JPH06120321A - 基板ハンドリング装置 - Google Patents
基板ハンドリング装置Info
- Publication number
- JPH06120321A JPH06120321A JP26717192A JP26717192A JPH06120321A JP H06120321 A JPH06120321 A JP H06120321A JP 26717192 A JP26717192 A JP 26717192A JP 26717192 A JP26717192 A JP 26717192A JP H06120321 A JPH06120321 A JP H06120321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- semiconductor wafer
- semiconductor
- pusher
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3411—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H10P72/3412—Batch transfer of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7612—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by lifting arrangements, e.g. lift pins
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生を抑制して歩留まりの向
上を図ることができるとともに、ハンドリングを行う基
板が高い電圧に帯電しているような場合でもセンサー等
が破壊されたり装置が誤動作することを防止することが
でき、信頼性の向上を図ることのできる基板ハンドリン
グ装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハを下方から押し上げるプッシャ
ー18には、それぞれ1枚ずつ半導体ウエハWを係止す
るためのウエハ係止溝80が25個設けられており、こ
れらのウエハ係止溝80内の側壁部分には半導体ウエハ
Wの有無を検出するためのウエハ検出センサ81が埋設
されている。また、プッシャー18は、表面にアルマイ
ト処理を施したアルミニウムからなる基体82の表面
に、テフロン(商品名)をコーティング処理により厚さ
約20μm程度被着させて樹脂製被膜83を形成し構成
されている。
上を図ることができるとともに、ハンドリングを行う基
板が高い電圧に帯電しているような場合でもセンサー等
が破壊されたり装置が誤動作することを防止することが
でき、信頼性の向上を図ることのできる基板ハンドリン
グ装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハを下方から押し上げるプッシャ
ー18には、それぞれ1枚ずつ半導体ウエハWを係止す
るためのウエハ係止溝80が25個設けられており、こ
れらのウエハ係止溝80内の側壁部分には半導体ウエハ
Wの有無を検出するためのウエハ検出センサ81が埋設
されている。また、プッシャー18は、表面にアルマイ
ト処理を施したアルミニウムからなる基体82の表面
に、テフロン(商品名)をコーティング処理により厚さ
約20μm程度被着させて樹脂製被膜83を形成し構成
されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板ハンドリング装置
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程におい
ては、基板例えば半導体ウエハあるいはLCD用ガラス
基板をハンドリングする各種の基板ハンドリング装置が
用いられている。
ては、基板例えば半導体ウエハあるいはLCD用ガラス
基板をハンドリングする各種の基板ハンドリング装置が
用いられている。
【0003】例えば、横型あるいは縦型の熱処理装置に
おいては、半導体ウエハを石英製のウエハボートに載せ
て処理を行うため、このウエハボートと樹脂製のウエハ
カセットとの間で半導体ウエハを移送し、移し変えるウ
エハ移送装置が用いられている。このようなウエハ移送
装置としては、押上装置、いわゆるプッシャーでウエハ
カセット内の半導体ウエハを押上、この状態で半導体ウ
エハを把持する如く支持し、ウエハボートへ移送するよ
う構成されたものが知られている。
おいては、半導体ウエハを石英製のウエハボートに載せ
て処理を行うため、このウエハボートと樹脂製のウエハ
カセットとの間で半導体ウエハを移送し、移し変えるウ
エハ移送装置が用いられている。このようなウエハ移送
装置としては、押上装置、いわゆるプッシャーでウエハ
カセット内の半導体ウエハを押上、この状態で半導体ウ
エハを把持する如く支持し、ウエハボートへ移送するよ
