JPH06120212A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06120212A JPH06120212A JP26569592A JP26569592A JPH06120212A JP H06120212 A JPH06120212 A JP H06120212A JP 26569592 A JP26569592 A JP 26569592A JP 26569592 A JP26569592 A JP 26569592A JP H06120212 A JPH06120212 A JP H06120212A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】金属電極・金属配線を形成する場合に、電極・
配線厚による段差をほとんど無くし、平坦性を格段に向
上させ、安定的に高歩留りを得る半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】半導体基板上１１に所定領域を開孔した絶縁膜
１２を形成し、半導体基板全面に第１、第２金属膜１
４、１５を形成し、さらに所定領域を開孔した絶縁膜１
６を形成した後、絶縁膜１６に形成した開孔の側壁のみ
に絶縁性または導電性を有する膜１７を形成する。次に
第１、第２金属膜１４、１５を給電層として電解メッキ
法により金属電極及び配線１８を形成し、側壁のみに形
成した絶縁性または導電性を有する膜１７を除去し、第
１、第２金属膜１４、１５を露出させ、絶縁膜１６及び
金属電極・配線１８をマスクに第１、第２金属膜１４、
１５を除去する。その後化学的気相成長法または塗布膜
により層間絶縁膜１９を形成する。以上により、金属電
極・金属配線による段差をなくし、平坦性を格段に向上
させることができる。
配線厚による段差をほとんど無くし、平坦性を格段に向
上させ、安定的に高歩留りを得る半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】半導体基板上１１に所定領域を開孔した絶縁膜
１２を形成し、半導体基板全面に第１、第２金属膜１
４、１５を形成し、さらに所定領域を開孔した絶縁膜１
６を形成した後、絶縁膜１６に形成した開孔の側壁のみ
に絶縁性または導電性を有する膜１７を形成する。次に
第１、第２金属膜１４、１５を給電層として電解メッキ
法により金属電極及び配線１８を形成し、側壁のみに形
成した絶縁性または導電性を有する膜１７を除去し、第
１、第２金属膜１４、１５を露出させ、絶縁膜１６及び
金属電極・配線１８をマスクに第１、第２金属膜１４、
１５を除去する。その後化学的気相成長法または塗布膜
により層間絶縁膜１９を形成する。以上により、金属電
極・金属配線による段差をなくし、平坦性を格段に向上
させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に金属配線の製造方法に関する。
関し、特に金属配線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在ＩＣから超ＬＳＩまでのほとんどの
半導体装置においては、オーミック特性、Ａｌスパイク
制御等の観点から配線材料としてＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ合金等が広く用いられている。しかしこれらの
配線材料では、熱処理に伴うヒロックの形成やマイグレ
ーションの発生が避けられず、信頼性の点で非常に問題
があり、これらに対処するため高融点金属材料を用いて
配線部を多重構造とする方法がとられていた。しかしそ
れでも充分ではなく、最近では配線材料としてＡｕが用
いられるようになりつつある。Ａｕは配線材料として極
めて安定であり、マイグレーション耐性もＡｌ合金の１
０倍以上あり、信頼性も極めて高いという利点がある。
しかしＡｕ配線にしてもＡｌ配線同様近年ますます高集
積化しつつある中で多層化が進んでおり、それにつれて
いかに平坦性を確保するかが問題となっている。現在Ａ
ｕ配線においてはＡｌ配線で用いられていた塗布膜によ
る平坦化が主に用いられている。
半導体装置においては、オーミック特性、Ａｌスパイク
制御等の観点から配線材料としてＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ合金等が広く用いられている。しかしこれらの
配線材料では、熱処理に伴うヒロックの形成やマイグレ
ーションの発生が避けられず、信頼性の点で非常に問題
があり、これらに対処するため高融点金属材料を用いて
