JPH06136162A - 金属酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06136162A JPH06136162A JP4307565A JP30756592A JPH06136162A JP H06136162 A JPH06136162 A JP H06136162A JP 4307565 A JP4307565 A JP 4307565A JP 30756592 A JP30756592 A JP 30756592A JP H06136162 A JPH06136162 A JP H06136162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- thin film
- oxide thin
- film
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属アルコキシド溶液を基体に塗布し、この
塗膜を乾燥、熱処理して上記金属アルコキシドを加水分
解、縮合することにより上記基体上に金属酸化物薄膜を
形成させる過程で、上記塗膜に対し紫外線照射処理を行
うことを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 【効果】 本発明によれば、比較的低温度で簡単かつ確
実に金属酸化物薄膜を形成でき、特にプラスチックフィ
ルムへの金属酸化物薄膜形成に有効である。
塗膜を乾燥、熱処理して上記金属アルコキシドを加水分
解、縮合することにより上記基体上に金属酸化物薄膜を
形成させる過程で、上記塗膜に対し紫外線照射処理を行
うことを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 【効果】 本発明によれば、比較的低温度で簡単かつ確
実に金属酸化物薄膜を形成でき、特にプラスチックフィ
ルムへの金属酸化物薄膜形成に有効である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、金属酸化物薄膜の形成
方法に関し、特に比較的低温度で金属酸化物薄膜を形成
できるため、耐熱性の低いプラスチックフィルムなどに
金属酸化物薄膜を形成する場合に好適な金属酸化物薄膜
の形成方法に関する。
方法に関し、特に比較的低温度で金属酸化物薄膜を形成
できるため、耐熱性の低いプラスチックフィルムなどに
金属酸化物薄膜を形成する場合に好適な金属酸化物薄膜
の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
プラスチックフィルム上に安価に金属薄膜層を形成する
手段としては、金属あるいは金属酸化物粒子を有機バイ
ンダー中に分散させた溶液を塗布する方法、金属あるい
は金属酸化物材料の真空蒸着あるいはスパッタリングな
どの蒸着法が採用されてきた。
プラスチックフィルム上に安価に金属薄膜層を形成する
手段としては、金属あるいは金属酸化物粒子を有機バイ
ンダー中に分散させた溶液を塗布する方法、金属あるい
は金属酸化物材料の真空蒸着あるいはスパッタリングな
どの蒸着法が採用されてきた。
【0003】しかし、これら従来技術は後者の蒸着法で
は比較的高度な真空を要するため製造コストが高く、ま
た、量産性に難点があった。また、前者の金属微粒子溶
液の塗布法は、真空を必要とせず、比較的安価で量産性
に優れた方法であるが、例えば、導電性などの性能が、
蒸着法より劣っていることなどの問題点があった。他
方、従来より金属アルコキシドの加水分解と重縮合反応
を利用するゾル−ゲル法により基体に金属酸化物薄膜を
形成する方法が知られているが、この方法は、一般にゾ
ルの最終的な緻密化に約400℃以上の熱処理を必要と
するため、このままでは耐熱性に劣る一般のプラスチッ
クフィルムに適用することはできなかった。
は比較的高度な真空を要するため製造コストが高く、ま
た、量産性に難点があった。また、前者の金属微粒子溶
液の塗布法は、真空を必要とせず、比較的安価で量産性
に優れた方法であるが、例えば、導電性などの性能が、
蒸着法より劣っていることなどの問題点があった。他
方、従来より金属アルコキシドの加水分解と重縮合反応
を利用するゾル−ゲル法により基体に金属酸化物薄膜を
形成する方法が知られているが、この方法は、一般にゾ
ルの最終的な緻密化に約400℃以上の熱処理を必要と
するため、このままでは耐熱性に劣る一般のプラスチッ
クフィルムに適用することはできなかった。
【0004】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたもので、比較的低温度でも優れた性質の金属
酸化物薄膜をゾル−ゲル法によって簡単かつ確実に形成
でき、このため一般のプラスチックフィルムを用いてそ
の上に金属酸化物薄膜を工業的有利に形成でき、従って
各種工業用フィルム、光学フィルム、包装用フィルムな
どに有用な金属酸化物薄膜積層プラスチックフィルムを
得ることができる金属酸化物薄膜の形成方法を提供する
ことを目的とする。
になされたもので、比較的低温度でも優れた性質の金属
酸化物薄膜をゾル−ゲル法によって簡単かつ確実に形成
でき、このため一般のプラスチックフィルムを用いてそ
の上に金属酸化物薄膜を工業的有利に形成でき、従って
各種工業用フィルム、光学フィルム、包装用フィルムな
どに有用な金属酸化物薄膜積層プラスチックフィルムを
得ることができる金属酸化物薄膜の形成方法を提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、紫外線照
射をゾル−ゲル反応中に行うことにより、プラスチック
フィルム上でのゾル−ゲル反応による金属酸化物層の形
成を可能にすること、更に詳述すると、金属アルコキシ
ド溶液を基体に塗布し、この塗膜を乾燥、熱処理して上
記金属アルコキシドを加水分解、縮合することにより上
記基体上に金属酸化物薄膜を形成させる過程で、上記塗
膜に対し紫外線照射処理を行うことにより、比較的低温
度、即ち40〜280℃の低温でも十分にゾル−ゲル反
応が完了し、プラスチック等の基体上に強固に良好な性
能を有する金属酸化物薄膜が得られることを知見し、本
発明をなすに至ったものである。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、紫外線照
射をゾル−ゲル反応中に行うことにより、プラスチック
フィルム上でのゾル−ゲル反応による金属酸化物層の形
成を可能にすること、更に詳述すると、金属アルコキシ
ド溶液を基体に塗布し、この塗膜を乾燥、熱処理して上
記金属アルコキシドを加水分解、縮合することにより上
記基体上に金属酸化物薄膜を形成させる過程で、上記塗
膜に対し紫外線照射処理を行うことにより、比較的低温
度、即ち40〜280℃の低温でも十分にゾル−ゲル反
応が完了し、プラスチック等の基体上に強固に良好な性
能を有する金属酸化物薄膜が得られることを知見し、本
発明をなすに至ったものである。
【0006】本発明の重要な特徴は、乾燥、熱処理の前
後、あるいは、処理中に紫外線を照射することにより、
より低温での無機薄膜の形成の促進あるいは無機薄膜の
性能向上に効果があることを新たに見い出したことであ
る。即ち、例えば、乾燥・熱処理時、あるいは、その
間、前後に紫外線を照射することにより、加水分解・重
縮合反応の加速化、及び、それら反応の低温化が促進さ
れ、緻密な膜が形成され易くなるものである。
後、あるいは、処理中に紫外線を照射することにより、
より低温での無機薄膜の形成の促進あるいは無機薄膜の
性能向上に効果があることを新たに見い出したことであ
る。即ち、例えば、乾燥・熱処理時、あるいは、その
間、前後に紫外線を照射することにより、加水分解・重
縮合反応の加速化、及び、それら反応の低温化が促進さ
れ、緻密な膜が形成され易くなるものである。
【0007】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明の金属酸化物薄膜の形成方法は、金属アルコキシド溶
液を基体に塗布し、この塗膜を乾燥、熱処理して上記金
属アルコキシドを加水分解、縮合することにより上記基
体上に金属酸化物薄膜を形成させる過程で、上記塗膜に
対し紫外線照射処理を行うものである。
明の金属酸化物薄膜の形成方法は、金属アルコキシド溶
液を基体に塗布し、この塗膜を乾燥、熱処理して上記金
属アルコキシドを加水分解、縮合することにより上記基
体上に金属酸化物薄膜を形成させる過程で、上記塗膜に
対し紫外線照射処理を行うものである。
【0008】ここで、金属酸化物薄膜が形成される基体
としては、プラスチックフィルム、その他のプラスチッ
ク成形体などを有効に用いることができる。このような
本発明に用いられるプラスチックフィルムとしては、公
知の材料が使用可能である。例えば、ポリイミド、ポリ
アリレート、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニ
ルアルコール、セルロースアセテート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリナフタレンテレフタレート、ポリエ
ーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルアミド、ポリメチルメタクリレート、
ポリスチレン、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリエチ
レン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。これらのプラス
チックフィルムは、単層でも2種以上を複合したもので
もよく、更に別途片面又は両面に各種機能性向上を目的
