JPH06132544A - 陽極接合法、及び加速度センサー - Google Patents

陽極接合法、及び加速度センサー

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JPH06132544A
JPH06132544A JP4284341A JP28434192A JPH06132544A JP H06132544 A JPH06132544 A JP H06132544A JP 4284341 A JP4284341 A JP 4284341A JP 28434192 A JP28434192 A JP 28434192A JP H06132544 A JPH06132544 A JP H06132544A
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隆行 八木
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｓｉ基板とガラス基板とを接合するに際し、
任意の部分のみを接合する。 【構成】 ガラス基板５の上面に接合したい部分に対応
した溝８を形成し、その上に電極１０を設けた後、シリ
コン基板１を重ね、加熱しながら、電極１０とシリコン
基板１に逆電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板と導電体基板
との陽極接合に於いて、接着するべき個所のガラスの厚
さを、接着してはいけない個所に比較して薄くしたり、
接着部分に対応する部分のみに電極を作ることによって
生ずる電界強度の差、すなわち静電引力の差を利用して
接着個所だけを接着する方法、及び加速度センサーに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板と、Ｓｉ基板との接着
は、通常ジョージウォーリス等（Ｇｅｏｒｇｅ Ｗａｌ
ｌｉｓ ａｎｄ Ｄａｎｉｅｌ Ｉ．Ｐｏｍｅｒａｎｔ
ｚ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ，Ｖｏｌ ４０，Ｎｏ１０，Ｓｅｐｔｅｍｂｅ
ｒ，１９６９：Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ２ Ｊａｎｕａｒｙ
１９６９）が開示しているように、ガラス基板をガラス
の軟化点に近い約４００℃に保持しながら、該ガラス基
板と該Ｓｉ基板との間に約３００Ｖの電圧を印加する構
成によって行なわれていた。
【０００３】しかしながら、上記従来例では同一のガラ
ス基板とＳｉ基板との陽極接合に於いて、それぞれ接着
個所、及び非接着個所を意識的に選択しながら接着する
ことは困難であり、かつ次の様な欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】（１）接着しない様に
予め数μｍの深さの凹状部を意識的に形成したＳｉ基板
あるいはガラス基板と、平面状のガラス基板あるいはＳ
ｉ基板とのそれぞれの接着に於いて、これらの該ガラス
基板と該Ｓｉ基板の接着面を互いに突き合せて陽極接合
を行った場合、該凹部の深さが単位長さに対して小さい
時、上記非接着個所となるべき該凹部で接着が余儀なく
生ずる。 （２）ガラス基板及びＳｉ基板の表面は、微視的に見た
場合、うねりあるいは凹凸の存在のため、完全に平滑で
ない。従って、接着してはいけない個所に予め数μｍの
深さの凹状部を形成した場合に於いても、接着はまづ最
初、希望通りに該凹状部以外の個所で均一にかつ同時に
生ずるとは限らず、実際には該接着面同士の間隙が最も
狭くなる個所で生ずる。すなわち、接着しない様に予め
意識的に加工した該数μｍの深さの凹状部で、接着が余
儀なく生ずる場合もある。
【０００５】更に、非接着部として凹状部を意識的に形
成した場合に於いても、上記該うねりあるいは凹凸の存
在のために、まづ、最初に該凹状部以外の個所で接着が
生ずるとは限らず、該凹状部に於いても該ガラス基板と
該Ｓｉ基板との間の間隙が小さい個所では接着が始まる
場合もある。この様な場合、ガラス基板あるいはＳｉ基
板のいづれか一方で、あるいは両方の基板で曲げモーメ
ントを生ずる。該曲げモーメントによって、該凹部の周
囲に位置している本来接着するべき表面での接着を妨
げ、結果として、接触してはならない個所で接着を生
じ、又接着するべき個所で接着を生じない現象が起き
る。 （３）平板状のガラス基板と平板状のＳｉ基板との間の
接着の時、接着面間隔の小さい個所で接着が生ずること
から、もし接着が最初該接着基板面の外周部で生じた場
合、該基板面の中心部で生じないことが多い。すなわ
ち、接着ムラを生ずる。
【０００６】一方、米国出願特許明細書第４，３８４，
８９９号には次のことが記載されている。容量型圧力セ
ンサーエリメントの製作に於いて、窪みを設けた領域、
すなわちメンブレンを形成した領域と該窪み領域の周囲
を取り囲んでいる平面とから成っている表面を有するＳ
ｉ基板の該平面をガラス（Ｐｙｒｅｘガラス；７７４
０）基板に陽極接合する場合、まづ接合に先だってＳｉ
基板上の該窪み領域に相対向しているガラス基板表面上
に予め導電膜を成膜し、さらに該ガラス基板にスルーホ
ールを形成し、その後該ガラス基板表面上の該導電膜と
電気的に連結する様に該スルーホールの内面に導電膜を
成膜する。そして、上記の該Ｓｉ基板に該ガラス基板を
陽極接合する時、該スルーホールの入口に設けた電極を
用いて、ガラス基板上の該導電膜と該Ｓｉ基板とを同電
位にすることによって、Ｓｉ基板上の該メンブレンを湾
曲することなく接合可能としている。
【０００７】しかしながら、米国出願特許明細書第４，
３８４，８９９号に記載のものでは次のような不都合が
生ずる。
【０００８】ガラス基板にスルーホールを形成し、かつ
スルーホール内に導電膜を形成しなければならないの
で、微小なエリメントを製作することは困難である。
【０００９】又、米国出願特許明細書第４，８７５，１
３４号には、次のことが記載されている。
【００１０】容量型圧力センサーの製作に於いて、凹状
のメンブレンを形成している領域と該凹状メンブレンの
周囲を取り囲んでいる平面とから成っている表面を有す
るＳｉ基板の該平面をガラス基板に陽極接合する場合、
まづ接合に先だって、接合面に対して反対側のガラス基
板表面上に該メンブレンに相対向している領域と該平面
に相対向している領域の２つに接合面に直角なガラス壁
で分割し、さらに該ガラス壁で分割したガラス基板上の
２つの凹部内に該ガラス壁の高さまでＳｉを埋め込む。
【００１１】そして、Ｓｉ基板の該平面にガラス基板を
陽極接合する時、Ｓｉ基板とＳｉ基板該平面に相対向し
ている領域のガラス基板上の上記該ガラス壁で分割した
埋め込みＳｉ層との間に電圧を印加することによって接
合している。
【００１２】しかしながら、米国出願特許明細書第４，
８７５，１３４号に記載しのものでは次のような不都合
が生ずる。
【００１３】ガラス基板上に、ガラス壁から成る凹状部
を形成し、さらに該凹状部内に該ガラス壁の高さまでＳ
ｉ層を形成することは幾つかのプロセスを必要とし、か
つ該メンブレンの面積を微小化して行った場合、製作上
困難となる。
【００１４】本発明はこれらの課題点を解決した選択陽
極接合法及び全面陽極接合法を提案することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガラス
基板と導電体基板との陽極接合に於いて、予め接着する
べき個所のガラスの厚さを、接着しない個所に比較して
薄く加工することによって、該接着物間に電圧を印加し
た時、すなわち陽極接合の時、接着するべき個所に電界
強度を大きく作用させるものである。該接着物間の静電
引力は、上記電界強度の増加に従って大きくなることか
ら、接着面間の電界強度の違いは、同時に接着面間に作
用する静電引力の大きさの違いとなる。そこで、ガラス
基板と導電体基板との陽極接合の場合、接着するべき個
所のガラス面を出来るだけ薄くなる様に、該ガラス面の
背面を凹状に加工することによって、結果として該凹状
個所での静電引力を他の平面個所に比較して増加させる
ことが出来、これにより被接着基板面に於いて、該凹状
個所のみを選択的に接着させるものである。
【００１６】更に、本発明によればＳｉ基板とガラス基
板との陽極接合に於いて、新たなアース電極を非接着個
所にするべきガラス基板上に設けることにより、局所的
な非接着個所を意識的に選択しながら接着する事を可能
にするものである。すなわち、Ｓｉ基板とガラス基板と
の陽極接合に於いて、非接着部にするべき個所のガラス
側基板の面上に新たに設けた電極とＳｉ基板との間を同
電位にし、あるいは接着するべき個所のガラス側基板と
Ｓｉ基板との間に、該Ｓｉ基板を陽極とした電圧を印加
する事によって、それぞれ非接着個所あるいは接着個所
を同一基板上に同時に形成する事が可能となる。
【００１７】即ち、本発明は、接合するべき領域と非接
合にするべき領域とを有するガラス基板と導電体基板又
は半導体基板とを接合する選択陽極接合法において、ま
ず前記ガラス基板の接合面の反対面に接合領域に対応す
る凹部を形成することにより接合領域の前記ガラス基板
の厚さを非接合領域よりも薄く形成すると共に反対面全
面に電極を形成し、次いで前記両基板を重ねて所定温度
に加熱すると共に前記形成した電極と導電体基板又は半
導体基板との間に同一電圧を印加することにより、両基
板間の接合するべき領域を選択的に接合させるもので、
凹部の深さが漸次変化することを含む。
【００１８】また本発明は、ガラス基板と導電体基板又
は半導体基板とを全面に亙って接合する全面陽極接合法
において、まず前記ガラス基板の接合面と反対面に反対
面上の少なくとも一方向に沿って中心方向に漸深の凹部
を形成すると共に凹部を形成した反対面に電極を形成
し、次いで前記両基板を重ねて所定温度に加熱すると共
に前記形成した電極と導電体基板又は半導体基板との間
に同一電圧を印加し、その後印加している電圧を増加す
るものである。
【００１９】更に、本発明は、接合するべき領域と非接
合にするべき領域とを有するガラス基板と導電体基板又
は半導体基板とを接合する選択陽極接合法において、ま
ず前記ガラス基板の非接合とするべき領域又は非接合と
するべき領域に対応する反対面に電極を形成し、次いで
両基板を重ねて所定温度に加熱すると共に前記電極と導
電体基板又は半導体基板とを同電位に保持しながらガラ
ス基板と導電体基板又は半導体基板との間に電圧を印加
することにより、両基板間の接合すべき領域を選択的に
接合させるもので、電極が蒸着膜、箔膜、又は平板で形
成された導電体であること、電極の材料がＡｌ，Ａｕ，
Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｓｉ，又はＩＴＯであること、電極が
非接合領域のガラス基板の全面に電気的に連結された、
又は非接合領域のガラス基板の外周で電気的に連結され
たものであることを含む。
【００２０】また、本発明は、上面に照射光量の変化を
検出して出力する変位検出固定センサーを配設した第１
ガラス基板と、前記第１ガラス基板上に積重したシリコ
ン基板であって前記基板には貫通孔を形成すると共に、
前記貫通孔内に揺動自在に第１スリットを有する重り部
を板バネ部を介して一体に形成してなるシリコン基板
と、シリコン基板上に積重してなり第２スリットを有す
る第２ガラス基板とからなり、かつ固定センサーと第１
スリットと第２スリットとを直線状に配設してなる加速
度センサーである。
【００２１】更に、本発明は、重りと、該重りの重心あ
るいは該重心の近傍を通る該重り面の法線上に、該法線
に対して直角にそれぞれ短軸及び長軸を有するスリット
を、該重りの重心あるいは該重心の近傍点を点対称とし
た該重りの外周端の２ケ所にそれぞれ該重りを支える板
バネの一端を、そして該重りの重心あるいは該重心の近
傍点を中心に該板バネの一端から角度２２５度の位置の
Ｓｉ基板上に該板バネの他端を有する、すなわち前記２
枚の板状バネで該重りを支える可動要素をそれぞれＳｉ
基板上に一体で形成し、さらに一方のガラス基板の片面
あるいは両面に遮光薄膜を成膜後上記該スリットを通過
する光軸線上の該遮光薄膜面内にスリットを、他方のガ
ラス基板の片面に遮光薄膜を、他の片面に上記該重りに
形成した該スリットからの入射光に対して光導電性を示
す薄膜すなわち加速度によって生ずる上記Ｓｉ基板上に
形成した該スリットの変位に対応して電気抵抗変化を生
ずる形状に該光導電性薄膜からなる固定センサーをそれ
ぞれ形成し、これら該Ｓｉ基板を挟む様に上記２枚の該
ガラス基板を互いに相対向した状態に、前記特許請求範
囲１，２，３，４に述べた接合個所選択陽極接合法を用
いて接着することによって、該光導電性薄膜から成る固
定センサーの電気抵抗変化から前記重りに加わる加速度
を検出する検出手段とを有することを特徴とする加速度
センサーである。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て説明する。
【００２３】（実施例１）図１〜５は第１の本発明の実
施例を示す。
【００２４】これらの図に於いて、１はＳｉ基板、２は
Ｓｉ基板１に加工した振り子、３はＳｉ基板１に加工し
て形成した振り子２の円弧運動中心となる軸梁（縦１０
μｍ，横１５μｍの直方体状梁）、４はＳｉ基板１に加
工した空隙、５はガラス基板、６はガラス基板５の非接
着にするべき個所に加工した深さ３μｍの凹状の溝、７
は６と同様に非接着にするべき個所のガラス基板５に加
工した深さ３μｍの凹状の溝、８は接着するべき個所の
ガラス基板５に加工した溝（接着面までの厚さは０．２
ｍｍ）、１０は陽極接合時に電界を印加するため接着面
に対して反対側のガラス５の表面に成膜した導電膜から
成る電極、１１は針電極、１２は直流電源、１３はヒー
ター付プラテンである。
【００２５】つぎに、上記構成に於いてＳｉ基板１とガ
ラス基板５との接着をする前に、接着するべき個所と接
着してはいけない個所との整合を、Ｓｉ基板１とガラス
基板５との間で行なう。すなわちＳｉ基板１に加工した
可動要素となる振り子２がガラス基板５に加工した溝６
に相対向する様に、それぞれＳｉ基板１及びガラス基板
５を突き合わせる。次いで、プラテン１３によって被接
着物を４００℃に加熱保持した状態で、針電極１１を薄
膜電極１０に電気的に連結し、直流電源１２によってＳ
ｉ基板１及びガラス基板５がそれぞれ陽極及び陰極にな
る様に電圧を印加する。この操作によって、接着するべ
き個所、すなわち溝８のガラス表面と接着するべきＳｉ
基板表面間の電界強度は、非接着とするべき個所と比較
して大きくなる。従って、ガラス基板とＳｉ基板１との
間で陽極接合を行なう場合、直流電源１２によって電圧
を次第に増加して行くと、接着は最も大きな電界強度を
生ずる溝８の個所で生ずる。そして、上記の様な操作に
よって接着するべき個所で接着が生じた時点で、ガラス
基板５とＳｉ基板１との間に印加している電圧を一定に
保持した場合、溝６及び溝７での接着（Ｓｉ基板１とガ
ラス基板５との間の接着）を防止できる。すなわち、上
記の電界差を利用することによって、選択した個所のみ
を陽極接合する事が可能となる。
【００２６】なお、上記実施例においては被接着物を４
００℃に加熱したがこれに限られない。
【００２７】（実施例２）図６，７は第２の本発明の実
施例を示すものである。これらの図に於いて１はＳｉ基
板、５はガラス基板、９はガラス基板５の中心近傍で最
も薄く、外周で厚くなる凹状溝、１０はガラス基板５上
の溝９の表面に成膜したＡｌ薄膜電極、１１はＡｌ薄膜
電極１０に電気的に連結している針電極、１２はガラス
基板５とＳｉ基板１との間に電圧を印加するための直流
電源、１３はヒータ付プラテンである。
【００２８】つぎに上記構成に於いて、Ｓｉ基板１とガ
ラス基板５とを接着をするに際しては、まずＳｉ基板１
と溝９に対して反対側のガラス基板５との表面同士を互
いに突き合せる。次いで、ヒータ付プラテン１３によっ
て該被接着物を４００℃に加熱及び保持しながら、直流
電源１２によってＳｉ基板１及びガラス基板５がそれぞ
れ陽極及び陰極になる様に電圧を印加し、そして直流電
源１２を操作して、該電圧を次第に増加して行く。従っ
て、ガラス基板５とＳｉ基板１の接着面との間に生ずる
電界強度は、該溝９の中心近傍で最も大きくなる。電界
強度の増加に従って静電引力は増加するため、該静電引
力によって、接着はまづ最初、該溝９の中心近傍で生ず
る。そして、該印加電圧を次第に増加して行くに従っ
て、該接着は該接着基板の中心部から外周部へと進行し
て行く。この上記接着方法によって、すなわち接着は該
接着物の中心部でまづ生じ、次第に外周方向に向って生
ずることから、該中心部分での接着漏れを防止すること
が可能となり、結果として、全面に渡って一様な接着を
容易な操作で行うことが出来る。
【００２９】（実施例３）図８〜１０は本発明の第３の
発明の実施例を示すものである。
【００３０】図８は本発明の特徴を最も良く表わす図面
であり、図９及び図１０は図８に於けるそれぞれＡ矢視
図及びＢ矢視図である。上記のこれらの図に於いて、２
１は接着用Ｓｉ基板、２２はＳｉ基板２１に加工した円
弧運動する振り子、２３は振り子２２の軸梁、２４は空
隙、２５はガラス（パイレックス＃７７４０）基板、２
６はガラス基板２５に加工した深さ３μｍの凹状の溝、
２７はＳｉ基板２１とガラス基板２５を陽極接合する場
合の非接着個所であるところの溝２６の直上のガラス基
板２５の表面に電気的に連結しており、溝２６の大きさ
と同等な、かつ同様な形状を有するアース電極である。
２８はヒータ付プラテン、２９は陽極接合用直流電源、
３０はガラス基板２５の表面に接触し、電気的に連結し
ている針電極、３１はアース電極２７に接触し、電気的
に連結している針電極である。
【００３１】つぎに上記構成に於いて、両基板２２，２
５の接合を説明する。まず、プラテン２８によりＳｉ基
板２１及びガラス基板２５を４００℃に加熱後、針状電
極３０を介して電源２９によってＳｉ基板２１とガラス
基板２５との間に電圧を印加する。一方、同時に針状電
極３１を介してアース電極２７をＳｉ基板２１と同電位
になる様にする。すなわち本実施例の場合、アースに接
続する。この状態で直流電源２９を２００Ｖで１０分間
保持したところ、接着してはならない個所、すなわち溝
２６の個所以外の全ての個所で希望通りに接着した。本
陽極接合過程に於いて、振り子２２とガラスの溝２６と
の間での接着は生じなく、かつ可動要素とするべき軸梁
２３の破損もなく、期待通りの接着が可能であった。す
なわち、アース電極２７によって、ガラス溝２６と振り
子２２との間に静電引力が作用しない効果が認められ
た。本方法によって、軸梁２３の径が極めて微小（縦１
０μｍ、横１５μｍ）な振り子２２を有するＳｉ基板２
１とガラス基板２５との間の接着を、各要素を破壊する
ことなくできた。尚、アース電極２７は、薄板ガラス板
にアルミホイールを巻いたものを使用したが、必らずし
もアルミホールである必要はなく、上記のアース電極と
しての作用をする導電膜（例えば、Ａｌ，Ａｕ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｇｒ，Ｓｉ薄膜、ＩＴＯ透明膜）であっても良い。
更に、形成方法として蒸着法等も用いられる。
【００３２】（実施例４）図１１，１２は第３の本発明
の他の実施例を示すものである。図１１は本発明の特徴
を最も良く表わす図面であり、図１２は図１１のＣ矢視
図である。上記のこれらの図に於いて、２１はＳｉ基
板、２５は深さ３μｍの溝２６を有するガラス基板、２
７はアース電極で、Ｓｉ基板２１とガラス基板２５を陽
極接合する場合の非接着個所であるところの溝２６の直
上のガラス基板２５の表面に電気的に連結し、溝２６の
大きさと同等な、かつ同様な形状を有する。２８はヒー
タ付プラテン、２９は陽極接合用直流電源、３０はガラ
ス基板２５の表面に接触し、電気的に連結している針電
極、３１，３２，３３はそれぞれアース電極２７に接触
し、電気的に連結している針電極である。
【００３３】つぎに、上記構成に於いて、プラテン２８
によりＳｉ基板２１及びガラス基板２５を４００℃に加
熱し、保持しながら電源２９によってＳｉ基板２１とガ
ラス基板２５の表面との間に針状電極３０を介して電圧
を印加する。一方、同時に針状電極３１を介してアース
電極２７をＳｉ基板２１と同電位にする。すなわち、本
実施例の場合、アースに接続する。この状態で直流電源
２９を２００Ｖに１０分間保持したところ、接着しては
ならない個所、すなわち溝２６の個所以外の全ての平面
で基板２１，２５は接着した。
【００３４】これに対し、アース電極２７及び針電極３
１，３２，３３を取り外した以外は上記と同様に操作し
た場合、該Ｓｉ基板と該ガラス基板との陽極接合に於い
て、接着してはならない溝６で接着が余儀なく生じた。
すなわち、非接着にするべき個所で接着を生じた事にな
る。このため、ガラス基板２５は波状に反り返り、結果
として接着するべき個所で接着出来ない現象も同時に生
じた。
【００３５】従って該アース電極の使用により、接着し
てはならない個所と接着するべき個所とを事前に選択す
る、すなわち選択的な接着が可能であった。
【００３６】（実施例５）図１３〜１７は第４の本発明
の実施例を示すもので、図１３は本発明の特徴を最も良
く表わす図面であり、図１４は図１３のＤ矢視図であ
り、図１５は図１３のＦ矢視図であり、図１６は図１３
のＥ矢視図であり図１７は信号のピック・アップを表わ
す図である。上記のこれらの図に於いて１０１はＳｉ基
板、１０２はＳｉ基板１０１に形成した重り部、１０３
は重り部１０２の梁を形成する板バネ部、１０４は重り
部１０２及び板バネ部１０３を形成した時に生ずる空隙
である。１０５及び１０６は第１及び第２ガラス基板
（パイレックス＃７７４０）である。
【００３７】１０７はアース電極で、Ｓｉ基板１０１と
ガラス基板１０６とをそれぞれ陽極接合する（Ｓｉ基板
１０１と第１ガラス基板１０５を接合、その後第２ガラ
ス基板１０６とＳｉ基板１０１を接合する。）時、非接
着個所であるところの溝１１５の直上の第２ガラス基板
１０６の表面に電気的に連結しており、溝１１５の大き
さと同等な、かつ同様な形状を有する。１１０は第２ガ
ラス基板１０６の表面に接触し、電気的に連結している
針電極、１１１はアース電極１０７に接触し、電気的に
連結している針電極、１１４は第２ガラス基板１０６の
下面に成膜した遮光用金属薄膜（蒸着Ａｌ膜）、１１５
は溝で、Ｓｉ基板１０１とガラス基板１０５，１０６と
を接着する場合、接着してはいけない部分であるところ
の可動部、すなわち重り部１０２と梁であるバネ板１０
３がガラス基板に接着しない様に、Ｓｉ基板１０１に設
けたものである。溝１１６は重り部１０２の中央部に設
けた深溝である。
【００３８】１１７は第２ガラス板１０６の上面にある
細長い光導入用の第２スリットで、遮光用金属薄膜１１
４に対して反対側の表面上のアース電極１０７の中央部
に形成してある。１１８は遮光用金属薄膜１１４の中央
部に形成した小さな細長い形状の光導入用スリットであ
る。１１９は重り部１０２の中央部に形成した小さな細
長い形状の光導入用第１スリットであり、尚重り部１０
２が静止状態の時、上記の１１７，１１８，１１９の各
スリットは入射光の光軸が一致する位置にある。図１５
において、１２０，１２１，１２２，１２３はいづれも
光導電薄膜（ＣｄＳ）である。１２４，１２５，１２
６，１２７，１２８，１２９，１３０，１３１は導電体
から成る電極でる。また、図１７中１３２は交流電源で
あり、１３３は各光電変換薄膜１２０，１２１，１２
２，１２３によってブリッジ回路を組んだ場合の出力を
検出する電圧計である。なお、図１５，１６中ａ〜ｈは
各光電変換膜１２０〜１２３の端子である。
【００３９】次に、上記構成に於いて、図１３に見る様
な紙面に平行な加速度αx が生じた時、重り部１０２は
次の様な力Ｆを受ける。すなわち、 Ｆ＝ｍα ────（１） ここで、Ｆ：重り部１０２が受ける力、ｍ：重り部１０
２の質量、α：重り部１０２が受ける加速度、重り部が
受ける力Ｆは、重り部が受ける加速度αの方向に対して
反対方向に作用する。そこで、今図１４に見る様に加速
度αx によって重り部１０２に生じた力Ｆx により、重
り部１０２の変位ξx は力Ｆx の方向に生じ次の様にな
る。すなわち、 Ｆx ＝ｋx ξx ────（２） ここで、ｋx ：図１４に於いてＸ軸方向の変位によって
生ずるバネ板１０３のバネ定数。従って、図１６に見る
様に重り部１０２に形成したスリット１１９がＸ軸方向
にξx だけ変位することによって、それぞれ光導電薄膜
１２０，１２２の電気抵抗は大きく、光導電薄膜１２
１，１２３の電気抵抗は小さくなるため、図１７に於け
る光導電薄膜１２１，１２２，１２３，１２４によって
構成したブリッジ回路の出力電圧は、加速度αx の増加
と共に大きくなる。すなわち、 Ｖx ∝ αx ─────（３） ここで、Ｖx ：加速度αx によって生じた出力電圧。
【００４０】今、上記の加速度センサーを２個用いる事
によって、すなわちＸ方向の加速度αx 及びＹ方向の加
速度αy を同時に検出することによって、Ｘ−Ｙ平面内
の加速度αxyを求める事ができる。すなわち、 αxy＝（αx 2 ＋αy 2)1/2 ─────（４） 本実施例に於いて、厚さ０．５３ｍｍのＳｉ基板に６ｍ
ｍ×６ｍｍ×０．５ｍｍ寸法の重り部及び断面形状が
０．１ｍｍ×０．５ｍｍのバネ板を形成した場合、Ｘ軸
方向の加速度αx ＝１０Ｇの時、約２００ｍＶの出力電
圧の変化を得た。
【００４１】なお、上記実施例において光量変化の検出
に上記構成のセンサーを用いたがこれに限られず各種の
光センサーを使用することができ、更に、電圧の検出も
上記回路に限られるものではない。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した様に、第１の発明において
はガラス基板と導電体との陽極接合に於いて、ガラス基
板の厚さを接着個所で薄く、あるいは接着してはいけな
い個所で厚く加工することにより、同一電圧を印加した
時被接着物間に働く静電引力をそれぞれ大きく、あるい
は小さく作用させることができ、このため選択した個所
のみを接着できる効果がある。
【００４３】さらに、第２の発明においてはガラス基板
と導電体との間で全面に渡って陽極接合する場合、ガラ
ス基板の厚さを接着面の中心近傍で薄くなる様に、ある
いは外周部で厚くなる様に加工することにより、（すな
わち、ガラス基板を凹状に加工することによって）印加
電圧を次第に増加して行った場合、被接着物間に働く静
電引力が該接着基板の中心近傍で最も大きく、そして半
径方向である外周部に進むに従って次第に小さくなる様
に作用させることが可能となり、該接着が中心から外周
部に向って次第に連続的に生ずるので接着ムラを防止す
る効果がある。
【００４４】第３の発明においては、（１）ガラス基板
とＳｉ基板との陽極接合に於いて、非接着とするべき個
所のガラス基板表面上に電極を形成し、該電極とＳｉ基
板との間の電位を零に保持しながら陽極接合することに
よって、非接着個所及び接着個所を意識的に選択するこ
とを可能にする効果がある。 （２）意識的に凹形状の溝を有したガラス基板とＳｉ基
板との陽極接合に於いて、凹形状溝部を非接着個所、及
び他の平面個所を接着個所とする場合、非接着個所のガ
ラス基板表面上に、ガラス基板とＳｉ基板間を同電位に
するような電極あるいは電極膜を構成することによっ
て、陽極接合後、被接着部材の曲げモーメントによる
歪、あるいは引張りによる要素の破壊等を防止できる効
果がある。
【００４５】更に、第４の発明においては、微細に構成
したので、微小な加速度を検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の本発明を実施して基板を接合している状
態を示す説明図である。
【図２】図１中の矢印Ａ方向断面平面図である。
【図３】図１中の矢印Ｂ方向断面平面図である。
【図４】図１中の矢印Ｃ方向断面平面図である。
【図５】図１の第２基板を除去した状態を示す斜視図で
ある。
【図６】第２の本発明を実施している状態を示す説明図
である。
【図７】図６中の矢印Ｅ方向断面平面図である。
【図８】第３の本発明を実施して基板を接合している状
態を示す説明図である。
【図９】図８中の矢印Ａ方向断面平面図である。
【図１０】図８中の矢印Ｂ方向断面平面図である。
【図１１】第３の本発明の他の実施状態を示す説明図で
ある。
【図１２】図１１中の矢印Ｃ方向断面平面図である。
【図１３】第４の本発明の一実施例を示す断面側面図で
ある。
【図１４】図１３中の矢印Ｄ方向断面平面図である。
【図１５】図１３中の矢印Ｆ方向部分断面平面図であ
る。
【図１６】図１３中の矢印Ｅ方向部分断面平面図であ
る。
【図１７】図１３中のセンサ部の出力回路の一例を示す
配線図である。
【符号の説明】
１ Ｓｉ基板 ２ 振り子 ３ 軸梁 ４ 空隙 ５ ガラス基板 ６ 溝 ７ 溝 ８ 溝 ９ 溝 １０ 電極 １１ 針電極 １２ 直流電源 １３ ヒータ付プラテン ２１ Ｓｉ基板 ２２ 振り子 ２３ 軸梁 ２４ 空隙 ２５ ガラス基板 ２６ 溝 ２７ アース電極 ２８ ヒータ付プラテン ２９ 直流電源 ３０，３１，３２，３３ 針電極 １０１ Ｓｉ基板 １０２ 重り部 １０３ バネ板部 １０４ 空隙 １０５ 第１ガラス基板 １０６ 第２ガラス基板 １０７ アース電極 １０８ ヒータ付プラテン １１０ 針電極 １１１ 針電極 １１７ 第２スリット １１９ 第１スリット

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接合するべき領域と非接合にするべき領
    域とを有するガラス基板と導電体基板又は半導体基板と
    を接合する選択陽極接合法において、まず前記ガラス基
    板の接合面の反対面に接合領域に対応する凹部を形成す
    ることにより接合領域の前記ガラス基板の厚さを非接合
    領域よりも薄く形成すると共に反対面全面に電極を形成
    し、次いで前記両基板を重ねて所定温度に加熱すると共
    に前記形成した電極と導電体基板又は半導体基板との間
    に同一電圧を印加することにより、両基板間の接合する
    べき領域を選択的に接合させることを特徴とする選択陽
    極接合法。
  2. 【請求項２】 凹部の深さが漸次変化する請求項１記載
    の選択陽極接合法。
  3. 【請求項３】 ガラス基板と導電体基板又は半導体基板
    とを全面に亙って接合する全面陽極接合法において、ま
    ず前記ガラス基板の接合面と反対面に反対面上の少なく
    とも一方向に沿って中心方向に漸深の凹部を形成すると
    共に凹部を形成した反対面に電極を形成し、次いで前記
    両基板を重ねて所定温度に加熱すると共に前記形成した
    電極と導電体基板又は半導体基板との間に同一電圧を印
    加し、その後印加している電圧を増加させることを特徴
    とする全面陽極接合法。
  4. 【請求項４】 接合するべき領域と非接合にするべき領
    域とを有するガラス基板と導電体基板又は半導体基板と
    を接合する選択陽極接合法において、まず前記ガラス基
    板の非接合とするべき領域又は非接合とするべき領域に
    対応する反対面に電極を形成し、次いで両基板を重ねて
    所定温度に加熱すると共に前記電極と導電体基板又は半
    導体基板とを同電位に保持しながらガラス基板と導電体
    基板又は半導体基板との間に電圧を印加することによ
    り、両基板間の接合すべき領域を選択的に接合させるこ
    とを特徴とする選択陽極接合法。
  5. 【請求項５】 電極が蒸着膜、箔膜、又は平板で形成さ
    れた導電体である請求項４記載の選択陽極接合法。
  6. 【請求項６】 電極の材料がＡｌ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃ
    ｒ，Ｓｉ、又はＩＴＯである請求項５記載の選択陽極接
    合法。
  7. 【請求項７】 電極が非接合領域のガラス基板の全面に
    電気的に連結された、又は非接合領域のガラス基板の外
    周で電気的に連結された請求項４記載の選択陽極接合
    法。
  8. 【請求項８】 上面に照射光量の変化を検出して出力す
    る変位検出固定センサーを配設した第１ガラス基板と、
    前記第１ガラス基板上に積重したシリコン基板であって
    前記基板には貫通孔を形成すると共に、前記貫通孔内に
    揺動自在に第１スリットを有する重り部を板バネ部を介
    して一体に形成してなるシリコン基板と、シリコン基板
    上に積重してなり第２スリットを有する第２ガラス基板
    とからなり、かつ固定センサーと第１スリットと第２ス
    リットとを直線状に配設してなる加速度センサー。
  9. 【請求項９】 重りと、該重りの重心あるいは該重心の
    近傍を通る該重り面の法線上に、該法線に対して直角に
    それぞれ短軸及び長軸を有するスリットを、該重りの重
    心あるいは該重心の近傍点を点対称とした該重りの外周
    端の２ヶ所にそれぞれ該重りを支える板バネの一端を、
    そして該重りの重心あるいは該重心の近傍点を中心に該
    板バネの一端から角度２２５度の位置のＳｉ基板上に該
    板バネの他端を有する、すなわち前記２枚の板状バネで
    該重りを支える可動要素をそれぞれＳｉ基板上に一体で
    形成し、さらに一方のガラス基板の片面あるいは両面に
    遮光薄膜を成膜後上記該スリットを通過する光軸線上の
    該遮光薄膜面内にスリットを、他方のガラス基板の片面
    に遮光薄膜を、他の片面に上記該重りに形成した該スリ
    ットからの入射光に対して光導電性を示す薄膜、すなわ
    ち加速度によって生ずる上記Ｓｉ基板上に形成した該ス
    リットの変位に対応して電気抵抗変化を生ずる形状に該
    光導電性薄膜からなる固定センサーをそれぞれ形成し、
    これら該Ｓｉ基板を挟む様に上記２枚の該ガラス基板を
    互いに相対向した状態に、前記特許請求範囲１，２，
    ３，４に述べた接合個所選択陽極接合法を用いて接着す
    ることによって、該光導電性薄膜から成る固定センサー
    の電気抵抗変化から前記重りに加わる加速度を検出する
    検出手段とを有することを特徴とする加速度センサー。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490756B1 (ko) * 2003-06-10 2005-05-24 전자부품연구원 캡을 이용한 양극 접합 방법
JP2007078378A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Instruments Inc 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法
US7367234B2 (en) 2005-08-24 2008-05-06 Seiko Epson Corporation Pressure sensor

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4426288C2 (de) * 1994-07-26 2003-05-28 Suss Microtec Test Sys Gmbh Elektrode zum anodischen Bonden
DE19616970B4 (de) * 1996-04-27 2012-04-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von mikromechanische Strukturen aufweisenden Halbleiterbauelementen
US5936294A (en) * 1996-05-28 1999-08-10 Motorola, Inc. Optical semiconductor component and method of fabrication
IL122947A (en) * 1998-01-15 2001-03-19 Armament Dev Authority State O Micro-electro-opto-mechanical inertial sensor with integrative optical sensing
DE19810756A1 (de) * 1998-03-12 1999-09-23 Fraunhofer Ges Forschung Sensoranordnung zur Messung von Druck, Kraft oder Meßgrößen, die sich auf Druck oder Kraft zurückführen lassen, Verfahren zur Herstellung der Sensoranordnung, Sensorelement und Verfahren zur Herstellung des Sensorelements
US6506087B1 (en) 1998-05-01 2003-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Method and manufacturing an image forming apparatus having improved spacers
JP2000035396A (ja) 1998-07-16 2000-02-02 Canon Inc 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法
JP3489551B2 (ja) * 2000-09-08 2004-01-19 株式会社村田製作所 真空容器の製造方法
FR2822817B1 (fr) * 2001-03-28 2003-05-30 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure a membrane micro-usinee
JP2004301554A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Canon Inc 電位測定装置及び画像形成装置
