JPH061369B2 - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
マスク欠陥検査装置Info
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- JPH061369B2 JPH061369B2 JP18271383A JP18271383A JPH061369B2 JP H061369 B2 JPH061369 B2 JP H061369B2 JP 18271383 A JP18271383 A JP 18271383A JP 18271383 A JP18271383 A JP 18271383A JP H061369 B2 JPH061369 B2 JP H061369B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- signal
- mark
- defect
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるフォト
・マスクの欠陥の有無及びパターンの正否を判定するマ
スク欠陥検査装置に関する。
・マスクの欠陥の有無及びパターンの正否を判定するマ
スク欠陥検査装置に関する。
半導体集積回路の製造等において、パターン転写に供さ
れるフォト・マスクにパターン断線等の欠陥が存在する
と、所望する半導体素子を得ることができず、歩留り低
下の要因となる。そこで従来、フォト・マスクのパター
ン欠陥等を検査するマスク欠陥検査装置が用いられてい
る。この装置では、フォト・マスクに光を照射してマス
ク上に形成されているパターンに応じた光信号を検出
し、該マスクにパターンを形成する際に用いられた設計
データから得られる信号と上記検出信号とを比較照合し
て、マスク上の欠陥の有無及びパターンの正否を判定す
る。即ち、フォト・マスクに光を照射しながら該マスク
を載置したテーブルをX方向若しくは該方向と直交する
Y方向に移動すると共に、上記テーブルと直交する一方
向に光センサが配列された信号検出部により上記フォト
・マスクからの透過光を得てマスク上に形成された被検
査パターンに対応した走査信号(第1のパターン信号)
を得て、該マスクにパターンを形成する際に用いられた
設計データを基に発生される上記信号検出部の1走査に
対応した走査信号(第2のパターン信号)と上記第1の
パターン信号とを比較照合してマスク上のパターン欠陥
の有無及びパターンの検査を行っていた。
れるフォト・マスクにパターン断線等の欠陥が存在する
と、所望する半導体素子を得ることができず、歩留り低
下の要因となる。そこで従来、フォト・マスクのパター
ン欠陥等を検査するマスク欠陥検査装置が用いられてい
る。この装置では、フォト・マスクに光を照射してマス
ク上に形成されているパターンに応じた光信号を検出
し、該マスクにパターンを形成する際に用いられた設計
データから得られる信号と上記検出信号とを比較照合し
て、マスク上の欠陥の有無及びパターンの正否を判定す
る。即ち、フォト・マスクに光を照射しながら該マスク
を載置したテーブルをX方向若しくは該方向と直交する
Y方向に移動すると共に、上記テーブルと直交する一方
向に光センサが配列された信号検出部により上記フォト
・マスクからの透過光を得てマスク上に形成された被検
査パターンに対応した走査信号(第1のパターン信号)
を得て、該マスクにパターンを形成する際に用いられた
設計データを基に発生される上記信号検出部の1走査に
対応した走査信号(第2のパターン信号)と上記第1の
パターン信号とを比較照合してマスク上のパターン欠陥
の有無及びパターンの検査を行っていた。
しかしながら、この種の装置にあっては次の〜のよ
うな問題があった。
うな問題があった。
フォト・マスクに形成された被検査パターンに対応
した第1のパターン信号を得るに際してマスクを載置し
たテーブルをX方向或いはY方向に連続的に移動してい
るため、テーブルの移動速度むらを補正する必要があ
る。
した第1のパターン信号を得るに際してマスクを載置し
たテーブルをX方向或いはY方向に連続的に移動してい
るため、テーブルの移動速度むらを補正する必要があ
る。
第1及び第2のパターン信号を高精度に合わせる必
要があり、このためテーブルの移動速度に依存するパラ
メータを補正する必要がある。
要があり、このためテーブルの移動速度に依存するパラ
メータを補正する必要がある。
テーブルの移動に対する蛇行の補正が必要になる
等、テーブルを連続的に移動しながら各パターン信号を
比較照合して検査を行うための各種の補正が必要にな
る。
等、テーブルを連続的に移動しながら各パターン信号を
比較照合して検査を行うための各種の補正が必要にな
る。
第1のパターン信号を得て欠陥判定部で第2のパタ
