JPH0649946B2 - 管状部材の製造方法 - Google Patents
管状部材の製造方法Info
- Publication number
- JPH0649946B2 JPH0649946B2 JP60265382A JP26538285A JPH0649946B2 JP H0649946 B2 JPH0649946 B2 JP H0649946B2 JP 60265382 A JP60265382 A JP 60265382A JP 26538285 A JP26538285 A JP 26538285A JP H0649946 B2 JPH0649946 B2 JP H0649946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cvd
- graphite
- tubular member
- manufacturing
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Tubular Articles Or Embedded Moulded Articles (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は管状部材の製造方法に係り、特に半導体製造用
反応管として用いるに好適な長尺の管状部材の製造方法
に関する。
反応管として用いるに好適な長尺の管状部材の製造方法
に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体製造用反応管としては、石英管又はその外
側にムライト質もしくは炭化珪素質の均熱用ライナチュ
ーブを設けたものが使われている。ところが、石英管で
は割れ易い、コンタミが入り失透するなどの欠点を有
し、特に高温での強度が不足し、特に長尺ものは撓み易
い。
側にムライト質もしくは炭化珪素質の均熱用ライナチュ
ーブを設けたものが使われている。ところが、石英管で
は割れ易い、コンタミが入り失透するなどの欠点を有
し、特に高温での強度が不足し、特に長尺ものは撓み易
い。
そこで、石英以外の材質からなる半導体製造用反応管の
提供が期待されている。
提供が期待されている。
ところで、近年、炭化珪素や窒化珪素等の非酸化物系セ
ラミックスは、優れた耐熱特性を有しているところか
ら、各種工業材料への適用が検討されており、非酸化物
系セラミックスを用いて半導体製造用反応管を製造する
ことが考えられる。この場合、非酸化物系セラミックス
は、焼結しにくいので、焼結体とするには適宜の焼結助
剤を用いたり、反応焼結法を採用する必要がある。
ラミックスは、優れた耐熱特性を有しているところか
ら、各種工業材料への適用が検討されており、非酸化物
系セラミックスを用いて半導体製造用反応管を製造する
ことが考えられる。この場合、非酸化物系セラミックス
は、焼結しにくいので、焼結体とするには適宜の焼結助
剤を用いたり、反応焼結法を採用する必要がある。
また、管体を蒸着基材とし、これを加熱しつつその内面
もしくは外面に反応ガスを供給してＣＶＤ被膜を形成
し、しかる後基材を適当な方法で除去することによりパ
イプを得る方法が知られている。（例えば特開昭５８−
１７７４６１）。
もしくは外面に反応ガスを供給してＣＶＤ被膜を形成
し、しかる後基材を適当な方法で除去することによりパ
イプを得る方法が知られている。（例えば特開昭５８−
１７７４６１）。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記の従来法のうち、焼結助剤を用いたり、反応焼結に
よる方法では、高純度化に多大の労力を要し、価格が高
いばかりでなく、粉末プロセスを採用する以上、高純度
化にも限界がある。
よる方法では、高純度化に多大の労力を要し、価格が高
いばかりでなく、粉末プロセスを採用する以上、高純度
化にも限界がある。
一方、特開昭５８−１７７４６１のようなＣＶＤ法によ
れば、緻密で高強度なセラミックスが得られるものの、
基材の材質が銅、アルミニウム等の金属材料であるの
で、基材の除去操作が湿式の溶解処理となり、製造工程
が煩雑となる。
れば、緻密で高強度なセラミックスが得られるものの、
基材の材質が銅、アルミニウム等の金属材料であるの
で、基材の除去操作が湿式の溶解処理となり、製造工程
が煩雑となる。
そこで、基材の材質を、金属材から黒鉛に置換すること
が考えられる。しかしながら、黒鉛を筒形基材となすに
は、非常に手間のかかる中ぐり加工を行わねばならず、
基材コストが高い。さらに、長尺ものを精度良く中ぐり
加工することは、容易ではなく、長尺の管状部材は製造
しにくい。
が考えられる。しかしながら、黒鉛を筒形基材となすに
は、非常に手間のかかる中ぐり加工を行わねばならず、
基材コストが高い。さらに、長尺ものを精度良く中ぐり
加工することは、容易ではなく、長尺の管状部材は製造
しにくい。
［問題点を解決するための手段及び作用］ 本発明は等径の黒鉛リング又は黒鉛筒を同軸的に接続配
置し、ＣＶＤ処理により、この接続体の周面にセラミッ
クスの被膜を形成して管状体となす方法であって、前記
黒鉛リング又は黒鉛筒の外周角部を角取りした後接続配
置すると共に、ＣＶＤ処理に際し、この外周角部を選択
的に加熱して当該外周角部に選択的にＣＶＤ析出物を被
着させる工程を有することを特徴とする管状部材の製造
方法である。
置し、ＣＶＤ処理により、この接続体の周面にセラミッ
クスの被膜を形成して管状体となす方法であって、前記
黒鉛リング又は黒鉛筒の外周角部を角取りした後接続配
置すると共に、ＣＶＤ処理に際し、この外周角部を選択
的に加熱して当該外周角部に選択的にＣＶＤ析出物を被
着させる工程を有することを特徴とする管状部材の製造
方法である。
かかる本発明によれば、高純度で緻密なセラミックス製
の、もしくはセラミックス被膜で覆われた管状部材を極
めて容易に製造できる。
の、もしくはセラミックス被膜で覆われた管状部材を極
めて容易に製造できる。
以下に本発明につき図面を参照しながら更に詳細に説明
する。
する。
本発明においては、等径の黒鉛リング又は黒鉛筒１を同
軸的に接続配置（例えば積み重ね）して接続体２とな
し、次いでＣＶＤ処理によりこの接続体の周面にセラミ
ックスの被膜を形成する。
軸的に接続配置（例えば積み重ね）して接続体２とな
し、次いでＣＶＤ処理によりこの接続体の周面にセラミ
ックスの被膜を形成する。
このセラミックスの被膜の形成に当り、第１，２図に示
す如く、リング又は筒１の外周角部を角取りし、リング
又は筒１同志の接合部外周に凹部３を周回形成し、該凹
部３を選択的にＣＶＤ処理温度に加熱して、第２図に示
す如く、該凹部３に選択的にＣＶＤ析出物４を析出させ
る。
す如く、リング又は筒１の外周角部を角取りし、リング
又は筒１同志の接合部外周に凹部３を周回形成し、該凹
部３を選択的にＣＶＤ処理温度に加熱して、第２図に示
す如く、該凹部３に選択的にＣＶＤ析出物４を析出させ
る。
かかる処理を行うことにより、リング又は筒１同志が析
出物４を介して接合されるようになり、接合体２の強度
ひいては得られる管状部材の強度の増大が図れる。な
お、この凹部３の選択的な加熱を行うには、適度な強度
のレーザビームを該凹部３に照射するのが好適である。
出物４を介して接合されるようになり、接合体２の強度
ひいては得られる管状部材の強度の増大が図れる。な
お、この凹部３の選択的な加熱を行うには、適度な強度
のレーザビームを該凹部３に照射するのが好適である。
リング又は筒１としては、内径及び外径が互いに等しい
ものが最適であるが、接続体の内周面又は外周面の一方
にのみＣＶＤ被膜を形成する場合には、内径又は外径の
みが等しいものであっても良い。
ものが最適であるが、接続体の内周面又は外周面の一方
にのみＣＶＤ被膜を形成する場合には、内径又は外径の
みが等しいものであっても良い。
なお、第１図ではリング又は筒を真円形に形成してある
が、本発明においては楕円筒形や角筒（例えば六角筒）
等の形状に形成してもよい。
が、本発明においては楕円筒形や角筒（例えば六角筒）
等の形状に形成してもよい。
このＣＶＤ被膜は、内周面と外周面の双方に形成しても
よいのであるが、後工程において黒鉛の燃焼除去を行う
場合には、内周面もしくは外周面の一方にのみＣＶＤ被
膜を形成するのが好ましい。なお、ＣＶＤ被膜を形成す
るには、常法に従って行なえばよく、例えばＣＶＤ処理
装置内に装入し、適当するＣＶＤ反応温度に加熱して、
ＣＶＤ原料ガスを導入すればよい。
よいのであるが、後工程において黒鉛の燃焼除去を行う
場合には、内周面もしくは外周面の一方にのみＣＶＤ被
膜を形成するのが好ましい。なお、ＣＶＤ被膜を形成す
るには、常法に従って行なえばよく、例えばＣＶＤ処理
装置内に装入し、適当するＣＶＤ反応温度に加熱して、
ＣＶＤ原料ガスを導入すればよい。
このＣＶＤ被膜は、本発明においてはセラミックスであ
る。具体的な材質としては炭化珪素、窒化珪素などの非
酸化物系セラミックスの他マグネシア、アルミナ等の酸
化物系のものでもよいが、反応管として用いる管状部材
を製造するには、炭化珪素を析出させるのが好適であ
る。炭化珪素のＣＶＤ析出反応に用いられる原料ガス
