JPH06128079A - 縦型液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
縦型液相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH06128079A JPH06128079A JP3116196A JP11619691A JPH06128079A JP H06128079 A JPH06128079 A JP H06128079A JP 3116196 A JP3116196 A JP 3116196A JP 11619691 A JP11619691 A JP 11619691A JP H06128079 A JPH06128079 A JP H06128079A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エピタキシャル成長終了時の原料溶液の排出
を確実にして、ウエハ表面上の液残り不良を解消した縦
型液相エピタキシャル成長装置を提供しようとするもの
である。 【構成】 側壁の一部に原料溶液排出用開口部を設けた
ウエハ収納皿と、該ウエハ収納皿を積層して格納するカ
セットとを有し、該カセットの一端に原料溶液を流下さ
せる通路を備えた液相エピタキシャル成長装置におい
て、原料溶液に対して濡れ性の良好な材質、例えば、成
長基板と同じ材質で作った短冊を上記ウエハ収納皿の開
口部の一端に接し、下方に延びるように配置したことを
特徴とする縦型液相エピタキシャル成長装置である。
を確実にして、ウエハ表面上の液残り不良を解消した縦
型液相エピタキシャル成長装置を提供しようとするもの
である。 【構成】 側壁の一部に原料溶液排出用開口部を設けた
ウエハ収納皿と、該ウエハ収納皿を積層して格納するカ
セットとを有し、該カセットの一端に原料溶液を流下さ
せる通路を備えた液相エピタキシャル成長装置におい
て、原料溶液に対して濡れ性の良好な材質、例えば、成
長基板と同じ材質で作った短冊を上記ウエハ収納皿の開
口部の一端に接し、下方に延びるように配置したことを
特徴とする縦型液相エピタキシャル成長装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型液相エピタキシャ
ル成長装置に関し、特に、発光ダイオード等に用いられ
るＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体
エピタキシャルウエハの成長に適した縦型液相エピタキ
シャル成長装置に関する。
ル成長装置に関し、特に、発光ダイオード等に用いられ
るＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体
エピタキシャルウエハの成長に適した縦型液相エピタキ
シャル成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】多数のウエハを同時にエピタキシャル成
長させる縦型液相エピタキシャル成長装置は、特開昭５
９─２１３６９９号公報に記載されている。図３はこの
装置の正断面図であり、図４は図３で使用されているウ
エハ収納皿の斜視図である。ウエハ１は収納皿２に収納
され、該収納皿２はカセット３内に積層配置される。な
お、該カセット３内には原料溶液４を流す通路６が設け
られている。このカセット３は回収容器７の上に置か
れ、カセット３の上には原料溶液溜５が置かれる。原料
溶液４は原料溶液溜５の底部開口から通路６を通ってカ
セット３の内部を満たし、ウエハ１の上にエピタキシャ
ル層を成長させる。成長後、原料溶液４は通路６を通っ
て回収容器７に回収される。
長させる縦型液相エピタキシャル成長装置は、特開昭５
９─２１３６９９号公報に記載されている。図３はこの
装置の正断面図であり、図４は図３で使用されているウ
エハ収納皿の斜視図である。ウエハ１は収納皿２に収納
され、該収納皿２はカセット３内に積層配置される。な
お、該カセット３内には原料溶液４を流す通路６が設け
られている。このカセット３は回収容器７の上に置か
れ、カセット３の上には原料溶液溜５が置かれる。原料
溶液４は原料溶液溜５の底部開口から通路６を通ってカ
セット３の内部を満たし、ウエハ１の上にエピタキシャ
ル層を成長させる。成長後、原料溶液４は通路６を通っ
て回収容器７に回収される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の縦型液相エピタ
キシャル成長装置では、エピタキシャル成長を終了する
ために原料溶液をカセットから排出するが、その際にウ
エハ表面上に原料溶液が残留する、いわゆる液残り不良
が発生し易いという問題があった。図５及び図６は液残
り不良を説明するための図であり、図５はウエハ収納皿
の平面図、図６は側断面図である。図５及び図６（ａ）
から明らかなように、ウエハ収納皿２の開口部９付近に
液残り不良１０が発生しやすい。そこで、本発明は、上
記の問題点を解消し、液残り不良を防止することのでき
る縦型液相エピタキシャル成長装置を提供しようとする
ものである。
キシャル成長装置では、エピタキシャル成長を終了する
ために原料溶液をカセットから排出するが、その際にウ
エハ表面上に原料溶液が残留する、いわゆる液残り不良
が発生し易いという問題があった。図５及び図６は液残
り不良を説明するための図であり、図５はウエハ収納皿
の平面図、図６は側断面図である。図５及び図６（ａ）
から明らかなように、ウエハ収納皿２の開口部９付近に
液残り不良１０が発生しやすい。そこで、本発明は、上
記の問題点を解消し、液残り不良を防止することのでき
る縦型液相エピタキシャル成長装置を提供しようとする
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、側壁の一部に
原料溶液排出用開口部を設けたウエハ収納皿と、該ウエ
ハ収納皿を積層して格納するカセットとを有し、該カセ
ットの一端に原料溶液を流下させる通路を備えた液相エ
ピタキシャル成長装置において、原料溶液に対して濡れ
性の良好な材質、例えば、成長基板と同じ材質で作った
短冊を上記ウエハ収納皿の開口部の一端に接し、下方に
延びるように配置したことを特徴とする縦型液相エピタ
キシャル成長装置である。
原料溶液排出用開口部を設けたウエハ収納皿と、該ウエ
ハ収納皿を積層して格納するカセットとを有し、該カセ
ットの一端に原料溶液を流下させる通路を備えた液相エ
ピタキシャル成長装置において、原料溶液に対して濡れ
性の良好な材質、例えば、成長基板と同じ材質で作った
短冊を上記ウエハ収納皿の開口部の一端に接し、下方に
延びるように配置したことを特徴とする縦型液相エピタ
キシャル成長装置である。
【０００５】
【作用】図１は、本発明の１具体例である縦型液相エピ
タキシャル成長装置の正断面図であり、図２は図１で使
用するウエハ収納皿と短冊との位置関係の１例を示した
斜視図である。この装置は、図３の従来装置の通路６内
に短冊８を配置したもので、短冊８の一端をウエハ収納
皿２の開口部に接するように保持する。この短冊８は、
原料溶液４に対して濡れ性の良好な材質、例えば、ウエ
ハと同じ材質、原料溶液に含まれる材質等で作られる。
タキシャル成長装置の正断面図であり、図２は図１で使
用するウエハ収納皿と短冊との位置関係の１例を示した
斜視図である。この装置は、図３の従来装置の通路６内
に短冊８を配置したもので、短冊８の一端をウエハ収納
皿２の開口部に接するように保持する。この短冊８は、
原料溶液４に対して濡れ性の良好な材質、例えば、ウエ
ハと同じ材質、原料溶液に含まれる材質等で作られる。
【０００６】この種の装置では、通常ウエハ収納皿やカ
セット等の治具は、原料溶液に対して濡れ性の悪い高純
度カーボンで作られているが、カセット内に多数のウエ
ハを格納可能とするためウエハ収納皿を浅くする傾向に
ある。その結果、原料溶液はウエハ収納皿の下面に濡れ
ないが、ウエハに対する濡れ性が良く、ウエハ収納皿が
浅いため、図６（ａ）に示すように、原料溶液４は通路
に排出されずに液残り不良を発生する。
セット等の治具は、原料溶液に対して濡れ性の悪い高純
度カーボンで作られているが、カセット内に多数のウエ
ハを格納可能とするためウエハ収納皿を浅くする傾向に
ある。その結果、原料溶液はウエハ収納皿の下面に濡れ
ないが、ウエハに対する濡れ性が良く、ウエハ収納皿が
浅いため、図６（ａ）に示すように、原料溶液４は通路
に排出されずに液残り不良を発生する。
【０００７】そこで、本発明では、原料溶液４に対して
濡れ性の良好な短冊８を通路内に配置することにより、
図６（ｂ）のように該短冊をガイドとして原料溶液４を
速やかに除去することを可能にしたものであり、エピタ
キシャル成長の終了を早期に完結することができる。そ
の結果、ウエハ表面に液残り不良を有しない良好なエピ
タキシャルウエハを安定して得ることができるようにな
った。なお、短冊の配置は、図２に限定されることはな
く、短冊はウエハ収納皿と若干離れていてもよい。要
は、ウエハ表面の原料溶液を速やかに除去できる位置関
係を備えていればよい。
濡れ性の良好な短冊８を通路内に配置することにより、
図６（ｂ）のように該短冊をガイドとして原料溶液４を
速やかに除去することを可能にしたものであり、エピタ
キシャル成長の終了を早期に完結することができる。そ
の結果、ウエハ表面に液残り不良を有しない良好なエピ
タキシャルウエハを安定して得ることができるようにな
った。なお、短冊の配置は、図２に限定されることはな
く、短冊はウエハ収納皿と若干離れていてもよい。要
は、ウエハ表面の原料溶液を速やかに除去できる位置関
係を備えていればよい。
【０００８】
（実施例）図１の装置を用いて、直径２インチ（５０ｍ
ｍ）のＺｎドープ（１００）ＧａＡｓウエハの上にＺｎ
ドープのＡｌＧａＡｓエピタキシャル層の成長を行っ
た。カセット内の通路にはＧａＡｓ基板から切り出した
短冊を配置した。また、ウエハ収納皿、カセット等の成
長治具は高純度カーボン製のものを使用した。カセット
内に上記のウエハを１０枚セットし、原料溶液溜にはＧ
ａを１０００ｇ、Ａｌを５０５０ｍｇ、ＧａＡｓ多結晶
を４０ｇ、ドーパントとしてＺｎを１０００ｍｇ投入し
