JPH06130347A - 情報記録媒体及び情報記録再生方法 - Google Patents
情報記録媒体及び情報記録再生方法Info
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- JPH06130347A JPH06130347A JP2472292A JP2472292A JPH06130347A JP H06130347 A JPH06130347 A JP H06130347A JP 2472292 A JP2472292 A JP 2472292A JP 2472292 A JP2472292 A JP 2472292A JP H06130347 A JPH06130347 A JP H06130347A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 電極層13、光導電層14、情報記録層1
1、電極層13′を順次設けた情報記録媒体において、
少なくとも一方の電極が透明であり、かつ情報記録層が
液晶相及び樹脂相からなる。また、情報記録層11は、
液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料との混合溶液が塗布さ
れた後、紫外線照射により硬化され、その外表面層が紫
外線硬化型樹脂からなるスキン層に形成されたものであ
る。 【効果】 セル化しなくても液晶を保持でき、簡便に電
気光学効果が得られる。また、情報記録層ギャップを均
一に小さくでき大面積の情報記録媒体作製が可能であ
り、更に高解像度の像を記録、再生することができる。
また、電界の変調によりアナログの画像記録が可能であ
り、情報再生に際して偏向板が不用であり、又、情報の
読み取りに際しての光学系が単純化しうる。
1、電極層13′を順次設けた情報記録媒体において、
少なくとも一方の電極が透明であり、かつ情報記録層が
液晶相及び樹脂相からなる。また、情報記録層11は、
液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料との混合溶液が塗布さ
れた後、紫外線照射により硬化され、その外表面層が紫
外線硬化型樹脂からなるスキン層に形成されたものであ
る。 【効果】 セル化しなくても液晶を保持でき、簡便に電
気光学効果が得られる。また、情報記録層ギャップを均
一に小さくでき大面積の情報記録媒体作製が可能であ
り、更に高解像度の像を記録、再生することができる。
また、電界の変調によりアナログの画像記録が可能であ
り、情報再生に際して偏向板が不用であり、又、情報の
読み取りに際しての光学系が単純化しうる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧印加時露光記録方
法により記録された静電情報を可視情報として得ること
のできる情報記録媒体及びその情報記録再生方法に関す
る。
法により記録された静電情報を可視情報として得ること
のできる情報記録媒体及びその情報記録再生方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の電子写真技術においては、一対の
電極間に光導電層上にネマチック液晶を封入した液晶セ
ル、液晶配向用絶縁層を順次積層した情報記録媒体が知
られ、情報記録に際しては電極間に電圧を印加した状態
で情報露光して情報露光部における光導電層の抵抗を下
げて液晶を配向させ、偏向板を使用して可視像を得るも
のが知られている。
電極間に光導電層上にネマチック液晶を封入した液晶セ
ル、液晶配向用絶縁層を順次積層した情報記録媒体が知
られ、情報記録に際しては電極間に電圧を印加した状態
で情報露光して情報露光部における光導電層の抵抗を下
げて液晶を配向させ、偏向板を使用して可視像を得るも
のが知られている。
【0003】この情報記録媒体は、液晶を封入するため
にセル化する必要があり、しかも初期においてツイスト
ネマチック配向を行うためにセル両面をラビング処理等
により配向処理した絶縁膜を設けたり、更にセルギャッ
プを一定に保つためにスペーサーを混合する必要があ
り、解像度の高い像を得ることかできない。又、ギャッ
プあるいはセルを作製するためにリジッドで透明性のあ
る支持体が必要であることから、光学的な問題がある。
更に、このように初期状態において配向処理を施したも
のは、読み取りの際に偏光板を用いなければ検出するこ
とができないという問題もある。
にセル化する必要があり、しかも初期においてツイスト
ネマチック配向を行うためにセル両面をラビング処理等
により配向処理した絶縁膜を設けたり、更にセルギャッ
プを一定に保つためにスペーサーを混合する必要があ
り、解像度の高い像を得ることかできない。又、ギャッ
プあるいはセルを作製するためにリジッドで透明性のあ
る支持体が必要であることから、光学的な問題がある。
更に、このように初期状態において配向処理を施したも
のは、読み取りの際に偏光板を用いなければ検出するこ
とができないという問題もある。
【0004】一方、最近、液晶セルにおける液晶層に高
分子分散型液晶としたものが開発され、このような媒体
においてはITO電極を有する2枚の基板に挟持した状
態で保持されているが、この媒体を基板/ITO電極/
液晶層の構成とし、感光体と対向させた状態での電圧印
加時露光により、情報光に応じた放電現象により液晶層
に静電情報を記録する方法に使用する場合には、高分子
分散型液晶においてその表面に液晶の滲み出し現象が起
こり、情報記録に際してノイズとなるという問題があ
り、また基板/ITO電極/液晶層/ITO電極の構成
として両電極間に電圧印加して液晶層を配向させて情報
記録する方法に使用する場合には、やはり液晶の滲み出
しにより、表面層のITO電極にひび割れ、浮きだし等
が生じ導電性が低下するという問題が生じる。
分子分散型液晶としたものが開発され、このような媒体
においてはITO電極を有する2枚の基板に挟持した状
態で保持されているが、この媒体を基板/ITO電極/
液晶層の構成とし、感光体と対向させた状態での電圧印
加時露光により、情報光に応じた放電現象により液晶層
に静電情報を記録する方法に使用する場合には、高分子
分散型液晶においてその表面に液晶の滲み出し現象が起
こり、情報記録に際してノイズとなるという問題があ
り、また基板/ITO電極/液晶層/ITO電極の構成
として両電極間に電圧印加して液晶層を配向させて情報
記録する方法に使用する場合には、やはり液晶の滲み出
しにより、表面層のITO電極にひび割れ、浮きだし等
が生じ導電性が低下するという問題が生じる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶層とし
て高分子分散型液晶を使用する情報記録媒体の改良に関
するものであり、静電情報を精度よく記録することがで
き、情報再生の簡単な情報記録媒体及び情報記録再生方
法の提供を課題とする。
て高分子分散型液晶を使用する情報記録媒体の改良に関
するものであり、静電情報を精度よく記録することがで
き、情報再生の簡単な情報記録媒体及び情報記録再生方
法の提供を課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の情報記録
媒体は、電極層、光導電層、情報記録層、電極層を順次
設けた情報記録媒体において、少なくとも一方の電極が
透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相からな
ることを特徴とする。
媒体は、電極層、光導電層、情報記録層、電極層を順次
設けた情報記録媒体において、少なくとも一方の電極が
透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相からな
ることを特徴とする。
【0007】また、本発明の第2の情報記録媒体は、電
極層、光導電層、透明絶縁層、情報記録層、電極層を順
次設けた情報記録媒体において、少なくとも一方の電極
が透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相から
なることを特徴とする。
極層、光導電層、透明絶縁層、情報記録層、電極層を順
次設けた情報記録媒体において、少なくとも一方の電極
が透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相から
なることを特徴とする。
【0008】更に、上記情報記録層は、液晶と紫外線硬
化型樹脂形成材料との混合溶液が塗布された後、紫外線
照射により硬化され、その外表面層が紫外線硬化型樹脂
のみからなるスキン層に形成されたことを特徴とする。
化型樹脂形成材料との混合溶液が塗布された後、紫外線
照射により硬化され、その外表面層が紫外線硬化型樹脂
のみからなるスキン層に形成されたことを特徴とする。
【0009】また、本発明の情報記録再生方法は、上記
第1の情報記録媒体又は第2の情報記録媒体の両電極間
に電圧を印加しつつ情報露光して情報に応じて液晶相を
配向させることにより情報記録を行い、情報記録の再生
にあたっては透過光或いは反射光により可視情報として
再生することを特徴とする。
第1の情報記録媒体又は第2の情報記録媒体の両電極間
に電圧を印加しつつ情報露光して情報に応じて液晶相を
配向させることにより情報記録を行い、情報記録の再生
にあたっては透過光或いは反射光により可視情報として
再生することを特徴とする。
【0010】以下、本発明の情報記録媒体及び情報記録
再生方法について説明する。
再生方法について説明する。
【0011】図1(a)は、本発明の第1の情報記録媒
体の断面を模式的に説明するための図で、図中3は情報
記録媒体、11は情報記録層、13、13′は電極層、
14は光導電層、15は基板である。
体の断面を模式的に説明するための図で、図中3は情報
記録媒体、11は情報記録層、13、13′は電極層、
14は光導電層、15は基板である。
【0012】本発明の第1の情報記録媒体について説明
する。
する。
【0013】図1(a)に示すように、第1の情報記録
媒体は、電極層13上に、光導電層14、情報記録層1
1、電極層13′を順次積層したものである。
媒体は、電極層13上に、光導電層14、情報記録層1
1、電極層13′を順次積層したものである。
【0014】電極層13、13′は、いずれか一方、ま
たは両方が透明性であればよく、比抵抗値が106 Ω・
cm以下の金属薄膜導電膜、無機金属酸化物導電膜、四級
アンモニウム塩等の有機導電膜等である。電極層13は
蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メッ
キ、ディッピング、電解重合等の方法により形成され
る。またその膜厚は電極を構成する材料の電気特性、お
よび情報記録の際の印加電圧により変化させる必要があ
るが、例えばITO膜では100〜3000Å程度であ
り、情報記録層との間の全面、或いは情報記録層の形成
パターンに合わせて形成される。
たは両方が透明性であればよく、比抵抗値が106 Ω・
cm以下の金属薄膜導電膜、無機金属酸化物導電膜、四級
アンモニウム塩等の有機導電膜等である。電極層13は
蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メッ
キ、ディッピング、電解重合等の方法により形成され
る。またその膜厚は電極を構成する材料の電気特性、お
よび情報記録の際の印加電圧により変化させる必要があ
るが、例えばITO膜では100〜3000Å程度であ
り、情報記録層との間の全面、或いは情報記録層の形成
パターンに合わせて形成される。
【0015】基板15は、カード、フィルム、テープ、
ディスク等の形状を有した情報記録媒体を強度的に支持
するものであり、情報記録層が支持性を有する場合には
設ける必要がないが、情報記録層を支持することができ
るある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは特
に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィル
ム、或いは硝子、プラスチックシート、カード等の剛体
が使用される。具体的には、情報記録媒体がフレキシブ
ルなフィルム、テープ、ディスク、カード形状をとる場
合にはフレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使
用され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、
ガラス等の無機材料等が使用される。
ディスク等の形状を有した情報記録媒体を強度的に支持
するものであり、情報記録層が支持性を有する場合には
設ける必要がないが、情報記録層を支持することができ
るある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは特
に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィル
ム、或いは硝子、プラスチックシート、カード等の剛体
が使用される。具体的には、情報記録媒体がフレキシブ
ルなフィルム、テープ、ディスク、カード形状をとる場
合にはフレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使
用され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、
ガラス等の無機材料等が使用される。
【0016】尚、基板において電極層13が設けられる
面の他方の面には、必要に応じて反射防止効果を有する
層を積層するか、また反射防止効果を発現しうる膜厚に
透明基板を調整するか、更に両者を組み合わせることに
より反射防止性を付与してもよい。
面の他方の面には、必要に応じて反射防止効果を有する
層を積層するか、また反射防止効果を発現しうる膜厚に
透明基板を調整するか、更に両者を組み合わせることに
より反射防止性を付与してもよい。
【0017】次に、光導電層14は、光が照射されると
