
ことができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は図１の樹脂封止型半導体装置
の各別の変形例を示す断面図である。
の各別の変形例を示す断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の熱ストレス吸収効果を従来の樹脂封止型半導体装置の
場合と比較して説明する断面図、（Ａ）は本発明の場合
を、（Ｂ）は従来例の場合を示す。
の熱ストレス吸収効果を従来の樹脂封止型半導体装置の
場合と比較して説明する断面図、（Ａ）は本発明の場合
を、（Ｂ）は従来例の場合を示す。
【図４】本発明樹脂封止型半導体装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は従来例を示し、（Ａ）は斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
１ 半導体チップ ２ 電極 ４ インナーリード ６ アウターリード ７ 封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの各電極に内端が接続され
たインナーリードが外側へ行くに従って上記半導体チッ
プから離れる方向に斜めに延び、 各インナーリードの外端部にアウターリードが接続され
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置 - 【請求項２】 各インナーリードのアウターリードと接
続された端部表面が封止樹脂から露出せしめられてなる
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241392A JP3232696B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241392A JP3232696B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697352A true JPH0697352A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3232696B2 JP3232696B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=17513565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27241392A Expired - Fee Related JP3232696B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232696B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716670B1 (en) | 2002-01-09 | 2004-04-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of forming a three-dimensional stacked semiconductor package device |
| US6936495B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-08-30 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making an optoelectronic semiconductor package device |
| US6987034B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-17 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes singulating and trimming a lead |
| US7190060B1 (en) | 2002-01-09 | 2007-03-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27241392A patent/JP3232696B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716670B1 (en) | 2002-01-09 | 2004-04-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of forming a three-dimensional stacked semiconductor package device |
| US6774659B1 (en) | 2002-01-09 | 2004-08-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of testing a semiconductor package device |
| US6803651B1 (en) | 2002-01-09 | 2004-10-12 | Bridge Semiconductor Corporation | Optoelectronic semiconductor package device |
| US6891276B1 (en) * | 2002-01-09 | 2005-05-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device |
| US6908794B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-06-21 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes a conductive trace with recessed and non-recessed portions |
| US6936495B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-08-30 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making an optoelectronic semiconductor package device |
| US6987034B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-17 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes singulating and trimming a lead |
| US6989295B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-24 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes an insulative housing with first and second housing portions |
| US6989584B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-24 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device that includes a conductive trace with a routing line, a terminal and a lead |
| US7009309B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-03-07 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device that includes an insulative housing with a protruding peripheral portion |
| US7190060B1 (en) | 2002-01-09 | 2007-03-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3232696B2 (ja) | 2001-11-26 |
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