JPH06124802A - 抵抗器 - Google Patents
抵抗器Info
- Publication number
- JPH06124802A JPH06124802A JP4058740A JP5874092A JPH06124802A JP H06124802 A JPH06124802 A JP H06124802A JP 4058740 A JP4058740 A JP 4058740A JP 5874092 A JP5874092 A JP 5874092A JP H06124802 A JPH06124802 A JP H06124802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- silicon oxide
- protective film
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
抵抗器
【目的】 本発明は、純粋な酸化珪素からなる耐熱性に
優れた酸化珪素の保護膜を抵抗用薄膜の下層又は下層及
び上層に着膜し、安定した性能を有する抵抗器を提供す
ることを目的としている。 【構成】 この発明は、抵抗用薄膜の下層に純粋な酸化
珪素の保護膜を着膜することにより不純物を含有する基
体を使用しても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物
の影響を抑制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などに
よる劣化を防止できるため高い信頼性を確保できる。ま
た、抵抗用薄膜上にの酸化珪素の保護膜を着膜すること
により高温での熱処理が可能になり保護膜形成までに抵
抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気的に安定
化する効果が得られる。更に、本発明品を使用すること
により、抵抗器を実装後にトリミングによる抵抗値調整
が可能になるため補正用抵抗器を必要としない。
優れた酸化珪素の保護膜を抵抗用薄膜の下層又は下層及
び上層に着膜し、安定した性能を有する抵抗器を提供す
ることを目的としている。 【構成】 この発明は、抵抗用薄膜の下層に純粋な酸化
珪素の保護膜を着膜することにより不純物を含有する基
体を使用しても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物
の影響を抑制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などに
よる劣化を防止できるため高い信頼性を確保できる。ま
た、抵抗用薄膜上にの酸化珪素の保護膜を着膜すること
により高温での熱処理が可能になり保護膜形成までに抵
抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気的に安定
化する効果が得られる。更に、本発明品を使用すること
により、抵抗器を実装後にトリミングによる抵抗値調整
が可能になるため補正用抵抗器を必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般の民生又は産業機
器に利用される抵抗器及び真空中などの特殊な環境化で
利用される抵抗器に関するものである。
器に利用される抵抗器及び真空中などの特殊な環境化で
利用される抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗器は、アルミナ系の基体上に
直接、真空蒸着法又はスパッタリング法などにより抵抗
用薄膜および電極膜を着膜している。抵抗用薄膜上には
外部雰囲気より特性変化を防止するための絶縁性及び接
着性に優れた有機系の塗料を塗装している。
直接、真空蒸着法又はスパッタリング法などにより抵抗
用薄膜および電極膜を着膜している。抵抗用薄膜上には
外部雰囲気より特性変化を防止するための絶縁性及び接
着性に優れた有機系の塗料を塗装している。
【０００３】図１は、従来における抵抗器の一例であ
り、基体１上に抵抗用薄膜２及び電極膜３を着膜した
後、抵抗用薄膜２上に塗装膜４を形成している。
り、基体１上に抵抗用薄膜２及び電極膜３を着膜した
後、抵抗用薄膜２上に塗装膜４を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の抵抗器は、アル
ミナ系の基体を使用しているがその純度は７０％から９
０％であり、不純物が含有されている。また、基体の製
造工程あるいは梱包および輸送過程でも基体への不純物
の付着がありうる。この不純物が抵抗器の安定性を損ね
る原因になっている。
ミナ系の基体を使用しているがその純度は７０％から９
０％であり、不純物が含有されている。また、基体の製
造工程あるいは梱包および輸送過程でも基体への不純物
の付着がありうる。この不純物が抵抗器の安定性を損ね
る原因になっている。
【０００５】また、高純度に管理された基体及び純粋な
無機材料でグレーズ処理された基体も市販されているが
高価であり、抵抗器の市場価格に合致しない。
無機材料でグレーズ処理された基体も市販されているが
高価であり、抵抗器の市場価格に合致しない。
【０００６】一方、従来の抵抗器は、その製造過程で加
わる熱による酸化、所望の抵抗値を得るためのエッチン
グやトリミング加工等の抵抗回路形成工程における抵抗
用薄膜の変質及び保護塗装膜との熱膨張係数の差から生
じる応力の影響を受け、生産効率の低下又は性能が劣化
するという問題があった。
わる熱による酸化、所望の抵抗値を得るためのエッチン
グやトリミング加工等の抵抗回路形成工程における抵抗
用薄膜の変質及び保護塗装膜との熱膨張係数の差から生
じる応力の影響を受け、生産効率の低下又は性能が劣化
するという問題があった。
【０００７】また、近年では真空機器や人工衛星搭載用
等の特殊な環境化で使用する抵抗器の需要も増加する傾
向にあり、従来の抵抗器では耐熱性及びアウトガスの発
生の点で問題があった。
等の特殊な環境化で使用する抵抗器の需要も増加する傾
向にあり、従来の抵抗器では耐熱性及びアウトガスの発
生の点で問題があった。
【０００８】更に、電子回路においては過誤なく設計し
たとしても、各回路素子の特性のバラツキがあることな
どから抵抗値を微調整しなければならない。この場合従
来の抵抗器では実装後に抵抗値を再度調整することが難
しく、補正抵抗器を使用するため実装密度の向上の障害
となっている。
たとしても、各回路素子の特性のバラツキがあることな
どから抵抗値を微調整しなければならない。この場合従
来の抵抗器では実装後に抵抗値を再度調整することが難
しく、補正抵抗器を使用するため実装密度の向上の障害
となっている。
【０００９】本発明は、これらの問題点を解決すべくな
されたもので純粋な無機系材質からなる耐熱性に優れた
酸化珪素の保護膜を利用し、安定した性能を有する抵抗
器を提供することを目的としている。
されたもので純粋な無機系材質からなる耐熱性に優れた
酸化珪素の保護膜を利用し、安定した性能を有する抵抗
器を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は平板状又は円筒
状の基体上に真空蒸着法等により酸化珪素：９９％以上
の保護膜を着膜することを特徴とし、この保護膜の上層
に、例えばニクロム系合金の抵抗用薄膜及び例えば金の
電極膜を着膜し、所望の抵抗値を得るための回路形成を
行ない保護塗装して抵抗器を完成する。
状の基体上に真空蒸着法等により酸化珪素：９９％以上
の保護膜を着膜することを特徴とし、この保護膜の上層
に、例えばニクロム系合金の抵抗用薄膜及び例えば金の
電極膜を着膜し、所望の抵抗値を得るための回路形成を
行ない保護塗装して抵抗器を完成する。
【００１１】本発明は基体上に真空蒸着法等により酸化
珪素：９９％以上の保護膜を着膜し、この保護膜の上層
に、例えばニクロム系合金の抵抗用薄膜及び例えば金の
電極膜を着膜し、所望の抵抗値を得るための回路形成し
た後、再び酸化珪素の保護膜を着膜することも特徴とし
ている。
珪素：９９％以上の保護膜を着膜し、この保護膜の上層
に、例えばニクロム系合金の抵抗用薄膜及び例えば金の
電極膜を着膜し、所望の抵抗値を得るための回路形成し
た後、再び酸化珪素の保護膜を着膜することも特徴とし
ている。
【００１２】本発明では、前述した抵抗器を大気中にて
１５０℃から４００℃の加熱処理を実施すること、真空
中あるいは例えばアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で
の１５０℃から４００℃の加熱処理を行なうことも特徴
としている。
１５０℃から４００℃の加熱処理を実施すること、真空
中あるいは例えばアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で
の１５０℃から４００℃の加熱処理を行なうことも特徴
としている。
【００１３】基体上に着膜した抵抗用薄膜に抵抗値を微
調整する回路を具備させた抵抗を回路形成し、この上層
に真空蒸着法等により酸化珪素：９９％以上の保護膜を
着膜することも特徴としている。
調整する回路を具備させた抵抗を回路形成し、この上層
に真空蒸着法等により酸化珪素：９９％以上の保護膜を
着膜することも特徴としている。
【００１４】
【作 用】以上のように本発明は酸化珪素を主成分と
した保護膜を利用することにより下記の作用を有するも
のである。
した保護膜を利用することにより下記の作用を有するも
のである。
【００１５】 抵抗用薄膜の下層に純粋な酸化珪素の保
護膜を着膜することにより不純物を含有する基体を使用
しても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物の影響を
抑制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などによる劣化
を防止できる。
護膜を着膜することにより不純物を含有する基体を使用
しても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物の影響を
抑制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などによる劣化
を防止できる。
【００１６】抵抗用薄膜上にの酸化珪素の保護膜を着膜
することにより高温での熱処理が可能になり保護膜形成
までに抵抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気
的に安定した構造になる。
することにより高温での熱処理が可能になり保護膜形成
までに抵抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気
的に安定した構造になる。
【００１７】抵抗用薄膜上にの酸化珪素の保護膜は耐熱
性を有し、真空中又は高温環境下でもアウトガスの発生
がほとんどない。
性を有し、真空中又は高温環境下でもアウトガスの発生
がほとんどない。
【００１８】酸化珪素の保護膜はＹＡＧレーザが透過す
るため抵抗用薄膜を回路形成する際に、抵抗値の微調整
を目的とした補助回路を具備させることにより抵抗器を
実装後にトリミングによる抵抗値調整が可能になる。
るため抵抗用薄膜を回路形成する際に、抵抗値の微調整
を目的とした補助回路を具備させることにより抵抗器を
実装後にトリミングによる抵抗値調整が可能になる。
【００１９】
【実施例１】以下にこの発明の請求項１に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図２はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：８０
％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１を２４０℃か
ら２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：９９．
９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。この上
層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例えばニ