ーン信号と比較照合するまでのデータの転送速度により
テーブルの移動速度が制限される。
ーン信号と比較照合するまでのデータの転送速度により
テーブルの移動速度が制限される。
チップ部単位で第1のパターン信号を得ていないの
で、1回の走査及びテーブルの移動により得られる領域
(以下フレームと称する)間のつなぎを高精度に行う必
要があり、誤差やノイズが発生し易い。
で、1回の走査及びテーブルの移動により得られる領域
(以下フレームと称する)間のつなぎを高精度に行う必
要があり、誤差やノイズが発生し易い。
チップ部単位で歪みを補正しようとする場合、各マ
ークをテーブルの移動と信号検出部の駆動とによって行
う必要があり、時間が著しく長いということで現実的で
なくマスク全面に対する伸縮や直交度のいずれ等の歪み
を検出してマスク全面に対する歪み量の補正を行ってい
る。このため、マスクの検査の精度が高くなるにつれて
マスク全面の補正では誤差を補正しきれない。
ークをテーブルの移動と信号検出部の駆動とによって行
う必要があり、時間が著しく長いということで現実的で
なくマスク全面に対する伸縮や直交度のいずれ等の歪み
を検出してマスク全面に対する歪み量の補正を行ってい
る。このため、マスクの検査の精度が高くなるにつれて
マスク全面の補正では誤差を補正しきれない。
以上のようなことから各種の補正のために欠陥判定部が
複雑になってしまう。そして、検査時間の短縮がはかり
得ないと共に誤差及びノイズが発生し易い等の問題があ
った。
複雑になってしまう。そして、検査時間の短縮がはかり
得ないと共に誤差及びノイズが発生し易い等の問題があ
った。
本発明の目的は、テーブル移動に関する補正因子を殆ど
無視することができ、かつ欠陥判定部を簡略化すること
ができ、検査時間の短縮及びパターン欠陥検出精度の向
上をはかり得るマスク欠陥検査装置を提供することにあ
る。
無視することができ、かつ欠陥判定部を簡略化すること
ができ、検査時間の短縮及びパターン欠陥検出精度の向
上をはかり得るマスク欠陥検査装置を提供することにあ
る。
本発明の骨子は、マスク上に形成された被検査パターン
に対応する第1のパターン信号を得るに際して、光セン
サがX方向及びY方向にマトリックス状に配列された信
号検出部を用い、マスクをX方向及びY方向に分割した
ブロック毎に欠陥検出を行うようにしたことにある。
に対応する第1のパターン信号を得るに際して、光セン
サがX方向及びY方向にマトリックス状に配列された信
号検出部を用い、マスクをX方向及びY方向に分割した
ブロック毎に欠陥検出を行うようにしたことにある。
即ち本発明は、パターン転写に供されるマスクを載置す
るテーブルと、このテーブルをX方向及び該方向と直交
するY方向に移動せしめるテーブル駆動制御部と、X方
向及びY方向にマトリックス状に配置された光センサか
らなり上記光照射によりマスクを透過若しはマスクから
反射した光を受光し、上記マスクをX方向及びY方向に
仮想的に分割したブロック単位でマスクに形成された被
検査パターンに対応する第1のパターン信号を検出する
信号検出部と、上記ブロックに相当する基準パターンを
基に該パターンに相当する第2のパターン信号を発生す
る基準信号発生部と、上記各パターン信号を比較照合し
て差異がある場合に欠陥ありと判定する欠陥判定部とを
具備し、前記テーブルをステップ移動し、各ブロック毎
に欠陥判定を行うようにしたものである。
るテーブルと、このテーブルをX方向及び該方向と直交
するY方向に移動せしめるテーブル駆動制御部と、X方
向及びY方向にマトリックス状に配置された光センサか
らなり上記光照射によりマスクを透過若しはマスクから
反射した光を受光し、上記マスクをX方向及びY方向に
仮想的に分割したブロック単位でマスクに形成された被
検査パターンに対応する第1のパターン信号を検出する
信号検出部と、上記ブロックに相当する基準パターンを
基に該パターンに相当する第2のパターン信号を発生す
る基準信号発生部と、上記各パターン信号を比較照合し
て差異がある場合に欠陥ありと判定する欠陥判定部とを
具備し、前記テーブルをステップ移動し、各ブロック毎
に欠陥判定を行うようにしたものである。
ここで、ブロツク単位のパターン信号は、1個若しくは
複数個のチップ部に対応したものとしている。また、欠
陥判定部は、第1のパターン信号からチップ部の歪みを
検出するための第1マーク、該マークとX方向に平行に
配置された第2マーク及び第1マークとY方向に平行で
かつ第2マークと直角方向に配置された第3マークの少
なくとも3つのマークの中心位置を得て、各々のマーク
の中心位置よりチップ部に形成された被検査パターンの
伸縮量、直交度のずれ量及び歪み量を得て、各パターン
信号の比較照合に際し、第1のパターン信号或いは第2
のパターン信号を歪み量に応じて補正するものであるこ
とを特徴としている。