う構成されたものが知られている。
【0004】また、周知のように、基板に微細な電気回
路を形成する半導体装置の製造工程においては、微細な
粒子、いわゆるパーティクルの基板への付着が不良発生
の原因となり、歩留まりの低下を招くことになる。この
ため、上述したウエハ移送装置においても、パーティク
ルの発生を抑制し、歩留まりの向上を図るために基板と
接触し、基板を支持する基板支持部を、樹脂例えばテフ
ロン(商品名)等のブロックを所定形状に成型して構成
している。
路を形成する半導体装置の製造工程においては、微細な
粒子、いわゆるパーティクルの基板への付着が不良発生
の原因となり、歩留まりの低下を招くことになる。この
ため、上述したウエハ移送装置においても、パーティク
ルの発生を抑制し、歩留まりの向上を図るために基板と
接触し、基板を支持する基板支持部を、樹脂例えばテフ
ロン(商品名)等のブロックを所定形状に成型して構成
している。
【0005】なお、例えばウエハ移送装置等では、基板
支持部に半導体ウエハが存在するか否かを検出するた
め、基板支持部を構成するテフロン製のブロック等に、
光あるいは静電容量等によって半導体ウエハの有無を検
出するウエハ検出センサを埋設することがある。
支持部に半導体ウエハが存在するか否かを検出するた
め、基板支持部を構成するテフロン製のブロック等に、
光あるいは静電容量等によって半導体ウエハの有無を検
出するウエハ検出センサを埋設することがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハ等の基板は、静電的に帯電し易く、例えば、洗浄
等の処理を行った後においては、10KV〜20KV等
の高い電圧に帯電する場合がある。このため、上述した
従来の基板ハンドリング装置では、このような静電気に
起因して、基板支持部に設けられた基板の有無を検出す
るためのセンサ等に過剰な電流が流れ破壊されたり、装
置が誤動作することがあるという問題があった。
ウエハ等の基板は、静電的に帯電し易く、例えば、洗浄
等の処理を行った後においては、10KV〜20KV等
の高い電圧に帯電する場合がある。このため、上述した
従来の基板ハンドリング装置では、このような静電気に
起因して、基板支持部に設けられた基板の有無を検出す
るためのセンサ等に過剰な電流が流れ破壊されたり、装
置が誤動作することがあるという問題があった。
【0007】また、このような問題を避けるために基板
支持部を、金属等の導電性の物質で形成すると、半導体
ウエハ等の基板と、金属製の基板支持部が接触するた
め、これらが擦れてパーティクルが発生するという問題
がある。
支持部を、金属等の導電性の物質で形成すると、半導体
ウエハ等の基板と、金属製の基板支持部が接触するた
め、これらが擦れてパーティクルが発生するという問題
がある。
【0008】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、パーティクルの発生を抑制して歩留まり
の向上を図ることができるとともに、ハンドリングを行
う基板が高い電圧に帯電しているような場合でもセンサ
ー等が破壊されたり装置が誤動作することを防止するこ
とができ、信頼性の向上を図ることのできる基板ハンド
リング装置を提供しようとするものである。
されたもので、パーティクルの発生を抑制して歩留まり
の向上を図ることができるとともに、ハンドリングを行
う基板が高い電圧に帯電しているような場合でもセンサ
ー等が破壊されたり装置が誤動作することを防止するこ
とができ、信頼性の向上を図ることのできる基板ハンド
リング装置を提供しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の基板
ハンドリング装置は、基板支持部によって基板を係止
し、該基板を支持する基板ハンドリング装置において、
前記基板支持部を、導電性の基体の表面の少なくとも一
部に、樹脂製の被膜を形成して構成したことを特徴とす
る。
ハンドリング装置は、基板支持部によって基板を係止
し、該基板を支持する基板ハンドリング装置において、
前記基板支持部を、導電性の基体の表面の少なくとも一
部に、樹脂製の被膜を形成して構成したことを特徴とす
る。
【0010】
【作用】上記構成の本発明の基板ハンドリング装置で
は、基板を係止する基板支持部が例えば、アルミニウム
等の導電性金属等からなる基体の表面に、例えば、テフ
ロン等の樹脂製の被膜を、厚さ例えば数μmないし数十
μm形成して構成されている。
は、基板を係止する基板支持部が例えば、アルミニウム
等の導電性金属等からなる基体の表面に、例えば、テフ
ロン等の樹脂製の被膜を、厚さ例えば数μmないし数十
μm形成して構成されている。
【0011】したがって、基板と直接接触するのは、表
面の樹脂製の被膜であって、アルミニウム等からなる基
体と基板とが接触し、これらが擦れてパーティクルが発
生することを防止できる。また、例えば、静電気によっ
て高い電圧に帯電した基板を支持する場合には、基板が
