JPS63265440A - 半導体装置のリ−ド形状検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置のリード形状検査装置に関し、
さらに詳しくは、半導体装置における所中待署ζ鐙ｔ＋
ａｈ−を霜膀個のり−Ｖめ刑ｉｔ里當−および配置態様
を検査するための装置の改良に係るものである。

〔従来の技術〕

従来例によるこの種の半導体装置のリード形状検査？を
置の概要構成を第６ｒｌＪないし第１１図に示しである
。

まず、第６図は同上装置の基本構成を示しており、符号
ｌは所定の四方位置にあって検査対象となるそれぞれに
複数個のリードｌａを備え、かつこのリードｉａ側が上
向きになるように配置した半導体装置であって、２は同
上半導体装１ｔｌを上方から撮像する光電変換装置、３
は同上リード１ａを上方から均一に照明し得るように配
置した照明装置で、１２ないし１５は同上半導体装！！
１を側部四方から撮影する光電変換装置、１０ないし１
９は同上り−ドｌａを側部四方から均一に照明し得るよ
うに配置した照明装置であり、また、５はこれらの各光
電変換装置２および１２ないし１５からの出力信号によ
って、同上半導体装Ｗ１１の各リード１ａの形状検査を
行なうと共に、同様にこれらの各照明装置３およびｌＢ
ないし１３の制御操作を行なう画像処理装置である。

また、第７図は前記画像処理装置５のブロック構成を示
しており、符号５ａは前記各光電変換装置２および１２
ないし１５からの出力信号を選択するマルチプレクサ、
５ｂは同上マルチプレクサ５ａで選択された信号を二値
化する二値化回路、５Ｃは同上各光電変換装Ｒ２および
１２ないし１５への同期信号６を出力する同期信号発生
回路、５ｄは同上二値化回路５ｂからの信号を同期信号
６に対応して記憶する画像メモリ、５ｅは前記各照明装
Ｍ３および１Ｂないし１９の点灯照明タイミングを選択
する照明選択回路、５ｆは中央処理装置（ｃｐｕ）で、
同上画像メモリ５ｄの画像データを検査すると共に、マ
ルチプレクサ５ａおよび照明選択回路５ｅへの制御信号
５ｇを出力する。

さらに、第８図および第１０図は前記各光電変換装置２
および１２ないし１５と、各照明装Ｍ３および１８ない
し１８とによる。前記半導体装置１でのリード１ａの撮
像状態を示すもので、それぞれに、符号θは同上各照明
装置ｉ３および１６ないし１９からの照射光、　２０は
同上各光電変換装Ｍ２および１２ないし１５への反射光
であり、そしてまた、第９図および第１１図は同上各光
電変換装Ｍ２および１２ないし１５によって撮像され、
かつ前記画像メモリ５ｄに記憶されるリード１ａの上面
および側面画像を示していて、それぞれに、符号２１お
よび２３はリードｌａの曲がり量、２２は各リードｌａ
間の間隔、２４はり−ドｌａの先端部浮き上り量である
。

しかして、前記従来例による半導体装置のリード形状検
査装置においては、画像処理装置５内の中央処理装置１
５ｆからの制御信号５ｇにより、まず最初に、光電変換
装Ｗ１２および照明装置１３が選択されると、照明装置
３によっては、第８図に示すように、半導体装ｌｉｔで
のベンド部を含んだ各り−ドＩａを、その上部側の多方
向から照明し、それぞれの上面側画像を光電変換装置２
によって撮像すると共に、撮像された画像信号は、マル
チプレクサ５ａを経てから、二値化回路５ｂにより二値
化させた上で画像メモリ５ｄに記憶され、中央処理装置
５ｆでは、このようにして記憶された各リードｌａの上
面側画像から、第１０図に示すように、各リード部１ａ
の上面側における外形輪郭形状を検査して、同上面側で
の曲がり量２１および相互間隔２２をそれぞれに測定す
る。

続いて、光電変換装置１２ないし１５および照明装置１
Ｂないし１９が順次に選択されると、同様にして照明装
ＭＩＢないし１９によっては、共に第８図に示すように
、各リード１ａを側部側の多方向から照明し、それぞれ
の側面側画像を光電変換装置１２ないし１５によって順
次に撮像すると共に、これらの順次に撮像された画像信
号は、マルチプレクサ５ａを経て、二値化回路５ｂによ
り二値化された上で画像メモリ５ｄに記憶され、と翫で
も中央処理装置ｓｔでは、これらの各リード部１ａの側
面側画像から、各リード１ａの側面側における外形輪郭
形状を検査して、同側面側での曲がり量２３および先端
部浮き上り量２４をそれぞれに測定するのであり、この
ようにして、各リード１ａの上部側および側部四方側。

つまり三次元方向の曲がりと浮き上りとを確認検査する
のである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記のように構成される従来例でのリー
ド形状検査装置では、半導体装２１１の四方にあってそ
れぞれに配置された複数個からなる各リードｌａを、上
方ならびに側部四方から各別に撮像しなければならない
ために、それぞれの各方向に対応して設けられる光電変
換装Ｍ２および１２ないし１５と、照明装置１３および
１Ｂないし１８とを必要とし、かつ画像処理装置５内に
は、各照明光相互の干渉を阻止するために、それぞれの
各装置を選択する回路を必要としており、装置全体の構
成ならびにその操作が極めて複雑化するなどの好ましく
ない問題点を有するものであった。

従って、この発明の目的とするところは、従来例装置で
のこのような問題点に鑑み、簡単な装置構成ならびに操
作によって、半導体装置における各リード部それぞれの
三次元方向の曲がりと浮き上り、すなわち換言すると各
リード部それぞれの形状異常、および配置態様を確認検
査し得るようにした、この種の半導体装置のリード形状
検査装置を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

前記目的を達成させるために、この発明に係る半導体装
置のリード形状検査装置は、検査対象となる複数個の各
リードにおけるベンド部の形状がその製作過程によって
すべて完全に一様であり、かつその再現性が常に保証さ
れる点に着目して、これらの各リードのベンド部をそれ
ぞれに照射する照明装置と、各リードのベンド部からの
正反射光を受光して、同各ベンド部を撮像する光電変換
装置と、同光電変換装置で撮像された画像信号から、正
反射点の位置を予め設定された所定位置と比較して、リ
ードの形状異常、および配ＭＦ！ｉ様を確認する画像処
理装置とによって構成したものである。

〔作　　　用〕

すなわち、この発明においては、それぞれの各リードで
のベンド部頂点位置からの正反射光のみを受光して、同
ベンド部の各頂点を撮像でき、この撮像された画像信号
から、正反射点の位置を予め設定された所定位置と比較
して、各リードの形状異常、および三次元方向の位置ず
れを確認検査し得るのである。

〔実　施　例〕

以下、この発明に係る半導体装置のリード形状検査装置
の一実施例につき、第１図ないし第５図を参照して詳細
に説明する。

第１図はこの実施例を適用した半導体装置のリード形状
検査装置の概要構成を示す斜視図、第２図は同上画像処
理装置の構成を示すブロック図、第３図は同上半導体装
置のり−ド撮像状態を示す側面図、第４図は同上撮像さ
れたリード画像を示す説明図、第５図（ａ）、（ｂ）は
同上リードの各別の検査態様をそれぞれに示す説明図で
あり、これらの第１図ないし第５図実施例において前記
第６図ないし第ｔｉ図従来例と同一符号は同一または相
当部分を示している。

すなわち、この実施例構成の場合にあっても。

まず、本装置の基本構成を示す第１図において。

符号１は所定の四方位置にあって検査対象となるそれぞ
れに複数個のリードｌａを備え、かつこのリードｌａ側
、つまりパッケージ底面ｔｂ側が上向きになるように配
置した半導体装置であり、また、２は同上半導体装！ｆ
ｌのパッケージ底面１ｂに立てた垂線に平行な視軸を有
して、リード１ａを一ヒ方から撮影する光電変換装置、
３は同上光電変換装Ｍ２の視軸と直角な方向に平行光を
照射し得るように配置した照明装置、４は同上光電変換
装置２の視軸と照明装！！Ｉ３の光軸との交点位置で、
パッケージ底面１ｂと４５度の角度を有するように配置
されたハーフミラ−１５は同上光電変換装置２からの出
力信号によって半導体装ｉｌｌのリード１ａの形状検査
を行なう画像処理装置である。

また、前記画像処理装置５のブロック構成を示す第２図
において、符号５ｂは前記光電変換装置２から出力され
る画像信号７を二値化する二値化回路、５Ｃは同上光電
変換装Ｗ１２への同期信号ｅを出力する同期信号発生回
路、　５ｄは同上二値化回路５ｂからの二値化画像信号
８を同期信号８に対応して記憶する画像メモリ、５ｆは
同上画像メモリ５ｄの画像データによってリードｌａの
形状を検査する中央処理装＠　（ｃｐｕ）である。

さらに、前記光電変換装置２と照明装ｆｉ３とによる。

前記半導体装Ｉｔｔでのリードｌａの撮像状態を示す第
３図において、符号９は同上照明装置３からの照射光、
１Ｇは同上リードｌａのベンド部頂点から光電変換装置
２への正反射光であり、そしてまた、同上光電変換装！
１２によって撮像され、かつ前記画像メモリ５ｄに記憶
されるリード１ａの上面画像を示す第４図において、符
号１１はリード１ａの正反射点画像である。

しかして、前記構成でのこの実施例による半導体装置の
リード形状検査装置の場合、照明？ｔ１３からの平行な
照射光は、第３図に示すように、ハーフミラ−４によっ
て、半導体装！ｔｌでのベンド部を含んだ各リードｆａ
をその上部側から平行光束で照明し、これらの各リード
ｌａの反射光のうち。

ベンド部頂点からの正反射光ｌＯのみが、ハーフミラ−
４を通して光電変換装置２に受光されることになり、こ
の光電変換装置２では、同期信号発生回路５Ｃからの同
期信号８に基づいて、これらの各リードｌａのそれぞれ
ペンド部頂点に対応する部分の上面側画像のみが撮像さ
れる。

