JPH06124930A - 半導体ウエハの研磨装置 - Google Patents
半導体ウエハの研磨装置Info
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- JPH06124930A JPH06124930A JP8820992A JP8820992A JPH06124930A JP H06124930 A JPH06124930 A JP H06124930A JP 8820992 A JP8820992 A JP 8820992A JP 8820992 A JP8820992 A JP 8820992A JP H06124930 A JPH06124930 A JP H06124930A
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- JP
- Japan
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- center line
- semiconductor wafer
- turntable
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】半導体ウエハ等の高度平坦面の要求に応え、生
産性の向上に寄与できる研磨装置を提供する。 【構成】半導体ウエハW等の高精度平坦面を要求される
研磨装置に関するものであり、回転軸1の上端へ固着し
た定盤2と、バキューム吸着機構を備えたチャック3
と、チャックを回転自在に且つ昇降自在に保持するアー
ム4と、アーム4を旋回可能に担持して立設する基軸5
と、半転軸6を備えたターンテーブル7と、半転軸16
を介して両側へ配設した位置合わせ装置8と加工後載置
台9と、チャック洗浄装置10とから成り、基軸5の回
動によって旋回するチャックの中心線3aの旋回軌道の
直下に位置合わせ装置8又は加工後載置台9の何れかの
一方の中心線9a及びチャック洗浄装置10の中心線1
0aが配設されているものであり、更に、基軸の回動に
よって着脱、及び、チャックの洗浄が可能であり、装置
が単純化され部品点数が削減されることによって装置そ
のものの加工精度が向上し、高精度の加工精度を安定し
て維持できる画期的なものである。
産性の向上に寄与できる研磨装置を提供する。 【構成】半導体ウエハW等の高精度平坦面を要求される
研磨装置に関するものであり、回転軸1の上端へ固着し
た定盤2と、バキューム吸着機構を備えたチャック3
と、チャックを回転自在に且つ昇降自在に保持するアー
ム4と、アーム4を旋回可能に担持して立設する基軸5
と、半転軸6を備えたターンテーブル7と、半転軸16
を介して両側へ配設した位置合わせ装置8と加工後載置
台9と、チャック洗浄装置10とから成り、基軸5の回
動によって旋回するチャックの中心線3aの旋回軌道の
直下に位置合わせ装置8又は加工後載置台9の何れかの
一方の中心線9a及びチャック洗浄装置10の中心線1
0aが配設されているものであり、更に、基軸の回動に
よって着脱、及び、チャックの洗浄が可能であり、装置
が単純化され部品点数が削減されることによって装置そ
のものの加工精度が向上し、高精度の加工精度を安定し
て維持できる画期的なものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主として、半導体ウエ
ハ等の高精度平坦面を要求されるワークのラップ盤又は
ポリッシング盤等の研磨装置に関するものである。
ハ等の高精度平坦面を要求されるワークのラップ盤又は
ポリッシング盤等の研磨装置に関するものである。
【0002】
【発明の背景】本発明に係るこの種の半導体ウエハは、
コンピュータ等の電子関連機器、所謂OA機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、歩留まりの観点か
らのより超高精度の加工精度と、作業性の観点からより
一層の拡径化が要求されてきている。
コンピュータ等の電子関連機器、所謂OA機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、歩留まりの観点か
らのより超高精度の加工精度と、作業性の観点からより
一層の拡径化が要求されてきている。
【0003】
【従来技術とその問題点】一般にシリコン等の半導体ウ
エハは、先ず、シリコン結晶体を一定の厚さにスライシ
ングし、そのスライシングした半導体ウエハを更に所望
の厚さにするために研削加工を行っている。
エハは、先ず、シリコン結晶体を一定の厚さにスライシ
ングし、そのスライシングした半導体ウエハを更に所望
の厚さにするために研削加工を行っている。
【0004】通常、研削加工はカップホイールダイヤモ
ンド砥石によって粗研削、仕上研削等に分けて行われて
いるが、昨今要求される半導体ウエハは高精度の平坦精
度と鏡面加工であり、従来のようなカップホイールダイ
ヤモンド砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削
によるダメージが残り求められる平坦精度に仕上げるの
は不可能と成ってきている。
ンド砥石によって粗研削、仕上研削等に分けて行われて
いるが、昨今要求される半導体ウエハは高精度の平坦精
度と鏡面加工であり、従来のようなカップホイールダイ
ヤモンド砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削
によるダメージが残り求められる平坦精度に仕上げるの
は不可能と成ってきている。
【0005】又、従来の研磨装置は、生産性の観点から
比較的大径とした下方定盤と略同径の上部定盤との間に
キャリァ等を介して複数枚のワークを挟圧させて同時に
研磨しているが、極薄化、拡径化する半導体ウエハでは
加工前後の定盤への着脱の際、或いは、加工中に破壊し
てしまうことが屡々あり、又、加工後の平坦精度にバラ
ツキが有り均一化が計れない等に苦慮している実情であ
る。
比較的大径とした下方定盤と略同径の上部定盤との間に
キャリァ等を介して複数枚のワークを挟圧させて同時に
研磨しているが、極薄化、拡径化する半導体ウエハでは
加工前後の定盤への着脱の際、或いは、加工中に破壊し
てしまうことが屡々あり、又、加工後の平坦精度にバラ
ツキが有り均一化が計れない等に苦慮している実情であ
る。
【0006】
【発明の目的】本発明は上記の問題点に鑑みて成された
もので、鋭意研鑚の結果、これらの問題点を一挙に解決
すると共に、広径化、極薄化する半導体ウエハの精度向
上の要望に対応できる半導体ウエハの研磨装置に創達
し、これを提供する目的である。
もので、鋭意研鑚の結果、これらの問題点を一挙に解決
すると共に、広径化、極薄化する半導体ウエハの精度向
上の要望に対応できる半導体ウエハの研磨装置に創達
し、これを提供する目的である。
【0007】
【発明の構成】本発明の構成は、回転軸の上端へ固着し
た定盤と、バキューム吸着機構を備えたチャックと、チ
ャックを保持するアームと、アームを旋回可能に担持す
る基軸と、半転軸を備えたターンテーブルと、ターンテ
ーブルへ配設した位置合わせ装置と加工後載置台と、チ
ャック洗浄装置とから成り、基軸の回動によって旋回す
るチャックの中心線の旋回軌道の直下に位置合わせ装置
又は加工後載置台との何れかの一方の中心線及びチャッ
ク洗浄装置の中心線が配設された構成である。
た定盤と、バキューム吸着機構を備えたチャックと、チ
ャックを保持するアームと、アームを旋回可能に担持す
る基軸と、半転軸を備えたターンテーブルと、ターンテ
ーブルへ配設した位置合わせ装置と加工後載置台と、チ
ャック洗浄装置とから成り、基軸の回動によって旋回す
るチャックの中心線の旋回軌道の直下に位置合わせ装置
又は加工後載置台との何れかの一方の中心線及びチャッ
ク洗浄装置の中心線が配設された構成である。
【0008】
【発明の作用】本発明の作用は、基軸を回動させてチャ
ックの中心線の旋回軌道の直下へ位置合わせ装置又は加
工後載置台との何れか一方の中心線、及び、チャック洗
浄装置の中心線を配設させて、基軸の回動によって、半
導体ウエハのチャックへの着脱、及び、チャックの洗浄
をするものである。
ックの中心線の旋回軌道の直下へ位置合わせ装置又は加
工後載置台との何れか一方の中心線、及び、チャック洗
浄装置の中心線を配設させて、基軸の回動によって、半
導体ウエハのチャックへの着脱、及び、チャックの洗浄
をするものである。
【0009】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の研磨装置
を以下実施例の図面によって説明する。
を以下実施例の図面によって説明する。
【0010】図1は本発明の一実施例の説明のための概
要平面図であり、図2はその概要側面図である。
要平面図であり、図2はその概要側面図である。
【0011】本発明は、主として、半導体ウエハW等の
高精度平坦面を要求されるワークのラップ盤又はポリッ
シング盤等の研磨装置に関するものであり、立設した回
転軸1の上端へ上面を水平保持させて固着した定盤2
と、該定盤2の上面と略平行状態で担持されたバキュー
ム吸着機構を備えたチャック3と、該チャック3を回転
自在に且つ昇降自在に保持するアーム4と、該アーム4
を水平方向に旋回可能に担持し且つ前記回転軸1と平行
して立設する基軸5と、前記定盤2の近傍に並設され半
回転する半転軸6を備えたターンテーブル7と、該ター
ンテーブル7の半転軸6を介して両側へ配設した位置合
わせ装置8と加工後載置台9と、該ターンテーブル7の
近傍に並設されたチャック洗浄装置10とから成り、前
記基軸5の回動によって旋回する前記チャック3の中心
線3aの旋回軌道の直下にターンテーブル7の位置合わ
せ装置8又は加工後載置台9の何れかの一方の中心線8
a.9a及びチャック洗浄装置10の中心線10aが配
設されているものである。
高精度平坦面を要求されるワークのラップ盤又はポリッ
シング盤等の研磨装置に関するものであり、立設した回
転軸1の上端へ上面を水平保持させて固着した定盤2
と、該定盤2の上面と略平行状態で担持されたバキュー
ム吸着機構を備えたチャック3と、該チャック3を回転
自在に且つ昇降自在に保持するアーム4と、該アーム4
を水平方向に旋回可能に担持し且つ前記回転軸1と平行
して立設する基軸5と、前記定盤2の近傍に並設され半
回転する半転軸6を備えたターンテーブル7と、該ター
ンテーブル7の半転軸6を介して両側へ配設した位置合
わせ装置8と加工後載置台9と、該ターンテーブル7の
近傍に並設されたチャック洗浄装置10とから成り、前
記基軸5の回動によって旋回する前記チャック3の中心
線3aの旋回軌道の直下にターンテーブル7の位置合わ
せ装置8又は加工後載置台9の何れかの一方の中心線8
a.9a及びチャック洗浄装置10の中心線10aが配
設されているものである。
【0012】即ち、本発明は、昨今要求されるシリコン
等の半導体ウエハWの極薄化、拡径化、高精度の平坦加
工に充分に対応できるラップ盤又はポリッシング盤等の
研磨装置に関するものである。
等の半導体ウエハWの極薄化、拡径化、高精度の平坦加
工に充分に対応できるラップ盤又はポリッシング盤等の
研磨装置に関するものである。
【0013】本発明の立設した回転軸1はモーター等の
駆動源を得て機械的な接続によって適宜回転しているも
のであり、定盤2は前記回転軸1の上端へ上面を水平保
持させて固着されているものであり、通常のラップ盤等
に用いられている定盤2である。
駆動源を得て機械的な接続によって適宜回転しているも
のであり、定盤2は前記回転軸1の上端へ上面を水平保
持させて固着されているものであり、通常のラップ盤等
に用いられている定盤2である。
【0014】前記チャック3は下面を前記定盤2の上面
と略平行状態でアーム4に担持され、該チャック3の下
面のワーク吸着面へはポーラスセラミック等の通気部材
又は該ワーク吸着面を貫通する小孔を多数穿設して真空
ポンプ等の連繋されバキューム吸着機構を備えたもので
あり、該チャック3はアーム4とチャック保持軸3bを
介して組設され前記定盤2の上面とは略平行状態に且つ
回転、昇降自在に保持されているものである。
と略平行状態でアーム4に担持され、該チャック3の下
面のワーク吸着面へはポーラスセラミック等の通気部材
又は該ワーク吸着面を貫通する小孔を多数穿設して真空
ポンプ等の連繋されバキューム吸着機構を備えたもので
あり、該チャック3はアーム4とチャック保持軸3bを
介して組設され前記定盤2の上面とは略平行状態に且つ
回転、昇降自在に保持されているものである。
【0015】前記アーム4は基端側を基軸5へ担持さ
せ、該基軸5の回動によって水平方向に旋回可能なもの
であり、先端側へは前記チャック3をチャック保持軸3
bを介して回転自在且つ昇降自在に保持させるものであ
り、加えて、チャック3へ揺動作用を付与するカム等に