照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生し、それら
のキャリアが層幅を移動することができる導電性層であ
り、特に電界が存在する場合にその効果が顕著である層
である。以下、光導電材料及び光導電層の形成方法につ
いて説明する。
照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生し、それら
のキャリアが層幅を移動することができる導電性層であ
り、特に電界が存在する場合にその効果が顕著である層
である。以下、光導電材料及び光導電層の形成方法につ
いて説明する。
【0018】(A)シリコン光導電層としては、(1) シ
リコン単体、(2) 不純物をドーピングしたもの(B、A
l、Ga、In、Tl等をドーピングによりP型(ホ−
ル輸送型)にしたもの、P、Ag、Sb、Bi等をドー
ピングによりN型(電子輸送型)にしたもの)があり、
形成方法としては、シランガス、不純物ガスを水素ガス
などと共に低真空中に導入し(10-2〜1Torr)、グロ
ー放電により加熱、或いは加熱しない電極基板上に堆積
して成膜するか、単に加熱した電極基板上に熱化学的に
反応形成するか、或いは固体原料を蒸着、スパッター法
により成膜し、単層、或いは積層で使用する。膜厚は1
〜50μmである。
リコン単体、(2) 不純物をドーピングしたもの(B、A
l、Ga、In、Tl等をドーピングによりP型(ホ−
ル輸送型)にしたもの、P、Ag、Sb、Bi等をドー
ピングによりN型(電子輸送型)にしたもの)があり、
形成方法としては、シランガス、不純物ガスを水素ガス
などと共に低真空中に導入し(10-2〜1Torr)、グロ
ー放電により加熱、或いは加熱しない電極基板上に堆積
して成膜するか、単に加熱した電極基板上に熱化学的に
反応形成するか、或いは固体原料を蒸着、スパッター法
により成膜し、単層、或いは積層で使用する。膜厚は1
〜50μmである。
【0019】(B)セレン光導電層としては、(1) セレ
ン単体、(2) セレンテルル、(3) ひ素セレン化合物(As
2Se3) 、(4) ひ素セレン化合物+Te等があり、蒸着、ス
パッター法により作製する。又、これら(1) 〜(4) を組
み合わせ、積層型光導電層としてもよい。膜厚はシリコ
ン光導電層と同様である。
ン単体、(2) セレンテルル、(3) ひ素セレン化合物(As
2Se3) 、(4) ひ素セレン化合物+Te等があり、蒸着、ス
パッター法により作製する。又、これら(1) 〜(4) を組
み合わせ、積層型光導電層としてもよい。膜厚はシリコ
ン光導電層と同様である。
【0020】(C)硫化カドミウム (CdS )光導電層と
しては、コーティング、蒸着、スパッタリング法により
作製する。蒸着の場合はCdS の固体粒をタングステンボ
ードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB(エレク
トロンビーム)蒸着により行う。またスパッタリングの
場合はCdS ターゲットを用いてアルゴンプラズマ中で基
板上に堆積させる。この場合、通常はアモルファス状態
でCdS が堆積されるが、スパッタリング条件を選択する
ことにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配向)を得るこ
ともできる。コーティングの場合はCdS 粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングするとよい。
しては、コーティング、蒸着、スパッタリング法により
作製する。蒸着の場合はCdS の固体粒をタングステンボ
ードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB(エレク
トロンビーム)蒸着により行う。またスパッタリングの
場合はCdS ターゲットを用いてアルゴンプラズマ中で基
板上に堆積させる。この場合、通常はアモルファス状態
でCdS が堆積されるが、スパッタリング条件を選択する
ことにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配向)を得るこ
ともできる。コーティングの場合はCdS 粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングするとよい。
【0021】(D)酸化亜鉛(Zn O)光導電層は、コー
ティング法或いはCVD法で作製される。コーティング
法としては、ZnO 粒子(粒径1〜100μm)をバイン
ダー中に分散させ、溶媒を添加して基板上にコーティン
グを行って得られる。またCVD法としては、ジエチル
亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガスを低真空中
(10-2〜1Torr)で混合し、加熱した電極基板(15
0〜400℃)上で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆
積させる。この場合も膜厚方向に配向した膜が得られ
る。
ティング法或いはCVD法で作製される。コーティング
法としては、ZnO 粒子(粒径1〜100μm)をバイン
ダー中に分散させ、溶媒を添加して基板上にコーティン
グを行って得られる。またCVD法としては、ジエチル
亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガスを低真空中
(10-2〜1Torr)で混合し、加熱した電極基板(15
0〜400℃)上で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆
積させる。この場合も膜厚方向に配向した膜が得られ
る。
【0022】(E)有機光導電層としては、単層型光導
電層、積層型光導電層とすることができる。単層型は、
電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物を電極上に積層さ
れて形成されるものであり、また、積層型は電荷発生層
と電荷輸送層を分離し、電荷発生層と電荷輸送層を電極
上に順次積層したタイプである。
電層、積層型光導電層とすることができる。単層型は、
電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物を電極上に積層さ
れて形成されるものであり、また、積層型は電荷発生層
と電荷輸送層を分離し、電荷発生層と電荷輸送層を電極
上に順次積層したタイプである。
【0023】本発明における光導電層には、下記一般式
(1)一般式(1)
(1)一般式(1)
【0024】
【化2】 (但し、式中のXは水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、ニトロ基、スルホン酸基、水酸基、カルボキシ
ル基、ハロゲン原子より選択される同じか又は異なって
もよく、またnは0〜3の整数、Rは置換されててもよ
い炭化水素環基、複素環基、或いはアルキル基であ
る。)で示されるビスアゾ系化合物を電荷発生物質とし
て使用すると共に、電子受容性物質を、単層型感光体で
はビスアゾ系化合物と共に添加され、また積層型感光体
にあっては電荷発生層にビスアゾ系化合物と共に添加さ
れるか、又は電荷発生層に共に添加されると共に電荷輸
送層にも添加される。
キシ基、ニトロ基、スルホン酸基、水酸基、カルボキシ
ル基、ハロゲン原子より選択される同じか又は異なって
もよく、またnは0〜3の整数、Rは置換されててもよ
い炭化水素環基、複素環基、或いはアルキル基であ
る。)で示されるビスアゾ系化合物を電荷発生物質とし
て使用すると共に、電子受容性物質を、単層型感光体で
はビスアゾ系化合物と共に添加され、また積層型感光体
にあっては電荷発生層にビスアゾ系化合物と共に添加さ
れるか、又は電荷発生層に共に添加されると共に電荷輸
送層にも添加される。
【0025】これにより情報パターンに対応した静電情
報を、高感度で、しかも高いコントラストで電荷保持媒
体に付与することができるばかりでなく、光導電層形成
後の経過においても、暗電位の上昇を生ずることないた
めにコントラスト比の経時安定性に優れるものである。
報を、高感度で、しかも高いコントラストで電荷保持媒
体に付与することができるばかりでなく、光導電層形成
後の経過においても、暗電位の上昇を生ずることないた
めにコントラスト比の経時安定性に優れるものである。
【0026】このようなビスアゾ系化合物を上記一般式
(1)における各置換基の組み合わせにより下記に例示
する。
(1)における各置換基の組み合わせにより下記に例示
する。
【0027】
【表1】 中でも好ましいビスアゾ系化合物を下記に例示する。
【0028】
【化3】 次に、電荷輸送層を形成する電荷輸送物質は、電荷発生
物質で発生した電荷の輸送特性がよい物質であり、例え
ばヒドラゾン系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾー
ル系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン
系、アミン系、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合
物系等があり、ホール輸送性、電子輸送性のいずれの物
質でも使用することができる。
物質で発生した電荷の輸送特性がよい物質であり、例え
ばヒドラゾン系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾー
ル系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン
系、アミン系、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合
物系等があり、ホール輸送性、電子輸送性のいずれの物
質でも使用することができる。
【0029】中でも、下式で示される化合物番号(2
4)〜(33)のものが好ましい。
4)〜(33)のものが好ましい。
【0030】
【化4】
【0031】
【化5】 次に、電荷発生層、または電荷発生層及び電荷輸送層に
添加される電子受容性物質としては、2,4,7−トリ
ニトロフルオレノン、テトラフルオロ−P−ベンゾキノ
ン、テトラシアノキノジメタン、トリフェニルメタン、
無水マレイン酸、ヘキサシアノブタジエン等を使用する
ことができる。
添加される電子受容性物質としては、2,4,7−トリ
ニトロフルオレノン、テトラフルオロ−P−ベンゾキノ
ン、テトラシアノキノジメタン、トリフェニルメタン、
無水マレイン酸、ヘキサシアノブタジエン等を使用する
ことができる。
【0032】次に、光導電層の形成方法について説明す
る。まず、積層型は電荷発生物質と電子受容性物質を、
電荷発生物質1重量部に対して電子受容性物質を0.0
01重量部〜10重量部の割合で混合し、適当な媒体中
に分散、溶解させて電極上に塗布、乾燥して電荷発生層
を形成し、次いでこの電荷発生層上に電荷輸送物質を適
宜媒体に溶解、又は分散させて塗布して電荷輸送層を形
成するか、又は電荷輸送物質1重量部に対して電子受容
性物質を0.001重量部〜10重量部の割合で混合
し、適当な媒体中に分散、溶解して塗布、乾燥して塗
布、乾燥して電荷輸送層を形成する。電荷発生層は乾燥
後膜厚で0.1〜10μm、電荷輸送層は1〜50μm
とするとよい。
る。まず、積層型は電荷発生物質と電子受容性物質を、
電荷発生物質1重量部に対して電子受容性物質を0.0
01重量部〜10重量部の割合で混合し、適当な媒体中
に分散、溶解させて電極上に塗布、乾燥して電荷発生層
を形成し、次いでこの電荷発生層上に電荷輸送物質を適
宜媒体に溶解、又は分散させて塗布して電荷輸送層を形
成するか、又は電荷輸送物質1重量部に対して電子受容
性物質を0.001重量部〜10重量部の割合で混合
し、適当な媒体中に分散、溶解して塗布、乾燥して塗
布、乾燥して電荷輸送層を形成する。電荷発生層は乾燥
後膜厚で0.1〜10μm、電荷輸送層は1〜50μm
とするとよい。
【0033】また、単層型においては電荷発生物質と電
荷輸送物質とを1:100〜100:100の割合(重
量部)で混合するとよく、電子受容性物質は電荷発生物
質と電荷輸送物質の合計量1重量部に対して0.001
重量部〜10重量部の割合で混合するとよく、媒体中に
分散、又は溶解させて電極上に塗布、乾燥して層形成さ
れる。膜厚は1〜50μmが好ましい。
荷輸送物質とを1:100〜100:100の割合(重
量部)で混合するとよく、電子受容性物質は電荷発生物
質と電荷輸送物質の合計量1重量部に対して0.001
重量部〜10重量部の割合で混合するとよく、媒体中に
分散、又は溶解させて電極上に塗布、乾燥して層形成さ
れる。膜厚は1〜50μmが好ましい。
【0034】また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質に
より錯体を形成させ、電荷移動錯体としてもよい。通
常、光導電層は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン (TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVKーTNF錯体は650nm波長
域まで感光するようになる。
より錯体を形成させ、電荷移動錯体としてもよい。通
常、光導電層は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン (TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVKーTNF錯体は650nm波長
域まで感光するようになる。
【0035】単層型、積層型いずれにおいても、光導電
層を形成するにあたってはバインダーを使用することが
できるが、バインダーとしては、シリコーン樹脂、スチ
レン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹
脂、ポリメチルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メ
ラミン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂等が挙げられ、電荷発生物質と電荷輸送物質の
各材料1重量部に対し、0.1〜10重量部使用すると
よい。尚、電荷発生物質、電荷輸送物質としてそれ自体
バインダーの役割を示す場合にはバインダーは不要であ
る。
層を形成するにあたってはバインダーを使用することが
できるが、バインダーとしては、シリコーン樹脂、スチ
レン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹
脂、ポリメチルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メ
ラミン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂等が挙げられ、電荷発生物質と電荷輸送物質の
各材料1重量部に対し、0.1〜10重量部使用すると
よい。尚、電荷発生物質、電荷輸送物質としてそれ自体
バインダーの役割を示す場合にはバインダーは不要であ
る。
【0036】溶媒としては、ジクロロエタン、1,1,
2−トリクロロエタン、モノクロロベンゼン、テトラヒ
ドロフラン、シクロヘキサン、ジオキサン、1,2,3
−トリクロロプロパン、エチルセルソルブ、1,1,
1,−トリクロロエタン、メチルエチルケトン、クロロ
ホルム、トルエン等が挙げられる。
2−トリクロロエタン、モノクロロベンゼン、テトラヒ
ドロフラン、シクロヘキサン、ジオキサン、1,2,3
−トリクロロプロパン、エチルセルソルブ、1,1,
1,−トリクロロエタン、メチルエチルケトン、クロロ
ホルム、トルエン等が挙げられる。
【0037】塗布方法としては、ブレードコーティング
法、ディッピング法、スピンナーコーティング法等の塗
布方法が挙げられる。
法、ディッピング法、スピンナーコーティング法等の塗
布方法が挙げられる。
【0038】次に、光導電層14は、電荷注入防止層を
介して電極13上に積層してもよい。電荷注入防止層
は、電圧印加時の暗電流(電極からの電荷注入)、すな
わち露光していないにもかかわらず恰も露光したように
感光層中を電荷が移動する現象を防止するために設ける
ものである。この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリ
ング効果を利用した層と整流効果を利用した層との二種
類のものがある。
介して電極13上に積層してもよい。電荷注入防止層
は、電圧印加時の暗電流(電極からの電荷注入)、すな
わち露光していないにもかかわらず恰も露光したように
感光層中を電荷が移動する現象を防止するために設ける
ものである。この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリ
ング効果を利用した層と整流効果を利用した層との二種
類のものがある。
【0039】このような電荷注入防止層は無機絶縁性
膜、有機絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あ
るいはこれらを積層して形成され、無機絶縁性膜として
は、例えばAs2O3 、B2O3、Bi2O3 、CdS 、CaO 、CeO2、
Cr2O3 、CoO 、GeO2、HfO2、Fe2O3 、La2O3 、MgO 、Mn
O2、Nd2O3 、Nb2O5 、PbO 、Sb2O3 、SiO2、SeO2、Ta2O
5 、TiO2、WO3 、V2O5、Y2O5、Y2O3、ZrO2、BaTiO3、Al
2O3 、Bi2TiO5 、CaO-SrO 、CaO-Y2O3、Cr-SiO、LiTa
O3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO2-Co 、ZrO2-SiO2 、AlN、B
N、NbN 、Si3N4 、TaN 、TiN 、VN、ZrN 、SiC 、TiC
、WC、Al4C3 等をグロー放電、蒸着、スパッタリング
等により形成される。尚、この層の膜厚は電荷の注入を
防止する絶縁性と、トンネル効果の点を考慮して使用さ
れる材質ごとに決められる。
膜、有機絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あ
るいはこれらを積層して形成され、無機絶縁性膜として
は、例えばAs2O3 、B2O3、Bi2O3 、CdS 、CaO 、CeO2、
Cr2O3 、CoO 、GeO2、HfO2、Fe2O3 、La2O3 、MgO 、Mn
O2、Nd2O3 、Nb2O5 、PbO 、Sb2O3 、SiO2、SeO2、Ta2O
5 、TiO2、WO3 、V2O5、Y2O5、Y2O3、ZrO2、BaTiO3、Al
2O3 、Bi2TiO5 、CaO-SrO 、CaO-Y2O3、Cr-SiO、LiTa
O3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO2-Co 、ZrO2-SiO2 、AlN、B
N、NbN 、Si3N4 、TaN 、TiN 、VN、ZrN 、SiC 、TiC
、WC、Al4C3 等をグロー放電、蒸着、スパッタリング
等により形成される。尚、この層の膜厚は電荷の注入を
防止する絶縁性と、トンネル効果の点を考慮して使用さ
れる材質ごとに決められる。
【0040】整流効果を利用した電荷注入防止層は、整
流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注
入防止層は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合
型光導電層で形成され、その膜厚は0.1〜10μm程
度である。具体的には、電極がマイナスの場合はB、A
l、Ga、In等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、アモルファスセレン、またはオキサジアゾー
ル、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチルベ
ン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタ
ン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミ
ン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極が
プラスの場合は、P、N、As、Sb、Bi等をドープ
したアモルファスシリコン光導電層、ZnO光導電層等
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、CVD、コーテ
ィング等の方法により形成される。これらの光導電層
は、電極側の極性を同じ極性のキャリアーを発生する光
導電性材料により形成する必要がある。電極をマイナス
とする場合はB、Al、Ga、In等をドープしたシリ
コン光導電層、電極がプラスの場合は、P、N、As、
Sb、Bi等をドープしたシリコン光導電層、セレン光
導電層、有機光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタ
リング、CVD、コーティング等の方法により形成され
る。
流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注
入防止層は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合
型光導電層で形成され、その膜厚は0.1〜10μm程
度である。具体的には、電極がマイナスの場合はB、A
l、Ga、In等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、アモルファスセレン、またはオキサジアゾー
ル、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチルベ
ン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタ
ン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミ
ン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極が
プラスの場合は、P、N、As、Sb、Bi等をドープ
したアモルファスシリコン光導電層、ZnO光導電層等
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、CVD、コーテ
ィング等の方法により形成される。これらの光導電層
は、電極側の極性を同じ極性のキャリアーを発生する光
導電性材料により形成する必要がある。電極をマイナス
とする場合はB、Al、Ga、In等をドープしたシリ
コン光導電層、電極がプラスの場合は、P、N、As、
Sb、Bi等をドープしたシリコン光導電層、セレン光
導電層、有機光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタ
リング、CVD、コーティング等の方法により形成され
る。
【0041】又、光導電層の特性によっては、電荷注入
を増加させた方が好ましい場合もあり、この場合には電
極表面の材料を選択することにより、界面の電荷注入を
増加させることもできる。
を増加させた方が好ましい場合もあり、この場合には電
極表面の材料を選択することにより、界面の電荷注入を
増加させることもできる。
【0042】次に、光導電層14上に設けられる情報記
録層11は、液晶相と樹脂相とからなるものであり、液
晶材料としてはスメクチック液晶、ネマチック液晶、コ
レステリック液晶あるいはこれらの混合物を使用するこ
とができるが、液晶の配向性を保持し、情報を永続的に
保持させる、所謂、メモリー性の観点からはスメクチッ
ク液晶を使用するのが好ましい。
録層11は、液晶相と樹脂相とからなるものであり、液
晶材料としてはスメクチック液晶、ネマチック液晶、コ
レステリック液晶あるいはこれらの混合物を使用するこ
とができるが、液晶の配向性を保持し、情報を永続的に
保持させる、所謂、メモリー性の観点からはスメクチッ
ク液晶を使用するのが好ましい。
【0043】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更に弗素系
等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液晶
として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物質、
或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶物質
等が挙げられる。
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更に弗素系
等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液晶
として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物質、
或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶物質
等が挙げられる。
【0044】又、ネマチック液晶を使用してもよく、ス
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。
【0045】尚、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方
向性の大きい材料の方がコントラストがとれるので好ま
しい。
向性の大きい材料の方がコントラストがとれるので好ま
しい。
【0046】樹脂相を形成する材料としては、例えば、
紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマーの状
態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマー、
オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性を有
するものを好ましく使用できる。
紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマーの状
態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマー、
オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性を有
するものを好ましく使用できる。
【0047】このような紫外線硬化型樹脂としては、例
えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等が挙
げられ、モノマー、オリゴマーの状態で、例えばジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジ
アクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレー
ト、イソシアヌール酸(エチレンオキサイド変性)トリ
アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ネ
オペンチルグリコールジアクリレート、ヘキサンジオー
ルジアクリレート等の多官能性モノマー或いは多官能性
ウレタン系、エステル系オリゴマー、更にノニルフェノ
ール変性アクリレート、N−ビニル−2−ピロリドン、
2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート
等の単官能性モノマー或いはオリゴマー等が挙げられ