クロム合金などの抵抗用薄膜２及び例えば金などの電極
膜３を着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器
回路を形成し、更にその上層に保護塗装４を形成し抵抗
器を完成した。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図２はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：８０
％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１を２４０℃か
ら２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：９９．
９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。この上
層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例えばニ
クロム合金などの抵抗用薄膜２及び例えば金などの電極
膜３を着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器
回路を形成し、更にその上層に保護塗装４を形成し抵抗
器を完成した。
【００２０】以上のように製造した抵抗器を８０℃９５
％ＲＨの恒温恒湿槽内で負荷寿命試験を行なった結果を
図３に示す。図３において酸化珪素の保護膜のない場合
をＡ抵抗用薄膜の下層に酸化珪素の保護膜を有する場合
をＢで示した。図３よりわかるように、酸化珪素の保護
膜を形成することにより安定性の高い抵抗器を製造する
ことが出来る。
％ＲＨの恒温恒湿槽内で負荷寿命試験を行なった結果を
図３に示す。図３において酸化珪素の保護膜のない場合
をＡ抵抗用薄膜の下層に酸化珪素の保護膜を有する場合
をＢで示した。図３よりわかるように、酸化珪素の保護
膜を形成することにより安定性の高い抵抗器を製造する
ことが出来る。
【００２１】
【実施例２】以下にこの発明の請求項２に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図４はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：７０
％を主成分とする絶縁材料よりなる円筒状基体１を２４
０℃から２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：
９９．９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。
この上層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例
えばニクロム合金などの抵抗膜２を着膜させた後、その
両端にキャップ６を圧入し、リード線７を溶接した後、
所望の抵抗値を得るために螺旋状にトリミングした。更
にその上層に保護塗装４を形成し抵抗器を完成した。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図４はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：７０
％を主成分とする絶縁材料よりなる円筒状基体１を２４
０℃から２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：
９９．９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。
この上層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例
えばニクロム合金などの抵抗膜２を着膜させた後、その
両端にキャップ６を圧入し、リード線７を溶接した後、
所望の抵抗値を得るために螺旋状にトリミングした。更
にその上層に保護塗装４を形成し抵抗器を完成した。
【００２２】以上のように製造した抵抗器を８０℃９５
％ＲＨの恒温恒湿槽内で負荷寿命試験を行なった結果を
図５に示す。図５において酸化珪素の保護膜のない場合
をＣ、抵抗用薄膜の下層に酸化珪素の保護膜を有する場
合をＤで示した。図５よりわかるように、酸化珪素の保
護膜を形成することにより安定性の高い抵抗器を製造す
ることが出来る。
％ＲＨの恒温恒湿槽内で負荷寿命試験を行なった結果を
図５に示す。図５において酸化珪素の保護膜のない場合
をＣ、抵抗用薄膜の下層に酸化珪素の保護膜を有する場
合をＤで示した。図５よりわかるように、酸化珪素の保
護膜を形成することにより安定性の高い抵抗器を製造す
ることが出来る。
【００２３】
【実施例３】以下にこの発明の請求項３に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図６はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：８０
％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１を２４０℃か
ら２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：９９．
９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。この上
層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例えばニ
クロム合金などの抵抗膜２及び例えば金などの電極膜３
を着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器回路
を形成し、更にその上層に真空蒸着法により酸化珪素：
９９．９％以上の保護膜５ｂを約８０００‰着膜した。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図６はその
一実施例の抵抗器を示す説明図である。アルミナ：８０
％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１を２４０℃か