配線部を多重構造とする方法がとられていた。しかしそ
れでも充分ではなく、最近では配線材料としてＡｕが用
いられるようになりつつある。Ａｕは配線材料として極
めて安定であり、マイグレーション耐性もＡｌ合金の１
０倍以上あり、信頼性も極めて高いという利点がある。
しかしＡｕ配線にしてもＡｌ配線同様近年ますます高集
積化しつつある中で多層化が進んでおり、それにつれて
いかに平坦性を確保するかが問題となっている。現在Ａ
ｕ配線においてはＡｌ配線で用いられていた塗布膜によ
る平坦化が主に用いられている。
【０００３】以下図２に基づき、従来の配線の形成方法
について説明する。図２は本発明に対する従来の技術を
示した工程順縦断面図である。
について説明する。図２は本発明に対する従来の技術を
示した工程順縦断面図である。
【０００４】図２（ａ）に示すように、拡散層１３を形
成した半導体基板１１に絶縁膜１２を形成する。絶縁膜
１２は化学的気相成長法等により酸化膜を２００〜５０
０ｎｍ程度成長させる。次に絶縁膜１２の所定領域に開
孔を形成し電極配線形成のためのコンタクト孔とする。
その後第１、第２金属膜１４、１５と順次スパッタ法に
より堆積させる。第１金属膜１４は絶縁膜１２との密着
性を確保するもので、例えばＴｉ、ＴｉＷ、Ｃｒ等を、
また第２金属膜１５はバリア性、メッキ性等を確保する
ものでＮｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等が用いられ、膜
厚としてはそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度あれば充分で
ある。上記のような条件を備えていれば単層であっても
かまわない。また第１、第２金属膜１４、１５は電解メ
ッキ時の給電層となるものである。
成した半導体基板１１に絶縁膜１２を形成する。絶縁膜
１２は化学的気相成長法等により酸化膜を２００〜５０
０ｎｍ程度成長させる。次に絶縁膜１２の所定領域に開
孔を形成し電極配線形成のためのコンタクト孔とする。
その後第１、第２金属膜１４、１５と順次スパッタ法に
より堆積させる。第１金属膜１４は絶縁膜１２との密着
性を確保するもので、例えばＴｉ、ＴｉＷ、Ｃｒ等を、
また第２金属膜１５はバリア性、メッキ性等を確保する
ものでＮｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等が用いられ、膜
厚としてはそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度あれば充分で
ある。上記のような条件を備えていれば単層であっても
かまわない。また第１、第２金属膜１４、１５は電解メ
ッキ時の給電層となるものである。
【０００５】次いで、図２（ｂ）に示すように、感光性
樹脂２０を用いて所定領域を開孔する。
樹脂２０を用いて所定領域を開孔する。
【０００６】つづいて、図２（ｃ）に示すように、所定
領域に電解メッキ法によりＡｕによる金属電極及び金属
配線１８を０．５〜２．０μｍ程度形成する。
領域に電解メッキ法によりＡｕによる金属電極及び金属
配線１８を０．５〜２．０μｍ程度形成する。
【０００７】その後、図２（ｄ）に示すように、感光性
樹脂２０を除去した後、金属電極及び金属配線１８をマ
スクに反応性イオンエッチにより第１、第２金属膜１
４、１５を順次除去する。第１、第２金属膜１４、１５
の除去にはウェットエッチでもドライエッチでもよい。
エッチング液またはガス系はそれぞれの金属膜の種類に
応じて選択することができる。次に図２（ｅ）に示すよ
うに、第１層間絶縁膜２１、塗布膜２２、第２層間絶縁
膜２３等を適当に組み合わせ層間膜を形成する。第１、
第２層間絶縁膜２１、２３には酸化膜系、窒化膜系の絶
縁膜を用い化学的気相ん成長法等により２００〜５００
ｎｍ程度形成する。塗布膜２２についてはシリカ系塗布
膜あるいはシリコンポリイミド等が一般に用いられてお
り、数回塗布しエッチバックを行うことにより、より平
坦性は確保される。従来は以上のような方法で形成して
いた。
樹脂２０を除去した後、金属電極及び金属配線１８をマ
スクに反応性イオンエッチにより第１、第２金属膜１
４、１５を順次除去する。第１、第２金属膜１４、１５
の除去にはウェットエッチでもドライエッチでもよい。
エッチング液またはガス系はそれぞれの金属膜の種類に
応じて選択することができる。次に図２（ｅ）に示すよ
うに、第１層間絶縁膜２１、塗布膜２２、第２層間絶縁
膜２３等を適当に組み合わせ層間膜を形成する。第１、
第２層間絶縁膜２１、２３には酸化膜系、窒化膜系の絶
縁膜を用い化学的気相ん成長法等により２００〜５００