複数個のチップ部に対応したものとしている。また、欠
陥判定部は、第1のパターン信号からチップ部の歪みを
検出するための第1マーク、該マークとX方向に平行に
配置された第2マーク及び第1マークとY方向に平行で
かつ第2マークと直角方向に配置された第3マークの少
なくとも3つのマークの中心位置を得て、各々のマーク
の中心位置よりチップ部に形成された被検査パターンの
伸縮量、直交度のずれ量及び歪み量を得て、各パターン
信号の比較照合に際し、第1のパターン信号或いは第2
のパターン信号を歪み量に応じて補正するものであるこ
とを特徴としている。
本発明によれば、従来の欠陥検査に比較して第1のパタ
ーン信号を得るのにマスクを載置したテーブルの移動を
伴わないので、テーブルの移動速度むらの補正、移動速
度に関するパラメータの補正及び蛇行の補正等の補正が
不要となり、欠陥判定部を大幅に簡略化することができ
る。また、第1のパターン信号を得て第2のパターン信
号との比較照合を行うことと、次の検査領域へのテーブ
ル移動を並列的に処理できるので、データの転送速度と
テーブルの移動速度が各々独立であり、検査時間の短縮
をはかることができる。さらに、チップ部単位で第1の
パターン信号を得るのでセルの境界がダイシング・ライ
ンでありパターンが殆ど存在せず、誤差やノイズが著し
く低減される。また、チップ単位で得た第1のパターン
信号からチップ部単位に歪みを検出して上記歪み量の補
正を行い比較照合を行うことができ、スループットを大
幅に低減させることなく、より高精度な補正が可能であ
る。
ーン信号を得るのにマスクを載置したテーブルの移動を
伴わないので、テーブルの移動速度むらの補正、移動速
度に関するパラメータの補正及び蛇行の補正等の補正が
不要となり、欠陥判定部を大幅に簡略化することができ
る。また、第1のパターン信号を得て第2のパターン信
号との比較照合を行うことと、次の検査領域へのテーブ
ル移動を並列的に処理できるので、データの転送速度と
テーブルの移動速度が各々独立であり、検査時間の短縮
をはかることができる。さらに、チップ部単位で第1の
パターン信号を得るのでセルの境界がダイシング・ライ
ンでありパターンが殆ど存在せず、誤差やノイズが著し
く低減される。また、チップ単位で得た第1のパターン
信号からチップ部単位に歪みを検出して上記歪み量の補
正を行い比較照合を行うことができ、スループットを大
幅に低減させることなく、より高精度な補正が可能であ
る。
以上の結果として、検査時間の短縮及び欠陥検出精度の
向上等をはかることができ、その有用性は絶大である。
向上等をはかることができ、その有用性は絶大である。
第1図(a)は設計データに応じたパターンを示す平面
図、同図(b)は欠陥の存在する実際の被検査パターンを
示す平面図であり、図中1は正規のパターン、2は白系
欠陥、3は黒系欠陥を示している。
図、同図(b)は欠陥の存在する実際の被検査パターンを
示す平面図であり、図中1は正規のパターン、2は白系
欠陥、3は黒系欠陥を示している。
第2図は本発明の一実施例に係わるマスク欠陥検査装置
の概略構成を示すブロック図である。図中11はフォト
マスク12を載置する試料台(テーブル)であり、この
試料台11は計算機13から指令を受けたテーブル駆動
制御部14によりX方向(紙面左右方向)及びY方向
(紙面表裏方向)に移動されるものとなっている。そし
て、試料台11の移動位置は、例えばレーザ干渉計から
なるテーブル位置測定部15により測定されるものとな
っている。
の概略構成を示すブロック図である。図中11はフォト
マスク12を載置する試料台(テーブル)であり、この
試料台11は計算機13から指令を受けたテーブル駆動
制御部14によりX方向(紙面左右方向)及びY方向
(紙面表裏方向)に移動されるものとなっている。そし
て、試料台11の移動位置は、例えばレーザ干渉計から
なるテーブル位置測定部15により測定されるものとな
っている。
一方、試料台11の上方には光源(光照射部)16が配
置されている。光源16からの光は試料台11上に載置
されるフォトマスク12上にスポット照射され、その透
過光が信号検出部17の受光面に照射される。信号検出
部17は第3図に示す如く複数の光センサ31、例えば
CCDをX方向及びY方向にマトリックス状に配置して
なるもので、同検出部17では第4図に示す如くフォト
マスク12に形成された被検査領域41をセル42単位
(ブロック)に被検査パターンに対応した走査信号(第
1のパターン信号)が検出される。そして、この検出パ
ターン信号は、基準信号発生部18により上記被検査パ
ターンを形成する際の設計データに基づいて発生された
パターン信号(第2のパターン信号)または各チップ部
の同一箇所の一方を基準パターンと見なして計算機13
を介してバッファに蓄積されたデータに基づいて発生さ
れた走査信号(第2のパターン信号)と共に、欠陥判定
