JPH06112580A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06112580A JPH06112580A JP25930592A JP25930592A JPH06112580A JP H06112580 A JPH06112580 A JP H06112580A JP 25930592 A JP25930592 A JP 25930592A JP 25930592 A JP25930592 A JP 25930592A JP H06112580 A JPH06112580 A JP H06112580A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光情報処理等の光源として用いる半導体レー
ザ装置において発振波長を安定させ、動作電流値を下げ
る。 【構成】 Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性層４の主面の少なくと
も一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイ
ド層５および回折格子を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２
光ガイド層６が形成されており、第２光ガイド層６の上
にストライプ状の窓７ａを有する逆導電型のＧａ1-ZＡ
ｌZＡｓ電流ブロック層７が形成されており、ストライ
プ状の窓７ａには一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓクラッ
ド層９が形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決める
Ｘ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞
Ｘ≧０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する。
ザ装置において発振波長を安定させ、動作電流値を下げ
る。 【構成】 Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性層４の主面の少なくと
も一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイ
ド層５および回折格子を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２
光ガイド層６が形成されており、第２光ガイド層６の上
にストライプ状の窓７ａを有する逆導電型のＧａ1-ZＡ
ｌZＡｓ電流ブロック層７が形成されており、ストライ
プ状の窓７ａには一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓクラッ
ド層９が形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決める
Ｘ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞
Ｘ≧０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報処理の光源として
好適な、可視域に波長を有し、広い温度範囲において発
振波長が安定で低動作電流の分布帰還型または分布反射
型の半導体レ−ザ装置に関する。
好適な、可視域に波長を有し、広い温度範囲において発
振波長が安定で低動作電流の分布帰還型または分布反射
型の半導体レ−ザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の半導体レーザ装置について
説明する。図９は従来の分布帰還型の半導体レーザ装置
の要部斜視図である（昭和６３年春季応用物理学会予稿
集２８ａ−ＺＰ−３ またはIEEE Journal of Quantum
Electron. vol.25 p.1489 (1989)参照）。ｐ型のガリウ
ムヒ素（ＧａＡｓ）基板２１の上に電流チャンネルとな
る窓２２ａを有するｎ型のＧａＡｓ電流ブロック層２２
が形成されており、その上にｐ型のガリウムアルミヒ素
（Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ）クラッド層２３、ｐ型のＧａ
0.87Ａｌ0.13Ａｓ活性層２４、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓバリア層２５、回折格子２６ａを有するｎ型のＧａ
0.75Ａｌ0.25Ａｓ光ガイド層２６、ｎ型のＧａ0.25Ａｌ
0.75Ａｓクラッド層２７、ｎ型のＧａＡｓコンタクト層
２８が形成されている。
説明する。図９は従来の分布帰還型の半導体レーザ装置
の要部斜視図である（昭和６３年春季応用物理学会予稿
集２８ａ−ＺＰ−３ またはIEEE Journal of Quantum
Electron. vol.25 p.1489 (1989)参照）。ｐ型のガリウ
ムヒ素（ＧａＡｓ）基板２１の上に電流チャンネルとな
る窓２２ａを有するｎ型のＧａＡｓ電流ブロック層２２
が形成されており、その上にｐ型のガリウムアルミヒ素
（Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ）クラッド層２３、ｐ型のＧａ
0.87Ａｌ0.13Ａｓ活性層２４、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓバリア層２５、回折格子２６ａを有するｎ型のＧａ
0.75Ａｌ0.25Ａｓ光ガイド層２６、ｎ型のＧａ0.25Ａｌ
0.75Ａｓクラッド層２７、ｎ型のＧａＡｓコンタクト層
２８が形成されている。
【０００３】図９の構造において、ｐ型のＧａＡｓ基板
２１から注入される電流は窓２２ａ内に有効に閉じ込め
られ、窓２２ａの上部の活性層２４でレーザ発振が生じ
る。このときＧａＡｓ電流ブロック層２２のバンドギャ
ップはレーザ光の波長のエネルギーに比べて小さいため
レーザ光は窓２２ａ以外の領域で電流ブロック層２２に
吸収されるので、レーザ光も有効に窓２２ａ内に閉じ込
められ、単一横モードのレーザ発振が得られる。このよ
うにしてレーザが光ガイド層２６の上に存在する回折格
子２６ａにより分布帰還（以下ＤＦＢと略す）モードで
発振するため、広い温度範囲でモードホップのない波長
安定なレーザ光源が得られる。
２１から注入される電流は窓２２ａ内に有効に閉じ込め
られ、窓２２ａの上部の活性層２４でレーザ発振が生じ
る。このときＧａＡｓ電流ブロック層２２のバンドギャ
ップはレーザ光の波長のエネルギーに比べて小さいため
レーザ光は窓２２ａ以外の領域で電流ブロック層２２に
吸収されるので、レーザ光も有効に窓２２ａ内に閉じ込
められ、単一横モードのレーザ発振が得られる。このよ
うにしてレーザが光ガイド層２６の上に存在する回折格
子２６ａにより分布帰還（以下ＤＦＢと略す）モードで
発振するため、広い温度範囲でモードホップのない波長
安定なレーザ光源が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ＧａＡｓ電流ブロック層によるレーザ光
の吸収によりしきい値および効率が制限され、その結果