ｎｍ程度形成する。塗布膜２２についてはシリカ系塗布
膜あるいはシリコンポリイミド等が一般に用いられてお
り、数回塗布しエッチバックを行うことにより、より平
坦性は確保される。従来は以上のような方法で形成して
いた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの製造方法で
は、平坦性が極めて悪く、多層になればなるほど平坦性
の確保が困難となり、上層配線間での短絡を生じるとい
う欠点があった。また塗布絶縁膜を多用することにより
平坦性を確保する方法もあるが、充分ではなく、塗布膜
に対するクラックあるいは層間でのふくれを生じるとい
う欠点があった。
は、平坦性が極めて悪く、多層になればなるほど平坦性
の確保が困難となり、上層配線間での短絡を生じるとい
う欠点があった。また塗布絶縁膜を多用することにより
平坦性を確保する方法もあるが、充分ではなく、塗布膜
に対するクラックあるいは層間でのふくれを生じるとい
う欠点があった。
【０００９】以上のような理由により、従来の製造方法
では、信頼性、歩留りを著しく低下させていた。
では、信頼性、歩留りを著しく低下させていた。
【００１０】さらに従来の製造方法では平坦性を確保す
るための工程が加わることにより、製造工程が長く複雑
であるという欠点も有していた。
るための工程が加わることにより、製造工程が長く複雑
であるという欠点も有していた。
【００１１】本発明の目的は、金属電極、金属配線を形
成する場合に、電極・配線厚による段差をほとんどなく
し、平坦化を格段に向上させ、安定的に高歩留りが得ら
れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
成する場合に、電極・配線厚による段差をほとんどなく
し、平坦化を格段に向上させ、安定的に高歩留りが得ら
れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板内あるいは半導体基板上に設けた
導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた
開孔を含む半導体基板全面に少なくとも一層の金属膜を
形成する工程と、該金属膜上全面に第１の絶縁膜を形成
する工程と、該第１の絶縁膜において将来金属電極及び
金属配線を形成する所定領域を選択的に開孔し金属膜を
露出させる工程と、該第１の絶縁膜に形成した開孔の側
壁にのみ絶縁性または導電性を有する第２の膜を形成す
る工程と、該所定領域に金属電極及び金属配線を形成す
る工程と、該開孔の側壁のみに形成した第２の膜を除去
し金属膜を露出させる工程と、該金属電極・金属配線及
び第１の絶縁膜をマスクに金属膜を除去する工程と、第
３の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴として構
成させる。
造方法は、半導体基板内あるいは半導体基板上に設けた
導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた
開孔を含む半導体基板全面に少なくとも一層の金属膜を
形成する工程と、該金属膜上全面に第１の絶縁膜を形成
する工程と、該第１の絶縁膜において将来金属電極及び
金属配線を形成する所定領域を選択的に開孔し金属膜を
露出させる工程と、該第１の絶縁膜に形成した開孔の側
壁にのみ絶縁性または導電性を有する第２の膜を形成す
る工程と、該所定領域に金属電極及び金属配線を形成す
る工程と、該開孔の側壁のみに形成した第２の膜を除去
し金属膜を露出させる工程と、該金属電極・金属配線及
び第１の絶縁膜をマスクに金属膜を除去する工程と、第
３の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴として構
成させる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は、本発明の一実施例を説明するために
工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
説明する。図１は、本発明の一実施例を説明するために
工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、拡散層１
３を形成した半導体基板１１上に絶縁膜１２を形成す
る。絶縁膜１２としては、化学的気相成長法等によりシ
リコン酸化膜等を２００〜５００ｎｍ程度成長させる。
次に絶縁膜１２の所定領域に開孔を形成し電極配線によ
り拡散層１３との電気的接続を確保するためのコンタク
ト孔とする。
３を形成した半導体基板１１上に絶縁膜１２を形成す