部19に供給される。欠陥判定部19は上記第1のパタ
ーン信号と第2のパターン信号との比較照合を行い双方
の信号に差異がある場合に欠陥ありと判定し、欠陥に関
する情報を計算機13に供給するもとのなっている。さ
らに、信号検出部17により第1のパターン信号を得る
に際して、フォトマスク12を載置した試料台11を停
止した状態で第5図に示す如くチップ部55及びダイシ
ングライン56に形成されている4つのアライメントマ
ーク51〜54を網羅する領域、すなわち第6図に示さ
れるような領域が信号検出部17へ投影された第1のパ
ターン信号を得て、欠陥判定部19に送出されるものと
なっている。
置されている。光源16からの光は試料台11上に載置
されるフォトマスク12上にスポット照射され、その透
過光が信号検出部17の受光面に照射される。信号検出
部17は第3図に示す如く複数の光センサ31、例えば
CCDをX方向及びY方向にマトリックス状に配置して
なるもので、同検出部17では第4図に示す如くフォト
マスク12に形成された被検査領域41をセル42単位
(ブロック)に被検査パターンに対応した走査信号(第
1のパターン信号)が検出される。そして、この検出パ
ターン信号は、基準信号発生部18により上記被検査パ
ターンを形成する際の設計データに基づいて発生された
パターン信号(第2のパターン信号)または各チップ部
の同一箇所の一方を基準パターンと見なして計算機13
を介してバッファに蓄積されたデータに基づいて発生さ
れた走査信号(第2のパターン信号)と共に、欠陥判定
部19に供給される。欠陥判定部19は上記第1のパタ
ーン信号と第2のパターン信号との比較照合を行い双方
の信号に差異がある場合に欠陥ありと判定し、欠陥に関
する情報を計算機13に供給するもとのなっている。さ
らに、信号検出部17により第1のパターン信号を得る
に際して、フォトマスク12を載置した試料台11を停
止した状態で第5図に示す如くチップ部55及びダイシ
ングライン56に形成されている4つのアライメントマ
ーク51〜54を網羅する領域、すなわち第6図に示さ
れるような領域が信号検出部17へ投影された第1のパ
ターン信号を得て、欠陥判定部19に送出されるものと
なっている。
また、前記欠陥判定部19は第7図に示す如く検出デー
タバッファ71、信号補正回路72及び欠陥判定部73
から構成されている。すなわち、前記信号検出部17か
らの第1のパターン信号(第8図(b))は検出データバ
ッファ71に格納されると共に計算機13に送出され
る。計算機13ではこの第1のパターン信号からダイシ
ングライン上に形成されたアライメントマーク51〜5
4の各マーク位置を解析して、上記第1のパターン信号
を得たチップ部に対する伸縮量、直交度のずれ及び歪み
量を第2のパターン信号(第8図(a))の各基準マーク
位置との関係から算出して、その補正情報は計算機13
から信号補正回路72へ送出しされる。信号補正回路7
2は検出データバッファ71に格納されている第1のパ
ターン信号から上記得えられたみを補正したパターン信
号を生成し欠陥判定回路73へ送出する。欠陥判定回路
73では上記第1のパターン信号と前記基準信号発生部
18からの第2のパターン信号とを比較照合することに
よりフォトマスク12に存在する欠陥が高精度に検出さ
れる。そして、欠陥判定部19で欠陥を検出するため上
記の双方の信号を比較照合を行うことと次の検査チップ
部へフォトマスク12を載置したテーブル11への移動
を平行に行うことにより、検査時間を短縮することがで
きる。
タバッファ71、信号補正回路72及び欠陥判定部73
から構成されている。すなわち、前記信号検出部17か
らの第1のパターン信号(第8図(b))は検出データバ
ッファ71に格納されると共に計算機13に送出され
る。計算機13ではこの第1のパターン信号からダイシ
ングライン上に形成されたアライメントマーク51〜5
4の各マーク位置を解析して、上記第1のパターン信号
を得たチップ部に対する伸縮量、直交度のずれ及び歪み
量を第2のパターン信号(第8図(a))の各基準マーク
位置との関係から算出して、その補正情報は計算機13
から信号補正回路72へ送出しされる。信号補正回路7
2は検出データバッファ71に格納されている第1のパ
ターン信号から上記得えられたみを補正したパターン信
号を生成し欠陥判定回路73へ送出する。欠陥判定回路
73では上記第1のパターン信号と前記基準信号発生部
18からの第2のパターン信号とを比較照合することに
よりフォトマスク12に存在する欠陥が高精度に検出さ
れる。そして、欠陥判定部19で欠陥を検出するため上
記の双方の信号を比較照合を行うことと次の検査チップ
部へフォトマスク12を載置したテーブル11への移動
を平行に行うことにより、検査時間を短縮することがで
きる。
かくして本装置によれば、試料台11を停止した状態で
1つのチップ毎にパターン欠陥検出を行っているので、
試料台の移動に伴う補正因子を無視することができ、欠
陥判定部19の構成の簡略化及び検出精度の向上等をは
かり得る。また、データの転送速度と試料台11の移動
速度とが独立であり、各パターン信号の比較照合と試料
台11の移動とを並列的に処理できるので、検査時間の
短縮をはかり得る等の利点がある。
1つのチップ毎にパターン欠陥検出を行っているので、
試料台の移動に伴う補正因子を無視することができ、欠
陥判定部19の構成の簡略化及び検出精度の向上等をは
かり得る。また、データの転送速度と試料台11の移動
速度とが独立であり、各パターン信号の比較照合と試料
台11の移動とを並列的に処理できるので、検査時間の
短縮をはかり得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記アライメントマークの形
状は十字型のものに限るものではなく、矩形状のものま
たはL字型のものであってもよい。また、マークの形成
される領域としてダイシングラインの代りに各チップ部
の領域内を用いてもよい。さらに、第2のパターン信号
として第1のパターン信号と位置の異なるチップの透過
光を第2の信号検出部で得た信号を用いることも可能で
あると共に、フォトマスクの透過光を検出する代りに、
フォトマスクからの反射光を検出して適用できるのも勿
論のことである。また、前記信号検出部を構成するセン
サはCCDに限るものではなく、マトリックス状に配置
して平面的な光情報を検出できる光センサであればよ
い。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記アライメントマークの形
状は十字型のものに限るものではなく、矩形状のものま
たはL字型のものであってもよい。また、マークの形成
される領域としてダイシングラインの代りに各チップ部
の領域内を用いてもよい。さらに、第2のパターン信号
として第1のパターン信号と位置の異なるチップの透過
光を第2の信号検出部で得た信号を用いることも可能で
あると共に、フォトマスクの透過光を検出する代りに、
フォトマスクからの反射光を検出して適用できるのも勿
論のことである。また、前記信号検出部を構成するセン
サはCCDに限るものではなく、マトリックス状に配置
して平面的な光情報を検出できる光センサであればよ
い。
第1図(a)は設計データに対応したパターンを示す平面
図、同図(b)はフォトマスク上の種々の欠陥の存在する
被検査パターンを示す平面図、第2図は本発明の一実施
例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブロッ
ク図、第3図は上記装置に使用した信号検出部を示す要
部構成図、第4図は上記信号検出部で得られるセル領域
を示す平面図、第5図はチップ部とアライメントマーク
との位置関係の一例を示す平面図、第6図は第1のパタ
ーン信号を信号検出部で得る際の概略を示す投影図、第
7図は信号検出部を具体化して示すブロック図、第8図
(a)はチップ部単位での第2のパターン信号を示す模式
図、同図(b)は第1のパターン信号を示す模式図であ
る。 1…正規のパターン、2…白系欠陥、3…黒系欠陥、1
1…試料台(テーブル)、12…フォトマスク、13…
計算機、14…テーブル駆動制御部、15…テーブル位
置測定部、16……光源、17…信号検出部、18…基
準信号発生部、19…欠陥判定部、31…光センサ、4
1…被検査パターン形成領域、42…セル領域、51〜
54…アライメントマーク、55…チップ部、56…ダ
イシングライン、71…検出データバッファ、72…信
号補正回路、73…欠陥判定回路。
図、同図(b)はフォトマスク上の種々の欠陥の存在する
被検査パターンを示す平面図、第2図は本発明の一実施
例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブロッ
ク図、第3図は上記装置に使用した信号検出部を示す要
部構成図、第4図は上記信号検出部で得られるセル領域
を示す平面図、第5図はチップ部とアライメントマーク
との位置関係の一例を示す平面図、第6図は第1のパタ
ーン信号を信号検出部で得る際の概略を示す投影図、第
7図は信号検出部を具体化して示すブロック図、第8図
(a)はチップ部単位での第2のパターン信号を示す模式
図、同図(b)は第1のパターン信号を示す模式図であ
る。 1…正規のパターン、2…白系欠陥、3…黒系欠陥、1
1…試料台(テーブル)、12…フォトマスク、13…
計算機、14…テーブル駆動制御部、15…テーブル位
置測定部、16……光源、17…信号検出部、18…基
準信号発生部、19…欠陥判定部、31…光センサ、4
1…被検査パターン形成領域、42…セル領域、51〜
54…アライメントマーク、55…チップ部、56…ダ
イシングライン、71…検出データバッファ、72…信
号補正回路、73…欠陥判定回路。
Claims (4)
- 【請求項1】パターン転写に供されるマスクを載置する
テーブルと、このテーブルをX方向及び該方向と直交す
るY方向に移動せしめるテーブル駆動制御部と、X方向
及びY方向にマトリックス状に配置された光センサから
なり上記光照射によりマスクを透過若しくはマスクから
反射した光を受光し、上記マスクをX方向及びY方向に
仮想的に分割した1個若しくは複数個のチップ部からな
るブロック単位でマスクに形成された被検査パターンに
対応する第1のパターン信号を検出する信号検出部と、
上記ブロックに相当する基準パターンを基に該パターン
に相当する第2のパターン信号を発生する基準信号発生
部と、上記各パターン信号を比較照合して差異がある場
合に欠陥ありと判定する欠陥判定部とを具備し、前記テ
ーブルをステップ移動し、各ブロック毎に欠陥判定を行
うマスク欠陥検査装置であって、 前記欠陥判定部は、前記第1のパターン信号からチップ
部の歪みを検出するための第1マーク、該マークとX方
向に平行に配置された第2マーク及び第1マークとY方
向に平行でかつ第2マークと直角方向に配置された第3
マークの少なくとも3つのマークの中心位置を得て、各
々のマークの中心位置よりチップ部に形成された被検査
パターンの伸縮量、直交度のずれ量及び歪み量を得て、
前記各パターン信号の比較照合に際し、上記第1のパタ
ーン信号或いは第2のパターン信号を上記歪み量に応じ
て補正するものであることを特徴とするマスク欠陥検査
装置。 - 【請求項2】前記基準信号発生部は、前記マスクに被検
査パターンを形成する際に用いられる設計データを基に
第2のパターン信号を発生するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のマスク欠陥検査装置。 - 【請求項3】前記基準信号発生部は、前記マスクからウ
ェハにパターン転写された際の各切断される単位部材の
2チップの同一箇所の一方を基準パターンとみなして第
2のパターン信号を発生するものであり、前記信号検出
部は、上記2チップの同一箇所の他方を被検査パターン
として第1のパターン信号を得るものであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のマスク欠陥検査装
置。 - 【請求項4】前記各マークの形成される領域を、各チッ
プ部の境界領域としたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のマスク欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18271383A JPH061369B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18271383A JPH061369B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074625A JPS6074625A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH061369B2 true JPH061369B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16123131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18271383A Expired - Lifetime JPH061369B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061369B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL99823A0 (en) | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
| JP4761663B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2011-08-31 | パナソニック株式会社 | パターン検査における画像処理方法及びパターン検査装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18271383A patent/JPH061369B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074625A (ja) | 1985-04-26 |
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