FR2857502B1 (fr) 2003-07-10 2006-02-24 Soitec Silicon On Insulator Substrats pour systemes contraints
DE10354132A1 (de) * 2003-11-19 2005-06-23 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung und zum Betreiben eines Sensors
JP4813246B2 (ja) * 2006-04-28 2011-11-09 ユニヴァーシティ オブ サウサンプトン ガラス物品への部材の接合方法
US8062956B2 (en) * 2009-08-26 2011-11-22 Corning Incorporated Semiconductor on insulator and methods of forming same using temperature gradient in an anodic bonding process

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1138401A (en) * 1965-05-06 1969-01-01 Mallory & Co Inc P R Bonding
JPS54131892A (en) * 1978-04-05 1979-10-13 Hitachi Ltd Semiconductor pressure converter
US4400869A (en) * 1981-02-12 1983-08-30 Becton Dickinson And Company Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors
US4384899A (en) * 1981-11-09 1983-05-24 Motorola Inc. Bonding method adaptable for manufacturing capacitive pressure sensing elements
US4452624A (en) * 1982-12-21 1984-06-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for bonding insulator to insulator
GB2146566B (en) * 1983-09-16 1986-11-26 Standard Telephones Cables Ltd Electrostatic bonding
US4643532A (en) * 1985-06-24 1987-02-17 At&T Bell Laboratories Field-assisted bonding method and articles produced thereby
JPS62248264A (ja) * 1986-04-21 1987-10-29 Nippon Denso Co Ltd 半導体式加速度センサの製造方法
DE3702412A1 (de) * 1987-01-28 1988-08-18 Philips Patentverwaltung Druckaufnehmer mit einem siliziumkoerper
FI78784C (fi) * 1988-01-18 1989-09-11 Vaisala Oy Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE4009090A1 (de) * 1990-03-21 1991-09-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung von mehrschichtigen siliziumstrukturen
JP2527834B2 (ja) * 1990-07-20 1996-08-28 三菱電機株式会社 陽極接合法
US5295395A (en) * 1991-02-07 1994-03-22 Hocker G Benjamin Diaphragm-based-sensors
EP0539741B1 (en) * 1991-09-30 2003-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Anodic bonding process with light irradiation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490756B1 (ko) * 2003-06-10 2005-05-24 전자부품연구원 캡을 이용한 양극 접합 방법
US7367234B2 (en) 2005-08-24 2008-05-06 Seiko Epson Corporation Pressure sensor
JP2007078378A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Instruments Inc 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法

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