は、各種のものが知られており、本発明ではいずれのも
のも採用できる。例えば、よく知られているように、Ｃ
Ｈ3ＳｉＣｌ3を熱分解させることによりＳｉＣを析出さ
せることができる。またＳｉＣｌ4をＣＨ4等のハイドロ
カーボンを用いて還元することによってもＳｉＣを析出
させることができる。
る。具体的な材質としては炭化珪素、窒化珪素などの非
酸化物系セラミックスの他マグネシア、アルミナ等の酸
化物系のものでもよいが、反応管として用いる管状部材
を製造するには、炭化珪素を析出させるのが好適であ
る。炭化珪素のＣＶＤ析出反応に用いられる原料ガス
は、各種のものが知られており、本発明ではいずれのも
のも採用できる。例えば、よく知られているように、Ｃ
Ｈ3ＳｉＣｌ3を熱分解させることによりＳｉＣを析出さ
せることができる。またＳｉＣｌ4をＣＨ4等のハイドロ
カーボンを用いて還元することによってもＳｉＣを析出
させることができる。
析出させるＣＶＤ被膜の厚さは、特に限定はされず、得
られる管状部材に要求される耐食性や強度などを満たす
肉厚となるようにＣＶＤ処理条件を選定する。
られる管状部材に要求される耐食性や強度などを満たす
肉厚となるようにＣＶＤ処理条件を選定する。
本発明においては、例えばＣＶＤ処理時間を長短調整す
ることにより、肉厚の極めて小さなものから、肉厚の大
きなものまで任意の肉厚の管状部材を製造することがで
きる。
ることにより、肉厚の極めて小さなものから、肉厚の大
きなものまで任意の肉厚の管状部材を製造することがで
きる。
このようなＣＶＤ被膜の析出を行なった後、必要に応じ
黒鉛リング又は黒鉛筒１の燃焼の除去を行なう。この燃
焼除去を行なうには、酸化雰囲気中において黒鉛が燃焼
する温度領域に保持すればよい。この際、ＣＶＤ処理装
置内に保持したまま、雰囲気を酸素又は空気に切り換え
ることにより、処理装置内で黒鉛リング又は筒の燃焼除
去を引き続き行なうことができる。このようにすれば、
基材とＣＶＤ被膜との熱膨張差に起因する熱応力の発生
を防止することができる。勿論、本発明においては、一
旦室温まで戻した後黒鉛を燃焼除去してもよい。また、
ＣＶＤ処理温度とは異なる温度で黒鉛を燃焼させてもよ
いことは明らかである。
黒鉛リング又は黒鉛筒１の燃焼の除去を行なう。この燃
焼除去を行なうには、酸化雰囲気中において黒鉛が燃焼
する温度領域に保持すればよい。この際、ＣＶＤ処理装
置内に保持したまま、雰囲気を酸素又は空気に切り換え
ることにより、処理装置内で黒鉛リング又は筒の燃焼除
去を引き続き行なうことができる。このようにすれば、
基材とＣＶＤ被膜との熱膨張差に起因する熱応力の発生
を防止することができる。勿論、本発明においては、一
旦室温まで戻した後黒鉛を燃焼除去してもよい。また、
ＣＶＤ処理温度とは異なる温度で黒鉛を燃焼させてもよ
いことは明らかである。
［実施例］ 実施例１ 内径９０mm、外径１００mm、長さ５cmの黒鉛製の筒の外
周角部を４５°の角度で約８mm角取りし、これを１０
個、第１図の如く積み重ねて接続体とした。
周角部を４５°の角度で約８mm角取りし、これを１０
個、第１図の如く積み重ねて接続体とした。
この接続体をレーザＣＶＤ処理装置によりＣＶＤ処理し
てＳｉＣ被膜を形成した。ＣＶＤ処理中接続体をその軸
心回りに５ｒｐｍで回転させると共に、角取りにより形
成された凹部にレーザビームを照射して加熱し、当該凹
部だけを順次ＣＶＤ析出物で埋めた。なお、レーザＣＶ
Ｄ処理装置の側壁には透明な小窓を設け、この小窓から
装置内部の接続体の前記凹部へ向けてレーザビームを照
射した。レーザは炭酸ガスレーザ、出力５ｋｗのものを
用いた。
てＳｉＣ被膜を形成した。ＣＶＤ処理中接続体をその軸
心回りに５ｒｐｍで回転させると共に、角取りにより形
成された凹部にレーザビームを照射して加熱し、当該凹
部だけを順次ＣＶＤ析出物で埋めた。なお、レーザＣＶ
Ｄ処理装置の側壁には透明な小窓を設け、この小窓から
装置内部の接続体の前記凹部へ向けてレーザビームを照
射した。レーザは炭酸ガスレーザ、出力５ｋｗのものを
用いた。
次いで、接続体をＣＶＤ処理装置内に装入し、１５００
℃に均一に加熱した状態でＣＶＤ原料ガスとしてＳｉＣ
ｌ4を０．６／ｍｉｎ、Ｃ3Ｈ8を０．１／ｍｉｎの
割合で流通させ、接続体の内外両周面に厚さ０．３mmの
ＣＶＤ被膜を形成した。
℃に均一に加熱した状態でＣＶＤ原料ガスとしてＳｉＣ
ｌ4を０．６／ｍｉｎ、Ｃ3Ｈ8を０．１／ｍｉｎの
割合で流通させ、接続体の内外両周面に厚さ０．３mmの
ＣＶＤ被膜を形成した。
装置内の温度が２００℃になるまで徐冷した後、装置か
ら取り出した。これにより、ＳｉＣ−ＣＶＤ被膜で全周
面が覆われた長さ５０cmの管状部材であって、筒同志の
接合強度の高い管状部材が得られた。
ら取り出した。これにより、ＳｉＣ−ＣＶＤ被膜で全周
面が覆われた長さ５０cmの管状部材であって、筒同志の
接合強度の高い管状部材が得られた。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかな通り、本発明によれば低コスト
で、長尺のセラミックス製又はセラミックス被覆された
黒鉛の管状部材が得られる。本発明により得られる管状
部材を構成するセラミックスは、ＣＶＤ法により形成さ
れたものであるから、緻密かつ高純度である。
で、長尺のセラミックス製又はセラミックス被覆された
黒鉛の管状部材が得られる。本発明により得られる管状
部材を構成するセラミックスは、ＣＶＤ法により形成さ
れたものであるから、緻密かつ高純度である。
本発明によって炭化珪素を析出させる場合には、得られ
る管状部材は、炭化珪素のみ又は炭化珪素と黒鉛とから
なり均熱できるものであるから、半導体製造用反応管と
して好適である。勿論、本発明方法により製造される管
状部材は、その他の各種の用途に供し得る。
る管状部材は、炭化珪素のみ又は炭化珪素と黒鉛とから
なり均熱できるものであるから、半導体製造用反応管と
して好適である。勿論、本発明方法により製造される管
状部材は、その他の各種の用途に供し得る。
第１図及び第２図の各図は本発明の筒状部材の製造法を
示す断面図である。 １…リング又は筒、２…接続体。
示す断面図である。 １…リング又は筒、２…接続体。
Claims (2)
- 【請求項１】等径の黒鉛リング又は黒鉛筒を同軸的に接
続配置し、ＣＶＤ処理により、この接続体の周面にセラ
ミックスの被膜を形成して管状体となす管状部材の製造
方法であって、 前記黒鉛リング又は黒鉛筒の外周角部を角取りした後接
続配置すると共に、ＣＶＤ処理に際し、この外周角部を
選択的に加熱して当該外周角部に選択的にＣＶＤ析出物
を被着させる工程を有することを特徴とする管状部材の
製造方法。 - 【請求項２】ＣＶＤ処理後に黒鉛を燃焼除去する特許請
求の範囲第１項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265382A JPH0649946B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 管状部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265382A JPH0649946B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 管状部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128974A JPS62128974A (ja) | 1987-06-11 |
| JPH0649946B2 true JPH0649946B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=17416401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265382A Expired - Lifetime JPH0649946B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 管状部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649946B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2629208B2 (ja) * | 1987-10-22 | 1997-07-09 | いすゞ自動車株式会社 | セラミック部材接合法 |
| JP2001048667A (ja) | 1999-08-13 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | セラミックス部品の接合方法 |
| JP7580925B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2024-11-12 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆黒鉛部材の接合体 |