よる揺動機構も備えているものであり、前記定盤2の回
転軸1と基軸5とは平行に立設させるものである。
せ、該基軸5の回動によって水平方向に旋回可能なもの
であり、先端側へは前記チャック3をチャック保持軸3
bを介して回転自在且つ昇降自在に保持させるものであ
り、加えて、チャック3へ揺動作用を付与するカム等に
よる揺動機構も備えているものであり、前記定盤2の回
転軸1と基軸5とは平行に立設させるものである。
【0016】そして、ターンテーブル7は前記定盤2の
近傍に並設するものであり、前記ターンテーブル7の中
心へは半回転する半転軸6を備え、該半転軸6の両側へ
は位置合わせ装置8と加工後載置台9とを配設したもの
であり、つまり、半転軸6は水平方向に180度宛半回
転、停止を繰り返すことによって、位置合わせ装置8と
加工後載置台9とを配設したターンテーブル7も半転
し、チャック3の中心線3aの旋回軌道の直下へは位置
合わせ装置8の中心線8a又は加工後載置台9の中心線
9aの何れか一方が半回転停止時に位置するものあり、
ターンテーブル7を半回転させることによってその位置
を入れ替えるものである。
近傍に並設するものであり、前記ターンテーブル7の中
心へは半回転する半転軸6を備え、該半転軸6の両側へ
は位置合わせ装置8と加工後載置台9とを配設したもの
であり、つまり、半転軸6は水平方向に180度宛半回
転、停止を繰り返すことによって、位置合わせ装置8と
加工後載置台9とを配設したターンテーブル7も半転
し、チャック3の中心線3aの旋回軌道の直下へは位置
合わせ装置8の中心線8a又は加工後載置台9の中心線
9aの何れか一方が半回転停止時に位置するものあり、
ターンテーブル7を半回転させることによってその位置
を入れ替えるものである。
【0017】更に、ターンテーブル7の近傍には前記チ
ャック3のワーク吸着面を洗浄するための高速回転する
ブラシ、洗浄液噴射ノズル等を備えたチャック洗浄装置
10を並設しているものである。
ャック3のワーク吸着面を洗浄するための高速回転する
ブラシ、洗浄液噴射ノズル等を備えたチャック洗浄装置
10を並設しているものである。
【0018】本発明は、定盤2の回転軸1、基軸5、タ
ーンテーブル7の半転軸6、及び、チャック3の中心線
3a、位置合わせ装置8の中心線8a、加工後載置台9
の中心線9a、チャック洗浄装置10の中心線10aは
夫々上下方向に平行にして配設されたものであって、加
えて、基軸5の中心線5aからチャック3の中心線3a
までの距離と、基軸5の中心線5aから位置合わせ装置
8の中心線8a又は加工後載置台9の中心線9aまでの
距離と、基軸5の中心線5aからチャック洗浄装置10
の中心線10aまでの距離とが円弧上に等距離に配設さ
れているものである。
ーンテーブル7の半転軸6、及び、チャック3の中心線
3a、位置合わせ装置8の中心線8a、加工後載置台9
の中心線9a、チャック洗浄装置10の中心線10aは
夫々上下方向に平行にして配設されたものであって、加
えて、基軸5の中心線5aからチャック3の中心線3a
までの距離と、基軸5の中心線5aから位置合わせ装置
8の中心線8a又は加工後載置台9の中心線9aまでの
距離と、基軸5の中心線5aからチャック洗浄装置10
の中心線10aまでの距離とが円弧上に等距離に配設さ
れているものである。
【0019】本発明の半導体ウエハWは、先ず、単品毎
に桟体で仕切られて集積格納されているカセットCから
伸縮可能なアーム部を有し先端に吸着パットを備えた移
送アーム11等で前記ターンテーブル7の位置合わせ装
置8の上に載置し位置合わせをした後に、基軸5を回動
させてチャック3を位置合わせ装置8の上方へ旋回さ
せ、チャック3を降下させてバキューム吸着機構を作動
させてチャック3のワーク吸着面へ半導体ウエハWを確
りと吸着させ、その状態でチャック3を上昇させ、基軸
5を逆方向に回動させて定盤2の上方まで旋回させ、チ
ャック3を降下させて定盤2の上面へ半導体ウエハWを
押圧させて加工を施すものであり、半導体ウエハWは平
坦状のワーク吸着面の全体で密着吸着されるもので、チ
ャック3と一体化して、加工中の半導体ウエハWの破壊
又は欠落は皆無と成るものであると共に、チャック3の
定盤2に対する押圧力を増して時間当たりの研磨量を大
幅に増大することを可能とするものである。
