JPH06132343A - ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH06132343A
JPH06132343A JP4276905A JP27690592A JPH06132343A JP H06132343 A JPH06132343 A JP H06132343A JP 4276905 A JP4276905 A JP 4276905A JP 27690592 A JP27690592 A JP 27690592A JP H06132343 A JPH06132343 A JP H06132343A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
case
wire
casing
wire bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4276905A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3206142B2 (ja
Inventor
Isamu Morisako
勇 森迫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP27690592A priority Critical patent/JP3206142B2/ja
Priority to US08/135,337 priority patent/US5433371A/en
Publication of JPH06132343A publication Critical patent/JPH06132343A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3206142B2 publication Critical patent/JP3206142B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/38Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551Changing the shapes of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01571Cleaning, e.g. oxide removal or de-smearing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07118Means for cleaning, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07125Means for controlling the bonding environment, e.g. valves or vacuum pumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07168Means for storing or moving the material for the connector
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07502Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 弱いエネルギーで確実にワイヤボンディング
できる装置と方法を提供することを目的とする。 【構成】 ワイヤボンダAと、活性化されたガス分子に
より基板10やチップ9の表面をクリーニングするクリ
ーニング装置Bと、ワイヤボンダAとクリーニング装置
Bに基板10を受渡しする受渡し手段を構成し、且つワ
イヤボンダAの下方に、基板10が載置される載置部1
2とキャピラリツール2とを包囲するケース11と、こ
のケース11の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス
供給部23とを設けた。 【効果】 チップ9や基板10の電極を活性化されたガ
スでクリーニングした後、弱いエネルギーでワイヤボン
ディングできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
及びワイヤボンディング方法に係り、詳しくは、基板の
表面を活性化されたガス分子でクリーニングした後、不
活性ガス雰囲気中において、ワイヤによりチップの電極
と基板の電極を接続するワイヤボンディング装置及びワ
イヤボンディング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハーから切り出されたチップをリー
ドフレームやプリント基板などの基板に搭載した後、ワ
イヤボンディング装置によりチップの電極と基板の電極
を接続するワイヤボンディングが行われる。
【0003】ワイヤボンディングは、ホーンの先端部に
保持されたキャピラリツールにワイヤを挿通し、ワイヤ
の下端部近傍のトーチに電圧を印加することにより、ワ
イヤとトーチの間に電気的スパークを発生させてワイヤ
の下端部にボールを形成し、次にキャピラリツールを下
降させてこのボールをチップの電極に押し付けてボンデ
ィングした後、キャピラリツールを基板の電極の上方へ
移動させ、再度キャピラリツールを下降させてワイヤを
電極にボンディングするようになっている。
【0004】チップの電極は、アルミニウムや金などの
金属により形成されており、大気中で酸化されて、その
表面に酸化膜が生じる。またチップの電極には空気中の
有機物が付着して汚染されている。この酸化膜や汚染物
(有機物)は導電性を低下させ、またボールのボンディ
ング性を低下させる。したがって、ワイヤボンディング
は、キャピラリツールを超音波振動させながら、ボール
を電極に強く押し付けることにより、電極の表面がえぐ
られ、その新鮮な金属面を露出させながら行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、キャピ
ラリツールを超音波振動させながらボールをチップの電
極に強く押し付けると、その衝撃のためにチップにクラ
ックが生じやすい。このクラックには大気中の湿気が侵
入し、チップの表面に形成された回路パターンの絶縁性
を破壊する。またボールを電極に強く押し付けると、ボ
ールは偏平に変形してその外形が大きくなることから、
隣り合う電極上のボールが接触しないように電極間のピ
ッチを大きくとらねばならず、チップの小型高集積化を
困難にする一因になっていた。また基板の電極にも酸化
膜が生じており、この酸化膜が導電性やボンディング性
を低下させる原因となっていた。また前記有機汚染物
は、超音波振動によっても除去することは困難であっ
た。
【0006】したがって、本発明は上記従来装置の問題
点を解消して、弱いエネルギーで確実にワイヤボンディ
ングできるワイヤボンディング装置及びワイヤボンディ
ング方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、不
活性ガス雰囲気のケース内でワイヤボンディングを行う
ワイヤボンダと、ケーシング内の活性化されたガス分子
で基板の表面をクリーニングするクリーニング装置と、
このケースとケーシングをゲートバルブで連結するとと
もに、このケースとケーシングの間で基板を受渡しする
受渡し手段とから構成されている。
【0008】
【作用】上記構成によれば、クリーニング装置のケーシ
ング内で活性化されたガス分子を基板の表面に衝突させ
てチップの電極や基板の電極の表面の酸化膜や有機物を
クリーニングした後、ゲートバルブを通してこの基板を
ワイヤボンダのケースに収納する。そしてこのケース内
の不活性ガス雰囲気中において、キャピラリツールによ
りワイヤボンディングを行う。この場合、チップや基板
の電極の表面の酸化膜や有機物は予めクリーニングして
除去されているので、ボールやワイヤを弱い力で電極に
ボンディングできる。
【0009】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0010】図1は本発明のワイヤボンディング装置の
一実施例の全体側面図であり、図2は上記実施例の部分
断面図である。このワイヤボンディング装置はワイヤボ
ンダAと,プラズマクリーニング装置(クリーニング装
置)Bと、両者A,Bの間で基板10を受渡しする受渡
し手段を備えている。
【0011】先ず、図1と図2を参照しながら、ワイヤ
ボンダAの詳細な構造を説明する。ホーン1の先端部に
キャピラリツール2が保持されている。キャピラリツー
ル2にはワイヤ3が挿通されている。ホーン1の基端部
にはホーン1を超音波振動させる圧電素子4が装着され
ており、またホーン1は駆動部5に片持ち支持されてい
る。この駆動部5の内部には、ホーン1をピン8を中心
に上下方向N1に揺動させるための駆動手段が内蔵され
ている。この駆動手段は周知手段であり、その説明は省
略する。
【0012】駆動手段5はモータMXに駆動されるXテ
ーブル6に結合されており、またXテーブル6はモータ
MYに駆動されるYテーブル7に支持されており、Yテ
ーブル7はモータMZに駆動されるZテーブル8に支持
されている。したがってモータMX,MYが駆動する
と、ホーン1やキャピラリツール2はX方向やY方向に
水平移動し、またモータMZが駆動するとホーン1やキ
ャピラリツール2は昇降する。
【0013】キャピラリツール2の下方にはケース11
が設けられており、ケース11の内部には基板10の載
置部12が設けられている。図1に示すように、載置部
12はシリンダ13のロッド13aに支持されており、
シリンダ13のロッド13aが突没すると、載置部12
は昇降する。図2に示すように、ケース11の上面には
開口部14があり、モータMZが駆動すると、キャピラ
リツール2の下端部はこの開口部14に出入する。開口
部14の下側に設けられた開閉蓋15は、モータ16の
回転軸17に固着されたブラケット18に結合されてお
り、モータ16が駆動すると、回転軸17を中心に水平
回転して開口部14の下側を開閉する。
【0014】図1において、21はチッソガスをケース
11内に供給するパイプ、22は切替バルブ、23はチ
ッソボンベやチッソガス発生器などの不活性ガス供給部
であり、バルブ22を開くと、ケース11の壁部に穿孔
された通気路24(図2参照)を通って、開口部14内
に不活性ガスとしてのチッソガスが吹き出され、開口部
14内はチッソガス雰囲気となる(図5も参照)。
【0015】25はこの開口部14に設けられたトーチ
であり、このトーチ25に電圧が印加されると、ワイヤ
3の下端部との間に電気的スパークが生じ、チッソガス
雰囲気中において、ワイヤ3の下端部にボール3aが形
成される。また図1に示すように、ケース11にはパイ
プ26が接続されており、バルブ27を開くと、ポンプ
28によりケース11内のガスは排気され、ケース11
内は真空吸引される。ケース11の左側上面には開閉扉
29が設けられており、この開閉扉29をピン30を中
心に回転させて開くことにより、ケース11に基板10
を出し入れする。9は基板10に搭載されたチップであ
る。
【0016】図2において、前記駆動部5にはプレート
状のカバー体20が取付具19を介して取り付けられて
いる。キャピラリツール2はこのカバー体20のセンタ
ーの孔部20aに上下動自在に遊挿されている。前記モ
ータMZが駆動すると、カバー体20はホーン1やキャ
ピラリツール2と一体的に上下動し、開口部14の上側
を開閉する。図3に示すように、カバー体20が下降
し、また前記開閉蓋15が開口部14の下側を塞いだ状
態で、開口部14の内部は略密室Tとなり、そこで上述
のようにこの密室T内にチッソガスなどの不活性ガスを
供給し、不活性ガス雰囲気中でワイヤボンディングを行
う。39は気密用パッキンである。
【0017】次に図1を参照しながらプラズマクリーニ
ング装置Bを説明する。このプラズマクリーニング装置
Bは、本出願人が先に提案した特開平3−159143
号公報に記載されたものと原理的に同じものであり、以
下簡単に説明する。ケーシング31の内部には、電極を
兼ねた基板10の載置体32が設けられている。載置体
32はシャフト33に支持されており、シャフト33は
シリンダ34のロッド35に支持されている。したがっ
てロッド35が突没すると、載置体32は昇降する。ま
た載置体32には電源36が接続されており、高電圧が
印加される。また載置体32の上方には導電板37が設
けられており、この導電板37はアース線38でアース
されている。
【0018】41はアルゴンガスなどの放電ガスをケー
シング31に供給する放電ガス供給部であって、パイプ
42を介してケーシング31に接続されている。43は
バルブである。またケーシング31には、パイプ45が
接続されており、ポンプ44を駆動してケーシング31
内のガスを吸引除去する。46はバルブである。前記ケ
ース11とケーシング31は、ゲートバルブ50を介し
て連絡されている。ゲートバルブ50は、ケース11と
ケーシング31の真空状態を保持しながら、基板10を
ケース11とケーシング31の間で受渡しするものであ
り、それ自体は周知のものであるので、詳細な構造の説
明は省略する。
【0019】次に、図1を参照しながら基板10の受渡
し手段を説明する。51は前記ケース11の左側部に設
けられた水平なロッドであり、ナット52に片持ち支持
されている。このナット52はX方向のボールねじ53
が螺合している。ゲートバルブ50が開いた状態でモー
タ54が駆動してボールねじ53が回転すると、ナット
52とロッド51は右方へ移動し、載置部12上の基板
10を、ケーシング31内の載置体32上へ押送して受
け渡す。したがって上記構成部品51〜54は、第1の
受渡し手段を構成している。
【0020】ケーシング31内には、水平なシャフト6
2に沿ってX方向に移動するロッドレスシリンダ61が
設けられている。ゲートバルブ50が開いた状態でこの
ロッドレスシリンダ61が左方に移動することにより、
その長尺のアーム63の先端部で載置体32上の基板1
0をケース11内の載置部12上へ押送して受け渡す。
すなわちこれらの構成部品61,62,63は第2の受
渡し手段を構成している。64は基板10のガイドレー
ルである。上記のように構成されたワイヤボンディング
装置について、次に図6(a)〜(h)を参照しながら
動作を説明する。
【0021】図1において、開閉扉29を開き、基板1
0を載置部12に載せて、開閉扉29を閉じる(図6
(a)も参照)。このとき、図6(a)に示すように、
ケース11は大気圧、ケーシング31は真空状態でアル
ゴンガスが充満している。次にポンプ28を駆動してケ
ーシング11内を真空排気してケーシング11内を真空
状態とした後(図6(b))、ゲートバルブ50を開い
てモータ54を駆動し、ロッド51を右方へ移動させる
ことにより、図6(c)に示すように基板10をケース
11からケーシング31の載置体32上へ搬送する。
【0022】次にロッド51は左方へ移動し、ゲートバ
ルブ50は閉じる。また放電ガス供給部41からケーシ
ング31へアルゴンガスなどの放電ガスを供給し、ケー
シング31に放電ガスが十分に充満されたならば、載置
体32に高電圧を印加する。するとケーシング31内に
プラズマ放電が生じ、これにより生じたアルゴンガス分
子、アルゴンイオン、マイナス電子などが活性化して基
板10やチップ9の表面に衝突し、これらの電極表面の
酸化膜や有機物をえぐり取って除去する(図6(d)参
照)。
【0023】このようにしてプラズマクリーニングが終
了したならば、ゲートバルブ50を開いた後、ロッドレ
スシリンダ61を左方へ移動させて、ケーシング31の
載置体32上の基板10をケース11の載置部12上へ
搬送する(図6(e))。このとき、ケース11内はポ
ンプ28を駆動することにより真空状態を保持してい
る。図2は、このようにして、プラズマクリーニングが
終了した基板10が載置部12上に受渡された状態を示
している。
【0024】次に、図3に示すように、モータMZを駆
動してカバー体20を下降させるとともにゲートバルブ
50を閉じ、カバー体20で開口部14の上面側を略遮
蔽し、また不活性ガス供給部23からケース11内や開
口部14内にチッソガスを供給する(図6(f)参
照)。チッソガスが供給されることにより、ケース11
内は真空状態から徐々に大気圧状態となる。なおこの場
合、カバー体20は開口部14の上面側を完全には遮蔽
しておらず、チッソガスの一部はカバー体20とケース
11の上面との間のすき間から、矢印N2(図3参照)
で示すように少しずつ外部に流出する。
【0025】次に図4に示すように、モータ16を駆動
して開閉蓋15を開くとともに、シリンダ13のロッド
13aを突出させて基板10を開口部14の真下まで上
昇させる。この状態で、ワイヤボンダAを運転して、チ
ップ9の電極と基板10の電極をワイヤ3で接続する
(図6(g)参照)。このワイヤボンディングは、XY
テーブル6,7を駆動してキャピラリツール2を水平方
向に移動させながら、駆動部5を駆動してホーン1を上
下方向N1に揺動させることにより行われる。
【0026】このワイヤボンディング中にも、チッソガ
スは開口部14に供給されており、電極が酸化されるの
を防止しながらワイヤボンディングを行う。勿論、この
ワイヤボンディングに先立って、チップ9や基板10の
電極はプラズマクリーニングしているので、電極表面に
は酸化膜はなく、弱いエネルギーで確実にボンディング
できる。また従来の装置では、大気中の湿気が電極やボ
ール3aに付着して、ボンディングを阻害しやすいもの
であったが、本装置では大気中の湿気が開口部14内に
侵入することもないので、このような問題も解消でき
る。
【0027】以上のようにしてワイヤボンディングが終
了したならば、不活性ガス供給部23からのチッソガス
の供給を停止し、また載置部12を下降させたうえで、
開閉扉29を開いて基板10をケース11から取り出す
(図6(h)参照)。このように本装置によれば、チッ
プ9や基板10のプラズマクリーニングとワイヤボンデ
ィングとを、一連の作業として行うことができる。
【0028】図7は本発明の他の実施例に係るクリーニ
ング装置の断面図である。41Aはガス供給部であっ
て、酸素(O2 )やオゾン(O3 )をケーシング31に
供給する。基板10の載置体32の上方にはUVランプ
71が設けられている。このUVランプ71には電源7
2が接続されており、スイッチ73を投入すると、UV
ランプ71が点灯して基板10にUV光が照射される。
【0029】ここで、ケーシング31にガス供給部41
Aから酸素を供給してUV光を照射すると、酸素はエネ
ルギー準位の高い酸素ラジカルとなり、基板10の表面
に当ってこの表面に付着する有機物を酸化させてクリー
ニングし、炭酸ガスとなる。また酸素ラジカルは電極の
表面に衝突してその酸化膜を除去する。この炭酸ガスは
ポンプ44を駆動することによりケーシング31から吸
引除去される。
【0030】またケーシング31にガス供給部41Aか
らオゾンを供給した場合も、オゾンはUV光を照射する
ことにより酸素ラジカルとなり、基板10の表面がクリ
ーニングされる。
【0031】本発明は上記実施例に限定されないのであ
って、例えば基板10の受渡し手段としてはタイミング
ベルトなどを使用してもよく、また図1において、ケー
シング31の右側からケーシング31内に基板10を搬
入し、プラズマクリーニングが終了した基板10を左側
のケース11内へ受渡し、ここでワイヤボンディングを
行った後、ケース11の左面側から自動的に搬出するよ
うにしてもよく、全体のレイアウトや基板の受渡し手段
などは様々考えられる。
【0032】
【発明の効果】本発明は、ワイヤボンディングに先立っ
てチップや基板の電極表面の酸化膜や有機物を活性化さ
れたガス分子で予め除去し、その後、不活性ガス雰囲気
中においてワイヤボンディングを行うようにしているの
で、弱いエネルギーで確実にボンディングでき、ボンデ
ィング時の衝撃によりチップにクラックが生じるのを解
消でき、しかも基板のクリーニングとワイヤボンディン
グを一連の作業として能率よく行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置の側面図
【図2】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置のワイヤボンダの断面図
【図3】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置のワイヤボンダの断面図
【図4】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置のワイヤボンダの断面図
【図5】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置のケースの部分平面図
【図6】本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置の作業中の説明図
【図7】本発明の他の実施例に係るワイヤボンディング
装置のクリーニング装置の断面図
【符号の説明】
A ワイヤボンダ B プラズマクリーニング装置 1 ホーン 2 キャピラリツール 3 ワイヤ 6,7 移動手段(XYテーブル) 9 チップ 10 基板 11 ケース 12 載置部 23 ガス供給部 31 ケーシング 32 載置体(電極) 41 放電ガス供給部 51,52,53,54,61,62,63 受渡し手

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ワイヤが挿通されるキャピラリツールと、
    前記キャピラリツールを保持するホーンと、基板を載置
    する載置部と、前記載置部とキャピラリツールの少なく
    とも下端部を包囲するケースと、前記ケースの内部に不
    活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記キャピラ
    リツールを前記載置部に載置された基板に対して相対的
    に水平方向に移動させる移動手段とを有し、チップの電
    極と基板の電極とをワイヤで接続するワイヤボンダと、 ケーシングと、このケーシングにガスを供給するガス供
    給部と、ケーシング内のガス分子を活性化する活性化手
    段とを有するクリーニング装置とを備え、 前記ワイヤボンダのケースと前記クリーニング装置のケ
    ーシングをゲートバルブを介して連結するとともに、前
    記ケースと前記ケーシングの間に前記基板を受渡しする
    受渡し手段を設けたことを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  2. 【請求項2】クリーニング装置のケーシング内にチップ
    が搭載された基板を搬入するプロセスと、 前記ケーシング内に供給されたガスを活性化手段により
    活性化させて前記ガスの分子を前記基板の表面に衝突さ
    せることにより前記表面をクリーニングするプロセス
    と、 前記プロセスでクリーニングされた前記基板をゲートバ
    ルブを通してワイヤボンダのケースに収納するプロセス
    と、 前記ケースに不活性ガスを供給し、不活性ガス雰囲気中
    においてワイヤが挿通されたキャピラリツールを前記基
    板に対して相対的に水平方向に移動させながら、前記チ
    ップの電極と前記基板の電極を前記ワイヤで接続するプ
    ロセスと、 前記ワイヤの接続が終了した前記基板を前記ケースから
    搬出するプロセスと、を備えることを特徴とするワイヤ
    ボンディング方法。
JP27690592A 1992-10-15 1992-10-15 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JP3206142B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27690592A JP3206142B2 (ja) 1992-10-15 1992-10-15 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
US08/135,337 US5433371A (en) 1992-10-15 1993-10-13 Wire bonding apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27690592A JP3206142B2 (ja) 1992-10-15 1992-10-15 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06132343A true JPH06132343A (ja) 1994-05-13
JP3206142B2 JP3206142B2 (ja) 2001-09-04

Family

ID=17576026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27690592A Expired - Fee Related JP3206142B2 (ja) 1992-10-15 1992-10-15 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5433371A (ja)
JP (1) JP3206142B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100681399B1 (ko) * 2001-01-04 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 패키지 리드 접합 기구의 세정 장치
WO2009072348A1 (ja) * 2007-12-07 2009-06-11 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
JP2009141211A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Shinkawa Ltd ボンディング装置及びボンディング方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245189B1 (en) 1994-12-05 2001-06-12 Nordson Corporation High Throughput plasma treatment system
US5823416A (en) * 1995-07-28 1998-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for surface treatment, and apparatus and method for wire bonding using the surface treatment apparatus
US6180891B1 (en) 1997-02-26 2001-01-30 International Business Machines Corporation Control of size and heat affected zone for fine pitch wire bonding
JP2000235994A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
US6234376B1 (en) * 1999-07-13 2001-05-22 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Supplying a cover gas for wire ball bonding
US6972071B1 (en) 1999-07-13 2005-12-06 Nordson Corporation High-speed symmetrical plasma treatment system
US6709522B1 (en) 2000-07-11 2004-03-23 Nordson Corporation Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system
US6841033B2 (en) * 2001-03-21 2005-01-11 Nordson Corporation Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system
SG114754A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-28 Kulicke & Soffa Investments Laser cleaning system for a wire bonding machine
US7737382B2 (en) * 2004-04-01 2010-06-15 Lincoln Global, Inc. Device for processing welding wire
US20060219754A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Horst Clauberg Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using same
JP4043495B2 (ja) * 2006-04-20 2008-02-06 株式会社カイジョー ワーククランプ及びワイヤボンディング装置
DE102007057429A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Linde Ag Vorrichtung und Verfahren zum Drahtbonden
US8844793B2 (en) * 2010-11-05 2014-09-30 Raytheon Company Reducing formation of oxide on solder
CN104335338B (zh) * 2012-10-05 2017-09-26 株式会社新川 氧化防止气体吹出单元
CN106206365B (zh) * 2015-05-26 2019-04-30 先进科技新加坡有限公司 具有惰性气体环境的模片键合装置
CN107112248B (zh) * 2015-11-05 2021-07-27 古河电气工业株式会社 芯片接合装置以及芯片接合方法
US10818514B1 (en) * 2017-07-14 2020-10-27 Triad National Security, Llc Fine wire manipulator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4159075A (en) * 1977-12-02 1979-06-26 The Singer Company Hermetic bonded seal
JPS61101040A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd ボンデイング装置
JPS61194734A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Hitachi Ltd ワイヤボンダ
DE4032328A1 (de) * 1989-11-06 1991-09-19 Wls Karl Heinz Grasmann Weichl Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern
JP2705255B2 (ja) * 1989-11-16 1998-01-28 松下電器産業株式会社 ワイヤボンディングの前工程における基板のプラズマクリーニング装置
DE4206103A1 (de) * 1992-02-27 1993-09-02 Linde Ag Verfahren zum verloeten von leiterplatten

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100681399B1 (ko) * 2001-01-04 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 패키지 리드 접합 기구의 세정 장치
WO2009072348A1 (ja) * 2007-12-07 2009-06-11 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
JP2009141211A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Shinkawa Ltd ボンディング装置及びボンディング方法
KR100988200B1 (ko) * 2007-12-07 2010-10-18 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 본딩 장치 및 본딩 방법
US7975901B2 (en) 2007-12-07 2011-07-12 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and wire bonding method
CN101897012B (zh) 2007-12-07 2012-02-22 株式会社新川 焊接装置及焊接方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3206142B2 (ja) 2001-09-04
US5433371A (en) 1995-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3206142B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
TWI385739B (zh) Bonding device and joining method
JP4697066B2 (ja) 電極接合方法及び部品実装装置
US5676856A (en) Electric discharge apparatus for cleaning electrode on workpiece and method thereof
CN1703138B (zh) 接合装置及接合方法
JP2924141B2 (ja) ワイヤボンディングの前工程における基板のプラズマクリーニング装置
US6667250B2 (en) Film substrate treatment apparatus, film substrate treatment method, and film substrate transport method
JP2827558B2 (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
US6996889B2 (en) Electronic part mounting apparatus and method
JP2000117213A (ja) プラズマ洗浄方法及び装置
JP2705255B2 (ja) ワイヤボンディングの前工程における基板のプラズマクリーニング装置
WO2003092054A1 (en) Mounting method and mounting system
JPH09129581A (ja) 基板のプラズマクリーニング装置
JP4584031B2 (ja) 接合装置及び接合方法
JP4186495B2 (ja) 電子部品装着装置
JP2000294472A (ja) 除電機能付きステージ及び被加工体の除電方法及びそれを用いた加工装置とシール剤塗布装置
JP2006303051A (ja) ウエーハの研削方法および研削装置
JP2003303854A (ja) チップ実装方法およびそれを用いた装置
JPH0621032A (ja) 基板のプラズマクリーニング装置
JP4575839B2 (ja) 接合装置及び接合方法
JP3171015B2 (ja) クリーニング方法及びクリーニング装置
JP4306533B2 (ja) 電子部品実装装置
JP7422432B1 (ja) ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム
JP7712141B2 (ja) 液状樹脂被覆装置
JPH08115936A (ja) 基板のプラズマクリーニング装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees