JPH06137839A - リード曲り測定装置 - Google Patents

リード曲り測定装置

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JPH06137839A
JPH06137839A JP4029828A JP2982892A JPH06137839A JP H06137839 A JPH06137839 A JP H06137839A JP 4029828 A JP4029828 A JP 4029828A JP 2982892 A JP2982892 A JP 2982892A JP H06137839 A JPH06137839 A JP H06137839A
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Tomoyuki Kida
智之 木田
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】IC2の側面より突出する複数のリードの先端
部、頂端部および根元部における光照度分布が一葉でな
くとも、明点と暗点とで描画されるリードの各部のプロ
ファイルをより鮮明化し、より正確なリードの曲り測定
を行なう。 【構成】IC2のリードの先端部、頂端部および根元部
がカメラヘッド1で撮像された画像を複数の区画に分割
するエリアカットアウト部16と、これら分割された各
区画の光度分布に応じて異なった二値化レベルを設定す
る二値化レベル記憶部20aとを設け、それぞれの各区
画を対応する二値化レベルで処理することによって、リ
ードの各部の照度が均一でなくともより鮮明な二値化画
像が得られるようにしてリードの曲りを測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置(以下単
にICと呼称する)の外郭体より突出するリードの曲り
量を測定し許容値と比較して良否を判定するリード曲り
測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来の一例を示すリード曲り測定
装置のブロック図である。従来、この種のリード曲り測
定装置は、図6に示すように、クランプ爪3a、3b、
3cによりIC2を背面状態で載置する検査ステージ3
8と、IC2のリードの先端部および根元部ならびに頂
端部に光を投射する環状白熱ランプ4aおよび白熱ラン
プハウスと接続される光ファイバーアレイ4bと、前記
リードから反射おより透過する光を取り込み前記リード
の先端部および根元部のらびに頂端部を撮像するカメラ
ヘッド1およびカメラドライバー10ならびにカメラコ
ントローラ11と、このカメラコントローラ11よりそ
の画像信号を取込みクロック12で取り込み256諧調
に変換するA/D13と、256諧調で変換された画像
データを記憶するフレームメモリ15と、このフレーム
メモリ15を画像データを取り出し複数の区画に区分
し、区分化された区画の画像データを二値化し、この二
値化データで前記リード部分のプロファィルを作成する
とともにこのプロファイルと基準プロファイルとのずれ
を算出して前記リードの曲り量を求め、この曲り量を許
容値と比較して良否を判定するCPU23と、このCP
U23とI/O14fを介して接続されるプリンタ2
9、CRT28、キーボード及び前記許容値等を記憶す
る外部記憶装置26と、CPU23より二値化処理され
た影像データを一時的に記憶する二値画像メモリ18
と、IC2を供給する供給部6と、CPU23で良否の
判定を受けたICを良品収納部7または不良品収納部8
に搬送する水平搬送機構部5と、各部を制御するシーケ
ンサ9とを有している。
【0003】また、上述したCPU23は、フレームメ
モリ15からI/O14bを介してリード2の撮像され
た全領域の画像データを取り込むとともにエリア指定ポ
インタ記憶部19bの指定する複数の区画される領域の
画像データに分割するエリアカットアウト部16と、分
割された全区画の画像データを二値化レベル記憶部20
bに予じめ記憶された二値化レベルで二値化するととも
に外部にI/O14dで接続される二値画像メモリ18
に二値化データを記憶させる二値化処理部17と、これ
ら二値化データを二値画像メモリ18をI/O14eを
介して取り出しリードの撮像プロファイルを作成するプ
ロファイルカウンタ21と、作成されたプロファイルの
面積中心を算出する面積中心算出部22と、この面積中
心と基準プロファイル位置との隔たりを算出して曲り量
とするリード曲がり量算出部25と、この曲り量と予じ
め記憶された許容値と比較し良否を判定する良否判定部
24とで構成されている。
【0004】次に、このリード曲り測定装置の動作を説
明する。まず、供給部6からIC2が検査ステージ38
に送られ、IC2は背面状態で載置される。次に、クラ
ンプ爪3a、3b、3cによりIC2は検査ステージ3
8に固定される。そして環状白熱ランプ4aおよび光フ
ァイバーアレイ4bによりリードの先端部および根元部
のらびに頂端部に光を投射する。次に、これらリードの
各部から反射あるいは透過する光をカメラヘッド1が取
込み撮像する。次に、カメラコントローラ11より取込
