JPH04186862A - キャリア内基板の検出装置 - Google Patents

キャリア内基板の検出装置

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JPH04186862A
JPH04186862A JP2316860A JP31686090A JPH04186862A JP H04186862 A JPH04186862 A JP H04186862A JP 2316860 A JP2316860 A JP 2316860A JP 31686090 A JP31686090 A JP 31686090A JP H04186862 A JPH04186862 A JP H04186862A
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JP
Japan
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light
wafer
substrate
detection
detecting
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JP2316860A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Kato
加藤 充男
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Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0606Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H10P72/0608Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00Work holders
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は基板の検出装置に関する。
[従来の技術] 従来から、半導体製造工程で用いられるキャリアに収納
されたウェハの有無を検知する検出装置は、収納される
ウェハの数の光検出装置を備え、LED等の発光素子か
ら照射される赤外線を受光素子により受光して(ウェハ
の存在で赤外線は遮断され受光素子に受光しない)検出
したり、あるいはレーザ光を照射してウェハからの反射
光を受光して(ウェハが存在しないと反射光は受光され
ない)検出する非接触検知法が採用されている(特開昭
63=1334号、特開昭63−20958号公報)。
しかし、近年ウェハを石英から成る透明基板のウェハと
するものかある。このような透明なウェハは従来の発光
素子からの照射光やレーザ光ではウェハを透過してしま
い、ウェハの有無により受光素子に受光する光を遮断し
ないため検出かできなかった。そのため、スプリングを
備えた部材にウェハが接触し、ウェハの自重によりスプ
リングが収縮されてマイクロスイッチを操作することに
よりウェハの有無を検出する接触検知法等があった。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、接触検知法にょるウェハの検出は接触部
分のウェハの破損が生じやすく、また、積層された薄膜
か剥離してゴミ、パーティクルか発生し易く汚染源の発
生を免れず半導体素子の歩留りを低下させるという改善
点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、石英製等の透明なウェハであっても非接触で検出
可能な基板の検出装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため本発明の基板の検出装置は、
投光部からの光を受光する受光部を備えた投受光手段と
、前記光を透過する基板の端部を前記光の光軸が通過す
る前記投受光手段と前記基板との相対的な移動手段と、
前記移動手段により前記端部が前記光軸を通過する際に
前記受光部に受光する光量の変化を検知する信号処理手
段と、前記信号処理手段からの信号により前記基板の有
無を検知する検知手段とを備えたものである。
[作用] 投光部からの光の光軸が光を透過する基板の端部を照射
するように投光部と基板を相対的に移動させる。光軸を
基板の端部か通過する瞬間投光部からの光は透明基板の
端部で拡散され、受光部に入射される光量が急激に低下
する。受光部から出力される光量の低下を検知しう・ノ
チ信号を出力する。このラッチ信号を人力して記憶する
ことにより基板の有無を検知する。このようにすること
て投光部からの光を透過させる基板であっても非接触で
検出を行うことかでき、基板をクリーンな状態に保持し
、基板製造上歩留りを向上させることができる。
[実施例] 本発明の基板の検出装置をウェハ検出装置に適用した一
実施例を図面を参照して説明する。
第1図において、ウェハ検出装置はキャリア2に収納さ
れた透明基板である石英ガラスから成るウェハ1を複数
枚例えば25枚同時に検出する構成となっている。キャ
リア2の側壁にはウェハ1が挿入される溝3か所定の間
隔て形成され、低部は開放部4となっている。このキャ
リア2の下方にはキャリア2に収納されたウェハ1をキ
ャリア2の開放部4から上昇させる移動手段5が設けら
れる。移動手段5は、ウェハ1を支持する溝6がキャリ
ア2に収納されるウェハ1と同数形成されたガイド7が
備えられる載置台8と、載置台8を上下移動させる駆動
装置9とを備え、キャリア2に収納された全部のウェハ
1を同時に一括して上昇させるようになっている。この
載置台8には、さらに、上昇した時に支持するウェハ1
に対応して投光部である投光素子の発光ダイオード10
及び受光部である受光素子のフォトトランジスタ11か
ら成る投受光手段であるフォトインタラプタ12がウェ
ハの数の相当数設けられる。フォトインタラプタ12に
はフォトインタラプタ12から出力される信号を処理す
る信号処理手段であるセンサモジュール13が電気的に
接続される。さらに、センサモジュール13から出力さ
れる信号によりウェハ1の有無を検知する検知手段であ
る検知部14が設けられる。ウェハ1に対応して設けら
れるセンサモジュール13は第2図に示すように、発光
ダイオード10及びフォトトランジスタ11から成るフ
ォトインクラブタ12、コンノくレータ15、波形整形
回路16、フリ・ツブフロ・ツブ17で構成される。フ
ォトインタラプタ12のフォトトランジスタ11のカソ
ードは基準電位点に、アノードは電源子Bと、エミッタ
は抵抗R2を介して基準電位点に接続される。コンパレ
ータ15の(=)入力側は一端が電源子B1他端が基準
電位点の直列接続された抵抗R6とR4の接続点か結線
され、(+)入力側はフォトトランジスタ11のエミッ
タと抵抗R8を介して接続される。また、コンパレータ
15の出力側に波形整形回路16を介してフリップフロ
ップ17のT端子と接続され、電源子Bが接続されたD
端子は抵抗R8を介してR端子と結線される。R端子に
は一端が基準電位点に接続された例えば半導体スイッチ
から成るリセットスイッチ18の他端か接続される。ま
た、フリップフロップ17のQ端子は端子Tに接続され
る。このようなセンサモジュール13の端子T1に接続
される検知部14は第3図に示すようにウェハ1に対応
した信号を入力する入力部19と、入力部19に入力さ
れるデータと予めメモリ20に蓄えられていたデータと
を照合する演算処理部21と、演算処理部21で異常が
発見された時異常信号を発生させる異常信号発生部22
とから成る。
以上のような構成のウェハ検出装置の検出方法を説明す
る。
駆動装置9を作動させ、キャリア2に収納されたウェハ
1をガイド7の溝6で支持する。この時載置台8に設け
られた発光ダイオード10からフォトトランジスタ11
への赤外線の光軸かウェハ1の端部1aを通過する。こ
の時、ウェハ1の端部1aは第4図に示すように曲面形
状を有しているためで赤外線Rか拡散され、フォトトラ
ンジスタ11−・の光量が第5図に示す特性のように低
下する。光量が低下するとフォトトランジスタ11のコ
レクタ電流が減少しエミッタ電圧が下がり、コンパレー
タ15が動作する。コンパレータ15が動作するとフリ
ップフロップ17が動作するのて、フリップフロップ1
7のQ端子が接続された端子T、にラッチ信号f、を送
出する。ランチ信号f1は検出部14の入力部19に人
力され、メモリ20の情報か演算処理部21で演算され
る。予め入力されていたメモリ20の情報と検知情報か
比較演算され予定の検知と判断されると演算処理部21
はセンサモジュール13のリセットスイッチ18に信号
を送出し、リセットスイッチ18はフリップフロップ1
7をリセットして再度ウェハ1の有無を検知可能状態と
する。演算処理部21での検知が予定の検知と異なると
演算処理部21から異常信号発生部22に信号を伝達し
異常信号発生部22からアラーム音等を発生させる。
上記のようなウェハ1の検出はキャリア2に収納された
全ウェハについて同時に行なわれ、キャリア2内のウェ
ハの有無か検知され所定の処理か行なわれる。また、ウ
ェハ1の有無検知を光量の低下より検知する方法につい
て説明したが、光量の変化は第5図に示す特性であるの
で、光量の増加より検出する方法を用いても行なえる。
このようなウェハ検出装置は半導体製造工程で熱処理装
置、エツチング装置等すへての装置に適用される。
以上の説明は本発明の一実施例であって投受光装置もフ
ォトインクラブタに限定されず、信号処理部、検知部も
これに限定されない。
本発明は石英製ウェハ検出に限定されず、液晶基板等投
受光手段の光が透過する基板の何れのものにも好適に採
用することかできる。また透明でない基板にも適用でき
ることは云うまでもないことである。
[発明の効果] 以上の説明からも明らかなように、本発明の基板の検出
によれば、投受光手段の光か透過する基板であっても非
接触で有無の検出ができるので接触によるゴミ発生を防
止することかでき、クリーンな状態で検知することがで
きる。そのため基板の歩留りを向上した製造を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基板の検出装置の一実施例を示す構成
図、第2図は第1図に示す一実施例の要部を示す回路図
、第3図は第1図に示す一実施例の要部の構成図、第4
図は第1図に示す一実施例の要部を示す図、第5図は検
出に用いられる光量変化特性を示す図である。 1・・・・・・ウェハ(透明基板) 1a・・・・・・端部 5・・・・・・移動手段 10・・・・・・発光ダイオード(投光部)11・・・
・・・フォトトランジスタ(受光部)12・・・・・・
フォトインクラブタ(投受光手段)13・・・・・・セ
ンサモジュール(信号処理手段)14・・・・・・検知
部 代理人 弁理士  守 谷 −雄 第1図 第2図 @3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 投光部からの光を受光する受光部を備えた投受光手段と
    、前記光を透過する基板の端部を前記光の光軸が通過す
    る前記投受光手段と前記基板との相対的な移動手段と、
    前記移動手段により前記端部が前記光軸を通過する際に
    前記受光部に受光する光量の変化を検知する信号処理手
    段と、前記信号処理手段からの信号により前記基板の有
    無を検知する検知手段とを備えたことを特徴とする基板
    の検出装置。
JP2316860A 1990-11-21 1990-11-21 キャリア内基板の検出装置 Pending JPH04186862A (ja)

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