に桟体で仕切られて集積格納されているカセットCから
伸縮可能なアーム部を有し先端に吸着パットを備えた移
送アーム11等で前記ターンテーブル7の位置合わせ装
置8の上に載置し位置合わせをした後に、基軸5を回動
させてチャック3を位置合わせ装置8の上方へ旋回さ
せ、チャック3を降下させてバキューム吸着機構を作動
させてチャック3のワーク吸着面へ半導体ウエハWを確
りと吸着させ、その状態でチャック3を上昇させ、基軸
5を逆方向に回動させて定盤2の上方まで旋回させ、チ
ャック3を降下させて定盤2の上面へ半導体ウエハWを
押圧させて加工を施すものであり、半導体ウエハWは平
坦状のワーク吸着面の全体で密着吸着されるもので、チ
ャック3と一体化して、加工中の半導体ウエハWの破壊
又は欠落は皆無と成るものであると共に、チャック3の
定盤2に対する押圧力を増して時間当たりの研磨量を大
幅に増大することを可能とするものである。
【0020】研磨研削加工が終了すると半導体ウエハW
をチャック3と共に上昇させ、基軸5を回動させてター
ンテーブル7の上方に旋回させるものであるが、半導体
ウエハWの加工中にターンテーブル7の半転軸6を半回
転させて位置合わせ装置8と加工後載置台9の位置を入
れ替えるものであり、チャック3を降下させて加工後載
置台9の上面でバキューム吸着を開放し半導体ウエハW
を載置するものである。
をチャック3と共に上昇させ、基軸5を回動させてター
ンテーブル7の上方に旋回させるものであるが、半導体
ウエハWの加工中にターンテーブル7の半転軸6を半回
転させて位置合わせ装置8と加工後載置台9の位置を入
れ替えるものであり、チャック3を降下させて加工後載
置台9の上面でバキューム吸着を開放し半導体ウエハW
を載置するものである。
【0021】次いで、チャック3を上昇させ、基軸5を
回動させチャック3をチャック洗浄装置10まで旋回さ
せるものであり、そして、チャック3を降下させてワー
ク吸着面を洗浄するものであり、洗浄後は再びチャック
3を上昇させてターンテーブル7の上方まで旋回させる
ものであり、一方、研磨加工後の半導体ウエハWは前記
加工後載置台9の上面から吸着パットを備えた移送アー
ム4で格納用カセットCへ単品毎に集積格納されるもの
であるが、前記加工後載置台9へ洗浄及び乾燥機等を設
けても構わないものである。
回動させチャック3をチャック洗浄装置10まで旋回さ
せるものであり、そして、チャック3を降下させてワー
ク吸着面を洗浄するものであり、洗浄後は再びチャック
3を上昇させてターンテーブル7の上方まで旋回させる
ものであり、一方、研磨加工後の半導体ウエハWは前記
加工後載置台9の上面から吸着パットを備えた移送アー
ム4で格納用カセットCへ単品毎に集積格納されるもの
であるが、前記加工後載置台9へ洗浄及び乾燥機等を設
けても構わないものである。
【0022】そして、ターンテーブル7の半転軸6を半
回転させて加工後載置台9と位置合わせ装置8の位置を
入れ替えるものであり、前述を繰返し且つ自動的に作動
させるものであり、又、本発明は研磨装置としているが
研削装置にも応用できるものであり、ワークも半導体ウ
エハWに限定するものではないものである。
回転させて加工後載置台9と位置合わせ装置8の位置を
入れ替えるものであり、前述を繰返し且つ自動的に作動
させるものであり、又、本発明は研磨装置としているが
研削装置にも応用できるものであり、ワークも半導体ウ
エハWに限定するものではないものである。
【0023】
【発明の効果】本発明の前述ように、半導体ウエハ等の
ワークはバキューム吸着機構を備えたチャックへ確りと
バキューム吸着されて研磨されるため極薄化、拡径化さ
れたものでも破壊したり、欠けたりする虞れは無く、更
に、基軸の回動によってチャックが旋回して半導体ウエ
ハの着脱、及び、チャックの洗浄が可能であり、装置が
単純化され部品点数が削減されることによって装置その
ものの加工精度が向上し、ワンチャックでの研磨加工で
あるので加工後の半導体ウエハの平坦精度にむらがな
く、高精度の加工精度を安定して維持できる画期的なも
のである。
ワークはバキューム吸着機構を備えたチャックへ確りと
バキューム吸着されて研磨されるため極薄化、拡径化さ
れたものでも破壊したり、欠けたりする虞れは無く、更
に、基軸の回動によってチャックが旋回して半導体ウエ