動作電流値が高くなるという問題点を有していた。
来の構成では、ＧａＡｓ電流ブロック層によるレーザ光
の吸収によりしきい値および効率が制限され、その結果
動作電流値が高くなるという問題点を有していた。
【０００５】すなわち動作電流値の増加は特に高出力時
において素子の発熱を引き起こし、利得分布を長波長化
させる。このとき半導体レーザは回折格子で決まる波長
のＤＦＢモードでの発振からはずれ、ファブリペロ（以
下ＦＰと略す）モードでの発振となるので、高出力時に
発振波長が不安定になるという問題があった。
において素子の発熱を引き起こし、利得分布を長波長化
させる。このとき半導体レーザは回折格子で決まる波長
のＤＦＢモードでの発振からはずれ、ファブリペロ（以
下ＦＰと略す）モードでの発振となるので、高出力時に
発振波長が不安定になるという問題があった。
【０００６】本発明は上記の従来の問題点を解決するも
ので、低動作電流の半導体レーザ装置を提供することを
目的とする。
ので、低動作電流の半導体レーザ装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体レーザ装置は、Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性
層の主面の少なくとも一方の側に一導電型のＧａ1-Y1Ａ
ｌY1Ａｓ第１光ガイド層および回折格子を有するＧａ
1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成されており、第２
光ガイド層の上にストライプ状の窓を有する逆導電型の
Ｇａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成されており、ス
トライプ状の窓には逆導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が
形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧
０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有するものである。
に本発明の半導体レーザ装置は、Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性
層の主面の少なくとも一方の側に一導電型のＧａ1-Y1Ａ
ｌY1Ａｓ第１光ガイド層および回折格子を有するＧａ
1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成されており、第２
光ガイド層の上にストライプ状の窓を有する逆導電型の
Ｇａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成されており、ス
トライプ状の窓には逆導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が
形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧
０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有するものである。
【０００８】
【作用】この構成により、Ｇａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層よりも
混晶比の高いＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層の存在に
よりレーザ光がストライプ内に閉じ込められる。このと
き電流ブロック層はレーザ光に対して透明であるのでレ
ーザ光の吸収は生じない。さらに、回折格子の存在によ
り広い温度領域および光出力の変動に対して波長が安定
する。
混晶比の高いＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層の存在に
よりレーザ光がストライプ内に閉じ込められる。このと
き電流ブロック層はレーザ光に対して透明であるのでレ
ーザ光の吸収は生じない。さらに、回折格子の存在によ
り広い温度領域および光出力の変動に対して波長が安定
する。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例におけ
る半導体レーザ装置の要部斜視図である。ｎ型のＧａＡ
ｓ基板１の上に、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２が形成さ
れており、その上にｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド
層３、Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層５、共振器方向に回折格子
６ａを有するｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層
６が形成されている。回折格子の周期は、媒質内波長の
整数倍の周期となっている。さらに波長選択性を強くす
るために回折格子の中央部で周期を媒質内波長の１／４
だけシフトさせても構わない。回折格子６ａの上には電
流狭窄のために電流チャンネルとなる窓７ａを有するｎ
型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７が形成されて
おり、窓７ａの上にはｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッ
ド層９が形成されている。８はＧａ0.8Ａｌ0 .2Ａｓ保護
層、１０はｐ型のＧａＡｓコンタクト層である。
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例におけ
る半導体レーザ装置の要部斜視図である。ｎ型のＧａＡ
ｓ基板１の上に、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２が形成さ
れており、その上にｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド
層３、Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層５、共振器方向に回折格子
６ａを有するｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層
６が形成されている。回折格子の周期は、媒質内波長の
整数倍の周期となっている。さらに波長選択性を強くす
るために回折格子の中央部で周期を媒質内波長の１／４
だけシフトさせても構わない。回折格子６ａの上には電
流狭窄のために電流チャンネルとなる窓７ａを有するｎ
型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７が形成されて
おり、窓７ａの上にはｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッ
ド層９が形成されている。８はＧａ0.8Ａｌ0 .2Ａｓ保護
層、１０はｐ型のＧａＡｓコンタクト層である。
【００１０】ここで、安定な単一横モード発振を得るた
めに電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より高く
設定する。もし電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がク
ラッド層９と同程度の場合プラズマ効果によるストライ
プ内の屈折率の低下があり、アンチガイドの導波路とな
り、単一な横モード発振は得られない。また電流ブロッ
ク層７のＡｌＡｓ混晶比がｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓク
ラッド層９より低い場合は完全に横モードが不安定にな
る。本実施例では、図１に示すように電流ブロック層７
のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド
層９のＡｌＡｓ混晶比より０．１高く、０．６としてい
る。
めに電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より高く
設定する。もし電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がク
ラッド層９と同程度の場合プラズマ効果によるストライ
プ内の屈折率の低下があり、アンチガイドの導波路とな
り、単一な横モード発振は得られない。また電流ブロッ
ク層７のＡｌＡｓ混晶比がｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓク
ラッド層９より低い場合は完全に横モードが不安定にな
る。本実施例では、図１に示すように電流ブロック層７
のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド
層９のＡｌＡｓ混晶比より０．１高く、０．６としてい
る。
【００１１】この構造において、ｐ型のＧａＡｓコンタ
クト層１０から注入される電流は窓７ａ内に閉じ込めら
れ、窓７ａの下部のＧａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４で７
８０ｎｍ帯のレーザ発振が生じる。ここで、ｐ型のＧａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層５のＡｌＡｓ混晶比を活
性層４のＡｌＡｓ混晶比より十分に高くしており、活性
層４へ有効にキャリアを閉じ込め、可視域の発振を可能
としている。なお７８０ｎｍ帯のレーザ発振を得るため
にはＡｌＡｓ混晶比として０．４５以上が必要であり、
本実施例では０．５とした。再成長はＡｌＡｓ混晶比の
低いｐ型のＧａ 0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６の上へ
の成長となるため、表面酸化の問題は全くない。また第
２光ガイド層６のＡｌＡｓ混晶比としては、再成長が容
易な０．３以下で、レーザの発振波長に対して透明であ
ることが望ましく、本実施例では０．２としている。さ
らに、その膜厚は光分布にあまり影響を与えない０．０
５μｍ以下が望ましく、本実施例では０．０３μｍとし
ている。以上のように本実施例はキャリアを閉じ込める
層（第１光ガイド層５）と、再成長される層（第２光ガ
イド層６）を別々に形成することにより、可視域での発
振を可能としたものである。またｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6
Ａｓ電流ブロック層７の禁制帯幅はＧａ0.85Ａｌ0.15Ａ
ｓ活性層４の禁制帯幅よりも大きいので、電流ブロック
層７による光吸収がなく、導波路の損失の小さい低動作
電流の素子が得られる。
クト層１０から注入される電流は窓７ａ内に閉じ込めら
れ、窓７ａの下部のＧａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４で７
８０ｎｍ帯のレーザ発振が生じる。ここで、ｐ型のＧａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層５のＡｌＡｓ混晶比を活
性層４のＡｌＡｓ混晶比より十分に高くしており、活性
層４へ有効にキャリアを閉じ込め、可視域の発振を可能
としている。なお７８０ｎｍ帯のレーザ発振を得るため
にはＡｌＡｓ混晶比として０．４５以上が必要であり、
本実施例では０．５とした。再成長はＡｌＡｓ混晶比の
低いｐ型のＧａ 0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６の上へ
の成長となるため、表面酸化の問題は全くない。また第
２光ガイド層６のＡｌＡｓ混晶比としては、再成長が容
易な０．３以下で、レーザの発振波長に対して透明であ
ることが望ましく、本実施例では０．２としている。さ
らに、その膜厚は光分布にあまり影響を与えない０．０
５μｍ以下が望ましく、本実施例では０．０３μｍとし
ている。以上のように本実施例はキャリアを閉じ込める
層（第１光ガイド層５）と、再成長される層（第２光ガ
イド層６）を別々に形成することにより、可視域での発
振を可能としたものである。またｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6
Ａｓ電流ブロック層７の禁制帯幅はＧａ0.85Ａｌ0.15Ａ
ｓ活性層４の禁制帯幅よりも大きいので、電流ブロック
層７による光吸収がなく、導波路の損失の小さい低動作
電流の素子が得られる。
【００１２】本実施例の構造では、回折格子６ａの存在
により媒質内の屈折率は周期的に変化しており、共振器
方向に平行に進行する光は周期的に反射される。また回
折格子６ａは媒質内波長の整数倍の周期を有しており、
回折格子６ａで反射された光は位相が一致しているので
波長選択性が強くなる。そのため、温度変化、光出力の
変動、高速変調等に対して単一縦モード発振を維持する
ことができる。
により媒質内の屈折率は周期的に変化しており、共振器
方向に平行に進行する光は周期的に反射される。また回
折格子６ａは媒質内波長の整数倍の周期を有しており、
回折格子６ａで反射された光は位相が一致しているので
波長選択性が強くなる。そのため、温度変化、光出力の
変動、高速変調等に対して単一縦モード発振を維持する
ことができる。
【００１３】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例に
おける半導体レーザ装置の製造工程図である。まず図２
（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１の上にＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＢＥ成長法によりｎ型のＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３、Ｇ
ａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0. 5Ａ
ｓ第１光ガイド層５およびｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第
２光ガイド層６を成長する。次にＨｅ−Ｃｄレーザを光
源として用いた二光束干渉露光法で、レジスト膜に回折
