JPH06120845A - Ｎ路電力合成器／分割器 - Google Patents
Ｎ路電力合成器／分割器Info
- Publication number
- JPH06120845A JPH06120845A JP4093066A JP9306692A JPH06120845A JP H06120845 A JPH06120845 A JP H06120845A JP 4093066 A JP4093066 A JP 4093066A JP 9306692 A JP9306692 A JP 9306692A JP H06120845 A JPH06120845 A JP H06120845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission lines
- combiner
- input
- divider
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＲＦ信号の合成又は分割に用いられるＲＦ電
力合成器／分割器の提供を目的とする。 【構成】 共通出力／入力ポート０，１及びＮ個の負荷
ポートＬＰ−１〜ＬＰ−Ｎと共にＮ個の入力／出力ポー
トＩＯ−１〜ＩＯ−Ｎがあり、Ｎ個の伝送線ＴＬ−１〜
ＴＬ−Ｎはこの共通出力／入力ポートをＮ個の入力／出
力ポートに相互接続している。第二のＮ個の伝送線Ｔ
Ｌ′−１〜ＴＬ′−Ｎはそれぞれの入力／出力ポートを
対応するＮ個の負荷ポートにそれぞれ相互接続してい
る。また、第三のＮ個の伝送線ＴＬ″−１〜ＴＬ″−Ｎ
はこれらの負荷ポートの各々を共通点Ｃ，Ｐに相互接続
しており、この共通点はコンデンサＣＳによってアース
に接続されている。これらは、耐電圧能力を高めるた
め、エアーギャップがストリップライン基板の上と下に
ある懸下ストリップライン技術を用いたコンパクトな層
構成のアセンブリに形成される。
力合成器／分割器の提供を目的とする。 【構成】 共通出力／入力ポート０，１及びＮ個の負荷
ポートＬＰ−１〜ＬＰ−Ｎと共にＮ個の入力／出力ポー
トＩＯ−１〜ＩＯ−Ｎがあり、Ｎ個の伝送線ＴＬ−１〜
ＴＬ−Ｎはこの共通出力／入力ポートをＮ個の入力／出
力ポートに相互接続している。第二のＮ個の伝送線Ｔ
Ｌ′−１〜ＴＬ′−Ｎはそれぞれの入力／出力ポートを
対応するＮ個の負荷ポートにそれぞれ相互接続してい
る。また、第三のＮ個の伝送線ＴＬ″−１〜ＴＬ″−Ｎ
はこれらの負荷ポートの各々を共通点Ｃ，Ｐに相互接続
しており、この共通点はコンデンサＣＳによってアース
に接続されている。これらは、耐電圧能力を高めるた
め、エアーギャップがストリップライン基板の上と下に
ある懸下ストリップライン技術を用いたコンパクトな層
構成のアセンブリに形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＲＦ信号の合成又は分
割に用いられるＲＦ電力合成器／分割器（ＲＦ ｐｏｗ
ｅｒ ｃｏｍｂｉｎｅｒ／ｄｉｖｉｄｅｒ）の技術に関
するものである。
割に用いられるＲＦ電力合成器／分割器（ＲＦ ｐｏｗ
ｅｒ ｃｏｍｂｉｎｅｒ／ｄｉｖｉｄｅｒ）の技術に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】スタンフォード研究センタのユー．エッ
チ．ガイセルは、カリフォルニア州パロアルトにおける
１９７５年Ｍ．Ｔ．Ｔ．シンポジウムの会報に掲載され
ている「高電力増幅に好ましい新しいＮ路電力分割器／
合成器」の題を有する彼の論文の中で一つのデバイスを
開示している。このガイセルのデバイスは、エフ・ダブ
リュー・アイデンによる米国特許第４，１６３，９５５
号の導入部に論じられている。アイデンは、ガイセルの
デバイスが外部絶縁負荷（高電力負荷抵抗）を提供し且
つ出力／入力ポートにおける不均衡の監視能力を提供し
ており、これ自体、ウィルキンソンデバイスとして知ら
れている別の先行技術の合成器／分割器に対する改善あ
ると指摘した。アイデンは、ガイセルはその構造がスト
リップライン、スラブライン又はマイクロストリップの
形をとり得ることを指摘した以外彼のデバイスの実用的
な実現のための手段は何も提供していないと指摘した。
チ．ガイセルは、カリフォルニア州パロアルトにおける
１９７５年Ｍ．Ｔ．Ｔ．シンポジウムの会報に掲載され
ている「高電力増幅に好ましい新しいＮ路電力分割器／
合成器」の題を有する彼の論文の中で一つのデバイスを
開示している。このガイセルのデバイスは、エフ・ダブ
リュー・アイデンによる米国特許第４，１６３，９５５
号の導入部に論じられている。アイデンは、ガイセルの
デバイスが外部絶縁負荷（高電力負荷抵抗）を提供し且
つ出力／入力ポートにおける不均衡の監視能力を提供し
ており、これ自体、ウィルキンソンデバイスとして知ら
れている別の先行技術の合成器／分割器に対する改善あ
ると指摘した。アイデンは、ガイセルはその構造がスト
リップライン、スラブライン又はマイクロストリップの
形をとり得ることを指摘した以外彼のデバイスの実用的
な実現のための手段は何も提供していないと指摘した。
【０００３】アイデンは、ガイセルのデバイスを実施す
る試みは、所要の四分波長伝送線を提供するためにスト
リップラインを用いるサンドイッチ型構造をもたらす結
果になったとその特許の中で述べている。これは、マイ
クロストリップの形にあるテフロン板の上に見かけ上は
実現された。明らかに、２つの別々の板が用いられてお
り、設計の位相幾何学によって必要となる接続を通し
て、１ミリメートルボルトにより作られている。アイデ
ンの特許に見られる上記の説明は、これら２つの板が以
下に相互接続されているかあるいはこれらの板が互いに
平行であるか否かあるいはそれらが上の且つ下の層にな
っている３つの寸法的な構成に配向されているかの開示
を与えるものではない。アイデンの特許は、寸法と組立
ての観点から見て非常にめんどうに見える放射状円筒構
造によるガイセル回路の修正を示している。アイデンの
構造体の５キロワット１００ＭＨｚのＥ路合成システム
に対する応用は１．５２４ｍを超えるアセンブリを必要
とすると信じられる。更に、アイデンの特許によって与
えられるガイセルの修正回路は、回路性能にとって重要
である外部負荷への相互接続体を含む同軸ケーブル相互
接続体の実質的な仕様を必要とする。
る試みは、所要の四分波長伝送線を提供するためにスト
リップラインを用いるサンドイッチ型構造をもたらす結
果になったとその特許の中で述べている。これは、マイ
クロストリップの形にあるテフロン板の上に見かけ上は
実現された。明らかに、２つの別々の板が用いられてお
り、設計の位相幾何学によって必要となる接続を通し
て、１ミリメートルボルトにより作られている。アイデ
ンの特許に見られる上記の説明は、これら２つの板が以
下に相互接続されているかあるいはこれらの板が互いに
平行であるか否かあるいはそれらが上の且つ下の層にな
っている３つの寸法的な構成に配向されているかの開示
を与えるものではない。アイデンの特許は、寸法と組立
ての観点から見て非常にめんどうに見える放射状円筒構
造によるガイセル回路の修正を示している。アイデンの
構造体の５キロワット１００ＭＨｚのＥ路合成システム
に対する応用は１．５２４ｍを超えるアセンブリを必要
とすると信じられる。更に、アイデンの特許によって与
えられるガイセルの修正回路は、回路性能にとって重要
である外部負荷への相互接続体を含む同軸ケーブル相互
接続体の実質的な仕様を必要とする。
【０００４】ガイセル型の回路を三次元層構造に実施す
ることにより、機械的にコンパクトなユニットにおいて
高い電力処理能力を提供し得ることが決定されている。
例えば、Ｅ路合成システムに対する５キロワット１００
ＭＨｚ応用は、６０．９６ｃｍ平方及び３０．４８ｃｍ
未満の厚さのレベルの寸法を有する三次元層構造体とし
て組み立てられ得る。更に、斯かるデバイスは拒絶負荷
を一体アセンブリとして有する完全な合成器アセンブリ
の形を取り得る。
ることにより、機械的にコンパクトなユニットにおいて
高い電力処理能力を提供し得ることが決定されている。
例えば、Ｅ路合成システムに対する５キロワット１００
ＭＨｚ応用は、６０．９６ｃｍ平方及び３０．４８ｃｍ
未満の厚さのレベルの寸法を有する三次元層構造体とし
て組み立てられ得る。更に、斯かるデバイスは拒絶負荷
を一体アセンブリとして有する完全な合成器アセンブリ
の形を取り得る。
【０００５】更に、アイデンの特許に論じられているよ
うなガイセル型回路は許容される入力ポート回帰損失作
動のための比較的狭い帯域幅を有している。
うなガイセル型回路は許容される入力ポート回帰損失作
動のための比較的狭い帯域幅を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、例えば８７．
５ＭＨｚから１０８ＭＨｚの範囲にわたる帯域幅におい
て比較的良好なインピーダンス整合が行なわれ得るよう
にその帯域幅性能を増大せしめるべくガイセルデバイス
に改良を行うことが望ましい。
５ＭＨｚから１０８ＭＨｚの範囲にわたる帯域幅におい
て比較的良好なインピーダンス整合が行なわれ得るよう
にその帯域幅性能を増大せしめるべくガイセルデバイス
に改良を行うことが望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの特徴によ
ると、改善されたＮ路電力合成器／分割器が提供され、
これは三次元層構造体を有し且つこの中で合成器／分割
器は共通の出力／入力ポート及び複数のＮ個の入力／出
力ポートを含んでいる。複数のＮ個の第一伝送線が提供
されており、それらの各々は共通の出力／入力ポートに
共通に接続されている第一端を有しており且つ各々はそ
の第二端をＮ個の入力／出力ポートのそれぞれ１つに接
続せしめている。また、複数のＮ個の第二伝送線が提供
されており、その各々は第一端をＮ個の入力／出力ポー
トのそれぞれの１つに接続せしめている。これらのＮ個
の第一伝送線はそれぞれ第１絶縁体基板上に取り付けら
れているＮ個の共面第一金属トレース（Ｎ ｃｏｐｌａ
ｎａｒ ｔｉｒｓｔ ｍｅｔａｌ ｔｒａｃｅｓ）を含
んでおり、一方Ｎ個の第二伝送線は第二絶縁体基板上に
取り付けられているＮ個の共面第二金属トレース（Ｎ
ｃｏｐｌａｎａｒｓｅｃｏｎｄ ｍｅｔａｌ ｔｒａｃ
ｅｓ）を含んでいる。これらの基板は、重なっている平
行平面において互いに離間している。また、共に電気的
に接続されており且つアース面として作用する第一，第
二及び第三金属平面層が提供されている。これらの平面
層（ｐｌａｎａｒ ｌａｙｅｒｓ）は、第一絶縁基板が
第一層と第二層の間に定位され且つ第二絶縁基板が第二
層と第三層の間に定位されるように第一及び第二絶縁基
板から離間され且つ第一及び第二絶縁基板に対して平行
になっている。各々がＮ個の入力／出力ポートの一つに
定位されているＮ個の電気的コネクタ手段は、第一伝送
線のそれぞれの第二端を第二伝送線の一つの第一端に電
気的に接続する目的のために第一基板と第二基板の間に
延設するように作用する。
ると、改善されたＮ路電力合成器／分割器が提供され、
これは三次元層構造体を有し且つこの中で合成器／分割
器は共通の出力／入力ポート及び複数のＮ個の入力／出
力ポートを含んでいる。複数のＮ個の第一伝送線が提供
されており、それらの各々は共通の出力／入力ポートに
共通に接続されている第一端を有しており且つ各々はそ
の第二端をＮ個の入力／出力ポートのそれぞれ１つに接
続せしめている。また、複数のＮ個の第二伝送線が提供
されており、その各々は第一端をＮ個の入力／出力ポー
トのそれぞれの１つに接続せしめている。これらのＮ個
の第一伝送線はそれぞれ第１絶縁体基板上に取り付けら
れているＮ個の共面第一金属トレース（Ｎ ｃｏｐｌａ
ｎａｒ ｔｉｒｓｔ ｍｅｔａｌ ｔｒａｃｅｓ）を含
んでおり、一方Ｎ個の第二伝送線は第二絶縁体基板上に
取り付けられているＮ個の共面第二金属トレース（Ｎ
ｃｏｐｌａｎａｒｓｅｃｏｎｄ ｍｅｔａｌ ｔｒａｃ
ｅｓ）を含んでいる。これらの基板は、重なっている平
行平面において互いに離間している。また、共に電気的
に接続されており且つアース面として作用する第一，第
二及び第三金属平面層が提供されている。これらの平面
層（ｐｌａｎａｒ ｌａｙｅｒｓ）は、第一絶縁基板が
第一層と第二層の間に定位され且つ第二絶縁基板が第二
層と第三層の間に定位されるように第一及び第二絶縁基
板から離間され且つ第一及び第二絶縁基板に対して平行
になっている。各々がＮ個の入力／出力ポートの一つに
定位されているＮ個の電気的コネクタ手段は、第一伝送
線のそれぞれの第二端を第二伝送線の一つの第一端に電
気的に接続する目的のために第一基板と第二基板の間に
延設するように作用する。
【０００８】更に、本発明の別の特徴によると、Ｎ個の
入力／出力ポート及びＮ個の負荷ポートと共に共通出力
／入力ポートを含んでいるＮ路電力合成器／分割器が提
供されている。更に、この合成器／分割器は、Ｎ個の第
一伝送線を含んでおり、これらの伝送線は各々第一固有
インピーダンスＺ1を有しており且つ第一端を、Ｎ個の
入力／出力ポートのそれぞれの一つに接続されている反
対の第二端と共通的に上記の共通出力／入力ポートに接
続せしめている。Ｎ個の第二伝送線が提供されており、
その各々は第二固有インピーダンスＺ2を有しており且
つ各々はＮ個の入力／出力ポートのそれぞれの一つに接
続されている第一端を有し且つ各々はＮ個の負荷ポート
のそれぞれの一つにその反対の第二端において接続され
ている。この合成器／分割器はまた、Ｎ個の第三伝送線
を含んでおり、その各々は第三固有インピーダンスＺ3
を有しており且つ各々はＮ個の負荷ポートのそれぞれの
一つに接続されている第一端を有しており且つ各々はそ
の第二端を共通点に接続せしめている。コンデンサ等の
リアクタンス手段がこの共通点を電気的アースに接続し
ている。
入力／出力ポート及びＮ個の負荷ポートと共に共通出力
／入力ポートを含んでいるＮ路電力合成器／分割器が提
供されている。更に、この合成器／分割器は、Ｎ個の第
一伝送線を含んでおり、これらの伝送線は各々第一固有
インピーダンスＺ1を有しており且つ第一端を、Ｎ個の
入力／出力ポートのそれぞれの一つに接続されている反
対の第二端と共通的に上記の共通出力／入力ポートに接
続せしめている。Ｎ個の第二伝送線が提供されており、
その各々は第二固有インピーダンスＺ2を有しており且
つ各々はＮ個の入力／出力ポートのそれぞれの一つに接
続されている第一端を有し且つ各々はＮ個の負荷ポート
のそれぞれの一つにその反対の第二端において接続され
ている。この合成器／分割器はまた、Ｎ個の第三伝送線
を含んでおり、その各々は第三固有インピーダンスＺ3
を有しており且つ各々はＮ個の負荷ポートのそれぞれの
一つに接続されている第一端を有しており且つ各々はそ
の第二端を共通点に接続せしめている。コンデンサ等の
リアクタンス手段がこの共通点を電気的アースに接続し
ている。
【０００９】
【実施例】ここで図１について説明する。図１は、本発
明のＲＦ送信システムにおける一つの応用を示してい
る。斯かるシステムはＦＭ送信器１２と共に、当技術に
おいてはＦＭ励振器１０としばしば呼ばれるＦＭ信号発
生器を用いている。ＦＭ励振器１０は２５ワット台の電
力レベルで８７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚのＦＭ範囲
のラジオ周波数信号を生成し得る。送信された信号は、
例えば５キロワットの電力に増幅することがしばしば望
ましい。電力を増大するのにソリットステート電力増幅
器を用いることができる。斯かる増幅器の電力処理能力
は限度がある。増幅されるべき信号を各々が例えば１ｋ
ｗにおいて作動するＲＦ電力増幅器を含む幾つかの径路
に分割するのが一般的なのはこの理由による。増幅され
た信号は次に合成されてアンテナにより送信される。斯
かるシステムが図１に示されており、図１においてＦＭ
励振器１０からの出力はＮ路信号分割器１４に供給さ
れ、分割器１４は次にこの信号をＮ個の径路に分割し、
このＮ個の径路は分割信号（ｓｐｌｉｔ ｓｉｇｎａ
ｌ）の各部分をＲＦ電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎに
適用する。図示されている例において、各電力増幅器は
Ｎが５に等しい場合電力を１ｋｗに増幅し得る。増幅さ
れた信号は次にＮ路信号合成器１６に供給され、５ｋｗ
台の電力レベルの最終出力信号を生成し、この信号は次
に送信アンテナ１８に適用される。信号分割器１４及び
信号合成器１６は各々同様の様式で構成され得る。更
に、ここで述べられる信号合成器／分割器は信号分割器
１４あるいは信号合成器１６として用いられ得る。これ
から述べられる実施例において、この信号合成器／分割
器は合成器１６として用いられており、これ以降そのよ
うに呼ばれる。
明のＲＦ送信システムにおける一つの応用を示してい
る。斯かるシステムはＦＭ送信器１２と共に、当技術に
おいてはＦＭ励振器１０としばしば呼ばれるＦＭ信号発
生器を用いている。ＦＭ励振器１０は２５ワット台の電
力レベルで８７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚのＦＭ範囲
のラジオ周波数信号を生成し得る。送信された信号は、
例えば５キロワットの電力に増幅することがしばしば望
ましい。電力を増大するのにソリットステート電力増幅
器を用いることができる。斯かる増幅器の電力処理能力
は限度がある。増幅されるべき信号を各々が例えば１ｋ
ｗにおいて作動するＲＦ電力増幅器を含む幾つかの径路
に分割するのが一般的なのはこの理由による。増幅され
た信号は次に合成されてアンテナにより送信される。斯
かるシステムが図１に示されており、図１においてＦＭ
励振器１０からの出力はＮ路信号分割器１４に供給さ
れ、分割器１４は次にこの信号をＮ個の径路に分割し、
このＮ個の径路は分割信号（ｓｐｌｉｔ ｓｉｇｎａ
ｌ）の各部分をＲＦ電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎに
適用する。図示されている例において、各電力増幅器は
Ｎが５に等しい場合電力を１ｋｗに増幅し得る。増幅さ
れた信号は次にＮ路信号合成器１６に供給され、５ｋｗ
台の電力レベルの最終出力信号を生成し、この信号は次
に送信アンテナ１８に適用される。信号分割器１４及び
信号合成器１６は各々同様の様式で構成され得る。更
に、ここで述べられる信号合成器／分割器は信号分割器
１４あるいは信号合成器１６として用いられ得る。これ
から述べられる実施例において、この信号合成器／分割
器は合成器１６として用いられており、これ以降そのよ
うに呼ばれる。
【００１０】ここで図２について説明する。図２は、本
発明に従って構成された合成器／分割器回路を略示して
いる。これはＮ路高電力ＲＦ合成器／分割器であり、図
２に示されているように、複数のＮ個の入力／出力ポー
トＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎ、同様の複数のＮ個の負荷ポー
トＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎと共に共通出力／入力ポートＯ
Ｉを含んでおり同時に、これ以降述べられる共通点ＣＰ
を含んでいる。
発明に従って構成された合成器／分割器回路を略示して
いる。これはＮ路高電力ＲＦ合成器／分割器であり、図
２に示されているように、複数のＮ個の入力／出力ポー
トＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎ、同様の複数のＮ個の負荷ポー
トＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎと共に共通出力／入力ポートＯ
Ｉを含んでおり同時に、これ以降述べられる共通点ＣＰ
を含んでいる。
【００１１】共通出力／入力ポートＯＩは複数の伝送線
ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの一つによって入力／出力ポート
ＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎの各々に接続されてり、これらの
伝送線の各々はＺ1の固有インピーダンスを有しており
且つ各々は合成器／分割器の作動周波数において１／４
の波長台の長さを有している。入力／出力ポートＩＯ−
１乃至ＩＯ−Ｎはそれぞれの伝送線ＴＬ’−１乃至Ｔ
Ｌ’−Ｎによって対応する負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ
−Ｎに相互接続されており、これらの伝送線の各々はＺ
2の固有周波数を示しており且つ各々は合成器／分割器
の作動周波数において１／４の波長台の長さを有してい
る。更に、負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎは伝送線Ｔ
Ｌ”−１乃至ＴＬ”−Ｎによって共通点ＣＰにそれぞれ
接続されており、これらの伝送線はそれぞれＺ3の固有
インピーダンスを示し且つ各々は合成器／分割器の作動
周波数において１／４波長台の長さを有している。コン
デンサＣＳの形にあるリアクタンスは共通点ＣＰを電気
的アースに相互接続している。コンデンサＣＳのキャパ
シタンスは３０．０ｐｆ（ピコファラド）台となり得る
ことが本発明のひ一つの作動の形に対して決定されてい
る。
ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの一つによって入力／出力ポート
ＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎの各々に接続されてり、これらの
伝送線の各々はＺ1の固有インピーダンスを有しており
且つ各々は合成器／分割器の作動周波数において１／４
の波長台の長さを有している。入力／出力ポートＩＯ−
１乃至ＩＯ−Ｎはそれぞれの伝送線ＴＬ’−１乃至Ｔ
Ｌ’−Ｎによって対応する負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ
−Ｎに相互接続されており、これらの伝送線の各々はＺ
2の固有周波数を示しており且つ各々は合成器／分割器
の作動周波数において１／４の波長台の長さを有してい
る。更に、負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎは伝送線Ｔ
Ｌ”−１乃至ＴＬ”−Ｎによって共通点ＣＰにそれぞれ
接続されており、これらの伝送線はそれぞれＺ3の固有
インピーダンスを示し且つ各々は合成器／分割器の作動
周波数において１／４波長台の長さを有している。コン
デンサＣＳの形にあるリアクタンスは共通点ＣＰを電気
的アースに相互接続している。コンデンサＣＳのキャパ
シタンスは３０．０ｐｆ（ピコファラド）台となり得る
ことが本発明のひ一つの作動の形に対して決定されてい
る。
【００１２】図２の合成器／分割器はＮ路信号合成器１
６として用いられており、このような合成器として、入
力／出力ポートは入力ポートとして利用され、共通出力
／入力ポートは出力ポートとして用いられる。合成器に
対する入力は電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎから取ら
れており、これらの電力増幅器は入力／出力ポートＩＯ
−１乃至ＩＯ−Ｎに直接差し込まれている状態で図示さ
れている。また、この負荷は同軸ケーブル２０の中心コ
ネクタにそれから伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎに接続さ
れている抵抗Ｒｏとして示されている。
６として用いられており、このような合成器として、入
力／出力ポートは入力ポートとして利用され、共通出力
／入力ポートは出力ポートとして用いられる。合成器に
対する入力は電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎから取ら
れており、これらの電力増幅器は入力／出力ポートＩＯ
−１乃至ＩＯ−Ｎに直接差し込まれている状態で図示さ
れている。また、この負荷は同軸ケーブル２０の中心コ
ネクタにそれから伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎに接続さ
れている抵抗Ｒｏとして示されている。
【００１３】この回路は更に、負荷ポートＬＰ−１乃至
ＬＰ−Ｎにそれぞれ接続されている複数のリジェクト負
荷（拒絶負荷：ｒｅｊｅｃｔ ｌｏａｄ）ＲＬ−１乃至
ＲＬ−Ｎを含んでいる。この後より詳細に了解されるよ
うに、これらの拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎが共通の
熱シンクＨＳに接続されており、ＨＳは電気的アースに
接続されている。これらの拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−
Ｎの各々は並列に接続されている一対の抵抗３０及び３
２を含んでいる。これらの抵抗の各々は、各拒絶負荷が
５０オーム台となるように１００オーム台となり得る。
ＬＰ−Ｎにそれぞれ接続されている複数のリジェクト負
荷（拒絶負荷：ｒｅｊｅｃｔ ｌｏａｄ）ＲＬ−１乃至
ＲＬ−Ｎを含んでいる。この後より詳細に了解されるよ
うに、これらの拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎが共通の
熱シンクＨＳに接続されており、ＨＳは電気的アースに
接続されている。これらの拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−
Ｎの各々は並列に接続されている一対の抵抗３０及び３
２を含んでいる。これらの抵抗の各々は、各拒絶負荷が
５０オーム台となるように１００オーム台となり得る。
【００１４】これまで図２に述べられてきた回路は、主
に次の点でアイデン他による米国特許第４，１６３，９
５５号の図１に述べられているガイセル回路と異なる。
ガイセル回路は、浮動中心点を有しており、本明細書の
図２におけるように中心点をアースに接続する補償リア
クタンスを含んでいない。更に、ガイセルの回路は図２
において出力／入力ポートＯＩとして示されているもの
と抵抗負荷Ｒｏとの間に接続されるであろう出力整合ラ
インを用いている。これらの修正がガイセル回路になさ
れているため、改善された性能が達成されている。詳細
には、拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎのインピーダンス
にコンデンサＣ3を負荷し且つ相互接続インピーダンス
Ｚ1，Ｚ2，及びＺ3及びそれらのそれぞれのライン長
さ、通常は約０．２５波長を注意深く選択することによ
り、向上された性能の基礎が形成される。この向上され
た性能は、帯域幅の増加と入力ポート回帰損失の改善が
もたらされた。これは、以下に論じられる図３及び図４
に示されている。
に次の点でアイデン他による米国特許第４，１６３，９
５５号の図１に述べられているガイセル回路と異なる。
ガイセル回路は、浮動中心点を有しており、本明細書の
図２におけるように中心点をアースに接続する補償リア
クタンスを含んでいない。更に、ガイセルの回路は図２
において出力／入力ポートＯＩとして示されているもの
と抵抗負荷Ｒｏとの間に接続されるであろう出力整合ラ
インを用いている。これらの修正がガイセル回路になさ
れているため、改善された性能が達成されている。詳細
には、拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎのインピーダンス
にコンデンサＣ3を負荷し且つ相互接続インピーダンス
Ｚ1，Ｚ2，及びＺ3及びそれらのそれぞれのライン長
さ、通常は約０．２５波長を注意深く選択することによ
り、向上された性能の基礎が形成される。この向上され
た性能は、帯域幅の増加と入力ポート回帰損失の改善が
もたらされた。これは、以下に論じられる図３及び図４
に示されている。
【００１５】ここで図３について説明する。図３は、８
７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚのＦＭ周波数帯域にわた
る周波数に対するデシベル（ｄｂ）で表わされる入力イ
ンピーダンス整合のグラフ図である。このグラフ図は、
ガイセル回路の作動を実線の曲線Ａで表わしており、こ
れに対して図２の回路の作動は曲線Ｂとして表わされて
いる。この例は、９８．０ＭＨｚ台の中心周波数Ｆｃに
対して与えられている。この例は、−３２ｄｂ台のイン
ピーダンス整合レベルを不良インピーダンス整合から良
インピーダンス整合を分離する点として選択し、良イン
ピーダンス整合はこの−３２ｄｂレベルの下に示されて
いる。この例から、ガイセル回路は、例えば約９０ＭＨ
ｚから１０６ＭＨｚの周波数Ｆ１から周波数Ｆ２の比較
的狭い帯域幅にわたる良インピーダンス整合を有するこ
とが判る。同じ例を用いて、図２かの回路は、曲線Ｂか
ら判るように、例えば８７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚ
の全ＦＭ範囲のより広い帯域幅にわたって良インピーダ
ンス整合を行う。中心周波数Ｆｃにおいて、曲線Ｂは、
曲線Ａ上のガイセル回路の−５０ｄｂの回帰損失に対し
て、約−３８ｄｂ回帰損失の性能を示している。しかし
ながら、曲線Ｂは、許容される性能が実質的により広い
周波数帯域に対して図２の回路によって達成されること
を確かに示している。
７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚのＦＭ周波数帯域にわた
る周波数に対するデシベル（ｄｂ）で表わされる入力イ
ンピーダンス整合のグラフ図である。このグラフ図は、
ガイセル回路の作動を実線の曲線Ａで表わしており、こ
れに対して図２の回路の作動は曲線Ｂとして表わされて
いる。この例は、９８．０ＭＨｚ台の中心周波数Ｆｃに
対して与えられている。この例は、−３２ｄｂ台のイン
ピーダンス整合レベルを不良インピーダンス整合から良
インピーダンス整合を分離する点として選択し、良イン
ピーダンス整合はこの−３２ｄｂレベルの下に示されて
いる。この例から、ガイセル回路は、例えば約９０ＭＨ
ｚから１０６ＭＨｚの周波数Ｆ１から周波数Ｆ２の比較
的狭い帯域幅にわたる良インピーダンス整合を有するこ
とが判る。同じ例を用いて、図２かの回路は、曲線Ｂか
ら判るように、例えば８７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚ
の全ＦＭ範囲のより広い帯域幅にわたって良インピーダ
ンス整合を行う。中心周波数Ｆｃにおいて、曲線Ｂは、
曲線Ａ上のガイセル回路の−５０ｄｂの回帰損失に対し
て、約−３８ｄｂ回帰損失の性能を示している。しかし
ながら、曲線Ｂは、許容される性能が実質的により広い
周波数帯域に対して図２の回路によって達成されること
を確かに示している。
【００１６】ここで図４について説明する。図４は、８
７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚの周波数帯域にわたるア
ンテナに出力される電力に関してガイセル回路及び図２
の回路の作動をそれぞれ表わしている二つの曲線Ｃ及び
Ｄを示している。この曲線から、両方の回路に対するア
ンテナに出力される最大電力が中心周波数Ｆｃにおいて
生じ、性能が周波数帯域の外側の端部において幾らか減
衰していることが判る。曲線Ｄの波線によって示される
ように図２に斯かる回路の性能は、周波数帯域の両端に
おけるアンテナへの出力電流の点でより良好である。
７．５ＭＨｚから１０８ＭＨｚの周波数帯域にわたるア
ンテナに出力される電力に関してガイセル回路及び図２
の回路の作動をそれぞれ表わしている二つの曲線Ｃ及び
Ｄを示している。この曲線から、両方の回路に対するア
ンテナに出力される最大電力が中心周波数Ｆｃにおいて
生じ、性能が周波数帯域の外側の端部において幾らか減
衰していることが判る。曲線Ｄの波線によって示される
ように図２に斯かる回路の性能は、周波数帯域の両端に
おけるアンテナへの出力電流の点でより良好である。
【００１７】層構成の実施 図５乃至図９に言及してより詳細になるように、図２の
合成器／分割器は高電力能力に対してエアーギャップが
ストリップライン基板の上と下にある懸下ストリップラ
イン技術を用いるコンパクトな層構成のアセンブリとし
て実施されるのが好ましい。この構造は高ポート間絶縁
のための一体回路整合拒絶負荷アセンブリの特徴を有す
る。このシステムは先行技術においては一般的であるよ
うに、相互接続同軸ケーブルを必要とせずにＮ個のＲＦ
電力増幅器（又はモジュール）をアセンブリに直接差し
込むことができるような平坦箱として実質的に構成され
ている。同軸ケーブルは合成器を複数のＲＦ電力増幅器
（又はモジュール）だけでなく複数の拒絶負荷にも接続
するのに用いられることは先行技術において一般的とな
っている。図２の回路の実施によって、電力増幅器ＰＡ
−１乃至ＰＡ−Ｎの入力／出力ポートＩＯ−１乃至ＩＯ
−Ｎへの直接的な差込だけでなく拒絶負荷ＲＬ−１乃至
ＲＬ−Ｎと負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎの間の一体
接続が行なわれる。
合成器／分割器は高電力能力に対してエアーギャップが
ストリップライン基板の上と下にある懸下ストリップラ
イン技術を用いるコンパクトな層構成のアセンブリとし
て実施されるのが好ましい。この構造は高ポート間絶縁
のための一体回路整合拒絶負荷アセンブリの特徴を有す
る。このシステムは先行技術においては一般的であるよ
うに、相互接続同軸ケーブルを必要とせずにＮ個のＲＦ
電力増幅器（又はモジュール）をアセンブリに直接差し
込むことができるような平坦箱として実質的に構成され
ている。同軸ケーブルは合成器を複数のＲＦ電力増幅器
（又はモジュール）だけでなく複数の拒絶負荷にも接続
するのに用いられることは先行技術において一般的とな
っている。図２の回路の実施によって、電力増幅器ＰＡ
−１乃至ＰＡ−Ｎの入力／出力ポートＩＯ−１乃至ＩＯ
−Ｎへの直接的な差込だけでなく拒絶負荷ＲＬ−１乃至
ＲＬ−Ｎと負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎの間の一体
接続が行なわれる。
【００１８】本明細書の層構成のアセンブリは中間層ス
トリップラインインピーダンスを合成器パラメータの最
上の最適値として選択する幾つかの自由度を可能にする
三次元構造体である。本明細書に用いられている三次元
の方法によって、例えば、図２の層１，２及び３に対応
する種々のストリップラインセクションを積み重ねるこ
とができ、これらの層は相互接続点が必要に応じて幾つ
かの層を貫通している状態で互いに上下に重なってい
る。この積重ね構造により、より長い波長が通常大きな
信号合成構造をもたらすＶＨＦ及びＵＨＦ周波数帯域に
特に適合可能なコンパクトな高電力アセンブリをもたら
す。
トリップラインインピーダンスを合成器パラメータの最
上の最適値として選択する幾つかの自由度を可能にする
三次元構造体である。本明細書に用いられている三次元
の方法によって、例えば、図２の層１，２及び３に対応
する種々のストリップラインセクションを積み重ねるこ
とができ、これらの層は相互接続点が必要に応じて幾つ
かの層を貫通している状態で互いに上下に重なってい
る。この積重ね構造により、より長い波長が通常大きな
信号合成構造をもたらすＶＨＦ及びＵＨＦ周波数帯域に
特に適合可能なコンパクトな高電力アセンブリをもたら
す。
【００１９】本明細書の合成器／分割器の層構成アセン
ブリが図５乃至図９により詳細に示されており、これか
らこれらの図について説明する。この構造体は図５及び
図６に示されており、絶縁基板５０，５２及び５４並び
に第４絶縁基板５６を含んでいる。絶縁基板５０，５２
及び５４はそれぞれ図７，８及び９に示されており、こ
れらの図はこれから論じられる。各絶縁基板は図２にお
いて述べられた層の一つに対応する。斯くして、絶縁基
板５０，５２及び５４はそれぞれ層１，２及び３に対応
する。絶縁基板５６は層４に対応すると見なされ、絶縁
基板５６は、この後了解されるように拒絶負荷ＲＬ−１
乃至ＲＬ−Ｎを層構成アセンブリに接続する作用を行
う。
ブリが図５乃至図９により詳細に示されており、これか
らこれらの図について説明する。この構造体は図５及び
図６に示されており、絶縁基板５０，５２及び５４並び
に第４絶縁基板５６を含んでいる。絶縁基板５０，５２
及び５４はそれぞれ図７，８及び９に示されており、こ
れらの図はこれから論じられる。各絶縁基板は図２にお
いて述べられた層の一つに対応する。斯くして、絶縁基
板５０，５２及び５４はそれぞれ層１，２及び３に対応
する。絶縁基板５６は層４に対応すると見なされ、絶縁
基板５６は、この後了解されるように拒絶負荷ＲＬ−１
乃至ＲＬ−Ｎを層構成アセンブリに接続する作用を行
う。
【００２０】絶縁体基板５０，５２，５４及び５６に加
えて、層構成アセンブリ（図６）はまた、それぞれの絶
縁体基板の上下に位置しているアース面として作用する
金属シート即ち層６０，６２，６４及び６６を含んでい
る。更に、この後更に詳細に論じられる熱シンク７０の
ベース６８は、絶縁体基板５６の両側にプレート６６と
共にアース面として作用することができる。これらの絶
縁体基板上の各々は複数の金属トレースを支持してお
り、これらのトレースは、関連のアース面と関連して、
支持している絶縁体基板と層構成アセンブリの固有の通
気能力でもって高い電力作動を可能にする上下の金属ア
ース面との間に差込エアーバックを有する懸下ストリッ
プラインを画成している。更に、この後説明されるよう
に、層構成の懸下ストリップラインは、金属トレースの
幅だけでなくトレースと関連の上下のアース面との離間
を制御することにより正しい最適化されたインピーダン
スレベルに正確に設定することができる。
えて、層構成アセンブリ（図６）はまた、それぞれの絶
縁体基板の上下に位置しているアース面として作用する
金属シート即ち層６０，６２，６４及び６６を含んでい
る。更に、この後更に詳細に論じられる熱シンク７０の
ベース６８は、絶縁体基板５６の両側にプレート６６と
共にアース面として作用することができる。これらの絶
縁体基板上の各々は複数の金属トレースを支持してお
り、これらのトレースは、関連のアース面と関連して、
支持している絶縁体基板と層構成アセンブリの固有の通
気能力でもって高い電力作動を可能にする上下の金属ア
ース面との間に差込エアーバックを有する懸下ストリッ
プラインを画成している。更に、この後説明されるよう
に、層構成の懸下ストリップラインは、金属トレースの
幅だけでなくトレースと関連の上下のアース面との離間
を制御することにより正しい最適化されたインピーダン
スレベルに正確に設定することができる。
【００２１】電力増幅器モジュールＰＡ−１乃至ＰＡ−
Ｎを受けるための入力／出力ポートＩＯ−１乃至ＩＯ−
Ｎが図５に示されている。ポートＩＯ−１に関して図６
に示されているように、これらのポートの各々は、電力
増幅器から同軸入力を受けるために金属プレート６０に
取り付けられている従来の同軸コネクタ８０を含んでい
る。各同軸コネクタ８０の中心導線はピン８２−１に接
続されており、ピン８２−１は基板５０上の伝送線の一
端を基板５２上の伝送線の一端と電気的に接続する作用
を行う。ばねフィンガークリップ８３がピン８２−１の
基板５０及び５２上の伝送線と電気的に且つ弾力的に相
互接続している。Ｎ個の入力／出力ポートが存在するた
め、この機能のためのＮ個の接続ピン８２−１乃至８２
−Ｎが存在する。斯くして、接続ピン８２−１乃至８２
−Ｎはそれぞれ同軸コネクタ８０−１乃至８０−Ｎの中
心導線と相互接続しており、これにより入力／出力ポー
トＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎにおいて適切な伝送端末と電気
的接触を行う。
Ｎを受けるための入力／出力ポートＩＯ−１乃至ＩＯ−
Ｎが図５に示されている。ポートＩＯ−１に関して図６
に示されているように、これらのポートの各々は、電力
増幅器から同軸入力を受けるために金属プレート６０に
取り付けられている従来の同軸コネクタ８０を含んでい
る。各同軸コネクタ８０の中心導線はピン８２−１に接
続されており、ピン８２−１は基板５０上の伝送線の一
端を基板５２上の伝送線の一端と電気的に接続する作用
を行う。ばねフィンガークリップ８３がピン８２−１の
基板５０及び５２上の伝送線と電気的に且つ弾力的に相
互接続している。Ｎ個の入力／出力ポートが存在するた
め、この機能のためのＮ個の接続ピン８２−１乃至８２
−Ｎが存在する。斯くして、接続ピン８２−１乃至８２
−Ｎはそれぞれ同軸コネクタ８０−１乃至８０−Ｎの中
心導線と相互接続しており、これにより入力／出力ポー
トＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎにおいて適切な伝送端末と電気
的接触を行う。
【００２２】これら種々の絶縁体基板及び金属アース面
は、基板上の金属トレースの幅と共に伝送線のインピー
ダンスを決定するエアーギャップによって互いに離れて
いる。これらの層の間の離間はその一つが図６に示され
ている段階スペーサ８４によって制御され得る。これら
種々の絶縁体基板とアース面との適切な離間を維持する
ために幾つかの斯かるスペーサが用いられることが好ま
しい。
は、基板上の金属トレースの幅と共に伝送線のインピー
ダンスを決定するエアーギャップによって互いに離れて
いる。これらの層の間の離間はその一つが図６に示され
ている段階スペーサ８４によって制御され得る。これら
種々の絶縁体基板とアース面との適切な離間を維持する
ために幾つかの斯かるスペーサが用いられることが好ま
しい。
【００２３】図２から判るように、これらの拒絶負荷Ｒ
Ｌ−１乃至ＲＬ−Ｎの各々は負荷ポートＬＰ−１乃至Ｌ
Ｐ−Ｎのそれぞれの一つに電気的に接続されている。各
拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎは関連の電気的接続ピン
９０−１乃至９０−Ｎを有している。これらのピンはそ
れぞれの負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎにおいて拒絶
負荷を関連の伝送線端末に電気的に接続している。斯く
して、例えば、負荷ポートＬＰ−１において、層２（絶
縁体基板５２）上の伝送線ＴＬ’−１の一端は層３（絶
縁体基板５４）上に位置している伝送線ＴＬ”−１の対
応の端末に電気的に相互接続されなければならない。電
気的接続ピン９０−１は拒絶負荷ＲＬ−１を絶縁基板５
２及び５４上に位置している伝送線トレースと相互接続
し一方金属アース面６４及び６６から電気的に離間して
いる。対応の電気的接続が他方の負荷ポートＬＰ−２乃
至ＬＰ−Ｎにおいて成されている。
Ｌ−１乃至ＲＬ−Ｎの各々は負荷ポートＬＰ−１乃至Ｌ
Ｐ−Ｎのそれぞれの一つに電気的に接続されている。各
拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎは関連の電気的接続ピン
９０−１乃至９０−Ｎを有している。これらのピンはそ
れぞれの負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎにおいて拒絶
負荷を関連の伝送線端末に電気的に接続している。斯く
して、例えば、負荷ポートＬＰ−１において、層２（絶
縁体基板５２）上の伝送線ＴＬ’−１の一端は層３（絶
縁体基板５４）上に位置している伝送線ＴＬ”−１の対
応の端末に電気的に相互接続されなければならない。電
気的接続ピン９０−１は拒絶負荷ＲＬ−１を絶縁基板５
２及び５４上に位置している伝送線トレースと相互接続
し一方金属アース面６４及び６６から電気的に離間して
いる。対応の電気的接続が他方の負荷ポートＬＰ−２乃
至ＬＰ−Ｎにおいて成されている。
【００２４】ここで図５及び図６について説明する。図
５及び図６は熱シンクベース６８に取り付けられており
且つ拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎを指示している絶縁
体基板５６を示している。図２及び図５において判るよ
うに、拒絶負荷ＲＬ−１等の各拒絶負荷は抵抗３０及び
３２を含んでいる。各抵抗の一端は熱シンクＨＳのベー
ス６８を通してアースに電気的に接続されている。抵抗
３０及び３２の他方の端部はそれぞれ負荷ポートＬＰ−
１に金属箔トレース９２−１及び９４−１によって接続
されている。接続ピン９０−１は金属箔トレース９２−
１及び９４−１を共に相互接続するだけでなく負荷ポー
トＬＰ−１において伝送線端末と相互接続している。同
様にして、金属箔トレース９２−２乃至９２−Ｎ及び９
４−２乃至９４−Ｎは拒絶負荷ＲＬ−２乃至ＲＬ−Ｎの
抵抗３０及び３２を接続ピン９０−２乃至９０−Ｎと相
互接続している。
５及び図６は熱シンクベース６８に取り付けられており
且つ拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎを指示している絶縁
体基板５６を示している。図２及び図５において判るよ
うに、拒絶負荷ＲＬ−１等の各拒絶負荷は抵抗３０及び
３２を含んでいる。各抵抗の一端は熱シンクＨＳのベー
ス６８を通してアースに電気的に接続されている。抵抗
３０及び３２の他方の端部はそれぞれ負荷ポートＬＰ−
１に金属箔トレース９２−１及び９４−１によって接続
されている。接続ピン９０−１は金属箔トレース９２−
１及び９４−１を共に相互接続するだけでなく負荷ポー
トＬＰ−１において伝送線端末と相互接続している。同
様にして、金属箔トレース９２−２乃至９２−Ｎ及び９
４−２乃至９４−Ｎは拒絶負荷ＲＬ−２乃至ＲＬ−Ｎの
抵抗３０及び３２を接続ピン９０−２乃至９０−Ｎと相
互接続している。
【００２５】共通出力／入力ポートＯＩ及びコンデンサ
Ｃｓによってアースに接続されている共通点ＣＰの電気
機械的特徴を説明する前に、金属トレースをその上に共
に有している絶縁体基板５０，５２及び５４をそれぞれ
示している図７，８及び９について説明する。
Ｃｓによってアースに接続されている共通点ＣＰの電気
機械的特徴を説明する前に、金属トレースをその上に共
に有している絶縁体基板５０，５２及び５４をそれぞれ
示している図７，８及び９について説明する。
【００２６】先ず図７について説明する。図７には絶縁
体基板５０が示されており、絶縁体基板５０は図２の層
１に含まれており、その上に金属トレース１００を有す
る絶縁体基板は図６に示されているようなパターンを画
成している。これらのトレースは、関連のアース面と共
に、伝送線ＴＬ−１，ＴＬ−２，ＴＬ−３，ＴＬ−４及