基板支持部に接触した瞬間あるいは接触する直前に厚さ
例えば数μmないし数十μm程度と薄い樹脂製の被膜を
通じて導電性の基体に電気が流れ、この結果基板の静電
気が除去されるので、基板検出センサー等が破壊された
り装置が誤動作することを防止することができ、信頼性
の向上を図ることができる。
面の樹脂製の被膜であって、アルミニウム等からなる基
体と基板とが接触し、これらが擦れてパーティクルが発
生することを防止できる。また、例えば、静電気によっ
て高い電圧に帯電した基板を支持する場合には、基板が
基板支持部に接触した瞬間あるいは接触する直前に厚さ
例えば数μmないし数十μm程度と薄い樹脂製の被膜を
通じて導電性の基体に電気が流れ、この結果基板の静電
気が除去されるので、基板検出センサー等が破壊された
り装置が誤動作することを防止することができ、信頼性
の向上を図ることができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明を、ウエハカセットと熱処理装
置用のウエハボートとの間で半導体ウエハを移送するウ
エハ移送装置に適用した一実施例を図面を参照して説明
する。
置用のウエハボートとの間で半導体ウエハを移送するウ
エハ移送装置に適用した一実施例を図面を参照して説明
する。
【0013】図2は、本発明の一実施例の基板ハンドリ
ング装置としてのウエハ移送装置の全体構成を示すもの
で、このウエハ移送装置は、クリーンルーム内の図示し
ない横型熱処理炉あるいは縦型熱処理炉の前方等に配置
される。
ング装置としてのウエハ移送装置の全体構成を示すもの
で、このウエハ移送装置は、クリーンルーム内の図示し
ない横型熱処理炉あるいは縦型熱処理炉の前方等に配置
される。
【0014】同図に示すように、このウエハ移送装置に
は、複数のウエハカセット1を載置するためのカセット
ステージ2と、熱処理装置用のウエハボート3を載置す
るためのボートステージ4とが、ほぼ同レベルに、か
つ、直列に配置されている。また、これらのカセットス
テージ2およびボートステージ4に沿って、移動用溝5
が形成され、この移動用溝5内をX軸方向に沿って移動
可能な如く、ホールド装置6が設けられている。
は、複数のウエハカセット1を載置するためのカセット
ステージ2と、熱処理装置用のウエハボート3を載置す
るためのボートステージ4とが、ほぼ同レベルに、か
つ、直列に配置されている。また、これらのカセットス
テージ2およびボートステージ4に沿って、移動用溝5
が形成され、この移動用溝5内をX軸方向に沿って移動
可能な如く、ホールド装置6が設けられている。
【0015】なお、装置本体7の内部には、各種の駆動
機構が収納されている。これらの駆動機構はコンピュー
タに接続され、ウエハ移送装置に必要なデータ(例え
ば、ウエハボート3へ移載されるべき半導体ウエハの枚
数、ピッチ間隔、ウエハカセット1内の半導体ウエハの
収容状態等)が、キーボード8の操作でコンピュータに
入力される。
機構が収納されている。これらの駆動機構はコンピュー
タに接続され、ウエハ移送装置に必要なデータ(例え
ば、ウエハボート3へ移載されるべき半導体ウエハの枚
数、ピッチ間隔、ウエハカセット1内の半導体ウエハの
収容状態等)が、キーボード8の操作でコンピュータに
入力される。
【0016】図3に示すように、装置本体7の内部底面
には、移動用溝5(X軸方向)に沿って、1対のレール
10a、10bが設けられ、これらのレール10a、1
0b上にスライダ11が設けられている。また、このス
ライダ11の上方には、レール10a、10bに平行す
る如くボールスクリュウ12が設けられており、このボ
ールスクリュウ12は、X軸方向端部に設けられた図示
しないモータの駆動軸に連結されている。一方、スライ
ダ11の上面には、ボールナット13が設けられてお
り、このボールナット13に螺合される如く、上記ボー
ルスクリュウ12が配設されている。そして、図示しな
いモータによって、ボールスクリュウ12を回転させる
ことにより、スライダ11をレール10a、10bに沿
って所望方向に所望距離移動させることができるよう構
成されている。
には、移動用溝5(X軸方向)に沿って、1対のレール
10a、10bが設けられ、これらのレール10a、1
0b上にスライダ11が設けられている。また、このス
ライダ11の上方には、レール10a、10bに平行す
る如くボールスクリュウ12が設けられており、このボ
ールスクリュウ12は、X軸方向端部に設けられた図示
しないモータの駆動軸に連結されている。一方、スライ
ダ11の上面には、ボールナット13が設けられてお
り、このボールナット13に螺合される如く、上記ボー
ルスクリュウ12が配設されている。そして、図示しな
いモータによって、ボールスクリュウ12を回転させる
ことにより、スライダ11をレール10a、10bに沿
って所望方向に所望距離移動させることができるよう構
成されている。
【0017】スライダ11の上部には、エアシリンダ等