る。
えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等が挙
げられ、モノマー、オリゴマーの状態で、例えばジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジ
アクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレー
ト、イソシアヌール酸(エチレンオキサイド変性)トリ
アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ネ
オペンチルグリコールジアクリレート、ヘキサンジオー
ルジアクリレート等の多官能性モノマー或いは多官能性
ウレタン系、エステル系オリゴマー、更にノニルフェノ
ール変性アクリレート、N−ビニル−2−ピロリドン、
2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート
等の単官能性モノマー或いはオリゴマー等が挙げられ
る。
【0048】溶媒としては、共通の溶媒であれば特に問
題はないが、例えばキシレン等に代表される炭化水素系
溶媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水素
系溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるアルコール誘
導体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエーテル系溶媒
等が挙げられる。
題はないが、例えばキシレン等に代表される炭化水素系
溶媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水素
系溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるアルコール誘
導体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエーテル系溶媒
等が挙げられる。
【0049】光硬化剤としては、例えば2−ヒドロキシ
−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メル
ク社製「ダロキュア1173」)、1−ヒドロキシシク
ロヘキシルフェニルケトン(チバ・ガイギー社製「イル
ガキュア184」)、1−(4−イソプロピルフェニ
ル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン
(メルク社製「ダロキュア1116」)、ベンジルジメ
チルケタール(チバ・ガイギー社製「イルガキュア65
1」)、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニ
ル〕−2−モルホリノプロパノン−1(チバ・ガイギー
社製「イルガキュア907」)、2,4−ジエチルチオ
キサントン(日本化薬社製「カヤキュアDETX」)と
p−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化薬社製「カ
ヤキュアEPA」)との混合物、イソプロピルチオキサ
ントン(ワードブレキンソップ社製「クンタキュア・I
TX」とp−ジメチルアミノ安息香酸エチルとの混合物
等が挙げられるが、液状である2−ヒドロキシ−2−メ
チル−1−フェニルプロパン−1−オンが液晶材料、重
合体形成性モノマー若しくはオリゴマーとの相溶性の面
で特に好ましい。
−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メル
ク社製「ダロキュア1173」)、1−ヒドロキシシク
ロヘキシルフェニルケトン(チバ・ガイギー社製「イル
ガキュア184」)、1−(4−イソプロピルフェニ
ル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン
(メルク社製「ダロキュア1116」)、ベンジルジメ
チルケタール(チバ・ガイギー社製「イルガキュア65
1」)、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニ
ル〕−2−モルホリノプロパノン−1(チバ・ガイギー
社製「イルガキュア907」)、2,4−ジエチルチオ
キサントン(日本化薬社製「カヤキュアDETX」)と
p−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化薬社製「カ
ヤキュアEPA」)との混合物、イソプロピルチオキサ
ントン(ワードブレキンソップ社製「クンタキュア・I
TX」とp−ジメチルアミノ安息香酸エチルとの混合物
等が挙げられるが、液状である2−ヒドロキシ−2−メ
チル−1−フェニルプロパン−1−オンが液晶材料、重
合体形成性モノマー若しくはオリゴマーとの相溶性の面
で特に好ましい。
【0050】また、液晶材料と共通の溶媒に相溶性を有
する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、例えばアクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹
脂、及びこれらを主体とした共重合体等、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂等を使用してもよい。
する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、例えばアクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹
脂、及びこれらを主体とした共重合体等、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂等を使用してもよい。
【0051】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、10重量%未
満であると情報記録により液晶相が配向しても光透過性
が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出し等
の減少が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶は情
報記録相中に多く存在させることにより、コントラスト
比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、10重量%未
満であると情報記録により液晶相が配向しても光透過性
が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出し等
の減少が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶は情
報記録相中に多く存在させることにより、コントラスト
比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
【0052】情報記録層の形成方法は、樹脂形成用材料
と液晶との混合溶液を、光導電層上にブレードコータ
ー、ロールコーター、或いはスピンコーター等の塗布方
法により塗布し、硬化させることにより形成される。な
お、必要に応じて、溶液の塗布適性を向上させ、表面性
を良くするためにレベリング剤を添加してもよい。
と液晶との混合溶液を、光導電層上にブレードコータ
ー、ロールコーター、或いはスピンコーター等の塗布方
法により塗布し、硬化させることにより形成される。な
お、必要に応じて、溶液の塗布適性を向上させ、表面性
を良くするためにレベリング剤を添加してもよい。
【0053】また、液晶が等方相を保持する温度以上に
加熱し、液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料とを完全に相
溶させることが必要である。情報記録層を紫外線硬化さ
せるに際して、液晶が等方相を示す温度以下で紫外線硬
化させると、液晶と紫外線硬化型樹脂材料とが一部相分
離することに起因する問題が生じる。即ち、液晶ドメイ
ンが成長しすぎ、情報記録層表面にスキン層が完全に形
成されず、液晶の滲み出し現象が生じたり、また、紫外
線硬化型樹脂がマット化し、正確に情報を取り込むこと
が困難となり、好ましくない。また、紫外線硬化型樹脂
が液晶を保持できず、情報記録層を形成されないことす
らある。他方、溶媒を蒸発させる際に、等方相を保持す
るために加熱が必要な場合には特に、電極層に対する濡
れ性が低下し、均一な情報記録層が得られないという問
題がある。
加熱し、液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料とを完全に相
溶させることが必要である。情報記録層を紫外線硬化さ
せるに際して、液晶が等方相を示す温度以下で紫外線硬
化させると、液晶と紫外線硬化型樹脂材料とが一部相分
離することに起因する問題が生じる。即ち、液晶ドメイ
ンが成長しすぎ、情報記録層表面にスキン層が完全に形
成されず、液晶の滲み出し現象が生じたり、また、紫外
線硬化型樹脂がマット化し、正確に情報を取り込むこと
が困難となり、好ましくない。また、紫外線硬化型樹脂
が液晶を保持できず、情報記録層を形成されないことす
らある。他方、溶媒を蒸発させる際に、等方相を保持す
るために加熱が必要な場合には特に、電極層に対する濡
れ性が低下し、均一な情報記録層が得られないという問
題がある。
【0054】また、電極層に対する濡れ性を維持するこ
とを目的として弗素系界面活性剤が添加される。このよ
うな弗素系界面活性剤としては、例えば住友3M(株)
製、フロラードFC−430、同フロラードFC−43
1、N−(n−プロピル)−N−(β−アクリロキシエ
チル)−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド〔三菱
マテリアル(株)製EF−125M〕、N−(n−プロ
ピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)−パーフル
オロオクチルスルホン酸アミド〔三菱マテリアル(株)
製EF−135M〕、パーフルオロオクタンスルホン酸
〔三菱マテリアル(株)製EF−101〕、パーフルオ
ロカプリル酸〔三菱マテリアル(株)製EF−20
1〕、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロオクタ
ンスルホン酸アミドエタノール〔三菱マテリアル(株)
製EF−121〕、更に三菱マテリアル(株)製EF−
102、同EF−103、同EF−104、同EF−1
05、同EF−112、同EF−121、同EF−12
2A、同EF−122B、同EF−122C、同EF−
122A3、同EF−123A、同EF−123B、同
EF−132、同EF−301、同EF−303、同E
F−305、同EF−306A、同EF−501、同E
F−700、同EF−201、同EF−204、同EF
−351、同EF−352、同EF−801、同EF−
802、同EF−125DS、同EF−1200、同E
F−L102、同EF−L155、同EF−L174、
同EF−L215等が挙げられる。また、3−(2−パ
ーフルオロヘキシル)エトキシ−1,2−ジヒドロキシ
プロパン〔三菱マテリアル(株)製MF−100〕、N
−n−プロピル−N−2,3−ジヒドロキシプロピルパ
ーフルオロオクチルスルホンアミド〔三菱マテリアル
(株)製MF−110〕、3−(2−パーフルオロヘキ
シル)エトキシ−1,2−エポキシプロパン〔三菱マテ
リアル(株)製MF−120〕、N−n−プロピル−N
−2,3−エポキシプロピルパーフルオロオクチルスル
ホンアミド〔三菱マテリアル(株)製MF−130〕、
パーフルオロヘキシルエチレン〔三菱マテリアル(株)
製MF−140〕、N−〔3−トリメトキシシリル)プ
ロピル〕パーフルオロヘプチルカルボン酸アミド〔三菱
マテリアル(株)製MF−150〕、N−〔3−トリメ
トキシシリル)プロピル〕パーフルオロヘプチルスルホ
ンアミド〔三菱マテリアル(株)製MF−160〕等が
挙げられる。弗素系界面活性剤は、液晶と樹脂形成材料
との合計量に対して0.1〜20重量%の割合で使用さ
れる。
とを目的として弗素系界面活性剤が添加される。このよ
うな弗素系界面活性剤としては、例えば住友3M(株)
製、フロラードFC−430、同フロラードFC−43
1、N−(n−プロピル)−N−(β−アクリロキシエ
チル)−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド〔三菱
マテリアル(株)製EF−125M〕、N−(n−プロ
ピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)−パーフル
オロオクチルスルホン酸アミド〔三菱マテリアル(株)
製EF−135M〕、パーフルオロオクタンスルホン酸
〔三菱マテリアル(株)製EF−101〕、パーフルオ
ロカプリル酸〔三菱マテリアル(株)製EF−20
1〕、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロオクタ
ンスルホン酸アミドエタノール〔三菱マテリアル(株)
製EF−121〕、更に三菱マテリアル(株)製EF−
102、同EF−103、同EF−104、同EF−1
05、同EF−112、同EF−121、同EF−12
2A、同EF−122B、同EF−122C、同EF−
122A3、同EF−123A、同EF−123B、同
EF−132、同EF−301、同EF−303、同E
F−305、同EF−306A、同EF−501、同E
F−700、同EF−201、同EF−204、同EF
−351、同EF−352、同EF−801、同EF−
802、同EF−125DS、同EF−1200、同E
F−L102、同EF−L155、同EF−L174、
同EF−L215等が挙げられる。また、3−(2−パ
ーフルオロヘキシル)エトキシ−1,2−ジヒドロキシ
プロパン〔三菱マテリアル(株)製MF−100〕、N
−n−プロピル−N−2,3−ジヒドロキシプロピルパ
ーフルオロオクチルスルホンアミド〔三菱マテリアル
(株)製MF−110〕、3−(2−パーフルオロヘキ
シル)エトキシ−1,2−エポキシプロパン〔三菱マテ
リアル(株)製MF−120〕、N−n−プロピル−N
−2,3−エポキシプロピルパーフルオロオクチルスル
ホンアミド〔三菱マテリアル(株)製MF−130〕、
パーフルオロヘキシルエチレン〔三菱マテリアル(株)
製MF−140〕、N−〔3−トリメトキシシリル)プ
ロピル〕パーフルオロヘプチルカルボン酸アミド〔三菱
マテリアル(株)製MF−150〕、N−〔3−トリメ
トキシシリル)プロピル〕パーフルオロヘプチルスルホ
ンアミド〔三菱マテリアル(株)製MF−160〕等が
挙げられる。弗素系界面活性剤は、液晶と樹脂形成材料
との合計量に対して0.1〜20重量%の割合で使用さ
れる。
【0055】また、情報記録層形成における塗布溶液に
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また紫外
線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することにより、
外表面層として液晶相を有しない樹脂層のみからなるス
キン層を良好に形成させることができる。
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また紫外
線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することにより、
外表面層として液晶相を有しない樹脂層のみからなるス
キン層を良好に形成させることができる。
【0056】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。
【0057】情報記録層の外表面にスキン層が形成され
ることにより、情報記録層における液晶の使用割合を増
大することができ、また液晶の滲み出しを無くすること
ができる。
ることにより、情報記録層における液晶の使用割合を増
大することができ、また液晶の滲み出しを無くすること
ができる。
【0058】次に、この情報記録層上に、上述の電極層
13と同様の材料、同様の積層方法で電極層13′を設
けるが、情報記録層の表面にはスキン層が形成されてい
るので、例えばITO膜を蒸着法、スパッタ法等により
積層してもひび割れが生じなく、導電性の低下のないも
のとできる。
13と同様の材料、同様の積層方法で電極層13′を設
けるが、情報記録層の表面にはスキン層が形成されてい
るので、例えばITO膜を蒸着法、スパッタ法等により
積層してもひび割れが生じなく、導電性の低下のないも
のとできる。
【0059】又、電極13′層上に、更に必要に応じ
て、上述したと同様の基板或いは透明保護層を積層して
もよい。
て、上述したと同様の基板或いは透明保護層を積層して
もよい。
【0060】次に、第2の情報記録媒体について説明す
る。
る。
【0061】図1(b)は第2の情報記録媒体を断面図
により示す図であり、図中16は透明絶縁層であり、ま
た、図1(a)と同一符号は同一内容を示す。
により示す図であり、図中16は透明絶縁層であり、ま
た、図1(a)と同一符号は同一内容を示す。
【0062】第2の情報記録媒体においては、第1の情
報記録媒体における光導電層と情報記録層間に透明絶縁
層が設けられるものである。第2の情報記録媒体は、光
導電層が溶媒を使用して形成される有機感光層の場合に
特に適しており、光導電層と情報記録層の相互作用によ
り情報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録
層を光導電層上に塗布形成する際に、情報記録層形成用
の溶媒により光導電材料が溶出し、画像ムラが生じるの
を防止することを目的として設けられる。
報記録媒体における光導電層と情報記録層間に透明絶縁
層が設けられるものである。第2の情報記録媒体は、光
導電層が溶媒を使用して形成される有機感光層の場合に
特に適しており、光導電層と情報記録層の相互作用によ
り情報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録
層を光導電層上に塗布形成する際に、情報記録層形成用
の溶媒により光導電材料が溶出し、画像ムラが生じるの
を防止することを目的として設けられる。
【0063】従って、透明絶縁層は、その形成にあたっ
て、有機光導電層形成材料、情報記録層形成材料のいず
れに対しても相溶性を有しないことが必要であり、また
導電性を有する場合には空間電荷の拡散が生じ、解像度
の劣化が生じることから絶縁性が要求される。しかしな
がら、透明絶縁層は液晶層にかかる分配電圧を低下させ
たり、或いは解像性を悪化させるので、その膜厚は薄い
方が好ましく、2μm以下とするとよい。また、薄くす
ることにより、経時的な相互作用による画像ノイズの発
生ばかりでなく、積層塗布する時にピンホール等の欠陥
による浸透の問題が生じる。浸透性は積層塗布する材料
の固形分比率、溶媒の種類、粘度により異なることか
ら、積層塗布されるものについてその膜厚は適宜設定さ
れる。また、これらの問題を防止するために下記材料を
積層して用いることもできる。さらに、各層に掛かる電
圧分配を考慮した場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料
が好ましい。
て、有機光導電層形成材料、情報記録層形成材料のいず
れに対しても相溶性を有しないことが必要であり、また
導電性を有する場合には空間電荷の拡散が生じ、解像度
の劣化が生じることから絶縁性が要求される。しかしな
がら、透明絶縁層は液晶層にかかる分配電圧を低下させ
たり、或いは解像性を悪化させるので、その膜厚は薄い
方が好ましく、2μm以下とするとよい。また、薄くす
ることにより、経時的な相互作用による画像ノイズの発
生ばかりでなく、積層塗布する時にピンホール等の欠陥
による浸透の問題が生じる。浸透性は積層塗布する材料
の固形分比率、溶媒の種類、粘度により異なることか
ら、積層塗布されるものについてその膜厚は適宜設定さ
れる。また、これらの問題を防止するために下記材料を
積層して用いることもできる。さらに、各層に掛かる電
圧分配を考慮した場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料
が好ましい。
【0064】このような透明絶縁層は、無機材料として
SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3 、GeO2、Si3N4 、AlN 、Ti
N 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、ケミカル・ベーパ
ー・デポジション(CVD)法等により積層して形成し
てもよい。また、有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶
性樹脂としてポリビニルアルコール、水系ポリウレタ
ン、水ガラス等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブ
レードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。更に、塗布可能な弗素樹脂を使用してもよく、この
場合には弗素系溶剤に溶解し、スピンコート法により塗
布するか、またブレードコート法、ロールコート法等に
より積層してもよい。
SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3 、GeO2、Si3N4 、AlN 、Ti
N 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、ケミカル・ベーパ
ー・デポジション(CVD)法等により積層して形成し
てもよい。また、有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶
性樹脂としてポリビニルアルコール、水系ポリウレタ
ン、水ガラス等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブ
レードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。更に、塗布可能な弗素樹脂を使用してもよく、この
場合には弗素系溶剤に溶解し、スピンコート法により塗
布するか、またブレードコート法、ロールコート法等に
より積層してもよい。
【0065】塗布可能な弗素樹脂としては、一般式
【0066】
【化6】 及び/又は、一般式
【0067】
【化7】 (但し、nは1又は2)で示される環構造の繰り返し単
位からなり、50℃での固有粘度が少なくても0.1で
あるような分子量を有する含弗素熱可塑性樹脂、又、一
般式
位からなり、50℃での固有粘度が少なくても0.1で
あるような分子量を有する含弗素熱可塑性樹脂、又、一
般式
【0068】
【化8】 及び/又は、一般式
【0069】
【化9】 (但し、nは1又は2)で示される環構造の繰り返し単
位(a)と、一般式 -(CF2-CFX)- (但し、XはF、C
l、-O-CF2CF2CF3、-O-CF2CF(CF3)OCF2CF2SO3F、-O-CF2
CF2CF2COOCH3)で示される繰り返し単位(b)からな
り、少なくても80重量%の繰り返し単位(a)を含
み、50℃での固有粘度が少なくとも0.1であるよう
な含弗素熱可塑性樹脂を好適に使用することができる。
位(a)と、一般式 -(CF2-CFX)- (但し、XはF、C
l、-O-CF2CF2CF3、-O-CF2CF(CF3)OCF2CF2SO3F、-O-CF2
CF2CF2COOCH3)で示される繰り返し単位(b)からな
り、少なくても80重量%の繰り返し単位(a)を含
み、50℃での固有粘度が少なくとも0.1であるよう
な含弗素熱可塑性樹脂を好適に使用することができる。
【0070】繰り返し単位(a)は、一般式 CF2=CF-O
-(CF2)n CF=CF2 (但し、nは1又2)で示されるパー
フルオロアリルビニルエーテル、又はパーフルオロブテ
ニルビニルエーテルをラジカル的に環化重合することに
より得られるものである。
-(CF2)n CF=CF2 (但し、nは1又2)で示されるパー
フルオロアリルビニルエーテル、又はパーフルオロブテ
ニルビニルエーテルをラジカル的に環化重合することに
より得られるものである。
【0071】また繰り返し単位(a)と上記繰り返し単
位(b)を含有するものは、一般式、CF2=CF-O-(CF2)n
CF=CF2 (但し、nは1又2)で示されるパーフルオロ
ビニルエーテルと一般式、CF2=CFX (但し、XはF、C
l、-O-CF2CF2CF3、-O-CF2CF(CF3)OCF2CF2SO3F、-O-CF2
CF2CF2COOCH3)で示されるモノマーとラジカル重合させ
ることにより得られるものである。これらの樹脂は例え
ば、特開平1−131215号公報に開示されている。
位(b)を含有するものは、一般式、CF2=CF-O-(CF2)n
CF=CF2 (但し、nは1又2)で示されるパーフルオロ
ビニルエーテルと一般式、CF2=CFX (但し、XはF、C
l、-O-CF2CF2CF3、-O-CF2CF(CF3)OCF2CF2SO3F、-O-CF2
CF2CF2COOCH3)で示されるモノマーとラジカル重合させ
ることにより得られるものである。これらの樹脂は例え
ば、特開平1−131215号公報に開示されている。
【0072】更に、
【0073】
【化10】 (但し、繰り返し単位数mで示されるジオキソノール成
分含量が20〜90モル%)である繰り返し単位からな
り、ガラス転移温度より90〜110℃高い温度での溶
融粘度が102 〜104 Pa・secである含弗素熱可塑性
樹脂を使用してもよい。
分含量が20〜90モル%)である繰り返し単位からな
り、ガラス転移温度より90〜110℃高い温度での溶
融粘度が102 〜104 Pa・secである含弗素熱可塑性
樹脂を使用してもよい。
【0074】上記〔化10〕で示される含弗素熱可塑性
樹脂としては、例えばデュポン社製〔商品名「テフロ
ン」AF1600、ジオキソノール単位を約65モル%
含有、ガラス転移温度160℃、溶融粘度2657Pa・
sec (250℃、100sec -1でASTM D3835
による測定値)、吸水率0.01%以下〕、同社製〔商
品名「テフロン」AF2400、ジオキソノール単位を
約85モル%含有、ガラス転移温度240℃、溶融粘度
540Pa・sec (350℃、100sec -1でASTM
D3835による測定値)、吸水率0.01%以下〕が
具体的に例示される。
樹脂としては、例えばデュポン社製〔商品名「テフロ
ン」AF1600、ジオキソノール単位を約65モル%
含有、ガラス転移温度160℃、溶融粘度2657Pa・
sec (250℃、100sec -1でASTM D3835
による測定値)、吸水率0.01%以下〕、同社製〔商
品名「テフロン」AF2400、ジオキソノール単位を
約85モル%含有、ガラス転移温度240℃、溶融粘度
540Pa・sec (350℃、100sec -1でASTM
D3835による測定値)、吸水率0.01%以下〕が
具体的に例示される。
【0075】また、弗素樹脂としては、必ずしもパーフ
ルオロ樹脂である必要はなく、汎用溶剤に難溶で弗素系
溶剤に可溶のものであればよい。
ルオロ樹脂である必要はなく、汎用溶剤に難溶で弗素系
溶剤に可溶のものであればよい。
【0076】塗布型の透明絶縁材料を選択する際には、
その溶媒が光導電層を溶解しない、且つ、情報記録層を
塗布形成する際に情報記録層を構成する材料に溶解しな
い、或いは、塗布する際の溶媒に溶解しないことが必要
である。
その溶媒が光導電層を溶解しない、且つ、情報記録層を
塗布形成する際に情報記録層を構成する材料に溶解しな
い、或いは、塗布する際の溶媒に溶解しないことが必要
である。
【0077】また、真空系で膜形成される有機材料の場
合は、膜形成時に光導電層を溶解する恐れはない。この
うち蒸着法により膜形成される材料としてはポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ(モノクロロトリフルオロエ
チレン)、ポリテトラフルオロエチレン等を使用でき、
また、CVD法により膜形成される材料としてはポリパ
ラキシレンの下記構造式で示されるもの、
合は、膜形成時に光導電層を溶解する恐れはない。この
うち蒸着法により膜形成される材料としてはポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ(モノクロロトリフルオロエ
チレン)、ポリテトラフルオロエチレン等を使用でき、
また、CVD法により膜形成される材料としてはポリパ
ラキシレンの下記構造式で示されるもの、
【0078】
【化11】 (尚、上記Cタイプは上記構造のもののみでなく、ベン
ゼン環における主鎖結合部位以外の部位の内1つが塩素
で置換されているもの、またDタイプはその2つが塩素
で置換されていればよい)等を使用することができる。
ゼン環における主鎖結合部位以外の部位の内1つが塩素
で置換されているもの、またDタイプはその2つが塩素
で置換されていればよい)等を使用することができる。
【0079】なお、光導電層が無機材料より形成され、
情報記録層との液晶滲み出し等の相互作用がない場合に
は、透明絶縁層を設ける必要はない。
情報記録層との液晶滲み出し等の相互作用がない場合に
は、透明絶縁層を設ける必要はない。
【0080】本発明の第1、第2の情報記録媒体は、静
電情報を液晶の配向により可視化した状態で記録するも
のであるが、液晶と樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性が付
与される。メモリーを消去するには等方相転移付近の高
温に加熱するとよく、再度情報記録に使用することがで
きる。
電情報を液晶の配向により可視化した状態で記録するも
のであるが、液晶と樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性が付
与される。メモリーを消去するには等方相転移付近の高
温に加熱するとよく、再度情報記録に使用することがで
きる。
【0081】次に、本発明の情報記録媒体への情報記録
再生方法について説明する。
再生方法について説明する。
【0082】図3は、本発明の第1の情報記録媒体への
情報記録方法を説明するための図であり、第2の情報記
録媒体への情報記録方法も同様である。
情報記録方法を説明するための図であり、第2の情報記
録媒体への情報記録方法も同様である。
【0083】まず、電源により電極13、13′間に電
圧を印加する。この情報記録媒体への記録に際して、情
報記録媒体を例えば支持体中に埋設した抵抗加熱(図示
せず)により加熱し、液晶を液晶相を示す温度まで加熱
することにより、よりメモリー性を向上させることがで
きる。
圧を印加する。この情報記録媒体への記録に際して、情
報記録媒体を例えば支持体中に埋設した抵抗加熱(図示
せず)により加熱し、液晶を液晶相を示す温度まで加熱
することにより、よりメモリー性を向上させることがで
きる。
【0084】電極13、13′間に電圧を印加しつつ、
情報光18が入射すると、光が入射した部分の光導電層
14で発生した光キャリアは、両電極により形成される
電界により移動し、電圧の再配分が行われることで情報
記録層における液晶相が配向し、情報光18のパターン
に応じた記録が行なわれる。なお、情報光18を入射し
つつ、電圧を所定時間印加してもよい。
情報光18が入射すると、光が入射した部分の光導電層
14で発生した光キャリアは、両電極により形成される
電界により移動し、電圧の再配分が行われることで情報
記録層における液晶相が配向し、情報光18のパターン
に応じた記録が行なわれる。なお、情報光18を入射し
つつ、電圧を所定時間印加してもよい。
【0085】また、液晶によって作動電圧及び範囲が異
なるものもあるので、印加電圧及び印加電圧時間を設定
するにあたっては、情報記録媒体における電圧配分を適
宜設定し、情報記録層にかかる電圧配分を液晶の動作電
圧領域に設定するとよい。
なるものもあるので、印加電圧及び印加電圧時間を設定
するにあたっては、情報記録媒体における電圧配分を適
宜設定し、情報記録層にかかる電圧配分を液晶の動作電
圧領域に設定するとよい。
【0086】この情報記録方法は、面状アナログ記録が
可能であり、液晶粒子レベルでの記録が得られるので高
解像度が得られ、また露光パターンは液晶相の配向によ
り可視像化されて保持される。
可能であり、液晶粒子レベルでの記録が得られるので高
解像度が得られ、また露光パターンは液晶相の配向によ
り可視像化されて保持される。
【0087】本発明の情報記録媒体への情報入力方法と
しては、カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。カメラによる方法としては、通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに情報記録媒体が
使用され、記録部材とするもので、光学的なシャッタも
使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるもの
である。また、プリズム及びカラーフィルターにより光
情報を、R、G、B光成分に分離し、平行光として取り
出しR、G、B分解した情報記録媒体3セットで1コマ
を形成するか、または1平面上にR、G、B像を並べて
1セットで1コマとすることにより、カラー撮影するこ
ともできる。
しては、カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。カメラによる方法としては、通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに情報記録媒体が
使用され、記録部材とするもので、光学的なシャッタも
使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるもの
である。また、プリズム及びカラーフィルターにより光
情報を、R、G、B光成分に分離し、平行光として取り
出しR、G、B分解した情報記録媒体3セットで1コマ
を形成するか、または1平面上にR、G、B像を並べて
1セットで1コマとすることにより、カラー撮影するこ
ともできる。
【0088】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。尚、情報記録媒体における光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。尚、情報記録媒体における光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
【0089】情報記録媒体に記録された静電情報は、図
4に示すように、透過光により情報を再生すると、情報
記録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過
するのに対して、情報を記録していない部位においては
光Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。
液晶の配向により記録された情報は、透過光により目視
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザースキャニン
グ、或いはCCDを用いて透過光により読み取りをする
ことにより高精度で情報を読み取ることができ、必要に
応じてシュリーレン光学系を用いることにより散乱光を
防ぐことができる。
4に示すように、透過光により情報を再生すると、情報
記録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過
するのに対して、情報を記録していない部位においては
光Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。
液晶の配向により記録された情報は、透過光により目視
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザースキャニン
グ、或いはCCDを用いて透過光により読み取りをする
ことにより高精度で情報を読み取ることができ、必要に
応じてシュリーレン光学系を用いることにより散乱光を
防ぐことができる。
【0090】更に、反射光により読み取ることもでき
る。コントラストが問題になる場合には、何れかの層に
反射層を設けるとよい。
る。コントラストが問題になる場合には、何れかの層に
反射層を設けるとよい。
【0091】
【作用及び発明の効果】本発明の第1の情報記録媒体
は、2枚の電極層間に情報記録層及び光導電層を有し、
その情報記録層が液晶相と樹脂相とからなる記録層であ
り、両電極間に電圧を印加しつつ、情報露光されると、
光導電層において発生するキャリアにより形成される電
界により、情報記録層における露光部の液晶層を配向さ
せることにより情報記録を可能とするものである。
は、2枚の電極層間に情報記録層及び光導電層を有し、
その情報記録層が液晶相と樹脂相とからなる記録層であ
り、両電極間に電圧を印加しつつ、情報露光されると、
光導電層において発生するキャリアにより形成される電
界により、情報記録層における露光部の液晶層を配向さ
せることにより情報記録を可能とするものである。
【0092】第2の情報記録媒体は、光導電層を特に有
機感光材料を塗布することにより形成される場合に適用
されるもので、光導電層を溶出させないで、情報記録層
を塗布法により形成することを可能とするものである。
機感光材料を塗布することにより形成される場合に適用
されるもので、光導電層を溶出させないで、情報記録層
を塗布法により形成することを可能とするものである。
【0093】また、本発明の記録媒体における情報記録
層は、液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料との混合溶液が
塗布された後、紫外線照射により硬化され、その外表面
層が紫外線硬化型樹脂からなるスキン層に形成されるの
で、情報記録層上に直接ITO膜を蒸着形成することが
できる。
層は、液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料との混合溶液が
塗布された後、紫外線照射により硬化され、その外表面
層が紫外線硬化型樹脂からなるスキン層に形成されるの
で、情報記録層上に直接ITO膜を蒸着形成することが
できる。
【0094】従って、本発明の情報記録媒体において
は、情報記録層、光導電層、電極層を共に塗布法により
形成するので、セル化しなくても液晶を保持でき、簡便
に電気光学効果が得られるものである。また、情報記録
層をコーティング技術により均一に薄膜化しうるので、
情報記録層ギャップを均一に小さくでき大面積の情報記
録媒体作製が可能であり、更に高解像度の像を記録、再
生することができる。
は、情報記録層、光導電層、電極層を共に塗布法により
形成するので、セル化しなくても液晶を保持でき、簡便
に電気光学効果が得られるものである。また、情報記録
層をコーティング技術により均一に薄膜化しうるので、
情報記録層ギャップを均一に小さくでき大面積の情報記
録媒体作製が可能であり、更に高解像度の像を記録、再
生することができる。
【0095】また、本発明の情報記録媒体は、像情報光
による感光体の光キャリアの発生に伴い、電界のかから
ない状態では光散乱により不透明であるのに対して、電
界をかけると液晶相が配向し、情報記録部を透明状態と
することかできるもので、電界の変調によりアナログの
画像記録が可能であり、情報再生に際して偏向板が不用
であり、又、情報の読み取りに際しての光学系が単純化
しうるものである。
による感光体の光キャリアの発生に伴い、電界のかから
ない状態では光散乱により不透明であるのに対して、電
界をかけると液晶相が配向し、情報記録部を透明状態と
することかできるもので、電界の変調によりアナログの
画像記録が可能であり、情報再生に際して偏向板が不用
であり、又、情報の読み取りに際しての光学系が単純化
しうるものである。
【0096】更に、本発明の第2の情報記録媒体におい
ては、透明絶縁層を有機光導電層と情報記録層の間に設
けることにより、光導電層と情報記録層との相互作用を
無くすことができ、画像ムラ等を無くすことができる。
ては、透明絶縁層を有機光導電層と情報記録層の間に設
けることにより、光導電層と情報記録層との相互作用を
無くすことができ、画像ムラ等を無くすことができる。
【0097】また、情報記録層表面に樹脂のみからなる
スキン層を形成するので、液晶の滲み出しを抑制するこ
とができ、透明電極層を蒸着法により形成することがで
きる。更に、液晶を多く含有させることができるので、
膜厚を薄くでき、動作電圧を低く設定することができ、
高感度、高コントラスト、高品質の可視像を形成するこ
とが可能となるものである。
スキン層を形成するので、液晶の滲み出しを抑制するこ
とができ、透明電極層を蒸着法により形成することがで
きる。更に、液晶を多く含有させることができるので、
膜厚を薄くでき、動作電圧を低く設定することができ、
高感度、高コントラスト、高品質の可視像を形成するこ
とが可能となるものである。
【0098】以下、実施例を説明するが、実施例中、
「部」は重量部、「%」は重量%を示す。
「部」は重量部、「%」は重量%を示す。
【0099】
【実施例1】
【0100】
【化12】 電荷発生材料として上記構造を有するビスアゾ系顔料3
部とポリビニルアセタール樹脂1部を、ジオキサン:シ
クロヘキサン=1:1の混合溶媒で固形分2%とした1
00g溶液をボールミルで十分に分散させた溶液を、I
TO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗値:80Ω/
口)を有するガラス基板上のITO面側に2ミルのギャ
ップのブレードコーターで塗布し、100℃、1時間乾
燥して膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。
部とポリビニルアセタール樹脂1部を、ジオキサン:シ
クロヘキサン=1:1の混合溶媒で固形分2%とした1
00g溶液をボールミルで十分に分散させた溶液を、I
TO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗値:80Ω/
口)を有するガラス基板上のITO面側に2ミルのギャ
ップのブレードコーターで塗布し、100℃、1時間乾
燥して膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。
【0101】次に、電荷輸送材料としてp−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−N−フェニル−ベンジルヒドラ
ゾン15部とポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学:ユ
ーピロンS−100)10部とを、ジクロロメタン:
1,1,2−トリクロロエタン=4:6の混合溶媒にて
固形分17.8%に調整し、この溶液を2ミルのギャッ
プ厚のブレードコーターで上記電荷発生層上に塗布し、
80℃、2時間乾燥して膜厚10μmの電荷輸送層を形
成した。
ミノベンズアルデヒド−N−フェニル−ベンジルヒドラ
ゾン15部とポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学:ユ
ーピロンS−100)10部とを、ジクロロメタン:
1,1,2−トリクロロエタン=4:6の混合溶媒にて
固形分17.8%に調整し、この溶液を2ミルのギャッ
プ厚のブレードコーターで上記電荷発生層上に塗布し、
80℃、2時間乾燥して膜厚10μmの電荷輸送層を形
成した。
【0102】続いて、上記電荷輸送層上に、含フッ素樹
脂サイトップ(商品名;旭硝子 (株)製、吸水率0.0
1%、比抵抗1×1018Ω・cm)をパーフルオロ(2−
ブチルテトラヒドロフラン)に溶解し、その4.5%溶
液をスピンナーで1500rpm、20秒の条件で塗布
し、80℃、3hr乾燥後、膜厚約0.3μmの透明絶
縁層を形成した。
脂サイトップ(商品名;旭硝子 (株)製、吸水率0.0
1%、比抵抗1×1018Ω・cm)をパーフルオロ(2−
ブチルテトラヒドロフラン)に溶解し、その4.5%溶
液をスピンナーで1500rpm、20秒の条件で塗布
し、80℃、3hr乾燥後、膜厚約0.3μmの透明絶
縁層を形成した。
【0103】更に、この透明絶縁層の上に、高分子分散
型液晶の情報記録層として、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート4部、スメクチック液晶S6(商品
名;メルク社製)6部、フッ素系界面活性剤フロラード
FC−430(商品名;3M社製)0.2部、光重合開
始剤「ダロキュア1173」(商品名:メルク社製)
0.2部の混合物をキシレンにて固形分30%に調整
し、この溶液を50μmのギャップ厚のブレードコータ
ーで塗布し、これを50℃に保持し、0.3mJ/cm2
のUV光を照射して、膜厚約6μmの高分子分散型液晶
よりなる情報記録層を得た。
型液晶の情報記録層として、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート4部、スメクチック液晶S6(商品
名;メルク社製)6部、フッ素系界面活性剤フロラード
FC−430(商品名;3M社製)0.2部、光重合開
始剤「ダロキュア1173」(商品名:メルク社製)
0.2部の混合物をキシレンにて固形分30%に調整
し、この溶液を50μmのギャップ厚のブレードコータ
ーで塗布し、これを50℃に保持し、0.3mJ/cm2
のUV光を照射して、膜厚約6μmの高分子分散型液晶
よりなる情報記録層を得た。
【0104】この情報記録層断面を熱メタノールを用い
て、液晶を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡
(日立製作所(株)製、S−800、10000倍)で
内部構造を観察したところ、図3に示すように、層の表
面は0.6μm厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内部
には、粒径0.1μmの樹脂粒子が充填している構造を
有していることがわかった。
て、液晶を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡
(日立製作所(株)製、S−800、10000倍)で
内部構造を観察したところ、図3に示すように、層の表
面は0.6μm厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内部
には、粒径0.1μmの樹脂粒子が充填している構造を
有していることがわかった。
【0105】更に、上記情報記録層の上に、透明電極と
してスパッタ法でITOを約200Å積層し、本発明の
情報記録媒体を作成した。
してスパッタ法でITOを約200Å積層し、本発明の
情報記録媒体を作成した。
【0106】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧1200V
をITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負
として、0.1秒間印加することで、グレースケールに
対応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケー
ルの低露光量側でも、十分なコントラストが得られる像
が透過光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧1200V
をITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負
として、0.1秒間印加することで、グレースケールに
対応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケー
ルの低露光量側でも、十分なコントラストが得られる像
が透過光により確認できた。
【0107】更に、この情報記録媒体をCCDラインセ
ンサーを用いたスキャナーにより読み取り、昇華プリン
ターで出力した結果、諧調性を有し、高解像度のハード
コピーが得られた。
ンサーを用いたスキャナーにより読み取り、昇華プリン
ターで出力した結果、諧調性を有し、高解像度のハード
コピーが得られた。
【0108】
【実施例2】ガラス基板(コーニング社製、7059ガ
ラス、45×50mm、1.1mm厚)の上に、酸化インジ
ウム−錫透明電極(100Ω/口)を電子銃蒸着により
成膜し、その電極上に電荷注入防止層としてSiO2 膜
(0.1μm)をスパッタリング法により成膜した。
ラス、45×50mm、1.1mm厚)の上に、酸化インジ
ウム−錫透明電極(100Ω/口)を電子銃蒸着により
成膜し、その電極上に電荷注入防止層としてSiO2 膜
(0.1μm)をスパッタリング法により成膜した。
【0109】この電荷注入防止層上に、電荷発生層とし
てa−セレン−テルル混合蒸着層(テルル濃度42%)
を0.1μmの膜厚に成膜した。蒸着条件は次の通りで
ある。真空蒸着装置(JEE−4B、日本電子 (株)
製)を使用し、到達真空度を2.0×10-5torrとし、
蒸発原料として粒状セレン(純度99.999%、三菱
金属 (株)製)、粒状テルル(純度99.99%、高純
度化学 (株)製)を使用し、粒状セレンはアルミナ製坩
墻(ニラコ (株)製)、粒状テルルは昇華金属用ボート
(ニラコ (株)製)によって蒸発させた。
てa−セレン−テルル混合蒸着層(テルル濃度42%)
を0.1μmの膜厚に成膜した。蒸着条件は次の通りで
ある。真空蒸着装置(JEE−4B、日本電子 (株)
製)を使用し、到達真空度を2.0×10-5torrとし、
蒸発原料として粒状セレン(純度99.999%、三菱
金属 (株)製)、粒状テルル(純度99.99%、高純
度化学 (株)製)を使用し、粒状セレンはアルミナ製坩
墻(ニラコ (株)製)、粒状テルルは昇華金属用ボート
(ニラコ (株)製)によって蒸発させた。
【0110】セレンの結晶化及びテルルの拡散を防止す
るために基板ホルダーを水冷して基板を室温状態に維持
し、セレン、テルルそれぞれの蒸発源の蒸着速度を水晶
発信子膜厚計(CRTM−7000、日本真空技術
(株)製)によって独立に測定しつつ、一定の蒸発速度
比になるように蒸発源電源を帰還制御しながら蒸着し
た。蒸着速度比は、組成に対する検量線を予め作成して
おき、所望の組成になるように決定した。テルル濃度が
42%の場合にはセレンとテルルの蒸着速度比は20:
10とした。
るために基板ホルダーを水冷して基板を室温状態に維持
し、セレン、テルルそれぞれの蒸発源の蒸着速度を水晶
発信子膜厚計(CRTM−7000、日本真空技術
(株)製)によって独立に測定しつつ、一定の蒸発速度
比になるように蒸発源電源を帰還制御しながら蒸着し
た。蒸着速度比は、組成に対する検量線を予め作成して
おき、所望の組成になるように決定した。テルル濃度が
42%の場合にはセレンとテルルの蒸着速度比は20:
10とした。
【0111】次に、セレンのみを蒸着(膜厚3μm)さ
せて電荷輸送層を形成し、本発明の光導電層を積層し
た。
せて電荷輸送層を形成し、本発明の光導電層を積層し
た。
【0112】続いて、この電荷輸送層の上に、高分子分
散型液晶よりなる情報記録層、透明電極層を順次実施例
1と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
散型液晶よりなる情報記録層、透明電極層を順次実施例
1と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
【0113】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧500Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧500Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
【0114】
【実施例3】ITO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層した。
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層した。
【0115】次に、この電荷輸送層上に透明絶縁層とし
てEB蒸着法によりSiO2 を2500Å積層し、透明
絶縁層を形成した。
てEB蒸着法によりSiO2 を2500Å積層し、透明
絶縁層を形成した。
【0116】続いて、この透明絶縁層の上に、高分子分
散型液晶よりなる情報記録層、透明電極層を順次実施例
1と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
散型液晶よりなる情報記録層、透明電極層を順次実施例
1と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
【0117】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧800Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧800Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
【0118】
【実施例4】ITO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
【0119】次に、この光導電層上に透明絶縁層として
ポリビニルアルコール;ゴーセノールKL−250(商
品名;日本合成化学 (株)製)を蒸留水に溶解し、固形
分5%の溶液を得、スピンコート法により1000rp
m、20秒の条件で塗布し、80℃、3hr乾燥後、膜
厚約2μmの透明絶縁層を形成した。
ポリビニルアルコール;ゴーセノールKL−250(商
品名;日本合成化学 (株)製)を蒸留水に溶解し、固形
分5%の溶液を得、スピンコート法により1000rp
m、20秒の条件で塗布し、80℃、3hr乾燥後、膜
厚約2μmの透明絶縁層を形成した。
【0120】続いてこの透明絶縁層の上に、高分子分散
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
【0121】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧1400V
をITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負
として0.1秒間印加することで、グレースケールに対
応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケール
の低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透
過光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧1400V
をITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負
として0.1秒間印加することで、グレースケールに対
応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケール
の低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透
過光により確認できた。
【0122】
【実施例5】ITO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
【0123】次に、この光導電層上に透明絶縁層として
含弗素樹脂コーティング剤「フロラード722」(商品
名:3M社製、体積抵抗率2.7×1016Ω・cm)を2
ミルのギャップのブレードコーターで塗布し、80℃、
3hr乾燥後、膜厚約0.3μmの透明絶縁層を形成し
た。
含弗素樹脂コーティング剤「フロラード722」(商品
名:3M社製、体積抵抗率2.7×1016Ω・cm)を2
ミルのギャップのブレードコーターで塗布し、80℃、
3hr乾燥後、膜厚約0.3μmの透明絶縁層を形成し
た。
【0124】続いてこの透明絶縁層の上に、高分子分散
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
【0125】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧800Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧800Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
【0126】
【実施例6】ITO透明電極(膜厚:約500Å、抵抗
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
値:80Ω/口)を有するガラス基板上のITO面側
に、電荷発生層、電荷輸送層を順次実施例1と同様に積
層し、光導電層を形成した。
【0127】次に、この光導電層上に透明絶縁層として
次の構造を有するジパラキシリレン
次の構造を有するジパラキシリレン
【0128】
【化13】 を真空下で気化重合させ、ポリ−モノクロロパラキシリ
レンを膜厚約0.6μmで成膜し、透明絶縁層を形成し
た。
レンを膜厚約0.6μmで成膜し、透明絶縁層を形成し
た。
【0129】続いてこの透明絶縁層の上に、高分子分散
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
型液晶よりなる情報記録層、透明導電層を順次実施例1
と同様に作製し、本発明の情報記録媒体を作製した。
【0130】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧600Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧600Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して0.1秒間印加することで、グレースケールに対応
した透過像が情報記録層に形成され、グレースケールの
低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が透過
光により確認できた。
【0131】
【実施例7】電荷発生材料として上記〔化12〕で示さ
れるビスアゾ系顔料3部と塩化ビニル樹脂と酢酸ビニル
樹脂の混合樹脂(デンカ(株)製、商品名#1000
D)1部を、ジオキサン:シクロヘキサン=1:1の混
合溶媒で固形分1.3%とした100g溶液をボールミ
ルで十分に分散させた溶液を、ITO透明電極(膜厚:
約500Å、抵抗値:80Ω/口)を有するガラス基板
上のITO面側に2ミルのギャップのブレードコーター
で塗布し、100℃、1時間乾燥して膜厚0.3μmの
電荷発生層を形成した。
れるビスアゾ系顔料3部と塩化ビニル樹脂と酢酸ビニル
樹脂の混合樹脂(デンカ(株)製、商品名#1000
D)1部を、ジオキサン:シクロヘキサン=1:1の混
合溶媒で固形分1.3%とした100g溶液をボールミ
ルで十分に分散させた溶液を、ITO透明電極(膜厚:
約500Å、抵抗値:80Ω/口)を有するガラス基板
上のITO面側に2ミルのギャップのブレードコーター
で塗布し、100℃、1時間乾燥して膜厚0.3μmの
電荷発生層を形成した。
【0132】次に、電荷輸送材料として1,1−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジフェニル
−1,3−ブタジエン10部とポリスチレン樹脂(デン
カ社製:MW−1)1部とを、ジクロロメタン:1,
1,2−トリクロロエタン=4:6の混合溶媒にて固形
分15%に調整し、この溶液を5ミルのギャップ厚のブ
レードコーターで上記電荷発生層上に塗布し、80℃、
2時間乾燥して膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。
(4−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジフェニル
−1,3−ブタジエン10部とポリスチレン樹脂(デン
カ社製:MW−1)1部とを、ジクロロメタン:1,
1,2−トリクロロエタン=4:6の混合溶媒にて固形
分15%に調整し、この溶液を5ミルのギャップ厚のブ
レードコーターで上記電荷発生層上に塗布し、80℃、
2時間乾燥して膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。
【0133】続いて、上記電荷輸送層上に、実施例6と
同様にポリ(バラキシリレン)を使用して透明絶縁層を
形成し、更に、この透明絶縁層上にジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレート4部、スメクチック液晶S1
(商品名;メルク社製) 部、フッ素系界面活性剤フロ
ラードFC−430(商品名;3M社製)0.2部、光
重合開始剤「ダロキュア1173」(商品名:メルク社
製)0.2部の混合物をキシレンにて固形分50%に調
整し、この溶液を50μmのギャップ厚のブレードコー
ターで塗布し、これを32℃に保持し、0.6mJ/cm
2 のUV光を照射して、膜厚約6μmの高分子分散型液
晶よりなる情報記録層を得た。
同様にポリ(バラキシリレン)を使用して透明絶縁層を
形成し、更に、この透明絶縁層上にジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレート4部、スメクチック液晶S1
(商品名;メルク社製) 部、フッ素系界面活性剤フロ
ラードFC−430(商品名;3M社製)0.2部、光
重合開始剤「ダロキュア1173」(商品名:メルク社
製)0.2部の混合物をキシレンにて固形分50%に調
整し、この溶液を50μmのギャップ厚のブレードコー
ターで塗布し、これを32℃に保持し、0.6mJ/cm
2 のUV光を照射して、膜厚約6μmの高分子分散型液
晶よりなる情報記録層を得た。
【0134】更に、上記情報記録層の上に、透明電極を
実施例1同様に積層した。
実施例1同様に積層した。
【0135】この情報記録媒体の光導電層側からグレー
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧600Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して、1/30秒間印加することで、グレースケールに
対応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケー
ルの低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が
透過光により確認できた。
スケールを投影露光すると同時に、直流電圧600Vを
ITO電極間に、光導電層側を正、情報記録層側を負と
して、1/30秒間印加することで、グレースケールに
対応した透過像が情報記録層に形成され、グレースケー
ルの低露光量側でも十分なコントラストが得られる像が
透過光により確認できた。
【0136】
【実施例8】実施例1における樹脂形成用材料に代え
て、熱硬化型樹脂であるビスフェノール樹脂(エピコー
ト828:油化シェルエポキシ(株)製)脂肪族硬化剤
(B−002:同上製)を使用し、60℃に加熱して硬
化させた以外は、実施例1同様にして情報記録媒体を作
製した。
て、熱硬化型樹脂であるビスフェノール樹脂(エピコー
ト828:油化シェルエポキシ(株)製)脂肪族硬化剤
(B−002:同上製)を使用し、60℃に加熱して硬
化させた以外は、実施例1同様にして情報記録媒体を作
製した。
【0137】この情報記録媒体を実施例1同様に情報記
録させたところ、同様の結果が得られたが、情報記録面
にしみ状の汚れが発生し、液晶の滲み出しが生じている
ことがわかった。
録させたところ、同様の結果が得られたが、情報記録面
にしみ状の汚れが発生し、液晶の滲み出しが生じている
ことがわかった。
【図1】本発明の情報記録媒体の模式断面図である。
【図2】本発明の情報記録媒体の情報記録再生方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図3】本発明の情報記録媒体の情報記録層断面におけ
る粒子構造を示す図面に代える走査型電子顕微鏡写真で
ある。
る粒子構造を示す図面に代える走査型電子顕微鏡写真で
ある。
3は情報記録媒体、11は情報記録層、13、13′は
電極層、14は光導電層、15は基板、16は透明絶縁
層、18はパターン露光、Aは透過光、Bは散乱光
電極層、14は光導電層、15は基板、16は透明絶縁
層、18はパターン露光、Aは透過光、Bは散乱光
Claims (8)
- 【請求項1】 電極層、光導電層、情報記録層、電極層
を順次設けた情報記録媒体において、少なくとも一方の
電極が透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相
からなることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項2】 電極層、光導電層、透明絶縁層、情報記
録層、電極層を順次設けた情報記録媒体において、少な
くとも一方の電極が透明であり、かつ情報記録層が液晶
相及び樹脂相からなることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項3】 透明絶縁層がポリ(モノクロロパラキシ
リレン)である請求項2記載の情報記録媒体。 - 【請求項4】 情報記録層が、弗素系界面活性剤を含有
していること特徴とする請求項1または2記載の情報記
録体。 - 【請求項5】 光導電層が、下記一般式(1)で示され
る化合物を含有していることを特徴とする請求項1また
は2記載の情報記録媒体。一般式(1) 【化1】 (但し、式中のXは水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、ニトロ基、スルホン酸基、水酸基、カルボキシ
ル基、ハロゲン原子より選択される同じか又は異なって
もよく、またnは0〜3の整数、Rは置換されててもよ
い炭化水素環基、複素環基、或いはアルキル基であ
る。) - 【請求項6】 情報記録層が、液晶と紫外線硬化型樹脂
形成材料との混合溶液が塗布された後、紫外線照射によ
り硬化され、その外表面層が紫外線硬化型樹脂のみから
なるスキン層に形成されたことを特徴とする請求項1ま
たは2記載の情報記録媒体。 - 【請求項7】 電極層、光導電層、情報記録層、電極層
を順次設けた情報記録媒体であって、少なくとも一方の
電極が透明であり、かつ情報記録層が液晶相及び樹脂相
からなる情報記録媒体において、その両電極間に電圧を
印加しつつ情報露光し、情報に応じて液晶相を配向させ
て情報記録を行い、情報記録の再生にあたっては透過光
或いは反射光により可視情報として再生することを特徴
とする情報記録再生方法。 - 【請求項8】 電極層、光導電層、透明絶縁層、情報記
録層、電極層を順次設けた情報記録媒体であって、少な
くとも一方の電極が透明であり、かつ情報記録層が液晶
相及び樹脂相からなる情報記録媒体において、その両電
極間に電圧を印加しつつ情報露光し、情報に応じて液晶
相を配向させることにより情報記録を行い、情報記録の
再生にあたっては透過光或いは反射光により可視情報と
して再生することを特徴とする情報記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4024722A JP2855020B2 (ja) | 1991-01-31 | 1992-01-14 | 情報記録媒体及び情報記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084791 | 1991-01-31 | ||
| JP3-10847 | 1991-01-31 | ||
| JP4024722A JP2855020B2 (ja) | 1991-01-31 | 1992-01-14 | 情報記録媒体及び情報記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130347A true JPH06130347A (ja) | 1994-05-13 |
| JP2855020B2 JP2855020B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=26346193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4024722A Expired - Lifetime JP2855020B2 (ja) | 1991-01-31 | 1992-01-14 | 情報記録媒体及び情報記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855020B2 (ja) |
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| JP2855020B2 (ja) | 1999-02-10 |
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