として他材料が積層複合されているものでもよい。ま
た、これらのプラスチックフィルムは、その内部に熱安
定性などを改善するための熱特性改質剤、離型剤、帯電
防止剤等が適宜添加されていてもよい。なお、その膜厚
範囲は、通常2mnから1μmである。
としては、プラスチックフィルム、その他のプラスチッ
ク成形体などを有効に用いることができる。このような
本発明に用いられるプラスチックフィルムとしては、公
知の材料が使用可能である。例えば、ポリイミド、ポリ
アリレート、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニ
ルアルコール、セルロースアセテート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリナフタレンテレフタレート、ポリエ
ーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルアミド、ポリメチルメタクリレート、
ポリスチレン、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリエチ
レン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。これらのプラス
チックフィルムは、単層でも2種以上を複合したもので
もよく、更に別途片面又は両面に各種機能性向上を目的
として他材料が積層複合されているものでもよい。ま
た、これらのプラスチックフィルムは、その内部に熱安
定性などを改善するための熱特性改質剤、離型剤、帯電
防止剤等が適宜添加されていてもよい。なお、その膜厚
範囲は、通常2mnから1μmである。
【0009】本発明においては、まず上記基体に金属ア
ルコキシド溶液が塗布される。
ルコキシド溶液が塗布される。
【0010】この場合、この金属酸化物薄膜層形成に用
いられるアルコキシ金属は、特に限定されないが、例え
ばケイ素、チタン、ジルコニア、アルミニウムなど、あ
るいは、インジウム、錫、バナジウム、亜鉛、カルシウ
ム、リチウム、鉛、ほう素などのアルコキシ金属とする
ことができる。具体的には、メトキシシラン、エトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、イソプロポキシチタ
ン、メトキシバナジウム、イソプロポキシバナジウム、
メトキシ亜鉛、テトラエトキシジルコニウム、n−プロ
ポキシインジウム、i−プロポキシインジウム、n−プ
ロポキシ錫、テトラエトキシアルミニウムなどが挙げら
れ、その目的に応じ、これらの1種を単独で又は2種以
上を併用混合して用いることができる。
いられるアルコキシ金属は、特に限定されないが、例え
ばケイ素、チタン、ジルコニア、アルミニウムなど、あ
るいは、インジウム、錫、バナジウム、亜鉛、カルシウ
ム、リチウム、鉛、ほう素などのアルコキシ金属とする
ことができる。具体的には、メトキシシラン、エトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、イソプロポキシチタ
ン、メトキシバナジウム、イソプロポキシバナジウム、
メトキシ亜鉛、テトラエトキシジルコニウム、n−プロ
ポキシインジウム、i−プロポキシインジウム、n−プ
ロポキシ錫、テトラエトキシアルミニウムなどが挙げら
れ、その目的に応じ、これらの1種を単独で又は2種以
上を併用混合して用いることができる。
【0011】なお、上記金属アルコキシド溶液には、必
要に応じ、金属成分として、アルコキシ金属の他に、他
の同種あるいは異種の金属や金属酸化物を混合して用い
ることもできる。
要に応じ、金属成分として、アルコキシ金属の他に、他
の同種あるいは異種の金属や金属酸化物を混合して用い
ることもできる。
【0012】上記金属アルコキシド溶液には、低温での
ゾル−ゲル反応を可能にするため、有機金属ルイス酸を
配合することが好ましい。
ゾル−ゲル反応を可能にするため、有機金属ルイス酸を
配合することが好ましい。
【0013】ここで用いられる有機金属ルイス酸として
は、例えばゲルマニウム、チタン、アルミニウム、アン
チモン、錫などの金属の酢酸塩、その他の有機酸塩、ハ
ロゲン化物、燐酸塩などであり、これら有機金属ルイス
酸は、単独で、あるいは通常触媒として用いられる塩
酸、酢酸、硝酸等の無機酸、酢酸、トリフロロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸、
および、これらを加熱あるいは光照射により発生する物
質などの酸類と併用して使用される。なお、有機金属ル
イス酸の添加量は0.001〜5重量%が好ましい。
は、例えばゲルマニウム、チタン、アルミニウム、アン
チモン、錫などの金属の酢酸塩、その他の有機酸塩、ハ
ロゲン化物、燐酸塩などであり、これら有機金属ルイス
酸は、単独で、あるいは通常触媒として用いられる塩
酸、酢酸、硝酸等の無機酸、酢酸、トリフロロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸、
および、これらを加熱あるいは光照射により発生する物
質などの酸類と併用して使用される。なお、有機金属ル
イス酸の添加量は0.001〜5重量%が好ましい。
【0014】また、触媒として、このような酸類の代り
に、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン
など、DBU(ジアザビシクロウンデセン−1),DB
N(ジアザビシクロノネン)などのビシクロ環系アミ
ン,アンモニア、ホスフィン等の塩基を用いることがで
きる。
に、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン
など、DBU(ジアザビシクロウンデセン−1),DB
N(ジアザビシクロノネン)などのビシクロ環系アミ
ン,アンモニア、ホスフィン等の塩基を用いることがで
きる。
【0015】なお、上記金属アルコキシド等の成分は溶
剤に溶解又は分散されるが、溶剤としては、上記のアル
コキシ金属及び触媒をプラスチックフィルム上に塗布し
たのち蒸発させる必要性があるため、揮発性の溶媒が好
ましく、かつ、アルコキシ金属や触媒と反応せず、しか
もプラスチックフィルムなどの基体を溶解しないもので
あれば、通常用いられる溶剤を用いることができる。例
えば、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、n−プロピルアルコール、メトキシメ
チルアルコールなどのアルコール、水、酢酸エチル、酢
酸メチルなどの酢酸エステル、アセトン、メチルエチル
ケトンなどのケトン、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチ
レングリコールモノアルキルエーテル、ジメチルフォル
ムアミド、ジメチルスルフォキシドなどが挙げられる。
剤に溶解又は分散されるが、溶剤としては、上記のアル
コキシ金属及び触媒をプラスチックフィルム上に塗布し
たのち蒸発させる必要性があるため、揮発性の溶媒が好
ましく、かつ、アルコキシ金属や触媒と反応せず、しか
もプラスチックフィルムなどの基体を溶解しないもので
あれば、通常用いられる溶剤を用いることができる。例
えば、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、n−プロピルアルコール、メトキシメ
チルアルコールなどのアルコール、水、酢酸エチル、酢
酸メチルなどの酢酸エステル、アセトン、メチルエチル
ケトンなどのケトン、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチ
レングリコールモノアルキルエーテル、ジメチルフォル
ムアミド、ジメチルスルフォキシドなどが挙げられる。
【0016】上記金属アルコキシド溶液の基体への塗布
方法としては、スプレー、ディップ、バーコーティン
グ、ロールコート、スピンコート等の通常用いられる各
種方法が可能であるが、均一な厚みを塗布する方法とし
ては、ディップ、あるいは、ロールコート法が好まし
い。また、オフセットあるいはスクリーン印刷法でのパ
ターン印刷法も採用可能である。
方法としては、スプレー、ディップ、バーコーティン
グ、ロールコート、スピンコート等の通常用いられる各
種方法が可能であるが、均一な厚みを塗布する方法とし
ては、ディップ、あるいは、ロールコート法が好まし
い。また、オフセットあるいはスクリーン印刷法でのパ
ターン印刷法も採用可能である。
【0017】本発明においては、このように基体上に金
属アルコキシド溶液を塗布した後、その塗膜を乾燥、熱
処理すると共に、そのいずれかの段階で紫外線照射を行
うものである。
属アルコキシド溶液を塗布した後、その塗膜を乾燥、熱
処理すると共に、そのいずれかの段階で紫外線照射を行
うものである。
【0018】この場合、乾燥は室温でも可能であるが、
加熱することが好ましく、これにより、溶媒の蒸発と共
に加水分解、重縮合反応が促進され、より強固な薄膜を
作成することも可能となる。従って、加熱処理は、これ
らの目的、或いは、該プラスチックフィルムなどの耐熱
性などにみあった加熱温度で処理をすることが可能であ
り、通常は40℃以上、好ましくは50℃から280℃
の範囲で、かつ、基体が耐熱性を有する範囲である。
加熱することが好ましく、これにより、溶媒の蒸発と共
に加水分解、重縮合反応が促進され、より強固な薄膜を
作成することも可能となる。従って、加熱処理は、これ
らの目的、或いは、該プラスチックフィルムなどの耐熱
性などにみあった加熱温度で処理をすることが可能であ
り、通常は40℃以上、好ましくは50℃から280℃
の範囲で、かつ、基体が耐熱性を有する範囲である。
【0019】紫外線照射は、塗膜が乾燥する前、乾燥途
上、乾燥した後、熱処理途上のいずれの段階で行っても
よく、またこれらのうちの一段階のみでなく、二段階以
上で行ってもよい。なお、紫外線照射処理は、低圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプなどを用
い、通常の方法で行うことができる。この場合、照射は
室温下で行っても加熱下で行ってもよい。
上、乾燥した後、熱処理途上のいずれの段階で行っても
よく、またこれらのうちの一段階のみでなく、二段階以
上で行ってもよい。なお、紫外線照射処理は、低圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプなどを用
い、通常の方法で行うことができる。この場合、照射は
室温下で行っても加熱下で行ってもよい。
【0020】以上のようにして得られる金属酸化物薄膜
は、通常0.001〜1μmの膜厚として形成される。
膜厚が1μmより厚いと、膜にクラック、剥離などが発
生し易い。他方、0.001μmより薄いと、目的の用
途に提供できる特性が得られない場合が多い。
は、通常0.001〜1μmの膜厚として形成される。
膜厚が1μmより厚いと、膜にクラック、剥離などが発
生し易い。他方、0.001μmより薄いと、目的の用
途に提供できる特性が得られない場合が多い。
【0021】なお、金属酸化物薄膜は、用途に応じプラ
スチックフィルムなどの片面に形成しても両面に形成し
てもよい。
スチックフィルムなどの片面に形成しても両面に形成し
てもよい。
【0022】ここで、薄膜の粗密の程度の制御は加熱温
度などの処理条件、触媒、pH、出発材料等を変えるこ
とにより行うことができる。即ち、少量の水と酸性下で
処理を行うと、緻密な膜が得られ、これはバリヤー性、
耐スクラッチ性、高導電性、高硬度などの目的に適して
いる。また、逆に、アルカリの存在下、あるいは、多数
の水の存在下での反応により得られる多孔質の薄膜は、
易接着性やインク等の高吸着性を高めるのに有効であ
る。
度などの処理条件、触媒、pH、出発材料等を変えるこ
とにより行うことができる。即ち、少量の水と酸性下で
処理を行うと、緻密な膜が得られ、これはバリヤー性、
耐スクラッチ性、高導電性、高硬度などの目的に適して
いる。また、逆に、アルカリの存在下、あるいは、多数
の水の存在下での反応により得られる多孔質の薄膜は、
易接着性やインク等の高吸着性を高めるのに有効であ
る。
【0023】上記金属酸化物薄膜が形成されたプラスチ
ックフィルムは、種々の用途、例えば光学フィルムとし
て熱線反射や選択吸収用に、偏光フィルムの反射防止多
層コーティング(TiO2/SnO2)などとして、更に
液晶表示装置用透明電極、透明タッチパネルなどに利用
することができる。
ックフィルムは、種々の用途、例えば光学フィルムとし
て熱線反射や選択吸収用に、偏光フィルムの反射防止多
層コーティング(TiO2/SnO2)などとして、更に
液晶表示装置用透明電極、透明タッチパネルなどに利用
することができる。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、比較的低温度で簡単か
つ確実に金属酸化物薄膜を形成でき、特にプラスチック
フィルムへの金属酸化物薄膜形成に有効である。
つ確実に金属酸化物薄膜を形成でき、特にプラスチック
フィルムへの金属酸化物薄膜形成に有効である。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
【0026】イソプロポキシインジウム2.74g
(0.009モル)、n−プロポキシスズ0.355g
(0.001モル)をイソプロピルアルコール100m
lに溶解した(溶液A)。
(0.009モル)、n−プロポキシスズ0.355g
(0.001モル)をイソプロピルアルコール100m
lに溶解した(溶液A)。
【0027】他方、濃塩酸10ml(0.01モル)を
イソプロピルアルコール100mlに溶解した溶液B、
及び、水1.44ml(0.08ルモ)を800mlの
イソプロピルアルコールに溶解した溶液Cをそれぞれ作
成した。
イソプロピルアルコール100mlに溶解した溶液B、
及び、水1.44ml(0.08ルモ)を800mlの
イソプロピルアルコールに溶解した溶液Cをそれぞれ作
成した。
【0028】上記溶液Aに溶液B、次いで溶液Cを順次
少量づつ撹拌しながら滴下し、混合した後、更に室温で
3時間撹拌を続け、透明で粘稠な溶液を得た。
少量づつ撹拌しながら滴下し、混合した後、更に室温で
3時間撹拌を続け、透明で粘稠な溶液を得た。
【0029】この溶液に25mgの酢酸錫を100ml
のイソプロピルアルコールに分散した溶液を等量加え、
透明で粘稠な溶液を得た。
のイソプロピルアルコールに分散した溶液を等量加え、
透明で粘稠な溶液を得た。
【0030】その後、得られた粘稠溶液をポリエチレン
テレフタレートフィルム(76mm×26mm×0.1
mm)上にバーコート法により約0.2μm塗布した。
これを100℃で10分間乾燥した後、更に150℃で
10分間加熱処理を行い、次いで160W/cmの高圧
水銀ランプを用いて高さ8cmのところから約10秒間
紫外線照射した。このときの照射エネルギは1800m
J/cm2であった。
テレフタレートフィルム(76mm×26mm×0.1
mm)上にバーコート法により約0.2μm塗布した。
これを100℃で10分間乾燥した後、更に150℃で
10分間加熱処理を行い、次いで160W/cmの高圧
水銀ランプを用いて高さ8cmのところから約10秒間
紫外線照射した。このときの照射エネルギは1800m
J/cm2であった。
【0031】以上の処理により、上記ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に膜厚約0.2μmの金属酸化物
(InO2/SnO2)薄膜を有する積層シートを得た。
この薄層の抵抗は2×105Ω/口であった。
フタレートフィルム上に膜厚約0.2μmの金属酸化物
(InO2/SnO2)薄膜を有する積層シートを得た。
この薄層の抵抗は2×105Ω/口であった。
Claims (3)
- 【請求項1】 金属アルコキシド溶液を基体に塗布し、
この塗膜を乾燥、熱処理して上記金属アルコキシドを加
水分解、縮合することにより上記基体上に金属酸化物薄
膜を形成させる過程で、上記塗膜に対し紫外線照射処理
を行うことを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項2】 基体がプラスチックである請求項1記載
の方法。 - 【請求項3】 熱処理温度が40〜280℃である請求
項1又は2記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307565A JPH06136162A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307565A JPH06136162A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06136162A true JPH06136162A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17970611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4307565A Pending JPH06136162A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06136162A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305027A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Nissan Chem Ind Ltd | パターニング可能なシリカ含有無機酸化物被膜形成用コーティング剤及びパターン形成方法 |
| JPH10314597A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | 低温硬化型高活性酸化物光触媒薄膜を備えた物品 |
| JP2002187738A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nihon University | ハードコート膜形成方法 |
| JP2002280327A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Lintec Corp | 半導体電極の製造方法及び光化学電池 |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| CN111180309A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-19 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法 |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP4307565A patent/JPH06136162A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305027A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Nissan Chem Ind Ltd | パターニング可能なシリカ含有無機酸化物被膜形成用コーティング剤及びパターン形成方法 |
| JPH10314597A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | 低温硬化型高活性酸化物光触媒薄膜を備えた物品 |
| JP2002187738A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nihon University | ハードコート膜形成方法 |
| JP2002280327A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Lintec Corp | 半導体電極の製造方法及び光化学電池 |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| WO2010094581A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige zusammensetzungen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| WO2010094583A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung halbleitender indiumoxid-schichten, nach dem verfahren hergestellte indiumoxid-schichten und deren verwendung |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| WO2013050221A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden metalloxidschichten, nach dem verfahren hergestellte schichten und deren verwendung |
| CN111180309A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-19 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7081272B2 (en) | Coating composition for forming low-refractive index thin layers | |
| CN1099600C (zh) | 不起雾抗反射膜 | |
| KR100530198B1 (ko) | 유기-무기 복합 경사 재료, 이의 제조 방법 및 이의 용도 | |
| CN101490309B (zh) | 涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法 | |
| JP3051084B2 (ja) | ゾルゲル法 | |
| CN103364848A (zh) | 具有凹凸结构的光学部件及其制备方法 | |
| JP3515255B2 (ja) | 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置 | |
| JPH06136162A (ja) | 金属酸化物薄膜の形成方法 | |
| JPH0579114B2 (ja) | ||
| JPH03199043A (ja) | 反射防止膜およびその形成方法 | |
| JP4889135B2 (ja) | 反射防止膜フィルム | |
| JP4947678B2 (ja) | 酸化チタン薄膜の製造方法および有機−無機複合傾斜材料の製造方法 | |
| JPH01132004A (ja) | 透光性導基板およびその製造方法 | |
| JPH0260397B2 (ja) | ||
| JP2000104019A (ja) | コーティング組成物、及び機能性塗膜 | |
| JP3889615B2 (ja) | シリカ系薄膜の製造方法および有機−無機複合傾斜材料 | |
| JP4372962B2 (ja) | 有機−無機複合積層構造体 | |
| JP2000104018A (ja) | コーティング組成物、及び機能性塗膜 | |
| JPH05148380A (ja) | 複合プラスチツクシート | |
| JPH01308847A (ja) | ガラス基板 | |
| JPH10206835A (ja) | 液晶表示素子用基板 | |
| JP2004067983A (ja) | チタンアルコキシド加水分解縮合物の製造方法および傾斜膜形成用コーティング剤 | |
| JP3650164B2 (ja) | 光学機能性膜の製造方法 | |
| JP2000352709A (ja) | 液晶表示装置用のフィルム基板 | |
| CN117843249A (zh) | 一种制备复合膜层的方法及光学面板 |