からなる2つの昇降機構14、15が設けられている。
昇降機構14のロッド16には、ホールド装置6が設け
られており、この昇降機構14によってホールド装置6
をZ軸方向に昇降させるように構成されている。
からなる2つの昇降機構14、15が設けられている。
昇降機構14のロッド16には、ホールド装置6が設け
られており、この昇降機構14によってホールド装置6
をZ軸方向に昇降させるように構成されている。
【0018】また、昇降機構15のロッド17にはウエ
ハを押上るためのプッシャー18が設けられており、カ
セットステージ2に設けられた開口19を介して、カセ
ットステージ2上に設けられたウエハカセット1の下部
から、このウエハカセット1内に収容された複数例えば
25枚の半導体ウエハWを押し上げることができるよう
構成されている。
ハを押上るためのプッシャー18が設けられており、カ
セットステージ2に設けられた開口19を介して、カセ
ットステージ2上に設けられたウエハカセット1の下部
から、このウエハカセット1内に収容された複数例えば
25枚の半導体ウエハWを押し上げることができるよう
構成されている。
【0019】図1に示すように、プッシャー18には、
それぞれ1枚ずつ半導体ウエハWを係止するためのウエ
ハ係止溝80が複数例えば25個(図1にはその一部の
み示す。)設けられており、これらのウエハ係止溝80
内の側壁部分には半導体ウエハWの有無を検出するため
のウエハ検出センサ81が埋設されている。また、プッ
シャー18は、導電性の基体82の表面に、樹脂製被膜
83を形成して構成されており、本実施例においては、
基体82として表面にアルマイト処理を施したアルミニ
ウムを用い、この基体82の表面にテフロン(商品名)
をコーティング処理により厚さ約20μm程度被着させ
て樹脂製被膜83を形成したものを用いている。
それぞれ1枚ずつ半導体ウエハWを係止するためのウエ
ハ係止溝80が複数例えば25個(図1にはその一部の
み示す。)設けられており、これらのウエハ係止溝80
内の側壁部分には半導体ウエハWの有無を検出するため
のウエハ検出センサ81が埋設されている。また、プッ
シャー18は、導電性の基体82の表面に、樹脂製被膜
83を形成して構成されており、本実施例においては、
基体82として表面にアルマイト処理を施したアルミニ
ウムを用い、この基体82の表面にテフロン(商品名)
をコーティング処理により厚さ約20μm程度被着させ
て樹脂製被膜83を形成したものを用いている。
【0020】また、図3に示すように、ホールド装置6
には、半導体ウエハWを把持するための2種類のウエハ
把持機構20、21が設けられている。これらのウエハ
把持機構20、21は、ウエハカセット1内の半導体ウ
エハWを、それぞれ1枚おきに把持することができるよ
う構成されている。
には、半導体ウエハWを把持するための2種類のウエハ
把持機構20、21が設けられている。これらのウエハ
把持機構20、21は、ウエハカセット1内の半導体ウ
エハWを、それぞれ1枚おきに把持することができるよ
う構成されている。
【0021】すなわち、上部に設けられたウエハ把持機
構20は、ウエハカセット1内に所定のピッチ(3/1
6インチ)で25枚配置された半導体ウエハWのうち、
1枚おきに合計13枚の半導体ウエハWを把持し、これ
らの13枚の半導体ウエハWの間に配置された12枚の
半導体ウエハWを、下部に設けられたウエハ把持機構2
1によって把持するように構成されている。これらのウ
エハ把持機構20、21を選択的に開閉することによっ
て、ウエハカセット1内の半導体ウエハWのピッチ(3
/16インチ)のまま、あるいは2倍のピッチ(6/1
6インチ)で、ウエハボート3に半導体ウエハWを移し
換え、あるいはその逆の移し換えを実施できるようにな
っている。
構20は、ウエハカセット1内に所定のピッチ(3/1
6インチ)で25枚配置された半導体ウエハWのうち、
1枚おきに合計13枚の半導体ウエハWを把持し、これ
らの13枚の半導体ウエハWの間に配置された12枚の
半導体ウエハWを、下部に設けられたウエハ把持機構2
1によって把持するように構成されている。これらのウ
エハ把持機構20、21を選択的に開閉することによっ
て、ウエハカセット1内の半導体ウエハWのピッチ(3
/16インチ)のまま、あるいは2倍のピッチ(6/1
6インチ)で、ウエハボート3に半導体ウエハWを移し
換え、あるいはその逆の移し換えを実施できるようにな
っている。
【0022】次に、上記構成のこの実施例のウエハ移送
装置の動作について説明する。
装置の動作について説明する。
【0023】処理を行う半導体ウエハWを収容したウエ
ハカセット1が、カセットステージ2の所定位置に所定
数載置されると、まず、図示しないモータによって、ボ
ールスクリュウ12を回転させ、スライダ11をレール
10a、10bに沿って移動させて、ホールド装置6を
所定のウエハカセット1の側方の所定位置に位置させる