続いて、前記光電変換装置２から出力されるところの、
撮像された画像信号７は、二値化回路５ｂにより二値化
された上で、この二値化画像信号８゜つまりご覧では、
正反射点画像１１が前記同期信号Ｂに基づいて１画像メ
モリ５ｄにそれぞれ記憶される。

そして、中央処理装置５ｆでは、このようにして画像メ
モリ５ｄに記憶された各リード１ａの上面側画像、換言
すると正反射点画像１１から、それぞれにベンド部頂点
を検出し、各頂点位置を予め設定されている所定位置と
比較確認して、それぞれの位置のバラツキにより、各リ
ード１ａの曲がり量、および浮き上り量を検査するので
ある。

ニーで、前記各リードｌａにおけるベンド部の状態は、
その製作過程によってすべてのリードｌａで完全に一様
であり、かつその再現性が常に保証されることから、前
記確認検査に際しては、それぞれの各リード１ａでのベ
ンド部頂点位置の如何、換言するとベンド部頂点からの
正反射光ｌＯの方向の如何によって、半導体装Ｈｔ、ひ
いてはそのパッケージ底面！ｂに対するところの、各リ
ードｌａの形状および位置が、第５図（ａ）に示す正常
な状態である場合は勿論のこと、これが平行にずれたり
１曲がっている場合とか、同第５図（ｂ）に示すように
浮き上っている場合などの、約言すると、半導体装１ｔ
に対する各リード１ａの形状異常、および三次元方向の
位置ずれを極めて容易に確認検査し得るのである。

なお、前記実施例構成においては、照明手段中にハーフ
ミラ−を配して、各リードのベンド部からの正反射光を
得るようにしているが１例えば。

径の小さなリング状の照明を対象物から離して配置する
などの手段などで同様な作用を得るようにしてもよいこ
とは勿論である。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、この発明によれば、半導体装置で
の所定位置に設けられた複数個のリードの形状異常、お
よび配Ｍ態様を検査する装置において、検査対象となる
複数個の各リードにおけるベンド部の形状がその製作過
程によってすべて完全に一様であり、かつその再現性が
常に保証される点に鑑み、これらの各リードのベンド部
をそれぞれに照射する照明装置と、各ベンド部からの正
反射光を受光して撮像する光電変換装置と、同光電変換
装置で撮像された画像信号から、正反射点の位置を予め
設定された所定位置と比較する画像処理装置とを設けて
構成したから、各リードでのベンド部頂点位置からの正
反射光のみを受光して撮像でき、この撮像された画像信
号から、正反射点の位置を予め設定された所定位置と比
較することによって、各リードの形状異常、および三次
元方向の位置ずれを極めて容易かつ正確に確認し得るの
であり、しかも装置構成についても、従来例の場合とは
異なって、単に一組の照明装置および光電変換装置と、
それに画像処理装置とで済み。

かつ画像処理装置自体も簡略化でき、併せてその操作も
容易になるなどの優れた特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体装置のリード形状検査装
置の一実施例による概要構成を示す斜視図であって、第
２図は同上画像処理装置の構成を示すブロック図、第３
図は同と半導体装置のり一ド撮像状態を示す側面図、第
４図は同上撮像されたリード画像を示す説明図、第５図
（ａ）、（ｂ）は同上リードの各別の検査態様をそれぞ
れに示す説明図であり、また、第６図は従来例による半
導体装置のリード形状検査装置の概要構成を示す斜視図
であって、第７図は同上画像処理装置の構成を示すブロ
ック図、第８図および第１θ図は同上半導体装置のリー
ドの上面部側および側面部側の撮像状態をそれぞれに示
す側面図、第９図および８１１図は同上リードの上面部
側および側面部側での撮像されたリード画像をそれぞれ
に示す説明図である。 ！・・・・半導体装置、ｌａ・・・・リード、　ｌｂ・
・・・パッケージ底面、２・・・・光電変換装置、３・
・・・照明装置、４・・・・ハーフミラ−１５・・・・
画像処理装置。 ５ｂ・・・・二値化回路、５ｃ・・・・同期信号発生回
路、５ｄ・・・・画像メモリ、５ｆ・・・・中央処理装
置（ｃｐｕ）　、　ｅ・・・・同期信号、７・・・・画
像信号、８・・・・二値化画像信号、９・・・・照射光
、１０・・・・正反射光、ｌｌ・・・・正反射点画像。 代理人　　大　　岩　　増　　雄 第１図 第３図 １目正Ｆｉ射点１イ象 第５図 第８図 第９図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置における所定位置に設けられた複数個のリー
   ドの形状異常、および配置態様を検査する装置であつて
   、前記各リードのベンド部をそれぞれに照射する照明装
   置と、各リードのベンド部からの正反射光を受光して、
   同各ベンド部を撮像する光電変換装置と、同上光電変換
   装置で撮像された画像信号から、正反射点の位置を予め
   設定された所定位置と比較して、リードの形状異常、お
   よび配置態様を確認する画像処理装置とを備えたことを
   特徴とする半導体装置のリード形状検査装置。