ハの着脱、及び、チャックの洗浄が可能であり、装置が
単純化され部品点数が削減されることによって装置その
ものの加工精度が向上し、ワンチャックでの研磨加工で
あるので加工後の半導体ウエハの平坦精度にむらがな
く、高精度の加工精度を安定して維持できる画期的なも
のである。
【0024】
【図1】図1は本発明の一実施例の説明のための概要平
面図である。
面図である。
【図2】図2はその概要側面図である。
【0025】
W 半導体ウエハW C カセット 1 回転軸 2 定盤 3 チャック 3a チャックの中心線 3b チャック保持軸 4 アーム 5 基軸 5a 基軸の中心線 6 半転軸 7 ターンテーブル 8 位置合わせ装置 8a 位置合わせ装置の中心線 9 加工後載置台 9a 加工後載置台の中心線 10 チャック洗浄装置 10a チャック洗浄装置の中心線 11 移送アーム
Claims (1)
- 【請求項1】半導体ウエハを研磨加工する装置であっ
て、 立設した回転軸の上端へ上面を水平保持させて固着した
定盤と、該定盤の上面と略平行状態で担持されたバキュ
ーム吸着機構を備えたチャックと、該チャックを回転自
在に且つ昇降自在に保持するアームと、該アームを水平
方向に旋回可能に担持し且つ前記回転軸と平行して立設
する基軸と、前記定盤の近傍に並設され半回転する半転
軸を備えたターンテーブルと、該ターンテーブルの半転
軸を介して両側へ配設した位置合わせ装置と加工後載置
台と、該ターンテーブルの近傍に並設されたチャック洗
浄装置とから成り、前記基軸の回動によって旋回する前
記チャックの中心線の旋回軌道の直下にターンテーブル
の位置合わせ装置又は加工後載置台の何れかの一方の中
心線及びチャック洗浄装置の中心線が配設されているこ
とを特徴とする半導体ウエハの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8820992A JPH06124930A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体ウエハの研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8820992A JPH06124930A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体ウエハの研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124930A true JPH06124930A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=13936519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8820992A Pending JPH06124930A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体ウエハの研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116021392A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-04-28 | 深圳市梦启半导体装备有限公司 | 晶圆倒角加工全自动设备 |
| KR20230115658A (ko) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 주식회사 실트렉스 | 웨이퍼 교체 및 헤드 세척장치 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP8820992A patent/JPH06124930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230115658A (ko) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 주식회사 실트렉스 | 웨이퍼 교체 및 헤드 세척장치 |
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