とともに、プッシャー18をウエハカセット1下方の所
定位置に位置させる。次に、昇降機構15によってプッ
シャー18を上昇させ、図3に示したようにウエハカセ
ット1内の半導体ウエハWを、ウエハ係止溝80によっ
て係止し、支持して上方に押し上げる。
ハカセット1が、カセットステージ2の所定位置に所定
数載置されると、まず、図示しないモータによって、ボ
ールスクリュウ12を回転させ、スライダ11をレール
10a、10bに沿って移動させて、ホールド装置6を
所定のウエハカセット1の側方の所定位置に位置させる
とともに、プッシャー18をウエハカセット1下方の所
定位置に位置させる。次に、昇降機構15によってプッ
シャー18を上昇させ、図3に示したようにウエハカセ
ット1内の半導体ウエハWを、ウエハ係止溝80によっ
て係止し、支持して上方に押し上げる。
【0024】この時、ウエハカセット1内の半導体ウエ
ハWが、静電気によって高電圧に帯電している場合、プ
ッシャー18が上昇してウエハ係止溝80の上端部が半
導体ウエハWに接触した瞬間あるいは接触する直前に、
厚さ20μm程度の薄い樹脂製被膜82を通して導電性
の基体82に電気が流れ、この結果半導体ウエハWの静
電気が除去される。したがって、ウエハ検出センサ81
に過電流が流れてウエハ検出センサ81が破壊された
り、装置に誤動作が発生すること等を防止することがで
きる。
ハWが、静電気によって高電圧に帯電している場合、プ
ッシャー18が上昇してウエハ係止溝80の上端部が半
導体ウエハWに接触した瞬間あるいは接触する直前に、
厚さ20μm程度の薄い樹脂製被膜82を通して導電性
の基体82に電気が流れ、この結果半導体ウエハWの静
電気が除去される。したがって、ウエハ検出センサ81
に過電流が流れてウエハ検出センサ81が破壊された
り、装置に誤動作が発生すること等を防止することがで
きる。
【0025】この後、プッシャー18によってウエハカ
セット1内から押し上げられた半導体ウエハを、ホール
ド装置6のウエハ把持機構20、21によって把持し、
プッシャー18を下降させる。
セット1内から押し上げられた半導体ウエハを、ホール
ド装置6のウエハ把持機構20、21によって把持し、
プッシャー18を下降させる。
【0026】しかる後、再び図示しないモータによっ
て、ボールスクリュウ12を回転させ、スライダ11を
レール10a、10bに沿って移動させて、半導体ウエ
ハWを把持したホールド装置6を、ボートステージ4上
に載置されたウエハボート3の側方の所定位置に位置さ
せる。
て、ボールスクリュウ12を回転させ、スライダ11を
レール10a、10bに沿って移動させて、半導体ウエ
ハWを把持したホールド装置6を、ボートステージ4上
に載置されたウエハボート3の側方の所定位置に位置さ
せる。
【0027】そして、昇降機構14によってホールド装
置6を下降させ、把持機構20、21によって把持した
半導体ウエハWをウエハボート3の所定位置に載置し、
把持機構20、21を開いてこれらの半導体ウエハWを
ウエハボート3に受け渡す。このような工程を複数回繰
り返し、所定枚数の半導体ウエハWを、カセットステー
ジ2上の各ウエハカセット1から、ボートステージ4上
のウエハボート3に移送する。
置6を下降させ、把持機構20、21によって把持した
半導体ウエハWをウエハボート3の所定位置に載置し、
把持機構20、21を開いてこれらの半導体ウエハWを
ウエハボート3に受け渡す。このような工程を複数回繰
り返し、所定枚数の半導体ウエハWを、カセットステー
ジ2上の各ウエハカセット1から、ボートステージ4上
のウエハボート3に移送する。
【0028】なお、ウエハカセット1における半導体ウ
エハWのピッチとウエハボート3における半導体ウエハ
Wのピッチを変更する場合は、前述したように、把持機
構20、21を選択的に開閉して半導体ウエハWを1枚
おきに把持し移送を行う。また、ウエハボート3からウ
エハカセット1への移送は、上述した手順とは逆の手順
によって行う。
エハWのピッチとウエハボート3における半導体ウエハ
Wのピッチを変更する場合は、前述したように、把持機
構20、21を選択的に開閉して半導体ウエハWを1枚
おきに把持し移送を行う。また、ウエハボート3からウ
エハカセット1への移送は、上述した手順とは逆の手順
によって行う。
【0029】以上説明したように、本実施例によれば、
半導体ウエハWが静電気によって高電圧に帯電している
場合でも、プッシャー18のウエハ検出センサ81に過
電流が流れてウエハ検出センサ81が破壊されたり、装
置に誤動作が発生すること等を防止することができる。
また、半導体ウエハWと金属との接触により、パーティ
クルが発生することも防止することができる。
半導体ウエハWが静電気によって高電圧に帯電している
場合でも、プッシャー18のウエハ検出センサ81に過
電流が流れてウエハ検出センサ81が破壊されたり、装
置に誤動作が発生すること等を防止することができる。
また、半導体ウエハWと金属との接触により、パーティ