た。エピタキシャル成長は、高純度水素雰囲気中で９０
０℃まで昇温した後、原料溶液をカセット内に導入し、
冷却速度０．１〜１．０℃／ｍｉｎで６００℃まで降温
し、次いで、原料溶液を回収容器に排出した。得られた
ウエハには、液残り不良が全く認められず、良好なエピ
タキシャル層を有するウエハを得ることができた。比較
のために、図１の装置から上記短冊を除いて上記と同様
にエピタキシャル成長を行ったところ、得られたウエハ
のうち５枚に図５に示したような液残り不良が観察され
た。
ｍ）のＺｎドープ（１００）ＧａＡｓウエハの上にＺｎ
ドープのＡｌＧａＡｓエピタキシャル層の成長を行っ
た。カセット内の通路にはＧａＡｓ基板から切り出した
短冊を配置した。また、ウエハ収納皿、カセット等の成
長治具は高純度カーボン製のものを使用した。カセット
内に上記のウエハを１０枚セットし、原料溶液溜にはＧ
ａを１０００ｇ、Ａｌを５０５０ｍｇ、ＧａＡｓ多結晶
を４０ｇ、ドーパントとしてＺｎを１０００ｍｇ投入し
た。エピタキシャル成長は、高純度水素雰囲気中で９０
０℃まで昇温した後、原料溶液をカセット内に導入し、
冷却速度０．１〜１．０℃／ｍｉｎで６００℃まで降温
し、次いで、原料溶液を回収容器に排出した。得られた
ウエハには、液残り不良が全く認められず、良好なエピ
タキシャル層を有するウエハを得ることができた。比較
のために、図１の装置から上記短冊を除いて上記と同様
にエピタキシャル成長を行ったところ、得られたウエハ
のうち５枚に図５に示したような液残り不良が観察され
た。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、成長終了後の原料溶液を、濡れ性の良い短冊を介
して早期に排出することができ、液残り不良のない良好
なエピタキシャル層を成長させることができるようにな
った。
より、成長終了後の原料溶液を、濡れ性の良い短冊を介
して早期に排出することができ、液残り不良のない良好
なエピタキシャル層を成長させることができるようにな
った。
【図１】本発明の１具体例である縦型液相エピタキシャ
ル成長装置の正断面図である。
ル成長装置の正断面図である。
【図２】図１の装置におけるウエハ収納皿と短冊との位
置関係を示した斜視図である。
置関係を示した斜視図である。
【図３】従来の縦型液相エピタキシャル成長装置の正断
面図である。
面図である。
【図４】図３の装置に使用したウエハ収納皿の斜視図で
ある。
ある。
【図５】従来装置で成長させた、ウエハ表面上の液残り
不良を示した平面図である。
不良を示した平面図である。
【図６】従来装置におけるウエハ表面上の液残りと、本
発明装置における原料溶液の排出状況を説明するための
図である。
発明装置における原料溶液の排出状況を説明するための
図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 側壁の一部に原料溶液排出用開口部を設
けたウエハ収納皿と、該ウエハ収納皿を積層して格納す
るカセットとを有し、該カセットの一端に原料溶液を流
下させる通路を備えた液相エピタキシャル成長装置にお
いて、原料溶液に対して濡れ性の良好な材質で作った短
冊を上記ウエハ収納皿の開口部の一端に接し、下方に延
びるように配置したことを特徴とする縦型液相エピタキ
シャル成長装置。 - 【請求項２】 成長基板と同じ材質の短冊を使用したこ
とを特徴とする請求項１記載の縦型液相エピタキシャル
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116196A JPH06128079A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 縦型液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116196A JPH06128079A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 縦型液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06128079A true JPH06128079A (ja) | 1994-05-10 |
Family
ID=14681218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116196A Pending JPH06128079A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 縦型液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06128079A (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3116196A patent/JPH06128079A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040203 |