みクロック12により撮像信号を取り出し、A/D14
で影像信号を256諧調に割付けてフレームメモリ15
に記憶させる。次に、エリアカットアウト部16におい
て、エリア指定ポインタ記憶部19bに予じめ記憶され
た指定の複数の区画でフレームメモリ15の全ての画像
データを区分する。次に、二値化処理部17において、
二値化レベル記憶部20bに予じめ設定された一つの二
値化レベルで区分された領域の全ての画像データを二値
化処理を行なう。次に、二値化処理された影像データは
二値画像メモリ18に一時的に貯えられる。次に、プロ
フアイルカウンタ21において、二値画像メモリ18よ
り影像データを引出し、リードにおける各部のプロファ
イルを作成する。
【0005】次に、上述したリードの各部のプロファイ
ルからリードの曲り量の算出する方法を説明する。図7
は図6のリード曲り測定装置における曲り量算出するア
ルゴリズムを説明するための図、図8(a)〜(c)は
アルゴリズムを説明するためのフローチャートである。
各部のプロファイルが、図7に示すように描かれたもの
とすると、図5の面積重心算出部22およびリード曲り
量算出部25において、図8(a)のステップAで図7
に示すWINDOW1と2を設定する。次に、ステップ
BでWINDOW1、2の区画線とプロファイルの外郭
線とが交叉する点a、b、cおよびdを求める。次に、
ステップCで交叉点における中点を求めWG1、WG2
とする。次に、ステップDでWG1およびWG2のXY
座標値からプロファイルの傾斜角度すなわち曲がり角度
を求める。次に、ステップEで、プロファイルの一端側
の中点の座標STPを求める。これには、図8(b)に
示すように、ステップHでWG1からY軸に平行に線分
を伸ばす。次に、ステップIでWG1VP点とWG1点
の線分の長さを算出する。次に、ステップJで、この線
分Aより線分BCを求める。そしてステップKでSTP
の座標を算出する。
【0006】次に、同様にしてステップFでプロファイ
ルの他端側の中点SBPの座標値を図8(c)のフロー
チャートにより求める。次に、図8(a)のステップG
によりSTPとSBPのX軸成分の差を曲り量として算
出する。
【0007】次に、図6の良否判定部24において、外
部記憶装置26に予じめ記憶された曲り許容値を抽出
し、算出された曲り量と比較し良否を判定する。次に、
シーケンサ9により水平搬送機構部5を動作させ、良否
判定されたIC2は良品収納部7あるいは不良品収納部
8に収納される。このようにしてICのリード曲りの検
査は自動的に行なわれていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ICの
リードは形状が複雑であるとともに総べてのリードの表
面の仕上がり状態が必ずしも一様でなく、このためリー
ドの各部から反射する光の強度が一葉に得られることが
出来ない。このことは測定しようとリードの各部の投影
像の鮮明度が各区画毎に異なることになり、ひいては測
定誤差を招き正確な測定を行なうことが困難である。
【0009】図9(a)〜(f)は従来のリード曲り測
定装置における問題点を説明するための図であり、
(a)〜(d)は諧調における光照度分布を示すグラ
フ、(e)および(f)はリードにおける区画の位置を
示す図である。次に、上述した問題点を図面を参照して
説明する。例えば、図9(e)および(f)に示すよう
に、光照射されるリードにおける区画35a、35b、
35cおよび35dとすると、この各区画における照度
分布は、例えば、図9(a)〜(d)に示すように、照
度分布がそれぞれ異なる。ここで、区画35aと区画3
5b、区画35cと区画35dとは2区画ずつ一つのカ
メラで撮像されたものであり、従来のリード曲り測定装
置ではこれら全ての区画における画像データの二値化処
理を一つの二値化レベルで行なっているので、総べての
区画が共に鮮明になることはない。すなわち、例えば、
図9(b)と図9(d)に示した区画35bと区画35
dとの照度分布が二値化処理レベルの128を境に高諧
調側にピークが寄っているので、同じ二値化レベルで処
理しても同じ鮮明度の画像が得られるが、図9(a)と
図9(c)に示す区画35aと区画35cとの照度分布
が全く異なる場合は、同じ二値化レベルで処理すると、
その鮮明な二値化画像が得られない。このことは、二値
化処理された画像において本来明点として認識される領
域が暗点として認識されることになる。すなわち、撮像
されたリードの部分が実際より縮小された像として認識
されたことになり、前述したアルゴリズムでリード曲り
を算出した場合、実際のリード曲りより小さく測定され
たことになり良否判定において誤判定するという問題が
ある。
【0010】本発明の目的は、複数の区分されるリード
部分の撮像の二値化処理の改善を図りより正確な測定が
出来るリード曲り測定装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のリード曲り測定
装置は、集積回路装置の外郭体より突出するリードに光
を投射する光照射部と、このリードから反射及び透過す
る光を撮像する撮像機構と、撮像された画像を取り込み