クルが発生することも防止することができる。
【0030】なお、上述した実施例では、本発明をウエ
ハ移送装置のプッシャー18に適用した場合について説
明したが、ホールド装置6の把持機構20、21に対し
ても同様にして適用することができ、また、カセットス
テージ2のウエハカセット1との接触部に対しても同様
にして適用することができる。また、ウエハ移送装置に
限らず、半導体ウエハWあるいはLCD用ガラス基板等
の基板をハンドリングするあらゆる基板ハンドリング装
置に適用することができる。
ハ移送装置のプッシャー18に適用した場合について説
明したが、ホールド装置6の把持機構20、21に対し
ても同様にして適用することができ、また、カセットス
テージ2のウエハカセット1との接触部に対しても同様
にして適用することができる。また、ウエハ移送装置に
限らず、半導体ウエハWあるいはLCD用ガラス基板等
の基板をハンドリングするあらゆる基板ハンドリング装
置に適用することができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板ハン
ドリング装置によれば、パーティクルの発生を抑制して
歩留まりの向上を図ることができるとともに、ハンドリ
ングを行う基板が高い電圧に帯電しているような場合で
もセンサー等が破壊されたり装置が誤動作することを防
止することができ、従来に較べて信頼性の向上を図るこ
とができる。
ドリング装置によれば、パーティクルの発生を抑制して
歩留まりの向上を図ることができるとともに、ハンドリ
ングを行う基板が高い電圧に帯電しているような場合で
もセンサー等が破壊されたり装置が誤動作することを防
止することができ、従来に較べて信頼性の向上を図るこ
とができる。
【図1】本発明の一実施例のウエハ移送装置の要部構成
を示す図。
を示す図。
【図2】図1のウエハ移送装置の全体構成を示す図。
【図3】図1のウエハ移送装置の要部構成を示す図。
18 プッシャー 80 ウエハ係止溝 81 ウエハ検出センサ 82 基体(アルミニウム製) 83 樹脂製被膜(テフロン製)
Claims (2)
- 【請求項1】 基板支持部によって基板を係止し、該基
板を支持する基板ハンドリング装置において、 前記基板支持部を、導電性の基体の表面の少なくとも一
部に、樹脂製の被膜を形成して構成したことを特徴とす
る基板ハンドリング装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の基板ハンドリング装置に
おいて、 前記樹脂製の被膜は、厚さ数μmないし数十μmのコー
ティング膜であることを特徴とする基板ハンドリング装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26717192A JPH06120321A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 基板ハンドリング装置 |
| TW082107959A TW239232B (ja) | 1992-10-06 | 1993-09-27 | |
| US08/130,441 US5383783A (en) | 1992-10-06 | 1993-10-01 | Substrate handling apparatus |
| KR1019930020597A KR940010264A (ko) | 1992-10-06 | 1993-10-06 | 기판 핸들링 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26717192A JPH06120321A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 基板ハンドリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120321A true JPH06120321A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17441095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26717192A Pending JPH06120321A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 基板ハンドリング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5383783A (ja) |
| JP (1) | JPH06120321A (ja) |
| KR (1) | KR940010264A (ja) |
| TW (1) | TW239232B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528808B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Omron Corporation | Transmitting photoelectric sensor array |
