JPH06138058A - 半導体ウエハのエネルギ準位測定装置 - Google Patents
半導体ウエハのエネルギ準位測定装置Info
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- JPH06138058A JPH06138058A JP4287194A JP28719492A JPH06138058A JP H06138058 A JPH06138058 A JP H06138058A JP 4287194 A JP4287194 A JP 4287194A JP 28719492 A JP28719492 A JP 28719492A JP H06138058 A JPH06138058 A JP H06138058A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- energy level
- change
- lifetime
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非接触・非破壊でかつ常温でエネルギ準位を
測定し得る半導体ウエハのエネルギ準位測定装置。 【構成】 半導体ウエハ２に励起光発生器４により励起
光を照射すると共にバイアス光発生器９によりバイアス
光を照射し，上記ウエハ２にマイクロ波発生器５により
マイクロ波を導波管３を介して放射し，その反射波のレ
ベル変化を検波器６により検出し，シンクロスコープ７
により表示する。反射波のレベル変化に対応する少数キ
ャリアのライフタイムを波長設定器１０によりバイアス
光の波長を変化させることにより強制的に変化させ，こ
のライフタイムの変化に基づいて測定回路１１により半
導体ウエハ２のエネルギ準位が測定される。上記構成に
より，非接触・非破壊でかつ常温でエネルギ準位を測定
できる。その結果，半導体ウエハ２の汚染を高精度かつ
迅速に検出できる。
測定し得る半導体ウエハのエネルギ準位測定装置。 【構成】 半導体ウエハ２に励起光発生器４により励起
光を照射すると共にバイアス光発生器９によりバイアス
光を照射し，上記ウエハ２にマイクロ波発生器５により
マイクロ波を導波管３を介して放射し，その反射波のレ
ベル変化を検波器６により検出し，シンクロスコープ７
により表示する。反射波のレベル変化に対応する少数キ
ャリアのライフタイムを波長設定器１０によりバイアス
光の波長を変化させることにより強制的に変化させ，こ
のライフタイムの変化に基づいて測定回路１１により半
導体ウエハ２のエネルギ準位が測定される。上記構成に
より，非接触・非破壊でかつ常温でエネルギ準位を測定
できる。その結果，半導体ウエハ２の汚染を高精度かつ
迅速に検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの評価に用
いられる半導体ウエハのエネルギ準位測定装置に関する
ものである。
いられる半導体ウエハのエネルギ準位測定装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の超ＬＳＩに代表される半導体デバ
イスの超精密化傾向に伴い，半導体材料のより厳しい品
質管理が要求されるようになった。従来より，半導体材
料に対する微量の金属汚染を検出する方法としては，Ｄ
ＬＴＳ( Deep Level TransientSpectroscopy )法とよば
れる半導体ウエハのエネルギ準位を測定して汚染による
不純物を同定する接触破壊検査法が一般的であった。し
かし，上記したような管理のためには，半導体ウエハの
汚染や損傷のおそれのない検査方法が望ましい。そこ
で，マイクロ波光導電減衰法とよばれる非接触かつ非破
壊での検査法を用いて半導体ウエハのエネルギ準位を測
定する技術が開発された（特願昭６１−１０１０４５，
特願平２−２４８０６２）。図４は従来のマイクロ波に
よるエネルギ準位測定装置の一例における測定原理を示
すブロック図，図５は従来の測定装置による反射マイク
ロ波のレベル変化を示すグラフ，図６は従来の測定装置
による時定数τと温度との関係を示すグラフである。図
４に示す如く，従来の測定装置Ａは，試料保持台１と，
試料保持台１に保持された被測定試料である半導体ウエ
ハ２と，半導体ウエハ２に励起光を照射する励起光発生
器４と，半導体ウエハ２に放射するマイクロ波を発生さ
せるマイクロ波発生器５と，マイクロ波発生器５により
放射されるマイクロ波を半導体ウエハ２に放射する導波
管３と，半導体２の表面で反射されたマイクロ波を導波
管３を介して検出する検波器６と，検波器６により検出
されたマイクロ波のレベル変化を表示するシンクロスコ