格子をパターニングし、エッチングにより回折格子６ａ
を形成する。
おける半導体レーザ装置の製造工程図である。まず図２
（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１の上にＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＢＥ成長法によりｎ型のＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３、Ｇ
ａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0. 5Ａ
ｓ第１光ガイド層５およびｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第
２光ガイド層６を成長する。次にＨｅ−Ｃｄレーザを光
源として用いた二光束干渉露光法で、レジスト膜に回折
格子をパターニングし、エッチングにより回折格子６ａ
を形成する。
【００１４】次に図２（ｂ）に示すように、ｎ型のＧａ
0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７およびＧａ0.8Ａｌ0.2
Ａｓ保護層８を再びＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ成長法に
より成長し、ストライプ状の窓７ａをフォトエッチング
により形成する。エッチングの方法としては、最初に酒
石酸または硫酸等のＡｌＡｓ混晶比に対して選択性のあ
まりないエッチャントでＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロッ
ク層７の途中までエッチングし、次にフッ酸系またはリ
ン酸系等のＡｌＡｓ混晶比の高い層を選択的にエッチン
グできるエッチャントを用いて選択的にＧａ0.4Ａｌ0.6
Ａｓ電流ブロック層７をエッチングする。なおｐ型のＧ
ａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６はエッチングストッ
プ層としても作用するため、エッチングによるばらつき
が小さく、高歩留が得られる。このときのストライプ幅
は２μｍとした。なおストライプの形状は逆メサ形状よ
りも、順メサ形状とすることが好ましい。すなわち、逆
メサ形状とした場合には順メサ形状とした場合に比べて
結晶成長が困難となり、特性の低下に起因する歩留りの
低下を招く恐れがあるためである。実際に逆メサ形状の
場合、窓７ａの側面の部分に成長したＧａＡｌＡｓの結
晶性が損なわれ、作製された素子のしきい値電流は順メ
サ形状の素子に比べ約１０ｍＡ高くなった。後述する素
子の特性は順メサ形状のものを示している。保護層８は
ｎ型のＧａ0. 4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の上部を表
面酸化から守るのに必要である。また保護層８のＡｌＡ
ｓ混晶比としては、第２光ガイド層と同様、再成長が容
易な０．３以下でレーザ光に対して透明な混晶比である
ことが望ましい。
0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７およびＧａ0.8Ａｌ0.2
Ａｓ保護層８を再びＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ成長法に
より成長し、ストライプ状の窓７ａをフォトエッチング
により形成する。エッチングの方法としては、最初に酒
石酸または硫酸等のＡｌＡｓ混晶比に対して選択性のあ
まりないエッチャントでＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロッ
ク層７の途中までエッチングし、次にフッ酸系またはリ
ン酸系等のＡｌＡｓ混晶比の高い層を選択的にエッチン
グできるエッチャントを用いて選択的にＧａ0.4Ａｌ0.6
Ａｓ電流ブロック層７をエッチングする。なおｐ型のＧ
ａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６はエッチングストッ
プ層としても作用するため、エッチングによるばらつき
が小さく、高歩留が得られる。このときのストライプ幅
は２μｍとした。なおストライプの形状は逆メサ形状よ
りも、順メサ形状とすることが好ましい。すなわち、逆
メサ形状とした場合には順メサ形状とした場合に比べて
結晶成長が困難となり、特性の低下に起因する歩留りの
低下を招く恐れがあるためである。実際に逆メサ形状の
場合、窓７ａの側面の部分に成長したＧａＡｌＡｓの結
晶性が損なわれ、作製された素子のしきい値電流は順メ
サ形状の素子に比べ約１０ｍＡ高くなった。後述する素
子の特性は順メサ形状のものを示している。保護層８は
ｎ型のＧａ0. 4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の上部を表
面酸化から守るのに必要である。また保護層８のＡｌＡ
ｓ混晶比としては、第２光ガイド層と同様、再成長が容
易な０．３以下でレーザ光に対して透明な混晶比である
ことが望ましい。
【００１５】次に図２（ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ
法またはＭＢＥ成長法によりｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
クラッド層９およびｐ型のコンタクト層１０を再成長に
より形成する。このとき電流の流れるストライプ内はＡ
ｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガ
イド層６の上の成長となるため、容易に成長が行える。
ただし、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のドー
パントにＺｎを使用する場合には、再成長中のＺｎのス
トライプ領域への拡散による特性への影響があるため、
少なくとも再成長界面においてキャリア濃度を１０18ｃ
ｍ-3以下にする必要がある。本実施例では７×１０17ｃ
ｍ-3とした。Ｚｎの代わりにカーボンなどあまり拡散し
ないドーパントを用いる方法もある。最後に、ｎ型のＧ
ａＡｓ基板１側およびｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０
側にそれぞれ電極を形成する。
法またはＭＢＥ成長法によりｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
クラッド層９およびｐ型のコンタクト層１０を再成長に
より形成する。このとき電流の流れるストライプ内はＡ
ｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガ
イド層６の上の成長となるため、容易に成長が行える。
ただし、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のドー
パントにＺｎを使用する場合には、再成長中のＺｎのス
トライプ領域への拡散による特性への影響があるため、
少なくとも再成長界面においてキャリア濃度を１０18ｃ
ｍ-3以下にする必要がある。本実施例では７×１０17ｃ
ｍ-3とした。Ｚｎの代わりにカーボンなどあまり拡散し
ないドーパントを用いる方法もある。最後に、ｎ型のＧ
ａＡｓ基板１側およびｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０
側にそれぞれ電極を形成する。
【００１６】図２（ａ）〜（ｃ）において、活性層４お
よび保護層８の導電型は特に記載していないが、ｐ型で
あってもｎ型であっても、またノンドープであっても構
わない。また電流ブロック層７の膜厚については、電流
ブロック層７の厚さが薄いと上部のｐ型のＧａＡｓコン
タクト層１０においてレーザ光が吸収されるので最低限
０．４μｍは必要である。
よび保護層８の導電型は特に記載していないが、ｐ型で
あってもｎ型であっても、またノンドープであっても構
わない。また電流ブロック層７の膜厚については、電流
ブロック層７の厚さが薄いと上部のｐ型のＧａＡｓコン
タクト層１０においてレーザ光が吸収されるので最低限
０．４μｍは必要である。
【００１７】なお本実施例においては、回折格子がｐ型
のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６の上に形成した
ものを取り上げたが、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８の上
または活性層４の下に形成されていても構わない。
のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層６の上に形成した
ものを取り上げたが、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８の上
または活性層４の下に形成されていても構わない。
【００１８】図３は本発明の第２の実施例における半導
体レーザ装置の要部斜視図である。図３に示すように、
本実施例では回折格子８ａがＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層
８の上に形成されている。この構造における製造方法
は、１回目の成長によりＧａ0. 8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８ま
でを成長し、その上に回折格子８ａを形成する。次に電
流ブロック層７および保護層８に電流チャンネルとなる
窓７ａをエッチングにより形成した後、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９およびｐ型のＧａＡｓ層１０
を成長する。
体レーザ装置の要部斜視図である。図３に示すように、
本実施例では回折格子８ａがＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層
８の上に形成されている。この構造における製造方法
は、１回目の成長によりＧａ0. 8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８ま
でを成長し、その上に回折格子８ａを形成する。次に電
流ブロック層７および保護層８に電流チャンネルとなる
窓７ａをエッチングにより形成した後、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９およびｐ型のＧａＡｓ層１０
を成長する。
【００１９】図４は本発明の第３の実施例における半導
体レーザ装置の要部斜視図である。図４に示すように、
本実施例では活性層４の下に回折格子１１ａが形成され
ている。この構造における製造方法は、ｎ型のＧａ0.8
Ａｌ0.2Ａｓ第３光ガイド層１１までを成長した後回折
格子１１ａを形成し、次にｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保
護層８までを成長した後電流チャンネルとなる窓７ａを
形成し、最後にｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９
およびｐ型のＧａＡｓ層１０を成長する。
体レーザ装置の要部斜視図である。図４に示すように、
本実施例では活性層４の下に回折格子１１ａが形成され
ている。この構造における製造方法は、ｎ型のＧａ0.8
Ａｌ0.2Ａｓ第３光ガイド層１１までを成長した後回折
格子１１ａを形成し、次にｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保
護層８までを成長した後電流チャンネルとなる窓７ａを
形成し、最後にｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９
およびｐ型のＧａＡｓ層１０を成長する。
【００２０】なお少なくとも一方の端面近傍の第２光ガ
イド層の上に共振器方向に回折格子を形成した分布反射
型（以下ＤＢＲと略す）レーザにおいても、同様の効果
が得られる。図５は本発明の第４の実施例における半導
体レーザ装置の要部斜視図であり、ＤＢＲレーザとした
場合について示している。この構造における製造方法
は、Ｇａ 0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８までを１回の結晶成長
で形成し、窓７ａをエッチングした後、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９およびｐ型のＧａＡｓ層１０
を成長し、最後に、端面部をｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ
層６が露出するまでエッチングし、回折格子６ａを形成
する。このときのエッチングにはストライプ部のエッチ
ングに用いた選択エッチングの手法を用いる。ＤＢＲレ
ーザでは、回折格子の周期によってはレーザ光を回折格
子に直角な方向に取り出すことも可能であり、低動作電
流の面発光レーザが実現できる。
イド層の上に共振器方向に回折格子を形成した分布反射
型（以下ＤＢＲと略す）レーザにおいても、同様の効果
が得られる。図５は本発明の第４の実施例における半導
体レーザ装置の要部斜視図であり、ＤＢＲレーザとした
場合について示している。この構造における製造方法
は、Ｇａ 0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８までを１回の結晶成長
で形成し、窓７ａをエッチングした後、ｐ型のＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９およびｐ型のＧａＡｓ層１０
を成長し、最後に、端面部をｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ
層６が露出するまでエッチングし、回折格子６ａを形成
する。このときのエッチングにはストライプ部のエッチ
ングに用いた選択エッチングの手法を用いる。ＤＢＲレ
ーザでは、回折格子の周期によってはレーザ光を回折格
子に直角な方向に取り出すことも可能であり、低動作電
流の面発光レーザが実現できる。
【００２１】図６は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の電流−光出力特性を示す図である。従来例に
比べて電流ブロック層７における光吸収がないため低動