る。絶縁膜１２としては、化学的気相成長法等によりシ
リコン酸化膜等を２００〜５００ｎｍ程度成長させる。
次に絶縁膜１２の所定領域に開孔を形成し電極配線によ
り拡散層１３との電気的接続を確保するためのコンタク
ト孔とする。
【００１５】次に図１（ｂ）に示すように、コンタクト
孔を含む半導体基板１１全面に第１、第２金属膜１４、
１５を順次形成する。第１金属膜１４は絶縁膜１２と密
着性のよい金属、例えばＴｉ、ＴｉＷ、Ｃｒ等を、また
第２金属膜１５はバリア性を有し、メッキ性のよい金
属、例えばＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ等が考えられ
る。第１、第２金属膜１４、１５はそれぞれ３０〜１０
０ｎｍ程度あれば充分である。上述の条件が満たされれ
ば第１、第２金属膜１４、１５は単層でもかまわない。
その後、絶縁膜１６を０．５〜１．５μｍ程度形成す
る。本実施例においてはシリコン窒化膜を０．５〜１．
５μｍ程度形成するものとする。
孔を含む半導体基板１１全面に第１、第２金属膜１４、
１５を順次形成する。第１金属膜１４は絶縁膜１２と密
着性のよい金属、例えばＴｉ、ＴｉＷ、Ｃｒ等を、また
第２金属膜１５はバリア性を有し、メッキ性のよい金
属、例えばＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ等が考えられ
る。第１、第２金属膜１４、１５はそれぞれ３０〜１０
０ｎｍ程度あれば充分である。上述の条件が満たされれ
ば第１、第２金属膜１４、１５は単層でもかまわない。
その後、絶縁膜１６を０．５〜１．５μｍ程度形成す
る。本実施例においてはシリコン窒化膜を０．５〜１．
５μｍ程度形成するものとする。
【００１６】その後、図１（ｃ）に示すように、感光性
樹脂等を用いて絶縁膜１６に選択的に開孔を形成し、金
属電極及び金属配線を設ける領域に第２金属膜１５を露
出させる。次に露出した第２金属膜１５を含む全面に絶
縁性または導電性を有する膜１７を１００〜２００ｎｍ
程度形成する。その後、エッチバックを行ない絶縁膜１
６に形成した開孔の側壁のみに前記膜１７を残す。膜１
７は後に形成する金属電極及び金属配線形成時のマスク
となるもので、絶縁膜１６及び後に形成する金属電極と
金属配線及び第１金属膜１４または第２金属膜に対し
て、エッチング除去時に選択性を有するものである必要
がある。本実施例においては膜１７として、導電膜であ
るＴｉ金属膜を形成する。上記の条件が満たされるなら
ば絶縁膜でもいいが、拡散層１３からの電気的接続を形
成するコンタクト孔の側壁にも形成されるため、導電性
を有する金属膜であることが望ましい。膜１７としてＴ
ｉ金属膜を使用した場合、エッチバックには反応性イオ
ンエッチを用い、ＣＦ4 系、Ａｒ＋ＳＦ6 系のガスを選
択することによりエッチレートは２０〜１５０ｎｍ／ｍ
ｉｎが得られる。その後、第１、第２金属膜１４、１５
を給電層として電解メッキ法によりＡｕによる金属電極
及び金属配線１８を所定領域に形成する。膜厚は０．５
〜１．０μｍ程度でよい。Ａｕの電解メッキ液としては
田中貴金属工業、日本カニゼン、日本鉱業等数社から出
されており、目的に応じて選択できる。このようにし
て、図１（ｄ）に示す構造を得る。その後、図１（ｅ）
に示すように、Ｔｉ金属膜１７を除去し、第１、第２金
属膜１４、１５を露出させる。Ｔｉ金属膜の除去には沸
化水素酸、過酸化水素酸が有効で、１％の弗化水素酸で
あれば６００〜７００ｎｍ／ｍｉｎのエッチレートが得
られる。
樹脂等を用いて絶縁膜１６に選択的に開孔を形成し、金
属電極及び金属配線を設ける領域に第２金属膜１５を露
出させる。次に露出した第２金属膜１５を含む全面に絶
縁性または導電性を有する膜１７を１００〜２００ｎｍ
程度形成する。その後、エッチバックを行ない絶縁膜１
６に形成した開孔の側壁のみに前記膜１７を残す。膜１
７は後に形成する金属電極及び金属配線形成時のマスク
となるもので、絶縁膜１６及び後に形成する金属電極と
金属配線及び第１金属膜１４または第２金属膜に対し
て、エッチング除去時に選択性を有するものである必要
がある。本実施例においては膜１７として、導電膜であ
るＴｉ金属膜を形成する。上記の条件が満たされるなら
ば絶縁膜でもいいが、拡散層１３からの電気的接続を形
成するコンタクト孔の側壁にも形成されるため、導電性
を有する金属膜であることが望ましい。膜１７としてＴ
ｉ金属膜を使用した場合、エッチバックには反応性イオ
ンエッチを用い、ＣＦ4 系、Ａｒ＋ＳＦ6 系のガスを選
択することによりエッチレートは２０〜１５０ｎｍ／ｍ
ｉｎが得られる。その後、第１、第２金属膜１４、１５
を給電層として電解メッキ法によりＡｕによる金属電極
及び金属配線１８を所定領域に形成する。膜厚は０．５
〜１．０μｍ程度でよい。Ａｕの電解メッキ液としては
田中貴金属工業、日本カニゼン、日本鉱業等数社から出
されており、目的に応じて選択できる。このようにし
て、図１（ｄ）に示す構造を得る。その後、図１（ｅ）
に示すように、Ｔｉ金属膜１７を除去し、第１、第２金
属膜１４、１５を露出させる。Ｔｉ金属膜の除去には沸
化水素酸、過酸化水素酸が有効で、１％の弗化水素酸で
あれば６００〜７００ｎｍ／ｍｉｎのエッチレートが得
られる。
【００１７】次に、図１（ｆ）に示すように、露出した
第１、第２金属膜１４、１５を、絶縁膜１６、金属電極
あるいは金属配線をマスクに順次除去する。除去には反
応性イオンエッチング法を用い、エッチングガスとして
はＡｒ、Ｏ2 、Ｎｅ、ＳＦ6、Ｃ2 Ｃｌ2 Ｆ4 等を組み
合わせて、金属の種類によりそれぞれ選択すればよい。
その後気相成長法等により層間絶縁膜１９を０．５〜
１．０μｍ程度形成する。このとき金属電極及び金属配
線１８の周囲の空隙は全て等間隔であり容易に埋設が可
能である。層間絶縁膜１９としてはシリコン酸化膜、シ
リコン窒化膜等が考えられる。
第１、第２金属膜１４、１５を、絶縁膜１６、金属電極
あるいは金属配線をマスクに順次除去する。除去には反
応性イオンエッチング法を用い、エッチングガスとして
はＡｒ、Ｏ2 、Ｎｅ、ＳＦ6、Ｃ2 Ｃｌ2 Ｆ4 等を組み
合わせて、金属の種類によりそれぞれ選択すればよい。
その後気相成長法等により層間絶縁膜１９を０．５〜
１．０μｍ程度形成する。このとき金属電極及び金属配
線１８の周囲の空隙は全て等間隔であり容易に埋設が可
能である。層間絶縁膜１９としてはシリコン酸化膜、シ
リコン窒化膜等が考えられる。
【００１８】以上本発明の実施例について説明したが、
絶縁膜１６、絶縁性または導電性を有する膜１７、第
１、第２金属膜１４、１５の組成・種類を変えることは
可能であり、また層間絶縁膜１９として塗布膜を用いれ
ば平坦性は格段に向上する。塗布膜としては、シリカ
系、シリコンポリイミド等があり、目的により選択でき
る。
絶縁膜１６、絶縁性または導電性を有する膜１７、第
１、第２金属膜１４、１５の組成・種類を変えることは
可能であり、また層間絶縁膜１９として塗布膜を用いれ
ば平坦性は格段に向上する。塗布膜としては、シリカ
系、シリコンポリイミド等があり、目的により選択でき
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属電極及び金属配線の周囲の空隙は全て等間隔であり、
化学的気相成長法あるいは塗布膜で完全に埋設すること
が可能であり、金属電極金属配線によって生じる段差を
ほとんどなくすことができ、平坦性が格段に向上する。
属電極及び金属配線の周囲の空隙は全て等間隔であり、
化学的気相成長法あるいは塗布膜で完全に埋設すること
が可能であり、金属電極金属配線によって生じる段差を
ほとんどなくすことができ、平坦性が格段に向上する。
【００２０】また電解メッキ時に給電層として用いた金
属膜を層間膜の一部として残すことにより、層間膜の強
化及び放熱性の向上といった効果も有する。
属膜を層間膜の一部として残すことにより、層間膜の強
化及び放熱性の向上といった効果も有する。
【００２１】さらに、従来の製造方法では平坦性を確保
するために必要だった工程も不要となり工程を短縮でき
るという効果も有する。
するために必要だった工程も不要となり工程を短縮でき
るという効果も有する。
【００２２】従来の製造方法では、段差が激しいため、
上層と下層の層間ショートが多発しており、配線ＴＥＧ
において、歩留りが２０〜５０％程度とバラツキがあっ
たが、本発明の製造方法によれば５０〜７０％程度の安
定した歩留りを確保することができる。
上層と下層の層間ショートが多発しており、配線ＴＥＧ
において、歩留りが２０〜５０％程度とバラツキがあっ
たが、本発明の製造方法によれば５０〜７０％程度の安
定した歩留りを確保することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した半導体素子の縦断面図である。
した半導体素子の縦断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する
ために工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
ために工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
１１ 半導体基板 １２ 絶縁膜 １３ 拡散層 １４ 第１金属膜 １５ 第２金属膜 １６ 絶縁膜 １７ 絶縁性又は導電性を有する膜 １８ Ａｕ電極及びＡｕ配線 １９ 絶縁膜 ２０ 感光性樹脂 ２１ 絶縁膜 ２２ 塗布膜 ２３ 絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板内あるいは半導体基板上に設
けた導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設
けた開孔を含む半導体基板全面に少なくとも一層の金属
膜を形成する工程と、該金属膜上全面に第１の絶縁膜を
形成する工程と、該第１の絶縁膜において、将来金属電
極及び金属配線を形成する所定領域を選択的に開孔し前
記金属膜を露出させる工程と、該第１の絶縁膜に形成し
た開孔の側壁のみに絶縁性または導電性を有する第２の
膜を形成する工程と、前記所定領域に金属電極及び金属
配線を形成する工程と、前記開孔の側壁のみに形成した
第２の膜を除去し、金属膜を露出させる工程と、前記金
属電極・金属配線及び第１の絶縁膜をマスクに金属膜を
除去する工程と、第３の絶縁膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属電極及び金属配線を電解または
無電解メッキ法により形成することを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁性または導電性を有する第２の
膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁性または導電性を有する第２の
膜がチタン膜、チタン−タングステン膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁性または導電性を有する第２の
膜が多結晶シリコンであることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記金属電極及び金属配線はＡｕ配線で
あり、金属膜はＴｉＷ、Ｔｉの中から選ばれた１つの金
属膜と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕの中から選ばれた１つの金属
膜から成る２層金属膜であることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26569592A JP2998454B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26569592A JP2998454B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120212A true JPH06120212A (ja) | 1994-04-28 |
| JP2998454B2 JP2998454B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=17420729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26569592A Expired - Lifetime JP2998454B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998454B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321197A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Nec Corp | 半導体集積回路の配線構造およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26569592A patent/JP2998454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321197A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Nec Corp | 半導体集積回路の配線構造およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2998454B2 (ja) | 2000-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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