複数の区画に分割する機構と、分割されたそれぞれの区
画毎に異なる二値化レベルで画像の諧調を処理する二値
化処理機構と、この二値化処理機構で処理された二値化
データから各区画毎に対応する前記リードの各部のプロ
ファイルを作成するプロファイルカウンタ機構と、作成
されたプロファイルと基準プロファイルとのずれを算出
して前記リードの曲り量を求める算出機構と、この算出
された曲り量と許容値と比較して良否を判定する機構と
を備えている。
【0012】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0013】図1は本発明の一実施例を示すリード曲り
測定装置のブロック図、図2(a)および(b)は図1
のリード曲り測定装置の検査ステージを拡大して示す斜
視図、図3は図1のリード曲り測定装置におけるリード
部分に光を照射する下部側の光照射機構を示す斜視図で
ある。このリード曲り測定装置は、図1に示すように、
エリアカットアウト部16で区分けされた複数の区画の
それぞれに対応する区画数と同数の二値化レベルを記憶
する二値化レベル記憶部20aを設けたことである。こ
の区画から反射する光照度分布に応じて暗点および明点
に選択する二値化レベルを変えることによってより鮮明
なリードの部分プロファイルが得られることを特徴とし
ている。
【0014】次に、このリード曲り測定装置の動作を説
明する。まず、図1のIC2はシーケンサ9により制御
される水平搬送機構5の吸着チャックでICを掴み水平
に移動し、供給部6から検査ステージ38に搬送され
る。次に、図2に示すように、検査ステージ38はIC
2を背面状態で乗せ真空吸着してプレアライメントを行
なう。次に、クランプ爪3a、3b、3cおよび3dで
IC2を固定する。次に、図2(b)の状態に配置され
た検査ステージ38は、ボールねじ30により送られ、
図2(a)に示すように、IC2は環状白熱ランプ4a
の下部に位置決めされる。次に、IC2のリードの先端
部および先端の平坦な頂部が環状白熱ランプ4aで、リ
ードの根元部が図3の光ファイバーアレイ4bで光照射
される。
【0015】次に、図1に示すように、カメラヘッド
1、カメラドライバ10およびカメラコントローラ11
はそれによって得られる反射像を撮影し、取り込みクロ
ック12、8ビットA/D13がその撮像をI/O14
aを介してフレームメモリ15に256諧調で書き込
む。なお、ここでは、リードの先端部および先端の平坦
な頂端部ならびに根元部のいずれも反射像として撮像さ
れる。次に、エリアカットアウト部16がエリア指定ポ
インタ記憶部19aより指定された複数の区画を抽出
し、フレームモモリ15の多値画像データを複数の区画
に区分けする。次に、二値化処理部17は、区画に対応
したそれぞれの二値化レベルを二値化レベル記憶部19
a20aより引出し各区画の二値化処理を行なう。次
に、二値化処理された画像データはI/O14dを介し
て二値画像メモリ18に書き込む。次に、従来例で説明
したと同じアルゴリズムによってプロファイルカウンタ
21、面積重心算出部22およびリード曲り曲り量算出
部25でリード曲り量を求め、良否判定部24で許容値
と比較しIC2の良否を判定する。
【0016】図4は本発明の他の実施例を示すリード曲
り測定装置のブロック図、図5は図4の検査ステージと
IC搬送機構を示す斜視図である。このリード曲り測定
装置は、前述の実施例で示したICをチャックで掴み移
動する水平搬送機構部の代りに自重で滑り落下するシュ
ートレール機構にしたことである。すなわち、このIC
搬送機構は、図5に示すように、IC2を供給部6から
検査ステージ上にICの外郭体が摺動する溝を有するレ
ール状のシュートレール33aと、上下に稼働する位置
決め用のストッパ34を一端側に備えるとともに検査ス
テージに固定される位置決めレール33と、検査終了後
にこの位置決めレール33より載置台33cに排出され
たIC2を良品収納部7あるいは不良品収納部8に落し
込むプッシャー33bとを備えている。
【0017】また、このリード曲り測定装置の光照射機
構は、図5に示すように、IC2の上側にあって、かつ
リードの並ぶ方向に平行に棒状平行光源4eを配置し、
この棒状平行光源4eからの光を反射させる反射鏡32
をIC2のほぼ中央に設け、この反射光でIC2の両側
から突出するリードの頂端部に照射させるものである。
従って、このリードの頂端部分は透過像として先端部は
反射像としてそれぞれ撮像される。また、リードの根元
部は、前述の実施例と同じように、光ファイバアレイ4
bによって照射され、反射像として撮像される。
【0018】このリード曲り測定装置の動作は、まず、
IC2が供給部6からシュートレール33aに供給さ
れ、シュートレール33aをICが滑り位置決めレール
33に落ち込む。このことによりセンサ(図示せず)が
動作し、ストッパ34が上昇し、IC2を位置決めす
る。次に、クランプ爪3bと3dで固定する。次に、カ
メラヘッド1、カメラドライバ10およびカメラコント
ローラ11ほそれらの像を撮像し、取り込みクロック1
2および8bitのA/D13がその映像をI/O14
aを介してフレームメモリ15に256諧調で書き込
む。次に、エリアカットアウト部16は、その多値画像
からエリア指定ポインタ記憶部19aの指定された複数
の区画に切り出し、次いで二近処理部17が、二値化レ
ベル記憶部20aにて切り出した各区画に対して1対1
で指定される二値化レベルで二値化し、二値化した画像
データをI/O14dを通じて二値画像メモリ18に書
き込む。ここで、フレームメモリ15に取り込んだ画像
のどの部分を切り出すかは、装置の立ち上げ時に自動的
に外部記憶装置26からエリア指定ポインタ記憶部19
aに転送記憶される。また、このエリア指定ポインタ記
憶部19aは装置オペレータがキーボード27を操作し
て自由に新規作成および変更することが出来る。
【0019】再び、動作の説明に戻ると、次に、前述の
実施例と同様に、プロファイルカウンタ21、面積重心
算出部22およびリード曲り量算出部25はI/O14
eを通じて読み込んだ二値化画像に基ずきリード曲り算
出アルゴリズムに従ってIC2の全てのリードについて
の曲り量を算出する。そして良否判定部24で許容値と
比較し良否を判定する。判定が終了したIC2は、図5
に示す位置決めレール33より載置台33cに排出さ
れ、プッシャー33bにより良品収納部7あるいは不良
品収納部8に送られる。
【0020】なお、リードの頂端部は透過像として撮像
するので、すなわち、暗点として二値画像メモリ18に
記憶されているため、プロファイルカウンタ21への取
り込むときにインバータ36を介して明点に反転させて
処理される。その他のリードの先端部および根元部は反
射像、すなわち明点として二値画像メモリ18に記録さ
れるため、そのままプロファイルカウンタ21で処理さ
れる。CPU23のソフトウェアスイッチ21は、イン
バータ36を介する入力ラインあるいは介さない入力ラ
インの両方を管理してリードの頂端部の処理に対しては
反転入力、リードの先端部および根元部の処理に対して
は非反転入力を行なうようにスイッチングを行なう。
【0021】この実施例では、リードの頂端部を透過像
として取り込むため、同部を反射像として取り込む前実
施例に比べ、リードの頂端部を更に鮮明に撮像すること
が出来、より精度の高い測定が出来る利点がある。ま
た、IC2を搬送するIC搬送機構がより安価であると
いう利点もある。さらに、光照射機構としてリードの並
ぶ方向に沿って光照射する棒状平行光源にすることで各
リードへの光照度をより均一にすることが出来るという
い利点がある。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードの
画像を複数の区画に分割する機構と、分割された各区画
のそれぞれに対応する二値化レベルを設定し、それぞれ
の各区画を対応する二値化レベルで処理する機構を設け
ることによって、リードの各部の照度が均一でなくとも
より鮮明な二値化画像が得られ、より正確な測定が出来
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すリード曲り測定装置の
ブロック図である。
【図2】図1のリード曲り測定装置の検査ステージを拡
大して示す斜視図である。
【図3】図1のリード曲り測定装置におけるリード部分
に光を照射する下部側の光照射機構を示す斜視図であ
る。
【図4】本発明の他の実施例を示すリード曲り測定装置
のブロック図である。
【図5】図4の検査ステージとIC搬送機構を示す斜視
図である。
【図6】従来の一例を示すリード曲り測定装置のブロッ
ク図である。
【図7】図6のリード曲り測定装置における曲り量算出
するアルゴリズムを説明するための図である。
【図8】アルゴリズムを説明するためのフローチャート
である。
【図9】従来のリード曲り測定装置における問題点を説
明するための図であり、(a)〜(d)は諧調における
光照度分布を示すグラフ、(e)および(f)はリード
における区画の位置を示す図である。
【符号の説明】
1 カメラヘッド 2 IC 3a、3b、3c、3d クランプ爪 4a 環状白熱ランプ 4b 光ファイバアレイ 4c 光ファイバ 4d 白熱ランプハウス 4e 棒状平行光源 5 水平搬送機構部 6 供給部 7 良品収納部 8 不良品収納部 9 シーケンサ 10 カメラドライバ 11 カメラコントローラ 12 取り込みクロック 13 A/D 14a、14b、14c、14d、14e、14f
I/O 15 フレームメモリ 16 エリアカットアウト部 17 二値化処理部 18 二値画像メモリ 19a、19b エリア指定ポインタ部 20a、20b 二値化レベル記憶部 21 プロファイルカウンタ 22 面積重心算出部 23 CPU 24 良否判定部 25 リード曲り算出部 26 外部記憶装置 27 キーボード 28 CRT 29 プリンタ 30 ボールねじ 31 パルスモータ 32 反射鏡 33 位置決めレール 33a シュートレール 33b プッシャー 33c 載置台 34 ストッパー 36 インバータ 37 スイッチ 38 検査ステージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路装置の外郭体より突出するリー
    ドに光を投射する光照射部と、このリードから反射及び
