JPH0611486B2 - セラミツクス製管状部材の製造方法 - Google Patents
セラミツクス製管状部材の製造方法Info
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- JPH0611486B2 JPH0611486B2 JP26538185A JP26538185A JPH0611486B2 JP H0611486 B2 JPH0611486 B2 JP H0611486B2 JP 26538185 A JP26538185 A JP 26538185A JP 26538185 A JP26538185 A JP 26538185A JP H0611486 B2 JPH0611486 B2 JP H0611486B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Tubular Articles Or Embedded Moulded Articles (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はセラミックス製の管状部材の製造方法に係り、
特に半導体製造用反応管として用いるに好適なセラミッ
クス製管状部材の製造方法に関する。
特に半導体製造用反応管として用いるに好適なセラミッ
クス製管状部材の製造方法に関する。
[従来の技術] 従来、半導体製造用反応管としては、石英管又はその外
側にムライト質もしくは炭化珪素質の均熱用ライナチュ
ーブを設けたものが使われている。ところが、石英管で
は割れ易い、コンタミが入り失透するなどの欠点を有
し、特に高温での強度が不足し、撓む結果、最近の大口
径のSiウェハに対応できなくくなりつつある。
側にムライト質もしくは炭化珪素質の均熱用ライナチュ
ーブを設けたものが使われている。ところが、石英管で
は割れ易い、コンタミが入り失透するなどの欠点を有
し、特に高温での強度が不足し、撓む結果、最近の大口
径のSiウェハに対応できなくくなりつつある。
そこで、石英以外の材質からなる半導体製造用反応管の
提供が期待されている。
提供が期待されている。
ところで、近年、炭化珪素や窒化珪素等の非酸化物系セ
ラミックスは、優れた耐熱特性を有しているところか
ら、各種工業材料への適用が検討されており、非酸化物
系セラミックスを用いて半導体製造用反応管を製造する
ことが考えられる。この場合、非酸化物系セラミックス
は、焼結しにくいので、焼結体とするには適宜の焼結助
剤を用いたり、反応焼結法を採用する必要がある。
ラミックスは、優れた耐熱特性を有しているところか
ら、各種工業材料への適用が検討されており、非酸化物
系セラミックスを用いて半導体製造用反応管を製造する
ことが考えられる。この場合、非酸化物系セラミックス
は、焼結しにくいので、焼結体とするには適宜の焼結助
剤を用いたり、反応焼結法を採用する必要がある。
また、管体もしくは棒を蒸着基材とし、これを加熱しつ
つその内面もしくは外面に反応ガスを供給してCVD被
膜を形成し、しかる後基材を適当な方法で除去すること
によりパイプを得る方法が知られている。(例えば特開
昭58−177461)。
つその内面もしくは外面に反応ガスを供給してCVD被
膜を形成し、しかる後基材を適当な方法で除去すること
によりパイプを得る方法が知られている。(例えば特開
昭58−177461)。
[発明が解決しようとする問題点] 上記の従来法のうち、焼結助剤を用いたり、反応焼結に
よる方法では、高純度化に多大の労力を要し、価格が高
いばかりでなく、粉末プロセスを採用する以上、高純度
化にも限度がある。
よる方法では、高純度化に多大の労力を要し、価格が高
いばかりでなく、粉末プロセスを採用する以上、高純度
化にも限度がある。
一方、CVD法によれば、極めて緻密で高純度なセラミ
ックスが得られるものの、肉厚が大きく高剛性の管状部
材を製造する場合、CVD処理に長時間を要し、生産効
率が悪いという問題がある。
ックスが得られるものの、肉厚が大きく高剛性の管状部
材を製造する場合、CVD処理に長時間を要し、生産効
率が悪いという問題がある。
なお、焼結した炭化珪素管の内面に、高純度の炭化珪素
をCVD法によって蒸着することによりセラミックス製
反応管を得ることが考えられるが、母材炭化珪素からの
不純物の拡散散や被膜の剥離もしくは割れによる母材炭
化珪素の露出の恐れがあり、CVD膜だけから構成され
た反応管の提供が期待されている。
をCVD法によって蒸着することによりセラミックス製
反応管を得ることが考えられるが、母材炭化珪素からの
不純物の拡散散や被膜の剥離もしくは割れによる母材炭
化珪素の露出の恐れがあり、CVD膜だけから構成され
た反応管の提供が期待されている。
[問題点を解決するための手段] 本発明は順次に行なう次の〜の工程によりるセラミ
ックスのCVD膜よりなる管状部材を製造するようにし
たものである。
ックスのCVD膜よりなる管状部材を製造するようにし
たものである。
燃焼除去又は溶解除去可能な材質からなり、かつ周壁
に多数の貫通孔を有する筒状基材の内外両周面及び前記
貫通孔内面にCVD処理によりセラミックスの被膜を形
成し、 次いで前記筒状基材を燃焼又は溶解により除去し、周
壁に多数の貫通孔を有するCVD膜よりなる二重筒状管
状部材となし、 さらに、該貫通孔に耐熱材料を充填し、 該二重筒状管状部材の内周面及び外周面にCVD処理
によりセラミックスの被膜を形成する。
に多数の貫通孔を有する筒状基材の内外両周面及び前記
貫通孔内面にCVD処理によりセラミックスの被膜を形
成し、 次いで前記筒状基材を燃焼又は溶解により除去し、周
壁に多数の貫通孔を有するCVD膜よりなる二重筒状管
状部材となし、 さらに、該貫通孔に耐熱材料を充填し、 該二重筒状管状部材の内周面及び外周面にCVD処理
によりセラミックスの被膜を形成する。
かかる本発明によれば、肉厚が小さくとも剛性の高いセ
ラミックス製の管状部材を極めて容易に製造できる。
ラミックス製の管状部材を極めて容易に製造できる。
以下に本発明の工程〜につき図面を参照しながら更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
工程 本発明においては、基材として燃焼除去又は溶解除去可
能な材質からなり、かつ第1図に示すように、周壁に多
数の貫通孔1を有する筒状の基材2を用いる。
能な材質からなり、かつ第1図に示すように、周壁に多
数の貫通孔1を有する筒状の基材2を用いる。
この基材としては、CVD処理温度に耐え得る材質のも
のが用いられる。その厚さは、目的とする管状部材の肉
厚よりもCVD被膜の厚さ分だけ薄いものを用いる。
のが用いられる。その厚さは、目的とする管状部材の肉
厚よりもCVD被膜の厚さ分だけ薄いものを用いる。
燃焼除去できる基材としては、炭素(その結晶形態のい
かんを問わない)などの他、合成樹脂や紙なども用いる
ことができる。また溶解除去できる基材としては、アル
ミニウムやニッケル等の金属や有機溶剤にて溶解する合
成樹脂等が挙げられる。
かんを問わない)などの他、合成樹脂や紙なども用いる
ことができる。また溶解除去できる基材としては、アル
ミニウムやニッケル等の金属や有機溶剤にて溶解する合
成樹脂等が挙げられる。
なお、第1図では円筒形状の基材を用いているが、本発
明においては楕円筒形や角筒(例えば六角筒)等の形状
の基材を用いてもよい。
明においては楕円筒形や角筒(例えば六角筒)等の形状
の基材を用いてもよい。
基材2に穿設される貫通孔1は、図示の如く均等に分布
させるのが好適である。また、貫通孔1の直径や設置個
数は任意であるが、直径が100〜300mm程度の半
導体製造用反応管を製造する場合には、直径2〜10m
m程度の貫通孔を1cm2当り0.2〜1個程度設ける
のが好適である。この貫通孔1は円孔、角孔のいずれで
も良い。
させるのが好適である。また、貫通孔1の直径や設置個
数は任意であるが、直径が100〜300mm程度の半
導体製造用反応管を製造する場合には、直径2〜10m
m程度の貫通孔を1cm2当り0.2〜1個程度設ける
のが好適である。この貫通孔1は円孔、角孔のいずれで
も良い。
このような筒状基材に、本発明においてはCVD処理を
施し、その内周面及び外周面並びに貫通孔の内面にCV
D被膜を形成する。CVD被膜を形するには、常法に従
って行なえばよく、例えばCVD処理装置内に装入し、
適当するCVD反応温度に加熱して、CVD原料ガスを
導入すればよい。
施し、その内周面及び外周面並びに貫通孔の内面にCV
D被膜を形成する。CVD被膜を形するには、常法に従
って行なえばよく、例えばCVD処理装置内に装入し、
適当するCVD反応温度に加熱して、CVD原料ガスを
導入すればよい。
このCVD被膜は、本発明においてはセラミックスであ
る。具体的な材質としては炭化珪素、窒化珪素などの非
酸化物系セラミックスの他マグネシア、アルミナ等の酸
化物系のものでもよいが、反応管として用いる管状部材
を製造するには、炭化珪素を析出させるのが好適であ
る。炭化珪素のCVD析出反応に用いられる原料ガス
は、各種のものが知られており、本発明ではいずれのも
のも採用できる。例えば、よく知られているように、C
H3SiCl3を熱分解させることによりSiCを析出
させることができる。またSiCl4をCH4等のハイ
ドロカーボンを用いて還元することによってもSiCを
析出させることができる。
る。具体的な材質としては炭化珪素、窒化珪素などの非
酸化物系セラミックスの他マグネシア、アルミナ等の酸
化物系のものでもよいが、反応管として用いる管状部材
を製造するには、炭化珪素を析出させるのが好適であ
る。炭化珪素のCVD析出反応に用いられる原料ガス
は、各種のものが知られており、本発明ではいずれのも
のも採用できる。例えば、よく知られているように、C
H3SiCl3を熱分解させることによりSiCを析出
させることができる。またSiCl4をCH4等のハイ
ドロカーボンを用いて還元することによってもSiCを
析出させることができる。
析出させるCVD被膜の厚さは、特に限定はされず、得
られる管状部材に要求される強度を満たす肉厚となるよ
うにCVD処理条件を選定する。
られる管状部材に要求される強度を満たす肉厚となるよ
うにCVD処理条件を選定する。
本発明においては、当然ながら、例えばCVD処理時間
を長短調整することにより、CVD被膜の肉厚の調整を
行なうことが可能である。
を長短調整することにより、CVD被膜の肉厚の調整を
行なうことが可能である。
工程 このようなCVD被膜の析出を行なった後、基材の除去
を行なう。この基材の除去を行なうには、前述のように
燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なうに
は、酸化雰囲気中において基材が燃焼する温度領域に保
持すればよい。この際、CVD処理装置内に保持したま
ま、雰囲気を酸素又は空気に切り換えることにより、処
理装置内で基材の燃焼除去を引き続き行なうことができ
る。このようにすれば、基材とCVD被膜との熱膨張差
に起因する熱応力の発生を防止することができる。勿
論、本発明においては、一旦室温まで戻した後基材を燃
焼除去してもよい。また、CVD処理温度とは異なる温
度で基材を燃焼させてもよいことは明らかである。
を行なう。この基材の除去を行なうには、前述のように
燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なうに
は、酸化雰囲気中において基材が燃焼する温度領域に保
持すればよい。この際、CVD処理装置内に保持したま
ま、雰囲気を酸素又は空気に切り換えることにより、処
理装置内で基材の燃焼除去を引き続き行なうことができ
る。このようにすれば、基材とCVD被膜との熱膨張差
に起因する熱応力の発生を防止することができる。勿
論、本発明においては、一旦室温まで戻した後基材を燃
焼除去してもよい。また、CVD処理温度とは異なる温
度で基材を燃焼させてもよいことは明らかである。
基材を溶解除去させる場合、例えば基材がアルミニウム
やニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を用
いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去する
ことが可能である。更に、基材が合成樹脂である場合、
それを適度な早さで溶解し得る有機溶剤を用いてもよ
い。
やニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を用
いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去する
ことが可能である。更に、基材が合成樹脂である場合、
それを適度な早さで溶解し得る有機溶剤を用いてもよ
い。
このような基材の除去により、第2図に示すように、内
筒3、外筒4、これらを連結する柱部5、該柱部5を貫
通する貫通孔6よりなる二重筒状部材7が得られる。こ
の工程の基材の除去を行なうに先立って、第3図の如
く、CVD被膜付の基材2の少なくとも一端、好ましく
は両端を切り落とし、除去すべき基材を外部に露出さ
せ、基材の燃焼除去もしくは溶解除去の開始部を形成す
るのが好ましい。なお、基材端面や端部を研磨して除去
すべき基材を露出させてもよい。或いは、基材の端部又
は端面にCVD被膜を形成させないように対策を講じて
おけば、かかる端部もしくは端面の切断や研磨工程は不
要である。
筒3、外筒4、これらを連結する柱部5、該柱部5を貫
通する貫通孔6よりなる二重筒状部材7が得られる。こ
の工程の基材の除去を行なうに先立って、第3図の如
く、CVD被膜付の基材2の少なくとも一端、好ましく
は両端を切り落とし、除去すべき基材を外部に露出さ
せ、基材の燃焼除去もしくは溶解除去の開始部を形成す
るのが好ましい。なお、基材端面や端部を研磨して除去
すべき基材を露出させてもよい。或いは、基材の端部又
は端面にCVD被膜を形成させないように対策を講じて
おけば、かかる端部もしくは端面の切断や研磨工程は不
要である。
工程 この二重筒状部材7の貫通孔6に、第4図に示すよう
に、耐熱材料8を充填する。この耐熱材料8としては、
黒鉛などの炭素質のものが好適であるが、セラミックス
の粉末でもよい。セラミックス粉末の場合、CVDによ
り析出したセラミックスと同材質のものが好適である。
に、耐熱材料8を充填する。この耐熱材料8としては、
黒鉛などの炭素質のものが好適であるが、セラミックス
の粉末でもよい。セラミックス粉末の場合、CVDによ
り析出したセラミックスと同材質のものが好適である。
工程 次いで、第5図の如く、二重筒状部材7の内周面及び外
周面にCVD被膜9、10を形成する。これにより、耐
熱材料8が被覆されると共に二重筒状の管状部材11を
形成することができる。CVD被膜3、4と同材質のも
のが好適であるが、熱膨張率の差が小さければ異なる材
質のものでもよい。CVD被膜9、10の厚さは、特に
限定はない。このようにして得られた二重筒状管状部材
11は、その剛性が主として二重筒構造とすることによ
り発現されるものであるので、CVD被膜3、4、9、
10について特に厚肉としなくとも十分に高剛性の管状
部材を得ることができる。
周面にCVD被膜9、10を形成する。これにより、耐
熱材料8が被覆されると共に二重筒状の管状部材11を
形成することができる。CVD被膜3、4と同材質のも
のが好適であるが、熱膨張率の差が小さければ異なる材
質のものでもよい。CVD被膜9、10の厚さは、特に
限定はない。このようにして得られた二重筒状管状部材
11は、その剛性が主として二重筒構造とすることによ
り発現されるものであるので、CVD被膜3、4、9、
10について特に厚肉としなくとも十分に高剛性の管状
部材を得ることができる。
[実施例] 実施例1 内径9cm、外径10cmの黒鉛製の基材の周壁に、直
径5mmの貫通孔を1cm2当り1個の割合で穿設し
た。この円筒状基材をCVD処理装置内に装入し、15
00℃に加熱した状態でCVD原料ガスとしてSiCl
4を0.6/min、C3H8を0.1/minの
割合で筒状基材の内面及び外面に沿って流通させ、基材
内外両周面に厚さ0.3mmのSiCのCVD被膜を形
成した。
径5mmの貫通孔を1cm2当り1個の割合で穿設し
た。この円筒状基材をCVD処理装置内に装入し、15
00℃に加熱した状態でCVD原料ガスとしてSiCl
4を0.6/min、C3H8を0.1/minの
割合で筒状基材の内面及び外面に沿って流通させ、基材
内外両周面に厚さ0.3mmのSiCのCVD被膜を形
成した。
次いで、処理装置から取り出し、端部を5mmの幅で切
り落とし、1000℃の大気雰囲気で基材の燃焼除去を
行なった。基材の燃焼除去終了後、得られた二重筒状管
状部材の周壁貫通孔に黒鉛粉を充填し、再度CVD処理
装置内に装入し、上記と同様の処理条件で厚さ0.1m
mのSiCのCVD被膜を内外両周面に形成した。得ら
れたものをCVD処理装置外に取り出し、外径100.
4mm、内径89.6mm、全長390mmの筒状部材
を得た。この管状部材は全体的に肉厚が均一であり、ま
た析出したSiCの密度は3.20であった。なおX線
回折により結晶構造を調べたところ、生成物はSiCだ
けからなるものであることが確認された。
り落とし、1000℃の大気雰囲気で基材の燃焼除去を
行なった。基材の燃焼除去終了後、得られた二重筒状管
状部材の周壁貫通孔に黒鉛粉を充填し、再度CVD処理
装置内に装入し、上記と同様の処理条件で厚さ0.1m
mのSiCのCVD被膜を内外両周面に形成した。得ら
れたものをCVD処理装置外に取り出し、外径100.
4mm、内径89.6mm、全長390mmの筒状部材
を得た。この管状部材は全体的に肉厚が均一であり、ま
た析出したSiCの密度は3.20であった。なおX線
回折により結晶構造を調べたところ、生成物はSiCだ
けからなるものであることが確認された。
[発明の効果] 以上の説明から明らかな通り、本発明によれば二重筒状
であり、肉厚が小さくとも高剛性を有し、しかも構成セ
ラミックス材が緻密であると共に高純度であり、高温強
度特性の優れた管状部材が得られる。本発明により得ら
れる管状部材は、実質的にCVD法により形成された被
膜のみからなり、基材を除去したものであるから、CV
D被膜と基材との熱膨張差に起因した応力の発生がな
い。また、本発明によれば、大口径の管状部材も容易に
製造でき、肉厚の小さい軽量のものも製造できる。
であり、肉厚が小さくとも高剛性を有し、しかも構成セ
ラミックス材が緻密であると共に高純度であり、高温強
度特性の優れた管状部材が得られる。本発明により得ら
れる管状部材は、実質的にCVD法により形成された被
膜のみからなり、基材を除去したものであるから、CV
D被膜と基材との熱膨張差に起因した応力の発生がな
い。また、本発明によれば、大口径の管状部材も容易に
製造でき、肉厚の小さい軽量のものも製造できる。
本発明によって炭化珪素製管状部材を製造する場合に
は、得られる管状部材は、高純度で高温強度に優れ、か
つ均熱できるものであるから、半導体製造用反応管とし
て好適であり、大口径Siウェハにも十分に対応でき
る。勿論、本発明方法により製造される管状部材は、そ
の他の各種の用途に供し得る。
は、得られる管状部材は、高純度で高温強度に優れ、か
つ均熱できるものであるから、半導体製造用反応管とし
て好適であり、大口径Siウェハにも十分に対応でき
る。勿論、本発明方法により製造される管状部材は、そ
の他の各種の用途に供し得る。
第1図ないし第5図の各図は、筒状基材の製造法の一例
を示す説明図である。 1、2……基材。
を示す説明図である。 1、2……基材。
Claims (2)
- 【請求項1】順次に行なう次の〜の工程を有するこ
とを特徴とする中空二重筒状のセラミックス製管状部材
の製造方法。 燃焼除去又は溶解除去可能な材質からなり、かつ周壁
に多数の貫通孔を有する筒状基材の内外両周面及び前記
貫通孔内面にCVD処理によりセラミックスの被膜を形
成し、 次いで前記筒状基材を燃焼又は溶解により除去し、周
壁に多数の貫通孔を有するCVD膜よりなる二重筒状管
状部材となし、 さらに、該貫通孔に耐熱材料を充填し、 該二重筒状管状部材の内周面及び外周面にCVD処理
によりセラミックスの被膜を形成する。 - 【請求項2】上記の工程において筒状基材を除去する
に先立って、基材の少なくとも一端を切断することを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載のセラミックス製
管状部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26538185A JPH0611486B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | セラミツクス製管状部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26538185A JPH0611486B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | セラミツクス製管状部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124910A JPS62124910A (ja) | 1987-06-06 |
| JPH0611486B2 true JPH0611486B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=17416389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26538185A Expired - Lifetime JPH0611486B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | セラミツクス製管状部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611486B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010064918A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶半導体パワーデバイス |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26538185A patent/JPH0611486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62124910A (ja) | 1987-06-06 |
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