びＴＬ−Ｎの好ましい実施である懸下ストリップライン
を画成している。これらの金属トレースの各々は出力／
入力ポートＯＩに共通端末を有しており、ここでこれら
のトレースは金属箔パッチ１０２に電気的に相互接続さ
れている。この金属箔パッチは以下に述べられる同軸コ
ネクタ１１０の中心導線に接続されている。各金属箔ト
レースの他方の端部は入力／出力ポートＩＯ−１，ＩＯ
−２，ＩＯ−３，ＩＯ−４，及びＩＯ−Ｎにおいて伝送
線端末として作用する。伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの
これらの端末は電気的接続ピン８２−１乃至８２−Ｎに
よって基板５２の伝送線ＴＬ’−１乃至ＴＬ’−Ｎの関
連の端末に電気的に接続されている。
体基板５０が示されており、絶縁体基板５０は図２の層
１に含まれており、その上に金属トレース１００を有す
る絶縁体基板は図６に示されているようなパターンを画
成している。これらのトレースは、関連のアース面と共
に、伝送線ＴＬ−１，ＴＬ−２，ＴＬ−３，ＴＬ−４及
びＴＬ−Ｎの好ましい実施である懸下ストリップライン
を画成している。これらの金属トレースの各々は出力／
入力ポートＯＩに共通端末を有しており、ここでこれら
のトレースは金属箔パッチ１０２に電気的に相互接続さ
れている。この金属箔パッチは以下に述べられる同軸コ
ネクタ１１０の中心導線に接続されている。各金属箔ト
レースの他方の端部は入力／出力ポートＩＯ−１，ＩＯ
−２，ＩＯ−３，ＩＯ−４，及びＩＯ−Ｎにおいて伝送
線端末として作用する。伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの
これらの端末は電気的接続ピン８２−１乃至８２−Ｎに
よって基板５２の伝送線ＴＬ’−１乃至ＴＬ’−Ｎの関
連の端末に電気的に接続されている。
【００２７】ここで図８について説明する。図８は、そ
の上に金属箔トレース１１１のパターンを有している絶
縁体基板５２を示しており、これらのトレースの各々は
合成器／分割器の作動周波数において１／４波長台の長
さを有している。これらのトレースの各々は入力／出力
ポート端末及び負荷ポート端末を有している。これらの
入力／出力端末はポートＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎに位置し
ている。これらの端末はそれぞれの電気的接続ピン８２
−１乃至８２−Ｎによって基板５０（図７）上の伝送線
ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎに相互接続されている。
の上に金属箔トレース１１１のパターンを有している絶
縁体基板５２を示しており、これらのトレースの各々は
合成器／分割器の作動周波数において１／４波長台の長
さを有している。これらのトレースの各々は入力／出力
ポート端末及び負荷ポート端末を有している。これらの
入力／出力端末はポートＩＯ−１乃至ＩＯ−Ｎに位置し
ている。これらの端末はそれぞれの電気的接続ピン８２
−１乃至８２−Ｎによって基板５０（図７）上の伝送線
ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎに相互接続されている。
【００２８】伝送線ＴＬ’−１乃至ＴＬ’−Ｎの両端に
おける端末はそれぞれの電気的相互接続ピン９０−１乃
至９０−Ｎによって絶縁体基板５４（図９）上の伝送線
ＴＬ”−１乃至ＴＬ”−Ｎの対応の端末に相互接続され
ている。
おける端末はそれぞれの電気的相互接続ピン９０−１乃
至９０−Ｎによって絶縁体基板５４（図９）上の伝送線
ＴＬ”−１乃至ＴＬ”−Ｎの対応の端末に相互接続され
ている。
【００２９】ここで図９について説明する。図９は、絶
縁体基板５４を示しており、絶縁体基板５４は金属箔ト
レース１２０のパターンを支持しており、金属箔トレー
ス１２０は上下のアース面と共に、伝送線ＴＬ”−１乃
至ＴＬ”−Ｎとして用いられている懸下ストリップライ
ンを画成している。これらの伝送線は箔パッチ１２２に
電気的に接続されているそれぞれの共通端末を有してお
り、箔パッチ１２２は共通点ＣＰにおいてコンデンサＣ
ｓの一方のプレートとして作用する（図２）。各伝送線
の他方の端部は負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎのそれ
ぞれの一つに終端している。これらの端末はそれぞれ電
気的相互接続ピン９０−１乃至９０−Ｎによって伝送線
ＴＬ’−１乃至ＴＬ’−Ｎの対応する端末に電気的に接
続されている。コンデンサＣｓは上下のアース面６４及
び６６と共に金属箔パッチ１２２によって画成されてお
り、パッチの面積及びアース面からの離間が調節されて
所望キャパシタンスを得る。
縁体基板５４を示しており、絶縁体基板５４は金属箔ト
レース１２０のパターンを支持しており、金属箔トレー
ス１２０は上下のアース面と共に、伝送線ＴＬ”−１乃
至ＴＬ”−Ｎとして用いられている懸下ストリップライ
ンを画成している。これらの伝送線は箔パッチ１２２に
電気的に接続されているそれぞれの共通端末を有してお
り、箔パッチ１２２は共通点ＣＰにおいてコンデンサＣ
ｓの一方のプレートとして作用する（図２）。各伝送線
の他方の端部は負荷ポートＬＰ−１乃至ＬＰ−Ｎのそれ
ぞれの一つに終端している。これらの端末はそれぞれ電
気的相互接続ピン９０−１乃至９０−Ｎによって伝送線
ＴＬ’−１乃至ＴＬ’−Ｎの対応する端末に電気的に接
続されている。コンデンサＣｓは上下のアース面６４及
び６６と共に金属箔パッチ１２２によって画成されてお
り、パッチの面積及びアース面からの離間が調節されて
所望キャパシタンスを得る。
【００３０】共通出力／入力ポートＯＩが図２及び図６
に最も良く示されており、この共通出力／入力ポートＯ
Ｉは伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの共通端末を同軸ケー
ブルの中心導線に接続する作用を行う。同軸ケーブルコ
ネクタ１１０は従来の設計であり、中心直立銅管１１３
を含んでおり、銅管１１３は、絶縁体１１５によって支
持されており且つ出力／入力ポートＯＩにおいて共通金
属箔パッチ１０２（図７）に電気的に相互接続されてい
る。銅管１１３は外側スリーブ１１９によって同軸的に
包囲されているブリット１１７として知られている延長
部を支持している。ブリット１１７は同軸ケーブルの内
側導線と従来の様式で係合するように作用し、外側スリ
ーブ１１９は同軸ケーブルの外側導線と電気的接触を行
うように作用する。スリーブ１１９は金属層６２及び６
６等のアース面によって支持されており且つこれらのア
ース面に電気的に接続されている。
に最も良く示されており、この共通出力／入力ポートＯ
Ｉは伝送線ＴＬ−１乃至ＴＬ−Ｎの共通端末を同軸ケー
ブルの中心導線に接続する作用を行う。同軸ケーブルコ
ネクタ１１０は従来の設計であり、中心直立銅管１１３
を含んでおり、銅管１１３は、絶縁体１１５によって支
持されており且つ出力／入力ポートＯＩにおいて共通金
属箔パッチ１０２（図７）に電気的に相互接続されてい
る。銅管１１３は外側スリーブ１１９によって同軸的に
包囲されているブリット１１７として知られている延長
部を支持している。ブリット１１７は同軸ケーブルの内
側導線と従来の様式で係合するように作用し、外側スリ
ーブ１１９は同軸ケーブルの外側導線と電気的接触を行
うように作用する。スリーブ１１９は金属層６２及び６
６等のアース面によって支持されており且つこれらのア
ース面に電気的に接続されている。
【００３１】拒絶負荷及び熱シンクアセンブリ 拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎは熱シンク７０と共に、
プラグインユニットとして作用する一体的アセンブリと
して見なされ得る。斯くして、相互接続電気ピン９０−
１乃至９０−Ｎは、これらのピンが負荷ポートＬＰ−１
乃至ＬＰ−Ｎにおいて適切な伝送線端末と電気的接触を
行うように層構成アセンブリに差し込まれる。ここに示
されている例において、Ｎ＝５であり、その結果、絶縁
体基板５６及び熱シンクベース６８の隣接表面の組合せ
上に取り付けられている５個の拒絶負荷が存在する。公
知の方法で熱を散逸する働きをなす複数のアルミニウム
フィン７１が熱シンクベースに取り付けられており且つ
層構成アセンブリから出る方向へ延設している。
プラグインユニットとして作用する一体的アセンブリと
して見なされ得る。斯くして、相互接続電気ピン９０−
１乃至９０−Ｎは、これらのピンが負荷ポートＬＰ−１
乃至ＬＰ−Ｎにおいて適切な伝送線端末と電気的接触を
行うように層構成アセンブリに差し込まれる。ここに示
されている例において、Ｎ＝５であり、その結果、絶縁
体基板５６及び熱シンクベース６８の隣接表面の組合せ
上に取り付けられている５個の拒絶負荷が存在する。公
知の方法で熱を散逸する働きをなす複数のアルミニウム
フィン７１が熱シンクベースに取り付けられており且つ
層構成アセンブリから出る方向へ延設している。
【００３２】一般的に、多重ポート合成器において、各
負荷ポートには拒絶負荷が配設されている。拒絶負荷は
電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎを断接することにより
あるいはその故障の際にこれらの電力増幅器の一つ又は
それ以上を停止するといったことから不均衡が合成器に
おいて生じる時に拒絶されている電力に対して負荷とし
て作用する。どの負荷ポートが冷却を必要とするであろ
うかということは判らないため、各ポートに対して最悪
の場合のための設計をするのが一般的であった。通常、
これは、図２における拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎ等
のＮ個の拒絶負荷を取り扱うのにＮ個の熱シンク及び冷
却用の過剰な空気が存在することを意味している。
負荷ポートには拒絶負荷が配設されている。拒絶負荷は
電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎを断接することにより
あるいはその故障の際にこれらの電力増幅器の一つ又は
それ以上を停止するといったことから不均衡が合成器に
おいて生じる時に拒絶されている電力に対して負荷とし
て作用する。どの負荷ポートが冷却を必要とするであろ
うかということは判らないため、各ポートに対して最悪
の場合のための設計をするのが一般的であった。通常、
これは、図２における拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎ等
のＮ個の拒絶負荷を取り扱うのにＮ個の熱シンク及び冷
却用の過剰な空気が存在することを意味している。
【００３３】この後説明されるように、本発明は、Ｎ個
の拒絶負荷の全てに結合されている共通熱シンクであっ
てＮ個のＲＦ電力増幅器の二つ以上の停止から生じる熱
を散逸するように構成されている共通熱シンクを有する
斯かる合成器の使用を可能にする。これにより、唯一の
熱シンクをこれらの電力増幅器の一つ又はそれ以上の停
止の全ての合成の下で拒絶負荷を冷却するのに用いるこ
とができる。これは以下に続く説明からより簡単に理解
される。
の拒絶負荷の全てに結合されている共通熱シンクであっ
てＮ個のＲＦ電力増幅器の二つ以上の停止から生じる熱
を散逸するように構成されている共通熱シンクを有する
斯かる合成器の使用を可能にする。これにより、唯一の
熱シンクをこれらの電力増幅器の一つ又はそれ以上の停
止の全ての合成の下で拒絶負荷を冷却するのに用いるこ
とができる。これは以下に続く説明からより簡単に理解
される。
【００３４】Ｎ路ゼロ位相合成システムの全散逸電力
は、電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎ等の一つ又はそれ
以上のＲＦ電力増幅器が除去されるかあるいは停止した
時に以下に示される公式に従うことが決定されている。
は、電力増幅器ＰＡ−１乃至ＰＡ−Ｎ等の一つ又はそれ
以上のＲＦ電力増幅器が除去されるかあるいは停止した
時に以下に示される公式に従うことが決定されている。
【００３５】
【数１】 ここで、 Ｐｄ＝全拒絶負荷散逸（ワット） Ｐｍ＝ＲＦ増幅器出力電力（ワット） ｎ＝ＲＦ増幅器の総数 ｘ＝停止ＲＦ増幅器の数 ｘ＝１でありｎ＝５である所のシステムにおける停止し
たあるいは除去された電力増幅器が、各々が１ｋｗ電力
を供給する電力増幅器を用いるＥ路合成システムを画成
していると仮定する。斯かる場合、停止した電力増幅器
に対応する拒絶負荷は８００ワットを散逸する。斯くし
て、例えば、電力増幅器ＰＡ−２が停止又は除去された
場合、この増幅器に対応する拒絶負荷ＲＬ−２は８００
ワットを散逸する。この電力レベルは、その対応するＲ
Ｆ電力増幅器が除去されるかあるいは停止した時に五つ
の拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎの任意の一つによく現
われ得る。その結果、各拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎ
には８００ワットの散逸が行なわれなければならない。
別々の熱シンクが配設されている場合、各拒絶負荷に対
して一つ、従ってＮ＝５の場合、全４，０００ワットの
散逸能力に対して８００ワットの散逸を行う５個の熱シ
ンクが存在する。ここで銘記すべきように、式（１）を
調べると、ｘ＝１，２，３，４，及び５に対する全シス
テム拒絶負荷散逸はそれぞれ８００ワット、１，２００
ワット、１，２００ワット、８００ワット、及び０ワッ
トである。これは、拒絶負荷に対する共通の集積された
熱シンクシステムは、５個の個別の拒絶負荷熱シンクが
配設されている場合に必要となるように４，０００ワッ
トではなく１，２００ワットの散逸能力を有するだけで
よいことが判る。その結果、一つの熱シンクは、プラグ
を抜かれるかあるいは電気的に停止されること等によっ
て、これらの電力増幅器の二つ以上（少なくとも二つ）
が停止した場合に必要となろう熱の散逸能力を有するだ
けでよいことが判る。
たあるいは除去された電力増幅器が、各々が１ｋｗ電力
を供給する電力増幅器を用いるＥ路合成システムを画成
していると仮定する。斯かる場合、停止した電力増幅器
に対応する拒絶負荷は８００ワットを散逸する。斯くし
て、例えば、電力増幅器ＰＡ−２が停止又は除去された
場合、この増幅器に対応する拒絶負荷ＲＬ−２は８００
ワットを散逸する。この電力レベルは、その対応するＲ
Ｆ電力増幅器が除去されるかあるいは停止した時に五つ
の拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎの任意の一つによく現
われ得る。その結果、各拒絶負荷ＲＬ−１乃至ＲＬ−Ｎ
には８００ワットの散逸が行なわれなければならない。
別々の熱シンクが配設されている場合、各拒絶負荷に対
して一つ、従ってＮ＝５の場合、全４，０００ワットの
散逸能力に対して８００ワットの散逸を行う５個の熱シ
ンクが存在する。ここで銘記すべきように、式（１）を
調べると、ｘ＝１，２，３，４，及び５に対する全シス
テム拒絶負荷散逸はそれぞれ８００ワット、１，２００
ワット、１，２００ワット、８００ワット、及び０ワッ
トである。これは、拒絶負荷に対する共通の集積された
熱シンクシステムは、５個の個別の拒絶負荷熱シンクが
配設されている場合に必要となるように４，０００ワッ
トではなく１，２００ワットの散逸能力を有するだけで
よいことが判る。その結果、一つの熱シンクは、プラグ
を抜かれるかあるいは電気的に停止されること等によっ
て、これらの電力増幅器の二つ以上（少なくとも二つ）
が停止した場合に必要となろう熱の散逸能力を有するだ
けでよいことが判る。
【００３６】前に示された式（１）は各電力増幅器ＰＡ
−１乃至ＰＡ−Ｎが等しい電圧Ｖ1，Ｖ2乃至Ｖｎをこれ
らの電圧が同位相で合成される理想的なＮ路合成器に送
る理想的な合成システムに対して導かれた。共通負荷Ｒ
Lに適用される出力電圧は個別入力電圧の係数装置によ
る和である。式（１）の派生は以下の通りである。
−１乃至ＰＡ−Ｎが等しい電圧Ｖ1，Ｖ2乃至Ｖｎをこれ
らの電圧が同位相で合成される理想的なＮ路合成器に送
る理想的な合成システムに対して導かれた。共通負荷Ｒ
Lに適用される出力電圧は個別入力電圧の係数装置によ
る和である。式（１）の派生は以下の通りである。
【数２】 すると、システムにおけるｘ個の不活性増幅器に対する
出力電圧は比で表わすと以下のようになる。
出力電圧は比で表わすと以下のようになる。
【００３７】
【数３】 ここでＰｏ’はｘ個の停止した増幅器に因って生じる出
力電圧である。この式は以下の式になる。
力電圧である。この式は以下の式になる。
【００３８】
【数４】 （ここでＲ1は相殺される）あるいは単純に、電力減少
比となる。
比となる。
【００３９】
【数５】 ここでＶ1＝Ｖ2＝---Ｖn＝Ｖxであることに注意すると
Ｖn，Ｖxは相殺する。以下のように拒絶負荷を有するＮ
路同相合成器に対して新しい項を定義すると、 ｎ＝モジュールの数 ｘ＝停止したモジュールの数 Ｐｍ＝モジュール電力 Ｐｄ＝全拒絶負荷散逸 通常の状態では（全てのＰＡは活性）
Ｖn，Ｖxは相殺する。以下のように拒絶負荷を有するＮ
路同相合成器に対して新しい項を定義すると、 ｎ＝モジュールの数 ｘ＝停止したモジュールの数 Ｐｍ＝モジュール電力 Ｐｄ＝全拒絶負荷散逸 通常の状態では（全てのＰＡは活性）
【数６】 ｘ個の停止したモジュールの使用（５）の場合、
【数７】 全拒絶負荷散逸に対して、
【数８】 すると
【数９】 （８）を（９）に代入すると、
【数１０】 （７）を（１０）に代入すると、
【数１１】 展開してｎを相殺すると、
【数１２】 これらを整理すると
【数１３】
【図１】本発明の一つの応用の略ブロック図である。
【図２】本発明に従って構成された合成器／分割器の電
気的回路図の略ブロック図である。
気的回路図の略ブロック図である。
【図３】図２の回路の作動を説明するのに有用な周波数
に対するインピーダンス整合を表わすグラフ図である。
に対するインピーダンス整合を表わすグラフ図である。
【図４】図２に示されている回路の作動を説明するのに
有用である周波数の関数としてのアンテナに出力される
電力のグラフ図である。
有用である周波数の関数としてのアンテナに出力される
電力のグラフ図である。
【図５】本発明に係る合成器／分割器の電気機械的構造
であって、図６の矢印の方向に見た線５−５に沿って全
体的に取られた平面図である。
であって、図６の矢印の方向に見た線５−５に沿って全
体的に取られた平面図である。
【図６】図５の矢印の方向に見た線６−６に沿って全体
的に取られた部分断面平面図である。
的に取られた部分断面平面図である。
【図７】その上に共面金属トレースを支持している第一
絶縁基板を示す平面図である。
絶縁基板を示す平面図である。
【図８】第二基板上に取り付けられている共面金属トレ
ースの別の構成を示す図７に類似の平面図である。
ースの別の構成を示す図７に類似の平面図である。
【図９】第三絶縁基板上に取り付けられている金属トレ
ースの第三パターンを示す図７及び図８に類似の平面図
である。
ースの第三パターンを示す図７及び図８に類似の平面図
である。
１０ ＦＭ励振器 １２ ＦＭ送信器 １４ Ｎ路信号分割器 １６ Ｎ路信号合成器 １８ アンテナ ２０ 同軸ケーブル ５０，５２，５４，５６ 絶縁体基板 ６０，６２，６４，６６ 金属層 ６８ ベース ７０ 熱シンク ８２ 接続ピン ９０ 相互接続ピン １１０ 同軸ケーブルコネクタ １１３ 直立銅管 １１５ 絶縁体 １０２ 共通金属箔パッチ １１９ 外側スリーブ
Claims (14)
- 【請求項１】 Ｎ路電力合成器／分割器において、 共通出力／入力ポート、 Ｎ個の入力／出力ポート、 Ｎ個の負荷ポート、 Ｎ個の第一伝送線であって、各々が第一固有インピーダ
ンスＺ1を有し且つ各々がその第一端を上記のＮ個の入
力／出力ポートのそれぞれの一つに接続されている各々
の逆の第二端と共通して上記共通出力／入力ポートに接
続せしめている該Ｎ個の第一伝送線、 Ｎ個の第二伝送線であって、各々が第二固有インピーダ
ンスＺ2を有し且つ各々がその第一端を上記Ｎ個の入力
／出力ポートのそれぞれの一つに接続せしめており且つ
各々がその逆の第二端において上記Ｎ個の負荷ポートの
それぞれの一つに接続されている該Ｎ個の第二伝送線、 Ｎ個の第三伝送線であって、各々が第三固有インピーダ
ンスＺ3を有し且つその第一端を上記Ｎ個の負荷ポート
のそれぞれの一つに接続せしめており且つ上記第三伝送
線の逆の第二端が共通にいっしょに接続されておりこれ
により共通点を画成している該Ｎ個の第三伝送線、及び
上記共通点を電気的アースに接続しているリアクタンス
手段、 を含むことを特徴とするＮ路電力合成器／分割器。 - 【請求項２】 上記リアクタンス手段が容量性手段を含
むことを特徴とする請求項１の合成器／分割器。 - 【請求項３】 上記Ｎ個の第一伝送線の各々が上記合成
器／分割器の作動周波数において４／１波長に等しい長
さを有することを特徴とする請求項２の合成器／分割
器。 - 【請求項４】 上記Ｎ個の第二伝送線の各々が上記合成
器／分割器の作動周波数において４／１波長に等しい長
さを有することを特徴とする請求項２の合成器／分割
器。 - 【請求項５】 上記Ｎ個の第三伝送線の各々が上記合成
器／分割器の作動周波数において４／１波長に等しい長
さを有することを特徴とする請求項２の合成器／分割
器。 - 【請求項６】 上記第一，第二及び第三伝送線の各々が
上記合成器／分割器の作動周波数において１／４波長に
等しい長さを有することを特徴とする請求項２の合成器
／分割器。 - 【請求項７】 上記Ｎ個の負荷ポートの各々を電気的ア
ースにそれぞれ接続しているＮ個のリジェクト負荷を含
むことを特徴とする請求項１の合成器／分割器。 - 【請求項８】 上記Ｎ個の第一伝送線が各々第一絶縁体
基板上に取り付けられているＮ個の共面第一金属トレー
スを含み、 上記Ｎ個の第二伝送線がそれぞれ第二絶縁体基板上に取
り付けられているＮ個の共面第二金属トレースを含み、 上記Ｎ個の第三伝送線が第三絶縁体基板上に取り付けら
れているＮ個の共面第三金属トレースを含み、 上記第一，第二及び第三絶縁体基板が平行面において互
いに離間しており、 第一，第二，第三及び第四金属平面層が電気的に共に接
続されており且つアース面として作用し、上記金属平面
層が互いから且つ上記第一，第二及び第三絶縁体基板に
平行に離間しており、上記第一絶縁体基板が上記第一及
び第二層の間に位置しており且つ上記第二絶縁体基板が
上記第二及び第三層の間に位置しており且上記第三絶縁
体基板が上記第三及び第四層の間に位置していることを
特徴とする請求項１の合成器／分割器。 - 【請求項９】 Ｎ個の電気的接続手段であって、各々が
上記入力／出力ポートの一つに位置しており、上記第一
伝送線の上記第二端のそれぞれの一つを上記Ｎ個の第二
伝送線の一つの第一端と電気的に接続するために上記第
一及び第二基板の間に延設しているＮ個の電気的接続手
段を含むことを特徴とする請求項８の合成器／分割器。 - 【請求項１０】 上記Ｎ個の負荷ポートの各々を電気的
アースにそれぞれ接続しているＮ個のリジェクト負荷を
含むことを特徴とする請求項９の合成器／分割器。 - 【請求項１１】 各々が上記Ｎ個の負荷ポートの一つに
位置しており且つ上記第二伝送線のそれぞれの一つを上
記第三伝送線のそれぞれの一つと電気的に接続するため
に上記第二及び第三ポートの間に延設しているＮ個の負
荷ポート接続手段を含むことを特徴とする請求項１０の
合成器／分割器。 - 【請求項１２】 Ｎ路電力合成器／分割器において、 共通出力／入力ポート、 複数のＮ個の入力／出力ポート、 複数のＮ個の第一伝送線であって、各々がその第一端を
上記共通出力／入力ポートに共通に接続せしめており、
且つ各々がその逆の第二端を上記Ｎ個の入力／出力ポー
トのそれぞれの一つに接続せしめている該複数のＮ個の
第一伝送線、 複数のＮ個の第二伝送線であって、各々がその第一端を
上記Ｎ個の入力／出力ポートのそれぞれの一つに接続せ
しめている該複数のＮ個の第二伝送線、 を含み、 上記Ｎ個の第一伝送線がそれぞれ第一絶縁体基板上に取
り付けられているＮ個の共面第一金属トレースを含んで
おり、 上記Ｎ個の第二伝送線がそれぞれ第二絶縁体基板上に取
り付けられているＮ個の共面第二金属トレースを含んで
おり、 上記第一及び第二絶縁体基板が平行面において互いから
離間しており、 更に電気的に共に接続しており且つアース面として作用
する第一，第二及び第三金属平面層であって、上記第一
及び第二絶縁体基板から且つこれらと平行に離間してお
り、上記第一絶縁体基板が上記第一及び第二層の間に位
置しており、且つ上記第二絶縁体基板が上記第二及び第
三層の間に位置している該第一，第二及び第三金属平面
層、 Ｎ個の電気的接続手段であって、各々が上記Ｎ個の入力
／出力ポートの一つに位置しており、上記第一及び第二
基板の間に延設しており、上記伝送線の上記第二端のそ
れぞれの一つを上記Ｎ個の第二伝送線の一つの第一端に
電気的に接続している該Ｎ個の電気的接続手段を含むこ
とを特徴とするＮ路電力合成器／分割器。 - 【請求項１３】 上記第二金属層がその中に上記入力／
出力ポートと見当しているアパーチュアを有しており且
つ上記電気的接続手段が上記第二金属層に接触すること
なく上記アパーチュアを通って垂直に延設しており且つ
上記第一及び第二絶縁体基板の間に延設しており且つそ
の両端において上記Ｎ個の第一伝送線の一つに上記第二
端及び上記Ｎ個の第二伝送線の一つの上記第一端と電気
的接触を行なっている導電ピンを含んでいることを特徴
とする請求項１２の合成器／分割器。 - 【請求項１４】 第三絶縁体基板及び第四金属平面層を
含んでおり、上記第三絶縁体基板が上記第一及び第二絶
縁体基板から且つこれらと平行に離間しており且つ上記
第四金属平面層が上記第一，第二及び第三金属平面層と
電気的に接続しており且つアース面として作用し且つ上
記第一，第二及び第三絶縁体基板から且つこれらと平行
に離間しており、上記第三絶縁体基板が上記第三及び第
四金属層の間に位置していることを特徴とする請求項１
２の合成器／分割器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/684,024 US5164689A (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | N-way power combiner/divider |
| US684024 | 1991-04-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120845A true JPH06120845A (ja) | 1994-04-28 |
| JP2825394B2 JP2825394B2 (ja) | 1998-11-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093066A Expired - Fee Related JP2825394B2 (ja) | 1991-04-11 | 1992-04-13 | Ｎ路電力合成器／分割器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164689A (ja) |
| EP (1) | EP0508662B1 (ja) |
| JP (1) | JP2825394B2 (ja) |
| CA (1) | CA2065200C (ja) |
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- 1992-04-13 JP JP4093066A patent/JP2825394B2/ja not_active Expired - Fee Related
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