ープ７と，試料保持台１に組み込まれて半導体ウエハ２
を下部から加熱するヒータ１１と，ヒータ１１による加
熱温度を調節する温度調節器１２と，温度調節器１２，
励起光発生器４，マイクロ波発生器５，検波器６及びシ
ンクロスコープ７を制御する制御回路８とから構成され
ている。以下，測定原理を説明する。半導体ウエハ２に
は励起光発生器４から照射された励起光により自由電子
−正孔対であるキャリアが励起される。このキャリアは
半導体ウエハ２の熱平衡状態でのキャリア濃度よりも過
剰なものであり，キャリア濃度を上昇させる。そして，
励起光の照射を中断すれば過剰なキャリアは再結合して
次第に消滅し，キャリア濃度を低下させる。このような
キャリア濃度の変化は半導体ウエハ２の電気伝導度を変
化させるため，該ウエハ２に入射されたマイクロ波はレ
ベル変化を生じる。レベル変化後のマイクロ波は反射波
となって導波管３を再び通り検波器６に伝達される。シ
ンクロスコープ７により，検出されるマイクロ波（反射
波）の減衰は，例えば図５に示されるような減衰カーブ
として表示される。図中，ｔ0 は励起光が照射された時
刻で，τは所定の減衰点での時定数である。次に，温度
調節器１２を用いてヒータ１１による半導体ウエハ２の
加熱温度を変化させ，この時の時定数τの変化をプロッ
トしたものが図６である。図６から時定数τは温度依存
性があることがわかる。また，図中のピークはそれぞれ
ＥＬ６とＥＬ９という深い不純物準位に対応している。
従って，このピークより半導体ウエハ２の微量の金属汚
染を推定することができた。
イスの超精密化傾向に伴い，半導体材料のより厳しい品
質管理が要求されるようになった。従来より，半導体材
料に対する微量の金属汚染を検出する方法としては，Ｄ
ＬＴＳ( Deep Level TransientSpectroscopy )法とよば
れる半導体ウエハのエネルギ準位を測定して汚染による
不純物を同定する接触破壊検査法が一般的であった。し
かし，上記したような管理のためには，半導体ウエハの
汚染や損傷のおそれのない検査方法が望ましい。そこ
で，マイクロ波光導電減衰法とよばれる非接触かつ非破
壊での検査法を用いて半導体ウエハのエネルギ準位を測
定する技術が開発された（特願昭６１−１０１０４５，
特願平２−２４８０６２）。図４は従来のマイクロ波に
よるエネルギ準位測定装置の一例における測定原理を示
すブロック図，図５は従来の測定装置による反射マイク
ロ波のレベル変化を示すグラフ，図６は従来の測定装置
による時定数τと温度との関係を示すグラフである。図
４に示す如く，従来の測定装置Ａは，試料保持台１と，
試料保持台１に保持された被測定試料である半導体ウエ
ハ２と，半導体ウエハ２に励起光を照射する励起光発生
器４と，半導体ウエハ２に放射するマイクロ波を発生さ
せるマイクロ波発生器５と，マイクロ波発生器５により
放射されるマイクロ波を半導体ウエハ２に放射する導波
管３と，半導体２の表面で反射されたマイクロ波を導波
管３を介して検出する検波器６と，検波器６により検出
されたマイクロ波のレベル変化を表示するシンクロスコ
ープ７と，試料保持台１に組み込まれて半導体ウエハ２
を下部から加熱するヒータ１１と，ヒータ１１による加
熱温度を調節する温度調節器１２と，温度調節器１２，
励起光発生器４，マイクロ波発生器５，検波器６及びシ
ンクロスコープ７を制御する制御回路８とから構成され
ている。以下，測定原理を説明する。半導体ウエハ２に
は励起光発生器４から照射された励起光により自由電子
−正孔対であるキャリアが励起される。このキャリアは
半導体ウエハ２の熱平衡状態でのキャリア濃度よりも過
剰なものであり，キャリア濃度を上昇させる。そして，
励起光の照射を中断すれば過剰なキャリアは再結合して
次第に消滅し，キャリア濃度を低下させる。このような
キャリア濃度の変化は半導体ウエハ２の電気伝導度を変
化させるため，該ウエハ２に入射されたマイクロ波はレ
ベル変化を生じる。レベル変化後のマイクロ波は反射波
となって導波管３を再び通り検波器６に伝達される。シ
ンクロスコープ７により，検出されるマイクロ波（反射
波）の減衰は，例えば図５に示されるような減衰カーブ
として表示される。図中，ｔ0 は励起光が照射された時
刻で，τは所定の減衰点での時定数である。次に，温度
調節器１２を用いてヒータ１１による半導体ウエハ２の
加熱温度を変化させ，この時の時定数τの変化をプロッ
トしたものが図６である。図６から時定数τは温度依存
性があることがわかる。また，図中のピークはそれぞれ
ＥＬ６とＥＬ９という深い不純物準位に対応している。
従って，このピークより半導体ウエハ２の微量の金属汚
染を推定することができた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の測定法では，減
衰カーブの波形解析から半導体ウエハ２のエネルギ準位
を算出している。しかし，減衰カーブは励起光によるキ
ャリアの注入状態やマイクロ波をプローブとしてキャリ
ア濃度を求める時の直線性（プローブファンクション）
等に起因する多くの誤差を含んでおり，減衰カーブの波
形から直接半導体ウエハ２のエネルギ準位を求めるのは
困難である。このため，理論値及び他の測定方法（例え
ば容量ＤＬＴＳ測定法）によるエネルギ準位と一致しな
い場合があった。また，従来の測定方法では半導体ウエ
ハ２の加熱温度を変化させるため，周囲温度の影響を受
けないように例えば被測定試料である半導体ウエハ２を
ヒータ１１と共に真空容器内に入れて測定がなされてい
た。このため，大量の半導体ウエハ２を迅速に測定する
ことが困難であった。一方，接触・破壊検査法ではある
が，半導体ウエハに単色光を，波長を変えて照射するこ
とにより，過剰キャリアを発生させて，その時の単色光
の波長で半導体ウエハ２のエネルギ準位を検出する技術
が公知であった（特開昭５３−５０９８３）。本発明は
このような従来の技術における課題を解決するために，
半導体ウエハのエネルギ順位測定装置を改良し，非接触
・非破壊でかつ常温でエネルギ準位を測定し得る半導体
ウエハのエネルギ順位測定装置を提供することを目的と
するものである。
衰カーブの波形解析から半導体ウエハ２のエネルギ準位
を算出している。しかし，減衰カーブは励起光によるキ
ャリアの注入状態やマイクロ波をプローブとしてキャリ
ア濃度を求める時の直線性（プローブファンクション）
等に起因する多くの誤差を含んでおり，減衰カーブの波
形から直接半導体ウエハ２のエネルギ準位を求めるのは
困難である。このため，理論値及び他の測定方法（例え
ば容量ＤＬＴＳ測定法）によるエネルギ準位と一致しな
い場合があった。また，従来の測定方法では半導体ウエ
ハ２の加熱温度を変化させるため，周囲温度の影響を受
けないように例えば被測定試料である半導体ウエハ２を
ヒータ１１と共に真空容器内に入れて測定がなされてい
た。このため，大量の半導体ウエハ２を迅速に測定する
ことが困難であった。一方，接触・破壊検査法ではある
が，半導体ウエハに単色光を，波長を変えて照射するこ
とにより，過剰キャリアを発生させて，その時の単色光
の波長で半導体ウエハ２のエネルギ準位を検出する技術
が公知であった（特開昭５３−５０９８３）。本発明は
このような従来の技術における課題を解決するために，
半導体ウエハのエネルギ順位測定装置を改良し，非接触
・非破壊でかつ常温でエネルギ準位を測定し得る半導体
ウエハのエネルギ順位測定装置を提供することを目的と
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は，半導体ウエハに励起光を照射する照射手段
と，上記半導体ウエハにマイクロ波を放射する放射手段
と，上記放射手段により放射されたマイクロ波の透過波
又は反射波を検出する検出手段と，上記検出手段により
検出されるマイクロ波のレベル変化に対応する上記半導
体ウエハの少数キャリアのライフタイムを強制的に変化
させるライフタイム強制変化手段と，上記ライフタイム
強制変化手段により強制されたライフタイムの変化に基
づいて上記半導体ウエハのエネルギ準位を測定するエネ
ルギ準位測定手段とからなる半導体ウエハのエネルギ準
位測定装置において，上記ライフタイム強制変化手段
が，バイアス光を上記半導体ウエハに波長を変化させて
照射するバイアス光照射手段であることを特徴とする半
導体ウエハのエネルギ準位測定装置として構成される。
に本発明は，半導体ウエハに励起光を照射する照射手段
と，上記半導体ウエハにマイクロ波を放射する放射手段
と，上記放射手段により放射されたマイクロ波の透過波
又は反射波を検出する検出手段と，上記検出手段により
検出されるマイクロ波のレベル変化に対応する上記半導
体ウエハの少数キャリアのライフタイムを強制的に変化
させるライフタイム強制変化手段と，上記ライフタイム
強制変化手段により強制されたライフタイムの変化に基
づいて上記半導体ウエハのエネルギ準位を測定するエネ
ルギ準位測定手段とからなる半導体ウエハのエネルギ準
位測定装置において，上記ライフタイム強制変化手段
が，バイアス光を上記半導体ウエハに波長を変化させて
照射するバイアス光照射手段であることを特徴とする半
導体ウエハのエネルギ準位測定装置として構成される。
【０００５】
【作用】本発明によれば，半導体ウエハに励起光を照射
すると共に，バイアス光を波長を変化させて照射し，上
記半導体ウエハに放射されたマイクロ波の反射波のレベ
ル変化から少数キャリアのライフタイムの変化を測定す
る。この時，少数キャリアのライフタイムのステップ状
に変化する点におけるバイアス光の波長に基づいて上記
半導体ウエハのエネルギ準位を測定することができる。
即ち，非接触・非破壊でかつ常温で半導体ウエハのエネ
ルギ準位を測定できる。その結果，このエネルギ準位に
基づいて半導体ウエハの微量の金属汚染を高精度かつ迅
速に検出できる。
すると共に，バイアス光を波長を変化させて照射し，上
記半導体ウエハに放射されたマイクロ波の反射波のレベ
ル変化から少数キャリアのライフタイムの変化を測定す
る。この時，少数キャリアのライフタイムのステップ状
に変化する点におけるバイアス光の波長に基づいて上記
半導体ウエハのエネルギ準位を測定することができる。
即ち，非接触・非破壊でかつ常温で半導体ウエハのエネ
ルギ準位を測定できる。その結果，このエネルギ準位に
基づいて半導体ウエハの微量の金属汚染を高精度かつ迅
速に検出できる。
【０００６】
【実施例】以下，添付図面を参照して，本発明を具体化
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本
発明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図
１は本発明の一実施例に係るマイクロ波による半導体ウ
エハのエネルギ準位測定装置の測定原理を示すブロック
図，図２は半導体ウエハのエネルギ準位の説明図，図３
はバイアス光の波長の変化と少量キャリアのライフタイ
ムの変化との関係を示すグラフを示す。また，前記図４
に示した従来のマイクロ波によるエネルギ準位測定装置
の一例における測定原理を示すブロック図と共通する要
素には同一符号を使用する。図１に示す如く，本実施例
に係る測定装置Ａ´は，従来例と同様の試料保持台１
と，被測定試料である半導体ウエハ２と，照射手段の一
例である励起光発生器４と，放射手段の一例であるマイ
クロ波発生器５と，導波管３と，検出手段の一例である
検波器６と，シンクロスコープ７及び制御回路８とに加
えて，バイアス光を発生させるバイアス光発生器９と，
バイアス光発生器９により発生させたバイアス光の波長
を変化させることにより少数のキャリアのライフタイム
を強制的に変化させる波長設定器１０（バイアス光発生
器９及び波長設定器１０がバイアス光照射手段（ライフ
タイム強制変化手段）の一例である）と，波長設定器１
０により強制された少数キャリアのライフタイムの変化
に基づいて半導体ウエハ２のエネルギ準位を測定するエ
ネルギ準位測定手段の一例である測定回路１１とを備え
ている。
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本
発明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図
１は本発明の一実施例に係るマイクロ波による半導体ウ
エハのエネルギ準位測定装置の測定原理を示すブロック
図，図２は半導体ウエハのエネルギ準位の説明図，図３
はバイアス光の波長の変化と少量キャリアのライフタイ
ムの変化との関係を示すグラフを示す。また，前記図４
に示した従来のマイクロ波によるエネルギ準位測定装置
の一例における測定原理を示すブロック図と共通する要
素には同一符号を使用する。図１に示す如く，本実施例
に係る測定装置Ａ´は，従来例と同様の試料保持台１
と，被測定試料である半導体ウエハ２と，照射手段の一
例である励起光発生器４と，放射手段の一例であるマイ
クロ波発生器５と，導波管３と，検出手段の一例である
検波器６と，シンクロスコープ７及び制御回路８とに加
えて，バイアス光を発生させるバイアス光発生器９と，
バイアス光発生器９により発生させたバイアス光の波長
を変化させることにより少数のキャリアのライフタイム
を強制的に変化させる波長設定器１０（バイアス光発生
器９及び波長設定器１０がバイアス光照射手段（ライフ
タイム強制変化手段）の一例である）と，波長設定器１
０により強制された少数キャリアのライフタイムの変化
に基づいて半導体ウエハ２のエネルギ準位を測定するエ
ネルギ準位測定手段の一例である測定回路１１とを備え
ている。
【０００７】次に，図２を参照して本実施例の測定原理
について述べる。例えば，半導体ウエハ２のエネルギ準
位Ｅｔにおいて電子が存在している時，この電子をエネ
ルギ準位Ｅｃの伝導体に上げるのに必要なエネルギΔＥ
は，バイアス光の波長に換算するとｈＣ／（Ｅｃ−Ｅ
ｔ）となる。正孔が存在している時は，この正孔をエネ
ルギ準位Ｅｖの価電子帯に下げるのに必要なエネルギΔ
Ｅ´は，バイアス光の波長に換算するとｈＣ／（Ｅｖ−
Ｅｔ）となる。ここに，ｈはプランクの定数，Ｃは光速
である。従って，波長設定器１０によりバイアス光の波
長を変化させた時，その波長に対応するエネルギ準位の
キャリアが励起され，従来例における加熱温度を変化さ
せた時と同様，それぞれのバイアス光の波長に対応した
熱平衡状態が得られる。そして，励起光発生器４からの
励起光の半導体ウエハ２への照射／中断による過剰キャ
リアの発生／消滅に伴うキャリア濃度変化が，半導体ウ
エハ２にマイクロ波発生器５により発生させて導波管３
を介して放射されたマイクロ波の反射波のレベル変化と
して検波器６及びシンクロスコープ７により検出され
る。このレベル変化から上記熱平衡状態における少数の
キャリアのライフタイムが測定される。この時，エネル
ギ準位Ｅｃ，Ｅｖは半導体ウエハ２に固有の値であり，
またエネルギ準位Ｅｔは汚染による不純物に固有の値で
あることから，バイパス光の波長を変化させた時の少数
キャリアのライフタイムの変化は，上記エネルギΔＥ又
はΔＥ´に相当する波長となった時にのみ生じる。即
ち，少数のキャリアのライフタイムは図３に示すような
ステップ状に変化する。このステップ状の変化に基づい
て，汚染による不純物のエネルギ準位が測定される。上
記少数キャリアのライフタイム及びエネルギ準位の測定
は測定回路１１によりなされる。 以上のように，本実
施例に係る半導体ウエハのエネルギ準位測定装置Ａ´に
よれば，非接触・非破壊かつ常温でエネルギ準位を測定
できる。更に，エネルギ準位は少数のキャリアのライフ
タイムのステップ状の変化に基づいて測定されるため，
従来例の減衰カーブの波形から直接よみとる方法に比べ
て検出精度が高くなる。その結果，半導体ウエハ２の微
量の金属汚染を高精度かつ迅速に検出することができ
る。尚，上記実施例における制御回路８と測定回路１１
とを１台のコンピュータに集約することもできる。ま
た，本実施例では反射マイクロ波をプローブとして少数
キャリア数の変化を測定する方法を適用したが，実使用
に際しては，赤外線レーザや透過マイクロ波等，あらゆ
る少数キャリアの増減を感知する方法を適用しても何ら
支障はない。
について述べる。例えば，半導体ウエハ２のエネルギ準
位Ｅｔにおいて電子が存在している時，この電子をエネ
ルギ準位Ｅｃの伝導体に上げるのに必要なエネルギΔＥ
は，バイアス光の波長に換算するとｈＣ／（Ｅｃ−Ｅ
ｔ）となる。正孔が存在している時は，この正孔をエネ
ルギ準位Ｅｖの価電子帯に下げるのに必要なエネルギΔ
Ｅ´は，バイアス光の波長に換算するとｈＣ／（Ｅｖ−
Ｅｔ）となる。ここに，ｈはプランクの定数，Ｃは光速
である。従って，波長設定器１０によりバイアス光の波
長を変化させた時，その波長に対応するエネルギ準位の
キャリアが励起され，従来例における加熱温度を変化さ
せた時と同様，それぞれのバイアス光の波長に対応した
熱平衡状態が得られる。そして，励起光発生器４からの
励起光の半導体ウエハ２への照射／中断による過剰キャ
リアの発生／消滅に伴うキャリア濃度変化が，半導体ウ
エハ２にマイクロ波発生器５により発生させて導波管３
を介して放射されたマイクロ波の反射波のレベル変化と
して検波器６及びシンクロスコープ７により検出され
る。このレベル変化から上記熱平衡状態における少数の
キャリアのライフタイムが測定される。この時，エネル
ギ準位Ｅｃ，Ｅｖは半導体ウエハ２に固有の値であり，
またエネルギ準位Ｅｔは汚染による不純物に固有の値で
あることから，バイパス光の波長を変化させた時の少数
キャリアのライフタイムの変化は，上記エネルギΔＥ又
はΔＥ´に相当する波長となった時にのみ生じる。即
ち，少数のキャリアのライフタイムは図３に示すような
ステップ状に変化する。このステップ状の変化に基づい
て，汚染による不純物のエネルギ準位が測定される。上
記少数キャリアのライフタイム及びエネルギ準位の測定
は測定回路１１によりなされる。 以上のように，本実
施例に係る半導体ウエハのエネルギ準位測定装置Ａ´に
よれば，非接触・非破壊かつ常温でエネルギ準位を測定
できる。更に，エネルギ準位は少数のキャリアのライフ
タイムのステップ状の変化に基づいて測定されるため，
従来例の減衰カーブの波形から直接よみとる方法に比べ
て検出精度が高くなる。その結果，半導体ウエハ２の微
量の金属汚染を高精度かつ迅速に検出することができ
る。尚，上記実施例における制御回路８と測定回路１１
とを１台のコンピュータに集約することもできる。ま
た，本実施例では反射マイクロ波をプローブとして少数
キャリア数の変化を測定する方法を適用したが，実使用
に際しては，赤外線レーザや透過マイクロ波等，あらゆ
る少数キャリアの増減を感知する方法を適用しても何ら
支障はない。
【０００８】
【発明の効果】本発明に係る半導体ウエハのエネルギ準
位測定装置は，上記したように構成されているため，非
接触・非破壊でかつ常温でエネルギ準位の測定を行うこ
とができる。その結果，半導体ウエハの微量の金属汚染
を高精度かつ迅速に検出することができる。
位測定装置は，上記したように構成されているため，非
接触・非破壊でかつ常温でエネルギ準位の測定を行うこ
とができる。その結果，半導体ウエハの微量の金属汚染
を高精度かつ迅速に検出することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係るマイクロ波による半
導体ウエハのエネルギ準位測定装置の測定原理を示すブ
ロック図。
導体ウエハのエネルギ準位測定装置の測定原理を示すブ
ロック図。
【図２】 半導体ウエハのエネルギ準位の説明図。
【図３】 バイアス光の波長の変化と少数キャリアのラ
イフタイムの変化との関係を示すグラフ。
イフタイムの変化との関係を示すグラフ。
【図４】 従来のマイクロ波によるエネルギ準位測定装
置の一例における測定原理を示すブロック図。
置の一例における測定原理を示すブロック図。
【図５】 従来の測定装置による反射マイクロ波のレベ
ル変化を示すグラフ。
ル変化を示すグラフ。
【図６】 従来の測定装置による時定数τと温度との関
係を示すグラフ。
係を示すグラフ。
Ａ´…マイクロ波による半導体ウエハのエネルギ準位測
定装置 ２…半導体ウエハ ４…励起光発生器 ５…マイクロ波発生器 ６…検波器 ７…シンクロスコープ ９…バイアス光発生器 １０…波長設定器 １１…測定回路
定装置 ２…半導体ウエハ ４…励起光発生器 ５…マイクロ波発生器 ６…検波器 ７…シンクロスコープ ９…バイアス光発生器 １０…波長設定器 １１…測定回路
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハに励起光を照射する照射手
段と，上記半導体ウエハにマイクロ波を放射する放射手
段と，上記放射手段により放射されたマイクロ波の透過
波又は反射波を検出する検出手段と，上記検出手段によ
り検出されるマイクロ波のレベル変化に対応する上記半
導体ウエハの少数キャリアのライフタイムを強制的に変
化させるライフタイム強制変化手段と，上記ライフタイ
ム強制変化手段により強制されたライフタイムの変化に
基づいて上記半導体ウエハのエネルギ準位を測定するエ
ネルギ準位測定手段とからなる半導体ウエハのエネルギ
準位測定装置において，上記ライフタイム強制変化手段
が，バイアス光を上記半導体ウエハに波長を変化させて
照射するバイアス光照射手段であることを特徴とする半
導体ウエハのエネルギ準位測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287194A JPH06138058A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体ウエハのエネルギ準位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287194A JPH06138058A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体ウエハのエネルギ準位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138058A true JPH06138058A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17714294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4287194A Pending JPH06138058A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体ウエハのエネルギ準位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138058A (ja) |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP4287194A patent/JPH06138058A/ja active Pending
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