ら２６０℃に加熱し真空蒸着法により酸化珪素：９９．
９％以上の保護膜５ａを約５０００‰着膜した。この上
層に真空蒸着法又はスパッタリング法により、例えばニ
クロム合金などの抵抗膜２及び例えば金などの電極膜３
を着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器回路
を形成し、更にその上層に真空蒸着法により酸化珪素：
９９．９％以上の保護膜５ｂを約８０００‰着膜した。
【００２４】
【実施例４】以下にこの発明の請求項４に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器を恒温槽内で２００℃にて４時間加熱処理したも
のを試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行
なった結果を図７に示す。図７において酸化珪素の保護
膜がなく有機系塗料で保護塗装した場合をＥ、抵抗用薄
膜の下層及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場合を
Ｆ、更に２００℃にて４時間の加熱処理した場合をＧで
示した。図７よりわかるように、加熱処理することによ
り安定性の高い抵抗器を製造することが出来る。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器を恒温槽内で２００℃にて４時間加熱処理したも
のを試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行
なった結果を図７に示す。図７において酸化珪素の保護
膜がなく有機系塗料で保護塗装した場合をＥ、抵抗用薄
膜の下層及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場合を
Ｆ、更に２００℃にて４時間の加熱処理した場合をＧで
示した。図７よりわかるように、加熱処理することによ
り安定性の高い抵抗器を製造することが出来る。
【００２５】
【実施例５】以下にこの発明の請求項５に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器を真空中で３００℃にて４時間加熱処理したもの
を試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行な
った結果を図７に示す。図７において抵抗用薄膜の下層
及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場合をＦ、更に３
００℃にて４時間の加熱処理した場合をＨで示した。図
７よりわかるように、加熱処理することにより安定性の
高い抵抗器を製造することが出来る。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器を真空中で３００℃にて４時間加熱処理したもの
を試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行な
った結果を図７に示す。図７において抵抗用薄膜の下層
及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場合をＦ、更に３
００℃にて４時間の加熱処理した場合をＨで示した。図
７よりわかるように、加熱処理することにより安定性の
高い抵抗器を製造することが出来る。
【００２６】
【実施例６】以下にこの発明の請求項６に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器をアルゴンガス雰囲気中で３００℃にて４時間加
熱処理したものを試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で
放置試験を行なった結果を図７に示す。図７において抵
抗用薄膜の下層及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場
合をＦ、更に３００℃にて４時間の加熱処理した場合を
Ｉで示した。図７よりわかるように、加熱処理すること
により安定性の高い抵抗器を製造することが出来る。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３の
抵抗器をアルゴンガス雰囲気中で３００℃にて４時間加
熱処理したものを試料とし、１５０℃の恒温恒湿槽内で
放置試験を行なった結果を図７に示す。図７において抵
抗用薄膜の下層及び上層に酸化珪素の保護膜を有する場
合をＦ、更に３００℃にて４時間の加熱処理した場合を
Ｉで示した。図７よりわかるように、加熱処理すること
により安定性の高い抵抗器を製造することが出来る。
【００２７】
【実施例７】以下にこの発明の請求項８に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３に
記載した抵抗器において図８に示すような抵抗用薄膜に
抵抗値を微調整する回路を具備させた抵抗回路形成し
た。図８において基体１上に８箇所のトリミング可能部
が設けられている。この回路では、８部または９部をト
リミングすることにより初期抵抗値に対して約２７％抵
抗値を上昇させることが可能である。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。実施例３に
記載した抵抗器において図８に示すような抵抗用薄膜に
抵抗値を微調整する回路を具備させた抵抗回路形成し
た。図８において基体１上に８箇所のトリミング可能部
が設けられている。この回路では、８部または９部をト
リミングすることにより初期抵抗値に対して約２７％抵
抗値を上昇させることが可能である。
【００２８】また、１０ａ部をトリミングすることによ
り初期抵抗値に対して約１３％の抵抗値を上昇できる。
また、１０ａ部及び１０ｂ部をトリミングすることによ
り初期抵抗値に対して約２７％の抵抗値を上昇できる。
り初期抵抗値に対して約１３％の抵抗値を上昇できる。
また、１０ａ部及び１０ｂ部をトリミングすることによ
り初期抵抗値に対して約２７％の抵抗値を上昇できる。