| JP7580926B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2024-11-12 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆黒鉛部材の接合体の製造方法 |
| JP7534119B2 (ja) * | 2020-04-22 | 2024-08-14 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆黒鉛部材の接合体及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114608A (ja) * | 1973-03-07 | 1974-11-01 | ||
| JPS5313197A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Seikoo Sangiyou Kk | Method of interior piping or wiring |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP60265382A patent/JPH0649946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62128974A (ja) | 1987-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0686333U (ja) | 拡散炉構成要素 | |
| US5348765A (en) | Method of forming composite articles from CVD gas streams and solid particles or fibers | |
| JPH06206718A (ja) | 超高純度炭化ケイ素とそれによって作製した高温半導体加工用器具 | |
| JPH09286621A (ja) | 石英ガラス製板材の製造方法及びその装置 | |
| JPH0649946B2 (ja) | 管状部材の製造方法 | |
| JPH08188408A (ja) | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 | |
| JP2002129335A (ja) | 蒸着による高アスペクト比ドームの製造方法 | |
| ES2334620A1 (es) | Procedimiento de fabricacion de ceramicas porosas y materiales multifasicos a partir de precursores celulosicos. | |
| JPH0251225A (ja) | 半導体拡散炉用炉芯管 | |
| JPH1067554A (ja) | 耐食性セラミック部材 | |
| TW202116703A (zh) | 耐火物 | |
| JP3929140B2 (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
| JP2005069668A (ja) | 窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器 | |
| JPS62200722A (ja) | 半導体拡散炉用部材 | |
| JP3069216B2 (ja) | 半導体用部材 | |
| JPH0611486B2 (ja) | セラミツクス製管状部材の製造方法 | |
| JPH10287495A (ja) | 高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法 | |
| JPH0692761A (ja) | ＣＶＤ−ＳｉＣコートＳｉ含浸ＳｉＣ製品およびその製造方法 | |
| JP2549030B2 (ja) | 半導体用処理部材及びその製造方法 | |
| JPH0487180A (ja) | 半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター | |
| JPS61291484A (ja) | 黒鉛るつぼ | |
| JPH1067584A (ja) | 反応容器 | |
| JPH03265585A (ja) | 強化セラミックスとその製造方法 | |
| JPS6236089A (ja) | セラミツクス製品の製造方法 | |
| JPH04181725A (ja) | 半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター |