JPH06118404A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06118404A JPH06118404A JP27141292A JP27141292A JPH06118404A JP H06118404 A JPH06118404 A JP H06118404A JP 27141292 A JP27141292 A JP 27141292A JP 27141292 A JP27141292 A JP 27141292A JP H06118404 A JPH06118404 A JP H06118404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- thin film
- driver circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 薄膜トランジスタのソース配線と画素電極が
有機絶縁膜によって絶縁され、それぞれ異なる層に形成
されており、前記の有機絶縁膜が、液晶表示装置の封止
箇所ならびに薄膜トランジスタを駆動するドライバー回
路の上部に形成され、前記のドライバー回路が、液晶表
示装置の封止部直下に形成されていることを特徴とする
液晶表示装置。 【効果】 液晶表示装置の表示部外に露出する配線部が
なくなり、耐湿性が向上すると同時に、ドライバー回路
を保護する特別な工程が不要になる。
有機絶縁膜によって絶縁され、それぞれ異なる層に形成
されており、前記の有機絶縁膜が、液晶表示装置の封止
箇所ならびに薄膜トランジスタを駆動するドライバー回
路の上部に形成され、前記のドライバー回路が、液晶表
示装置の封止部直下に形成されていることを特徴とする
液晶表示装置。 【効果】 液晶表示装置の表示部外に露出する配線部が
なくなり、耐湿性が向上すると同時に、ドライバー回路
を保護する特別な工程が不要になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二枚の基板間に封入さ
れた液晶を用いて表示を行うアクティブ型液晶表示装置
に関するものである。
れた液晶を用いて表示を行うアクティブ型液晶表示装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の液晶表示体装置の接合部
を示す図である。薄膜トランジスタおよび薄膜トランジ
スタを駆動するドライバー回路が形成された石英やガラ
スなどの透明基板１および対向電極が形成された透明基
板２によって構成された液晶表示装置を示し、薄膜トラ
ンジスタを駆動するドライバー回路３、ドライバー回路
３からの信号を伝達するＣｒ、Ａｌ、Ｔａなどの金属を
用いた配線４を示す。前記のドライバー回路３は、薄膜
トランジスタと同時に基板１上に形成される。図３にお
いて、５は透明基板１、２を接合しているエポキシ樹脂
などの有機接着剤、６は前記のドライバー回路への入力
端子を示している。図４は、図３におけるＡＡ部の断面
を示したもので、図４において、１、２は透明基板、３
は薄膜トランジスタを駆動するドライバー回路、４は配
線、５は有機接着剤、７は液晶層、８はＩＴＯなどの透
明導電性膜からなる対向電極、９は薄膜トランジスタの
画素電極、６は入力端子を示す。従来は、液晶表示装置
の表示部１０より外側にドライバー回路３が形成されて
いた。しかしながら、この方法では、外周部にあるドラ
イバー回路３の耐湿性向上および損傷防止の為に、ドラ
イバー回路の上部に封止材を必要とする。また、液晶表
示装置が高精細化すると配線４の本数が増え、配線４に
沿って、水分が液晶層７に侵入し易くなり、液晶表示装
置の劣化が外周部から起き始めてしまう。
を示す図である。薄膜トランジスタおよび薄膜トランジ
スタを駆動するドライバー回路が形成された石英やガラ
スなどの透明基板１および対向電極が形成された透明基
板２によって構成された液晶表示装置を示し、薄膜トラ
ンジスタを駆動するドライバー回路３、ドライバー回路
３からの信号を伝達するＣｒ、Ａｌ、Ｔａなどの金属を
用いた配線４を示す。前記のドライバー回路３は、薄膜
トランジスタと同時に基板１上に形成される。図３にお
いて、５は透明基板１、２を接合しているエポキシ樹脂
などの有機接着剤、６は前記のドライバー回路への入力
端子を示している。図４は、図３におけるＡＡ部の断面
を示したもので、図４において、１、２は透明基板、３
は薄膜トランジスタを駆動するドライバー回路、４は配
線、５は有機接着剤、７は液晶層、８はＩＴＯなどの透
明導電性膜からなる対向電極、９は薄膜トランジスタの
画素電極、６は入力端子を示す。従来は、液晶表示装置
の表示部１０より外側にドライバー回路３が形成されて
いた。しかしながら、この方法では、外周部にあるドラ
イバー回路３の耐湿性向上および損傷防止の為に、ドラ
イバー回路の上部に封止材を必要とする。また、液晶表
示装置が高精細化すると配線４の本数が増え、配線４に
沿って、水分が液晶層７に侵入し易くなり、液晶表示装
置の劣化が外周部から起き始めてしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明により解決しよ
うとする課題は、薄膜トランジスタを駆動するドライバ
ー回路を液晶表示装置の封止部直下に設けることを可能
にする構造を考案することにより、液晶表示装置の信頼
性の向上と、生産性の向上を達成することにある。
うとする課題は、薄膜トランジスタを駆動するドライバ
ー回路を液晶表示装置の封止部直下に設けることを可能
にする構造を考案することにより、液晶表示装置の信頼
性の向上と、生産性の向上を達成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、前記の問題点を解決するためのものであり、薄膜ト
ランジスタのソース配線と画素電極が有機絶縁膜によっ
て絶縁され、それぞれ異なる層に形成されており、前記
の有機絶縁膜が、液晶表示装置の封止箇所ならびに薄膜
トランジスタを駆動するドライバー回路の上部に形成さ
れ、前記のドライバー回路が、液晶表示装置の封止部直
下に形成されていることを特徴とする。
は、前記の問題点を解決するためのものであり、薄膜ト
ランジスタのソース配線と画素電極が有機絶縁膜によっ
て絶縁され、それぞれ異なる層に形成されており、前記
の有機絶縁膜が、液晶表示装置の封止箇所ならびに薄膜
トランジスタを駆動するドライバー回路の上部に形成さ
れ、前記のドライバー回路が、液晶表示装置の封止部直
下に形成されていることを特徴とする。
【０００５】
【実施例】以下に、本発明の液晶表示装置について、図
示の実施例により詳細に説明する。
示の実施例により詳細に説明する。
【０００６】図１は、本発明の液晶表示装置の一実施例
を示す図である。図１において、１、２は透明基板、３
は薄膜トランジスタを駆動するドライバー回路、Ｃｒ、
Ａｌ、Ｔａなどの金属を用いた配線４、５はエポキシ樹
脂などの有機接着剤、６はドライバー回路３の入力端
子、７は液晶層、８はＩＴＯなどの透明導電性膜からな
る対向電極、９は薄膜トランジスタの画素電極、１１は
薄膜トランジスタのソース配線と画素電極を異なる層に
絶縁分離し、かつ前記のドライバー回路３を保護するた
めの絶縁膜を示す。前記絶縁膜１１としては、ポリイミ
ドやアクリルなどの有機材料や、ＳｉＯ2やＳｉＮxなど
の無機材料、あるいは前記有機材料と無機材料の組み合
わせなどを用いることが可能である。
を示す図である。図１において、１、２は透明基板、３
は薄膜トランジスタを駆動するドライバー回路、Ｃｒ、
Ａｌ、Ｔａなどの金属を用いた配線４、５はエポキシ樹
脂などの有機接着剤、６はドライバー回路３の入力端
子、７は液晶層、８はＩＴＯなどの透明導電性膜からな
る対向電極、９は薄膜トランジスタの画素電極、１１は
薄膜トランジスタのソース配線と画素電極を異なる層に
絶縁分離し、かつ前記のドライバー回路３を保護するた
めの絶縁膜を示す。前記絶縁膜１１としては、ポリイミ
ドやアクリルなどの有機材料や、ＳｉＯ2やＳｉＮxなど
の無機材料、あるいは前記有機材料と無機材料の組み合
わせなどを用いることが可能である。
【０００７】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の液晶
表示装置に用いられる薄膜トランジスタの平面図および
断面図を示す。１は透明基板、薄膜トランジスタのチャ
ネル領域１２、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１３、
薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域１４、薄膜ト
ランジスタのゲート配線１５、薄膜トランジスタのソー
ス配線１６、前記のゲート配線１５とソース配線１６を
絶縁するＳｉＯ2やＳｉＮxなどの無機材料からなる第一
の絶縁膜１７、薄膜トランジスタの画素電極９、前記の
ソース配線１６と画素電極９を絶縁するポリイミドやア
クリルなどの有機材料からなる第二の絶縁膜１８を示
す。図１における絶縁膜１１は、図２における第二の絶
縁膜１８を用いて形成されている。
表示装置に用いられる薄膜トランジスタの平面図および
断面図を示す。１は透明基板、薄膜トランジスタのチャ
ネル領域１２、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１３、
薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域１４、薄膜ト
ランジスタのゲート配線１５、薄膜トランジスタのソー
ス配線１６、前記のゲート配線１５とソース配線１６を
絶縁するＳｉＯ2やＳｉＮxなどの無機材料からなる第一
の絶縁膜１７、薄膜トランジスタの画素電極９、前記の
ソース配線１６と画素電極９を絶縁するポリイミドやア
クリルなどの有機材料からなる第二の絶縁膜１８を示
す。図１における絶縁膜１１は、図２における第二の絶
縁膜１８を用いて形成されている。
【０００８】本実施例によれば、薄膜トランジスタを駆
動するドライバー回路を、液晶表示装置の封止部直下に
形成することが可能となるために、ドライバー回路を保
護するための特別な封止作業を必要としない。また、本
実施例に示すドライバー回路の位置では、ドライバー回
路は液晶層の影響を受けない。また、本実施例におい
て、絶縁膜１１上にＩＴＯなどの膜を残すことにより、
接着剤５に混入されているギャップ材がポリイミドなど
に埋没することなく、基板１、２の隙間を精度良く仕上
げる事が可能である。ここで対向基板側の対向電極を除
去する理由は、絶縁膜１１上に残されたＩＴＯ膜と対向
電極の間に容量が形成されないようにするためである。
動するドライバー回路を、液晶表示装置の封止部直下に
形成することが可能となるために、ドライバー回路を保
護するための特別な封止作業を必要としない。また、本
実施例に示すドライバー回路の位置では、ドライバー回
路は液晶層の影響を受けない。また、本実施例におい
て、絶縁膜１１上にＩＴＯなどの膜を残すことにより、
接着剤５に混入されているギャップ材がポリイミドなど
に埋没することなく、基板１、２の隙間を精度良く仕上
げる事が可能である。ここで対向基板側の対向電極を除
去する理由は、絶縁膜１１上に残されたＩＴＯ膜と対向
電極の間に容量が形成されないようにするためである。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により以下
の効果が得られる。
の効果が得られる。
【００１０】（１）．液晶表示装置の表示部外に露出す
る配線部がなくなり、耐湿性の良好な液晶表示装置が得
られる。
る配線部がなくなり、耐湿性の良好な液晶表示装置が得
られる。
【００１１】（２）．薄膜トランジスタを駆動するドラ
イバー回路を、液晶表示装置の封止部直下に形成するこ
とが可能となり、ドライバー回路を保護する特別な工程
が不要になると同時に、液晶表示装置の取扱い時に生じ
るドライバー回路の損傷（キズ、断線）を防止し、歩止
まりの向上が期待できる。
イバー回路を、液晶表示装置の封止部直下に形成するこ
とが可能となり、ドライバー回路を保護する特別な工程
が不要になると同時に、液晶表示装置の取扱い時に生じ
るドライバー回路の損傷（キズ、断線）を防止し、歩止
まりの向上が期待できる。
【００１２】（３）．薄膜トランジスタを駆動するドラ
イバー回路と薄膜トランジスタの配線長を短くできるた
めに、液晶表示装置の小型化が可能である。
イバー回路と薄膜トランジスタの配線長を短くできるた
めに、液晶表示装置の小型化が可能である。
【図１】本発明の液晶表示装置の一例を示す図。
【図２】本発明の液晶表示装置に用いられる薄膜トラン
ジスタの平面図および断面図。
ジスタの平面図および断面図。
【図３】従来の液晶表示体装置の接合部を示す図。
【図４】図３におけるＡＡ部の断面図。
１・・・・薄膜トランジスタが形成された透明基板 ２・・・・対向電極が形成された透明基板 ３・・・・薄膜トランジスタを駆動するドライバー回路 ４・・・・配線 ５・・・・有機接着剤 ６・・・・ドライバー回路の入力端子 ７・・・・液晶層 ８・・・・対向電極 ９・・・・画素電極 １０・・・・液晶表示装置の表示部 １１・・・・絶縁膜 １２・・・・薄膜トランジスタのチャネル領域 １３・・・・薄膜トランジスタのゲート絶縁膜 １４・・・・薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域 １５・・・・薄膜トランジスタのゲート配線 １６・・・・薄膜トランジスタのソース配線 １７・・・・第一の絶縁膜 １８・・・・第二の絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北和田 清文 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 橋爪 勉 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 北沢 良幸 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 下根 純理 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 井上 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジス
タを駆動するドライバー回路が形成された基板と、対向
電極が形成された対向基板が、有機接着剤を用いて封止
され、前記の二枚の基板の間に封入された液晶により表
示を行う液晶表示装置において、前記のドライバー回路
が、二枚の基板の封止箇所の直下に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記の薄膜トランジスタのソース配線と
画素電極が有機絶縁膜によって絶縁され、それぞれ異な
る層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記の有機絶縁膜および画素電極が、前
記の二枚の基板の封止箇所ならびに前記のドライバー回
路の上部に形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記の対向基板の対向電極が、前記の二
枚の基板の封止箇所のみ除去されていることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27141292A JPH06118404A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27141292A JPH06118404A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118404A true JPH06118404A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17499688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27141292A Pending JPH06118404A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06118404A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
| US7053973B1 (en) | 1996-05-16 | 2006-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7202927B2 (en) | 2001-10-04 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device comprising a silicon nitride film formed directly on the data lines and not existent on a side face of contact holes |
| US7215402B2 (en) | 1996-06-25 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US7417702B2 (en) | 1996-05-16 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| TWI401994B (zh) * | 2007-06-13 | 2013-07-11 | 新力股份有限公司 | Display device and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27141292A patent/JPH06118404A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
| US7053973B1 (en) | 1996-05-16 | 2006-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7417702B2 (en) | 1996-05-16 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7215402B2 (en) | 1996-06-25 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US7333160B2 (en) | 1996-06-25 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including resin film |
| US7474376B2 (en) | 1996-06-25 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8643820B2 (en) | 1996-06-25 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US8665409B2 (en) | 1996-06-25 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing material |
| US9507213B2 (en) | 1996-06-25 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US7202927B2 (en) | 2001-10-04 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device comprising a silicon nitride film formed directly on the data lines and not existent on a side face of contact holes |
| TWI401994B (zh) * | 2007-06-13 | 2013-07-11 | 新力股份有限公司 | Display device and manufacturing method thereof |
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