    透過する光を撮像する撮像機構と、撮像された画像を取
    り込み複数の区画に分割する機構と、分割されたそれぞ
    れの区画毎に異なる二値化レベルで画像の諧調を処理す
    る二値化処理機構と、この二値化処理機構で処理された
    二値化データから各区画毎に対応する前記リードの各部
    のプロファイルを作成するプロファイルカウンタ機構
    と、作成されたプロファイルと基準プロファイルとのず
    れを算出して前記リードの曲り量を求める算出機構と、
    この算出された曲り量と許容値と比較して良否を判定す
    る機構とを備えることを特徴とするリード曲り測定装置
JP4029828A 1992-02-18 1992-02-18 リード曲り測定装置 Pending JPH06137839A (ja)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406372A (en) * 1993-04-16 1995-04-11 Modular Vision Systems Inc. QFP lead quality inspection system and method
DE4413832C2 (de) * 1994-04-20 2000-05-31 Siemens Ag Vorrichtungen zur Kontrolle von Halbleiterscheiben
DE4413831C2 (de) * 1994-04-20 2000-05-31 Siemens Ag Verfahren zur Kontrolle von Halbleiterscheiben
JP3298753B2 (ja) * 1994-10-14 2002-07-08 株式会社新川 ワイヤ曲がり検査装置
US5877803A (en) * 1997-04-07 1999-03-02 Tritech Mircoelectronics International, Ltd. 3-D image detector
DE19731738A1 (de) * 1997-07-23 1999-02-18 Siemens Ag Überprüfung und Korrektur fehlerhafter Kontaktanordnungen von integrierten Halbleiterbauelementen
CN119984096B (zh) * 2025-04-17 2025-08-05 洛阳理工学院 一种大型管件局部成形情况检测方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181341A (ja) * 1987-01-23 1988-07-26 Toshiba Corp リ−ド外観検査装置及びその検査方法
JPS63265440A (ja) * 1987-04-22 1988-11-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のリ−ド形状検査装置
JPH01233349A (ja) * 1988-03-14 1989-09-19 Nec Corp 半導体デバイスのリード曲り検出機
JPH01265144A (ja) * 1988-04-15 1989-10-23 Sony Corp 実装部品のリード変形チェック方法
JPH02136707A (ja) * 1988-11-16 1990-05-25 Nec Corp リード曲り検出機
US4995157A (en) * 1989-05-16 1991-02-26 Reel-Tech Inc. Component feeder system
JPH083405B2 (ja) * 1989-06-30 1996-01-17 松下電器産業株式会社 リード位置認識装置
EP0711067A3 (en) * 1989-11-21 1996-07-10 Toyo Ink Mfg Co Method for forming density forms for reproducing binary gradations
JP2946570B2 (ja) * 1989-11-24 1999-09-06 日本電気株式会社 コプラナリティ測定装置
JPH03285341A (ja) * 1990-04-02 1991-12-16 M B K Maikurotetsuku:Kk リードスキャナー
JP2870142B2 (ja) * 1990-07-17 1999-03-10 日本電気株式会社 コプラナリティ測定方法及びその装置
JP2630034B2 (ja) * 1990-07-24 1997-07-16 日本電気株式会社 リード曲り測定装置
US5168528A (en) * 1990-08-20 1992-12-01 Itt Corporation Differential electronic imaging system
JPH04102346A (ja) * 1990-08-22 1992-04-03 Nec Corp 半導体装置のリード曲り検査装置

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