JPH06258659A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06258659A JPH06258659A JP4145593A JP4145593A JPH06258659A JP H06258659 A JPH06258659 A JP H06258659A JP 4145593 A JP4145593 A JP 4145593A JP 4145593 A JP4145593 A JP 4145593A JP H06258659 A JPH06258659 A JP H06258659A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機薄膜を用いた層間絶縁膜上に画素電極を
形成した液晶表示装置に於いて、ドライバーの信頼性を
低下させる事無く対向基板間距離を一定に保ち、かつ基
板の小型化を図る事を目的とする。 【構成】 有機薄膜上に画素電極を形成し、同時にシー
ル部よりも画素表示部寄りに形成したドライバー上、及
びシール部にも有機薄膜を形成する。
形成した液晶表示装置に於いて、ドライバーの信頼性を
低下させる事無く対向基板間距離を一定に保ち、かつ基
板の小型化を図る事を目的とする。 【構成】 有機薄膜上に画素電極を形成し、同時にシー
ル部よりも画素表示部寄りに形成したドライバー上、及
びシール部にも有機薄膜を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】有機薄膜上に画素電極を形成したことを
特徴とする従来例としては、特公平1−35351号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。
特徴とする従来例としては、特公平1−35351号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。
【0003】また一般にドライバーをアクティブマトリ
クス基板に内蔵する場合、特開昭64−68725号の
ごとくドライバーは基板間の接着部(以下シール部と称
する)よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。
クス基板に内蔵する場合、特開昭64−68725号の
ごとくドライバーは基板間の接着部(以下シール部と称
する)よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし画素表示部の面
積を変える事無くアクティブマトリクス基板を小型化し
ようとするとき、従来のようにドライバーが外側に配置
されているとドライバー用のスペースが必要であり、結
果として基板面積の増大を招く。また通常アクティブマ
トリクス基板は1枚の絶縁性基板上に多数個形成して一
個当たりの製造コストを下げているが、基板面積が増大
すると製造コストを下げれないと言う課題を有する。
積を変える事無くアクティブマトリクス基板を小型化し
ようとするとき、従来のようにドライバーが外側に配置
されているとドライバー用のスペースが必要であり、結
果として基板面積の増大を招く。また通常アクティブマ
トリクス基板は1枚の絶縁性基板上に多数個形成して一
個当たりの製造コストを下げているが、基板面積が増大
すると製造コストを下げれないと言う課題を有する。
【0005】本発明の目的は、ドライバーの信頼性を低
下させる事無く省スペース化を図り、同時に製造コスト
を下げる事の可能な液晶表示装置の構造を提供する事に
ある。
下させる事無く省スペース化を図り、同時に製造コスト
を下げる事の可能な液晶表示装置の構造を提供する事に
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はドライバー内蔵
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置において、ア
クティブマトリクス基板はゲート配線とソース配線を層
間分離する第一の層間絶縁膜と、ソース配線と画素電極
を層間分離する第二の層間絶縁膜とを備え、ドライバー
を対向する2枚の基板の接着部よりも画素表示部寄り配
置することと、少なくとも第二の層間絶縁膜は前記ドラ
イバー上にも形成する事と、少なくとも第二の層間絶縁
膜は対向基板との接着部及びその外周には形成しない事
と、前記ドライバー上の層間絶縁膜上には他の配線など
と導通をとらず浮遊電位としたITOなどの導電性薄膜
を形成することと、対向する基板のドライバーに対応す
る位置には対向電極である導電性薄膜を形成しない事を
特徴とする。
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置において、ア
クティブマトリクス基板はゲート配線とソース配線を層
間分離する第一の層間絶縁膜と、ソース配線と画素電極
を層間分離する第二の層間絶縁膜とを備え、ドライバー
を対向する2枚の基板の接着部よりも画素表示部寄り配
置することと、少なくとも第二の層間絶縁膜は前記ドラ
イバー上にも形成する事と、少なくとも第二の層間絶縁
膜は対向基板との接着部及びその外周には形成しない事
と、前記ドライバー上の層間絶縁膜上には他の配線など
と導通をとらず浮遊電位としたITOなどの導電性薄膜
を形成することと、対向する基板のドライバーに対応す
る位置には対向電極である導電性薄膜を形成しない事を
特徴とする。
【0007】
【実施例】本発明による一実施例の液晶表示装置の平面
図を図1に示し、そのA−A’間における断面図を図2
に示す。絶縁性基板101上に導電性半導体、真性半導
体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、第一の層
間絶縁膜113からなる画素スイッチング用TFT(以
下画素TFTと称す)102及び前記画素TFT群の駆
動用TFT(以下ドライバーと称す)103を同時に形
成する。次に第二層間絶縁膜104として例えばポリイ
ミドを2μm程度の膜厚となるように塗布する。前記ポ
リイミドを乾燥後、クロム薄膜を1000Å程度堆積
し、パターニングしてエッチングマスク105とする。
この後ドライエッチング法にて第二層間絶縁膜104を
パターニングする。このとき第二層間絶縁膜104の被
エッチング部分は、画素TFT102の画素電極接続部
と、対向電極109とアクティブマトリクス基板との導
通部と、アクティブマトリクス基板と対向基板との接着
部(以下シール部と称す)110、及びシール部110
よりも外周部とする。エッチング終了後エッチングマス
ク105を剥離し、画素電極106をITOで形成す
る。このとき第二層間絶縁膜104上のドライバー部に
対応する位置にもITOを形成し、シールド112とす
る。次に絶縁性基板101と対向基板107を接着部
(以下シール部と称す)110で接着するがその際ギャ
ップ材を混入した接着剤で接着する。最後にギャップ材
を混入した液晶を封入する。
図を図1に示し、そのA−A’間における断面図を図2
に示す。絶縁性基板101上に導電性半導体、真性半導
体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、第一の層
間絶縁膜113からなる画素スイッチング用TFT(以
下画素TFTと称す)102及び前記画素TFT群の駆
動用TFT(以下ドライバーと称す)103を同時に形
成する。次に第二層間絶縁膜104として例えばポリイ
ミドを2μm程度の膜厚となるように塗布する。前記ポ
リイミドを乾燥後、クロム薄膜を1000Å程度堆積
し、パターニングしてエッチングマスク105とする。
この後ドライエッチング法にて第二層間絶縁膜104を
パターニングする。このとき第二層間絶縁膜104の被
エッチング部分は、画素TFT102の画素電極接続部
と、対向電極109とアクティブマトリクス基板との導
通部と、アクティブマトリクス基板と対向基板との接着
部(以下シール部と称す)110、及びシール部110
よりも外周部とする。エッチング終了後エッチングマス
ク105を剥離し、画素電極106をITOで形成す
る。このとき第二層間絶縁膜104上のドライバー部に
対応する位置にもITOを形成し、シールド112とす
る。次に絶縁性基板101と対向基板107を接着部
(以下シール部と称す)110で接着するがその際ギャ
ップ材を混入した接着剤で接着する。最後にギャップ材
を混入した液晶を封入する。
【0008】別の実施例として前記実施例に加え、第二
層間絶縁膜104の被エッチング部分をシール部11
0、画素TFT102の画素電極接続部、対向電極10
9とアクティブマトリクス基板との導通部、及びアクテ
ィブマトリクス基板の外部接続端子部とした。これを用
いると通常Alを主成分とする導電性薄膜を用いるドラ
イバー103から外部接続端子への配線の腐食を低減可
能であり結果として、従来のようにアクティブマトリク
ス基板形成後にポリイミドで封止する事無く液晶表示装
置の信頼性を保つ事が可能となった。
層間絶縁膜104の被エッチング部分をシール部11
0、画素TFT102の画素電極接続部、対向電極10
9とアクティブマトリクス基板との導通部、及びアクテ
ィブマトリクス基板の外部接続端子部とした。これを用
いると通常Alを主成分とする導電性薄膜を用いるドラ
イバー103から外部接続端子への配線の腐食を低減可
能であり結果として、従来のようにアクティブマトリク
ス基板形成後にポリイミドで封止する事無く液晶表示装
置の信頼性を保つ事が可能となった。
【0009】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
【0010】さらにエッチングマスクの除去は必ずしも
必要ではなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、第二層間絶
縁膜へのダメージを更に低減できる。またエッチングマ
スクのパターニング後、フォトレジストの剥離を行うと
第二層間絶縁膜104のエッチング時に、エッチングマ
スクがエッチングガスに曝されてダメージを受け易くな
るため、前記フォトレジストは剥離しないまま第二層間
絶縁膜のエッチングを行うのが望ましい。
必要ではなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、第二層間絶
縁膜へのダメージを更に低減できる。またエッチングマ
スクのパターニング後、フォトレジストの剥離を行うと
第二層間絶縁膜104のエッチング時に、エッチングマ
スクがエッチングガスに曝されてダメージを受け易くな
るため、前記フォトレジストは剥離しないまま第二層間
絶縁膜のエッチングを行うのが望ましい。
【0011】また画素電極も例えばアルミニウムが使え
るなどITOには限らない。
るなどITOには限らない。
【0012】以上が本発明の実施例であるが、シール部
110には比較的水分の侵入経路となりやすい有機樹脂
を用いた第二層間絶縁膜104が形成されていない。従
って第二層間絶縁膜104を経路として液晶層に水分が
侵入する事は防げ、結果として液晶の劣化を防止でき
る。
110には比較的水分の侵入経路となりやすい有機樹脂
を用いた第二層間絶縁膜104が形成されていない。従
って第二層間絶縁膜104を経路として液晶層に水分が
侵入する事は防げ、結果として液晶の劣化を防止でき
る。
【0013】同時にドライバー103はシール部110
より内側である画素表示部側にあるためわざわざドライ
バー用のスペースを確保する必要がなく省スペース化が
はかれる。さらにドライバー103上の第二層間絶縁膜
104を除去せずに済むためドライバーはエッチングに
よるダメージを受けない。また従来の構造では最終的に
ポリイミドからなるドライバー保護膜114を形成して
ドライバーを封止する必要があったが本発明を用いると
すでに第二層間絶縁膜104で覆われているのでさらな
る封止は不必要となる。
より内側である画素表示部側にあるためわざわざドライ
バー用のスペースを確保する必要がなく省スペース化が
はかれる。さらにドライバー103上の第二層間絶縁膜
104を除去せずに済むためドライバーはエッチングに
よるダメージを受けない。また従来の構造では最終的に
ポリイミドからなるドライバー保護膜114を形成して
ドライバーを封止する必要があったが本発明を用いると
すでに第二層間絶縁膜104で覆われているのでさらな
る封止は不必要となる。
【0014】またITOなどの導電性薄膜であるシール
ド112がドライバー上の第二層間絶縁膜104上に存
在するため外部電場によるドライバーの信頼性低下を招
かない。同時に対向基板上のシールド112に対応する
位置には対向電極を形成しない事によりシールド112
近辺の電界強度は格段に低下する。よってドライバー1
03は外部電場を受けにくくなる。
ド112がドライバー上の第二層間絶縁膜104上に存
在するため外部電場によるドライバーの信頼性低下を招
かない。同時に対向基板上のシールド112に対応する
位置には対向電極を形成しない事によりシールド112
近辺の電界強度は格段に低下する。よってドライバー1
03は外部電場を受けにくくなる。
【0015】
【発明の効果】本発明を用いれば、ドライバーはシール
部よりも画素表示部寄りにあるため省スペース化が図れ
る。またドライバー上には画素部と共に同じ膜厚の層間
絶縁膜を形成するのでドライバーに液晶が直接触れる事
が無くドライバーが液晶封入部にあっても信頼性の低下
は防げる。
部よりも画素表示部寄りにあるため省スペース化が図れ
る。またドライバー上には画素部と共に同じ膜厚の層間
絶縁膜を形成するのでドライバーに液晶が直接触れる事
が無くドライバーが液晶封入部にあっても信頼性の低下
は防げる。
【0016】またドライバーは層間絶縁膜上の導電性薄
膜にも保護されているため、外部電場による悪影響も低
減できる。
膜にも保護されているため、外部電場による悪影響も低
減できる。
【図1】 実施例記載の液晶表示装置の平面図。
【図2】 実施例記載の液晶表示装置のA−A’間に於
ける断面図。
ける断面図。
【図3】 実施例の工程を表す断面図。
【図4】 従来例の液晶表示装置の断面図。
101 ガラス基板 102 画素TFT 103 ドライバー 104 第二層間絶縁膜 105 エッチングマスク 106 画素電極 107 対向基板 108 接着剤 109 対向電極 110 シール部 111 画素部 112 シールド 113 第一層間絶縁膜 114 ドライバー保護膜
Claims (2)
- 【請求項1】 ドライバー内蔵アクティブマトリクス方
式の液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板
はゲート配線とソース配線を層間分離する第一の層間絶
縁膜と、ソース配線と画素電極を層間分離する第二の層
間絶縁膜とを備え、ドライバーを対向する2枚の基板の
接着部よりも画素表示部寄り配置することと、少なくと
も第二の層間絶縁膜は前記ドライバー上にも形成する事
と、少なくとも第二の層間絶縁膜は対向基板との接着部
及びその外周には形成しない事と、前記ドライバー上の
層間絶縁膜上には他の配線などと導通をとらず浮遊電位
としたITOなどの導電性薄膜を形成することと、対向
する基板のドライバーに対応する位置には対向電極であ
る導電性薄膜を形成しない事を特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項2】 請求項1において第二の層間絶縁膜はポ
リイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアミド樹脂
などの有機樹脂からなる事を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145593A JPH06258659A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145593A JPH06258659A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258659A true JPH06258659A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12608855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145593A Pending JPH06258659A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258659A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7158205B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7215402B2 (en) | 1996-06-25 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| JP2008165255A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
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-
1993
- 1993-03-02 JP JP4145593A patent/JPH06258659A/ja active Pending
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