| DE10057079C2 (de) * | 1999-11-19 | 2003-04-24 | Advantest Corp | Korpuskularstrahl-Belichtungsvorrichtung |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335622A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置 |
| US5609376A (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier handle assembly |
| US5695331A (en) * | 1996-01-18 | 1997-12-09 | Btu International | Multiple width boat carrier for vertical ovens |
| KR100332577B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2002-04-17 | 김창덕 | 김 구이기 |
| JP3464177B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2003-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 半導体製造装置および静電気除去方法 |
| KR20000024122A (ko) * | 2000-01-24 | 2000-05-06 | 송경수 | 구이 김에 디 에이치 에이를 함유시키는 방법 및 장치 |
| KR20010110977A (ko) * | 2001-01-19 | 2001-12-15 | 주식회사 소윤식품 | 기능성 조미김의 제조방법 |
| KR100481307B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 설비의 카세트 테이블 |
| KR100651239B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2006-11-30 | 김병철 | 김 구이기 |
| US8936425B2 (en) * | 2012-01-23 | 2015-01-20 | Tera Autotech Corporation | Ancillary apparatus and method for loading glass substrates into a bracket |
| CN204937899U (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种基板卡匣 |
| CN114496867B (zh) * | 2020-10-26 | 2025-10-28 | 上海果纳半导体技术有限公司 | 一种晶圆传输系统及半导体设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4355974A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-26 | Asq Boats, Inc. | Wafer boat |
| KR0139026B1 (ko) * | 1988-02-05 | 1998-06-01 | 후세 노보루 | 보우트 반송방법 및 열처리 장치 |
| JP3006714B2 (ja) * | 1988-12-02 | 2000-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型基板移載装置及び縦型熱処理装置並びに縦型熱処理装置における基板移載方法 |
| JPH04186862A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Tokyo Electron Sagami Ltd | キャリア内基板の検出装置 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26717192A patent/JPH06120321A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-27 TW TW082107959A patent/TW239232B/zh not_active IP Right Cessation
- 1993-10-01 US US08/130,441 patent/US5383783A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-06 KR KR1019930020597A patent/KR940010264A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528808B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Omron Corporation | Transmitting photoelectric sensor array |
| DE10057079C2 (de) * | 1999-11-19 | 2003-04-24 | Advantest Corp | Korpuskularstrahl-Belichtungsvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940010264A (ko) | 1994-05-24 |
| US5383783A (en) | 1995-01-24 |
| TW239232B (ja) | 1995-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3955724B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US20090109595A1 (en) | Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools | |
| JP4489904B2 (ja) | 真空処理装置及び基板保持方法 | |
| EP0392399B1 (en) | Method and apparatus for wafer transfer | |
| US8166985B2 (en) | Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins | |
| US5383783A (en) | Substrate handling apparatus | |
| CN1139975C (zh) | 基板的操作方法与装置及其所使用的吸附检查方法与装置 | |
| JP7482749B2 (ja) | リフトピンのコンタクト位置調整方法、リフトピンのコンタクト位置検知方法、および基板載置機構 | |
| US8288174B1 (en) | Electrostatic post exposure bake apparatus and method | |
| WO1995020263A1 (en) | Hybrid electrostatic chuck | |
| CN101800187A (zh) | 搬送腔室和颗粒附着防止方法 | |
| US4733632A (en) | Wafer feeding apparatus | |
| CN107408503B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| EP0790642A2 (en) | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment | |
| JP2023026436A (ja) | 吸着装置、マスクと基板との位置調整方法及び成膜方法 | |
| JP2017123354A (ja) | 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置 | |
| NL2021087A (en) | A System, a Lithographic Apparatus, and a Method for Reducing Oxidation or Removing Oxide on a Substrate Support | |
| Hartsough | Electrostatic wafer holding | |
| US6315501B1 (en) | Air stream particulate collecting transfer apparatus | |
| JP2011205004A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP4226101B2 (ja) | 静電チャックプレート表面からの基板離脱方法 | |
| US6127289A (en) | Method for treating semiconductor wafers with corona charge and devices using corona charging | |
| JPH07321176A (ja) | 基板搬送方法 | |
| US7521915B2 (en) | Wafer bevel particle detection | |
| JPH11260890A (ja) | 搬送装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020604 |