【００２９】また、１１ａ部をトリミングすることによ
り初期抵抗値に対して約９％の抵抗値を上昇できる。同
様に１１ａ部及び１１ｂ部をトリミングすることにより
初期抵抗値に対して約１８％の抵抗値を上昇できる。更
に、１１ａ部、１１ｂ及び１１ｃ部をトリミングするこ
とにより初期抵抗値に対して約２７％の抵抗値を上昇で
きる。
り初期抵抗値に対して約９％の抵抗値を上昇できる。同
様に１１ａ部及び１１ｂ部をトリミングすることにより
初期抵抗値に対して約１８％の抵抗値を上昇できる。更
に、１１ａ部、１１ｂ及び１１ｃ部をトリミングするこ
とにより初期抵抗値に対して約２７％の抵抗値を上昇で
きる。
【００３０】また、１２部をトリミングすることにより
初期抵抗値に対して１６％までの任意の抵抗値に上昇さ
せることが可能である。
初期抵抗値に対して１６％までの任意の抵抗値に上昇さ
せることが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明品は保護膜
として酸化珪素の薄膜を利用することにより従来技術の
様々な問題点を解決する効果が得られる。
として酸化珪素の薄膜を利用することにより従来技術の
様々な問題点を解決する効果が得られる。
【００３２】抵抗用薄膜の下層に純粋な酸化珪素の保護
膜を着膜することにより不純物を含有する基体を使用し
ても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物の影響を抑
制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などによる劣化を
防止できるため高い信頼性を確保できる。
膜を着膜することにより不純物を含有する基体を使用し
ても基体中の例えばアルカリ金属等の不純物の影響を抑
制し、使用中の抵抗器の陽極酸化現象などによる劣化を
防止できるため高い信頼性を確保できる。
【００３３】抵抗用薄膜上にの酸化珪素の保護膜を着膜
することにより高温での熱処理が可能になり保護膜形成
までに抵抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気
的に安定化する効果が得られる。
することにより高温での熱処理が可能になり保護膜形成
までに抵抗用薄膜が受ける物理的な応力を緩和し、電気
的に安定化する効果が得られる。
【００３４】本発明品を真空中又は高温環境下で使用す
る場合でもアウトガスの発生を考慮する必要がなくな
る。
る場合でもアウトガスの発生を考慮する必要がなくな
る。
【００３５】本発明品を使用することにより、抵抗器を
実装後にトリミングによる抵抗値調整が可能になるため
補正用抵抗器を必要としない。
実装後にトリミングによる抵抗値調整が可能になるため
補正用抵抗器を必要としない。
【００３６】また、本発明の実施例では保護膜の形成方
法として真空蒸着法を採用しているがスパッタリング及
びＣＶＤ法等の手法を用いても良いことは言うまでもな
い。
法として真空蒸着法を採用しているがスパッタリング及
びＣＶＤ法等の手法を用いても良いことは言うまでもな
い。
【図１】従来の抵抗器の断面図である。
【図２】及び
【図６】本発明の一実施例における平板形抵抗器の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の一実施例における円筒形抵抗器の一部
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明の一実施例における抵抗回路の説明図。
【図３】及び
【図５】本発明の実施例により製造した抵抗器の８０℃
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
【図７】本発明の実施例により製造した抵抗器の１５０
℃中での放置試験結果を示した図である。
℃中での放置試験結果を示した図である。
１ 基体 ２ 抵抗用薄膜 ３ 電極膜 ４ 保護塗装膜膜 ５ａ・５ｂ 酸化珪素保護膜 ６ キャップ ７ リード線 ８・９・１０ａ・１０ｂ・１１ａ・１１ｂ・１１ｃ・１２ ト
リミング可能部
リミング可能部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の抵抗器の断面図である。
【図２】本発明の一実施例における平板形抵抗器の断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例により製造した抵抗器の８０℃
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
【図４】本発明の一実施例における円筒形抵抗器の一部
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の実施例により製造した抵抗器の８０℃
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
９５％ＲＨ中での負荷寿命試験結果を示した図である。
【図６】本発明の一実施例における平板形抵抗器の断面
図である。
図である。
【図７】本発明の実施例により製造した抵抗器の１５０
℃中での負荷寿命試験結果を示した図である。
℃中での負荷寿命試験結果を示した図である。
【図８】本発明の一実施例における抵抗回路の説明図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ 基体 ２ 抵抗用薄膜 ３ 電極膜 ４ 保護塗装膜 ５ａ，５ｂ 酸化珪素保護膜 ６ キャップ ７ リード線 ８ トリミング可能部 ９ トリミング可能部 １０ａ，１０ｂ トリミング可能部 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ トリミング可能部 １２ トリミング可能部
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】また、本発明の実施例では保護膜の形成方
法として真空蒸着法を採用しているがスパッタリング及
びＣＶＤ法等の手法を用いても良いことは言うまでもな
い。
法として真空蒸着法を採用しているがスパッタリング及
びＣＶＤ法等の手法を用いても良いことは言うまでもな