作電流化が実現でき、例えば共振器長２５０μｍ、１５
％／７５％コーティングを施した素子において１００ｍ
Ｗ以上の光出力が得られている。また横モードも高出力
まで安定な基本モードで発振している。
ーザ装置の電流−光出力特性を示す図である。従来例に
比べて電流ブロック層７における光吸収がないため低動
作電流化が実現でき、例えば共振器長２５０μｍ、１５
％／７５％コーティングを施した素子において１００ｍ
Ｗ以上の光出力が得られている。また横モードも高出力
まで安定な基本モードで発振している。
【００２２】図７は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の発振波長の光出力依存性を示す図である。従
来５０ｍＷ以上では素子の発熱によりファブリペロモー
ドの波長へモードホップし波長の変動を招いていたのに
対して、本発明の構造では１００ｍＷまで安定なＤＦＢ
モード発振が得られた。
ーザ装置の発振波長の光出力依存性を示す図である。従
来５０ｍＷ以上では素子の発熱によりファブリペロモー
ドの波長へモードホップし波長の変動を招いていたのに
対して、本発明の構造では１００ｍＷまで安定なＤＦＢ
モード発振が得られた。
【００２３】図８は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の発振波長の温度依存性を示す図である。本発
明の構造では５０ｍＷの高出力時において８０℃までモ
ードホップのない安定なレーザ発振が得られ、従来例に
比べて、特に高温動作時に優れた特性が得られている。
ーザ装置の発振波長の温度依存性を示す図である。本発
明の構造では５０ｍＷの高出力時において８０℃までモ
ードホップのない安定なレーザ発振が得られ、従来例に
比べて、特に高温動作時に優れた特性が得られている。
【００２４】なお活性層４を量子井戸構造とすることに
よりしきい値を低減できるので低動作電流化および高出
力化が可能となり、図６〜図８に示した諸特性をさらに
向上させることができる。量子井戸構造として７８０ｎ
ｍ帯の発振をする１０ｎｍの厚さのＧａ0.95Ａｌ0.05Ａ
ｓウェル層を４層と４ｎｍの厚さのＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ
バリア層５層とからなるマルチカンタムウェル（ＭＱ
Ｗ）構造を用いたとき、２００ｍＷ以上の光出力が得ら
れた。なお他の量子井戸構造、すなわちシングルカンタ
ムウェル（ＳＱＷ）構造、ダブルカンタムウェル（ＤＱ
Ｗ）構造、トリプルカンタムウェル（ＴＱＷ）構造、グ
リン（ＧＲＩＮ）構造またはそのセパレートコンファイ
ンメントヘテロストラクチャー（ＳＣＨ）構造などでも
同様である。
よりしきい値を低減できるので低動作電流化および高出
力化が可能となり、図６〜図８に示した諸特性をさらに
向上させることができる。量子井戸構造として７８０ｎ
ｍ帯の発振をする１０ｎｍの厚さのＧａ0.95Ａｌ0.05Ａ
ｓウェル層を４層と４ｎｍの厚さのＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ
バリア層５層とからなるマルチカンタムウェル（ＭＱ
Ｗ）構造を用いたとき、２００ｍＷ以上の光出力が得ら
れた。なお他の量子井戸構造、すなわちシングルカンタ
ムウェル（ＳＱＷ）構造、ダブルカンタムウェル（ＤＱ
Ｗ）構造、トリプルカンタムウェル（ＴＱＷ）構造、グ
リン（ＧＲＩＮ）構造またはそのセパレートコンファイ
ンメントヘテロストラクチャー（ＳＣＨ）構造などでも
同様である。
【００２５】なお上記全ての実施例においてｎ型のＧａ
Ａｓ基板１およびｎ型の電流ブロック層７を用いた場合
について説明したが、ｐ型のＧａＡｓ基板１にｐ型を用
い、ｐ型の電流ブロック層を用いても構わない。すなわ
ち、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比が高いからであ
り、ＡｌＡｓ混晶比の高いｐ型のＧａＡｌＡｓ層の場合
電子の拡散が抑えられるのでｐ型のブロック層の実現が
可能となるからである。
Ａｓ基板１およびｎ型の電流ブロック層７を用いた場合
について説明したが、ｐ型のＧａＡｓ基板１にｐ型を用
い、ｐ型の電流ブロック層を用いても構わない。すなわ
ち、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比が高いからであ
り、ＡｌＡｓ混晶比の高いｐ型のＧａＡｌＡｓ層の場合
電子の拡散が抑えられるのでｐ型のブロック層の実現が
可能となるからである。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、活性層となるＧ
ａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に一導電
型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイド層および回折格子
を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成され
ており、第２光ガイド層上にストライプ状の窓を有する
逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成され
ており、ストライプ状の窓には一導電型のＧａ1-Y3Ａｌ
Y3Ａｓ層が形成されており、ＡｌＡｓ混晶比を決める
Ｘ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞
Ｘ≧０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を成立させた構成により、温
度変化、光出力の変動等に対して発振波長が安定で低動
作電流の優れた半導体レ−ザ装置を容易に実現できるも
のである。
ａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に一導電
型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイド層および回折格子
を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成され
ており、第２光ガイド層上にストライプ状の窓を有する
逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成され
ており、ストライプ状の窓には一導電型のＧａ1-Y3Ａｌ
Y3Ａｓ層が形成されており、ＡｌＡｓ混晶比を決める
Ｘ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞
Ｘ≧０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を成立させた構成により、温
度変化、光出力の変動等に対して発振波長が安定で低動
作電流の優れた半導体レ−ザ装置を容易に実現できるも
のである。
【００２７】また本発明の半導体レーザでは、電流ブロ
ック層のＡｌＡｓ混晶比がクラッド層のＡｌＡｓ混晶比
より高く設定されているため単一横モードで発振し、ま
たレーザ光の電流ブロック層による光吸収がないため低
動作電流値が得られる。さらに、回折格子を形成するこ
とにより波長安定なＤＦＢモードで発振させることがで
きる。この低動作電流化によって、高出力時において素
子の発熱量を低減できるためファブリペロモードへのモ
ードホップを抑制し、高出力まで発振波長の安定な半導
体レーザを得ることができる。
ック層のＡｌＡｓ混晶比がクラッド層のＡｌＡｓ混晶比
より高く設定されているため単一横モードで発振し、ま
たレーザ光の電流ブロック層による光吸収がないため低
動作電流値が得られる。さらに、回折格子を形成するこ
とにより波長安定なＤＦＢモードで発振させることがで
きる。この低動作電流化によって、高出力時において素
子の発熱量を低減できるためファブリペロモードへのモ
ードホップを抑制し、高出力まで発振波長の安定な半導
体レーザを得ることができる。
【００２８】さらに、低動作電流化によって、レーザマ
ウント部の発熱量の低減できるため小型で軽量のヒート
シンクの使用が可能となり、従来は金属であったレーザ
パッケージの樹脂化が実現できピックアップの大幅な小
型化、低コスト化が図れる。
ウント部の発熱量の低減できるため小型で軽量のヒート
シンクの使用が可能となり、従来は金属であったレーザ
パッケージの樹脂化が実現できピックアップの大幅な小
型化、低コスト化が図れる。
【００２９】以上のような効果を有する半導体レーザ装
置を光情報処理の分野に使用することにより、光情報処
理機器の小型化、高性能化において絶大なる効果を発揮
する。
置を光情報処理の分野に使用することにより、光情報処
理機器の小型化、高性能化において絶大なる効果を発揮
する。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置の要部斜視図
置の要部斜視図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例における半
導体レーザ装置の製造工程図
導体レーザ装置の製造工程図
【図３】本発明の第２の実施例における半導体レーザ装
置の要部斜視図
置の要部斜視図
【図４】本発明の第３の実施例における半導体レーザ装
置の要部斜視図
置の要部斜視図
【図５】本発明の第４の実施例における半導体レーザ装
置の要部斜視図
置の要部斜視図
【図６】本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
電流−光出力特性を示す図
電流−光出力特性を示す図
【図７】本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
発振波長の光出力依存性を示す図
発振波長の光出力依存性を示す図
【図８】本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
発振波長の温度依存性を示す図
発振波長の温度依存性を示す図
【図９】従来の半導体レーザ装置の要部斜視図
４ Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ活性層（Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活
性層） ５ Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層（Ｇａ1-Y1Ａｌ
Y1Ａｓ第１光ガイド層） ６ Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層（Ｇａ1-Y2Ａｌ
Y2Ａｓ第２光ガイド層） ７ Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層（Ｇａ1-ZＡｌZ
Ａｓ電流ブロック層） ７ａ ストライプ状の窓 ９ Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層（Ｇａ1-Y3ＡｌY3Ａ
ｓクラッド層）
性層） ５ Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第１光ガイド層（Ｇａ1-Y1Ａｌ
Y1Ａｓ第１光ガイド層） ６ Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第２光ガイド層（Ｇａ1-Y2Ａｌ
Y2Ａｓ第２光ガイド層） ７ Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層（Ｇａ1-ZＡｌZ
Ａｓ電流ブロック層） ７ａ ストライプ状の窓 ９ Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層（Ｇａ1-Y3ＡｌY3Ａ
ｓクラッド層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 国雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性層の主面の少なく
とも一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガ
イド層および回折格子を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２
光ガイド層が形成されており、前記第２光ガイド層上に
ストライプ状の窓を有する逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ
電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の
窓には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が形成されてお
り、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３
およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０、Ｙ１＞Ｙ２の
関係を有する半導体レ−ザ装置。 - 【請求項２】 Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性層の主面の少なく
とも一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガ
イド層およびＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成
されており、前記第２光ガイド層上にストライプ状の窓
を有する逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が
形成されており、前記電流ブロック層上には回折格子を
有するＧａＡｌＡｓ層が形成されており、前記ストライ
プ状の窓には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が形成さ
れており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ１、Ｙ
２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０、Ｙ１
＞Ｙ２の関係を有する半導体レ−ザ装置。 - 【請求項３】 回折格子を有する一導電型のＧａＡｌＡ
ｓ層上に一導電型のＧａＡｌＡｓクラッド層が形成され
ており、その上にＧａ1-XＡｌXＡｓ活性層、逆導電型の
Ｇａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイド層およびＧａ1-Y2Ａｌ
Y2Ａｓ第２光ガイド層が形成されており、前記第２光ガ
イド層上にストライプ状の窓を有する一導電型のＧａ
1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成されており、前記ス
トライプ状の窓には逆導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が
形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧
０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する半導体レ−ザ装置。 - 【請求項４】 量子井戸構造の活性層の主面の少なくと
も一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイ
ド層および回折格子を有するＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光
ガイド層が形成されており、前記第２光ガイド層上にス
トライプ状の窓を有する逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ電
流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓
には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が形成されてお
り、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＹ１、Ｙ２、Ｙ３およ
びＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する
半導体レ−ザ装置。 - 【請求項５】 量子井戸構造の活性層の主面の少なくと
も一方の側に一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイ
ド層およびＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成さ
れており、前記第２光ガイド層上にストライプ状の窓を
有する逆導電型のＧａ1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形
成されており、前記電流ブロック層上には回折格子を有
するＧａＡｌＡｓ層が形成されており、前記ストライプ
状の窓には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が形成され
ており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＹ１、Ｙ２、Ｙ３
およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有
する半導体レ−ザ装置。 - 【請求項６】 回折格子を有する一導電型のＧａＡｌＡ
ｓ層上に一導電型のＧａＡｌＡｓクラッド層があり、そ
の上に量子井戸構造の活性層、逆導電型のＧａ 1-Y1Ａｌ
Y1Ａｓ第１光ガイド層およびＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第２光
ガイド層が形成されており、前記第２光ガイド層上にス
トライプ状の窓を有する一導電型のＧａ 1-ZＡｌZＡｓ電
流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓
には逆導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が形成されてお
り、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＹ１、Ｙ２、Ｙ３およ
びＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する
半導体レ−ザ装置。 - 【請求項７】 Ｇａ1-XＡｌXＡｓ活性層の上に一導電型
のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイド層およびＧａ1-Y2Ａ
ｌY2Ａｓ第２光ガイド層が形成されており、少なくとも
一端面近傍の前記第２光ガイド層の上には回折格子が形
成されており、回折格子が形成されていない第２光ガイ
ド層の上にはストライプ状の窓を有する逆導電型のＧａ
1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成されており、前記ス
トライプ状の窓には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が
形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＸ、Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧
０、Ｙ１＞Ｙ２の関係を有する半導体レ−ザ装置。 - 【請求項８】 量子井戸構造の活性層の上に一導電型の
Ｇａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第１光ガイド層およびＧａ1-Y2Ａｌ
Y2Ａｓ第２光ガイド層が形成されており、少なくとも一
端面近傍の前記第２光ガイド層の上には回折格子が形成
されており、回折格子が形成されていない第２光ガイド
層の上にはストライプ状の窓を有する逆導電型のＧａ
1-ZＡｌZＡｓ電流ブロック層が形成されており、前記ス
トライプ状の窓には一導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層が
形成されており、かつＡｌＡｓ混晶比を決めるＹ１、Ｙ
２、Ｙ３およびＺの間にＺ＞Ｙ３＞Ｙ２、Ｙ１＞Ｙ２の
関係を有する半導体レ−ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259305A JP3040262B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体レーザ装置 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-09-29 JP JP4259305A patent/JP3040262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7050472B2 (en) | 2000-03-01 | 2006-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| JP2023045002A (ja) * | 2021-09-21 | 2023-04-03 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
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