い。
Claims (8)
- 【請求項１】 基体上に形成された抵抗用薄膜回路の下
層に酸化珪素：９９％以上の保護膜を着膜した抵抗器。 - 【請求項２】 円筒状の基体上に着膜した抵抗用薄膜の
下層に酸化珪素：９９％以上の保護膜を着膜した抵抗
器。 - 【請求項３】 基体上に形成された抵抗用薄膜回路の下
層及び上層にに酸化珪素：９９％以上の保護膜を着膜し
た抵抗器。 - 【請求項４】 請求項目３に関し、１５０℃から４００
℃の温度範囲で加熱処理した抵抗器。 - 【請求項５】 請求項目３に関し、１５０℃から４００
℃の温度範囲で真空雰囲気中で加熱処理した抵抗器。 - 【請求項６】 請求項３に関し、１５０℃から４００℃
の温度範囲で不活性ガス雰囲気中で加熱処理した抵抗
器。 - 【請求項７】 基体上に形成された抵抗用薄膜回路の上
層に酸化珪素：９９％以上の保護膜を着膜した抵抗器に
関し、抵抗用薄膜に抵抗値を微調整する回路を別途設け
た抵抗器。 - 【請求項８】 請求項３に関し、抵抗用薄膜に抵抗値を
微調整する回路を別途設けた抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058740A JPH06124802A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058740A JPH06124802A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124802A true JPH06124802A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=13092923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4058740A Pending JPH06124802A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103797A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Koa Corp | リード付き抵抗器およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP4058740A patent/JPH06124802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103797A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Koa Corp | リード付き抵抗器およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4103275A (en) | Resistance element for resistance thermometer and process for its manufacturing | |
| KR100246977B1 (ko) | 금속 산화물 피막 저항기 | |
| US4050052A (en) | Electrical temperature measuring resistor structure, particularly for resistance thermometers | |
| US4737757A (en) | Thin-film resistor | |
| US4288776A (en) | Passivated thin-film hybrid circuits | |
| US3368919A (en) | Composite protective coat for thin film devices | |
| US4498071A (en) | High resistance film resistor | |
| JPH09145489A (ja) | 抵抗温度計 | |
| US4323875A (en) | Method of making temperature sensitive device and device made thereby | |
| WO2022092033A1 (ja) | 歪センサ、機能性フィルムおよびその製造方法 | |
| US3503030A (en) | Indirectly-heated thermistor | |
| US4338145A (en) | Chrome-tantalum alloy thin film resistor and method of producing the same | |
| JPH06124802A (ja) | 抵抗器 | |
| KR20220014617A (ko) | 볼로미터 장치 및 이의 제조방법 | |
| US4161431A (en) | Process for producing thin film resistor | |
| EP4383283A1 (en) | Chip resistor and method for manufacturing chip resistor | |
| JP4802013B2 (ja) | 温度センサおよびその製造方法 | |
| JPS6334414B2 (ja) | ||
| TWI909992B (zh) | 薄膜電阻及其製造方法 | |
| US5235313A (en) | Thin film resistor and wiring board using the same | |
| JPH0145722B2 (ja) | ||
| JP2634753B2 (ja) | 歪センサ | |
| JPH0620803A (ja) | 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 | |
| JPH08219901A (ja) | 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 | |
| JP4071458B2 (ja) | 抵抗器の製造法 |