JPH06138664A

JPH06138664A - パターン形成方法

Info

Publication number: JPH06138664A
Application number: JP28766692A
Authority: JP
Inventors: Shintarou Minami; 伸太朗南; Hiroyuki Nishimura; 浩之西村; Hiroshi Adachi; 廣士足達; Yoshio Hayashide; 吉生林出; Shinji Kishimura; 眞治岸村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-10-26
Filing date: 1992-10-26
Publication date: 1994-05-20

Abstract

(57)【要約】【目的】レジストプロセスを用いた多層配線形成時で
のフォトレジストに対する効果的な反射防止膜，フォト
レジスト発泡防止膜を得る。【構成】フォトリソグラフィーによる露光処理に際し
て、フォトレジスト膜に対する反射防止膜，ないしは、
フォトレジスト発泡防止膜として、フォトレジスト膜の
下層側，または上層側に、フォトリソグラフィーに用い
る光を吸収する色素，または化合物を含むシリコーンラ
ダーポリマー膜を形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、パターン形成方法に
関し、さらに詳しくは、ＬＳＩなどの半導体装置の製造
における多層配線の形成に好適なパターン形成方法の改
良に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のＬＳＩなどの半導体装置におい
ては、その高集積化に伴って、素子構成の微細化，多層
配線化が著るしく進んでいる。

【０００３】図４(a) ないし(e) には、従来の一般的な
半導体装置の製造における素子構成の微細化，多層配線
化のためのパターン形成方法，こゝでは、単層レジスト
プロセスによるパターン形成方法の主要な工程を順次に
示してある。

【０００４】これらの図４(a) ないし(e) において、こ
の従来例方法の場合には、まず、半導体基板４１の主面
上にあって、素子形成のための所定膜厚による金属層４
２を形成する（同図(a))と共に、当該金属層４２上に対
し、所要膜厚のフォトレジスト膜４３を形成しておく
（同図(b))。

【０００５】ついで、前記フォトレジスト膜４３を図示
省略した露光装置によって露光処理し、かつ現像処理す
ることで、選択的にレジストパターン４３ａを形成し
（同図(c))、その後、前記選択形成されたレジストパタ
ーン４３ａをエッチングマスクに用い、前記金属層４２
を、例えば、ドライエッチングにより、選択的に加工除
去してパターニングされた金属層４２ａを残す（同図
(d))。

【０００６】最後に、前記エッチングマスクに用いたレ
ジストパターン４３ａを除去することによって、結果的
には、前記半導体基板４１の主面上にあって、所期通り
にパターニング形成された金属層４２ａ，つまり、こゝ
では、配線層としての金属層４２ａを得るのである（同
図(e))。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のパターン形成方法にあっては、多層配線の形成に際
して、パターニングされる金属層４２などの下地基板側
が、露光のための光に対して高い反射率を有して場合、
フォトレジスト膜４３内でのハレーションによって、必
ずしも精度のよいレジストパターンを得られないことが
ある。

【０００８】すなわち、従来のＬＳＩなどの半導体装置
の製造における単層レジストプロセスの場合には、例え
ば、SOLID STATE TECHNOLOGY, November1991,p.57 に記
載されているように、フォトレジスト膜の下層側での下
地基板（ないしは金属層）面がリソグラフィーに用いら
れる光に対して高い反射率を有していると、露光装置か
らの入射光と、下地基板（ないしは金属層）面からの反
射光とがフォトレジスト膜内で干渉し合うという不都合
を生ずる。

【０００９】そして、この干渉による光の強弱は、フォ
トレジストの膜厚分布と、下地基板面上に形成されてい
るシリコン酸化膜，窒化膜の膜厚とによって変動し、か
つこれに伴ってフォトレジストの露光に必要とされるド
ーズ量も変化することが知られており、このために、局
所的に露光過剰とか、露光不足が発生して、形成される
レジストパターンの線幅もまた変動することになる。一
方、平面的でない下地基板面上に配線としての金属層な
どが形成されているときには、反射光が斜め方向から上
部側のレジストにあたって、こゝでは、反射性ノッチン
グを起こし、これによって、最終的に形成される回路配
線に切れ込みなどが入る惧れがあり、装置構成にストレ
スマイグレーションなどの信頼性の問題が発生し易くな
るものであった。

【００１０】そこで、このような問題点を解消するため
の反射防止膜として、従来においては、無機質の TiN,
Se, Cr₂O₃, TiWなどによるスパッタ膜とか、ＣＶＤ膜が
検討されてきた。これらの堆積型の各無機質膜による反
射防止膜では、当該無機質膜内での光の多重反射を利用
して反射率を低減させており、このために膜厚の均一性
が厳しく要求されるのであるが、こゝでの膜厚を均一に
成膜するのは非常に困難で、しかも、一方では、レジス
ト露光後にこの無機質膜を除去することが難しく、かつ
その除去時にゴミの発生も多いという不利がある。ま
た、金属を含むこの種の無機質膜では、下地側が金属の
場合，いわゆるメタライゼーションを起こすので、その
適用範囲が限定される。さらに、ステッパーによる露光
においては、強力な光を非常に短時間内で照射させる必
要があることから、この場合には、光化学反応によるフ
ォトレジスト内での感光剤の分解に伴って発生する窒素
などのために、例えば、MicroelectricEngineering, 11
(1990),p.475 に記載されているように、フォトレジス
トの発泡を生ずるという不利もある。

【００１１】この発明は、従来のこのような問題点を解
消するためになされたもので、その目的とするところ
は、レジストプロセスを用いた多層配線形成時でのフォ
トレジストに対する効果的な反射防止膜，ないしは、フ
ォトレジスト発泡防止膜を容易に得られるようにした，
この種のパターン形成方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係るパターン形成方法は、フォトリソグ
ラフィーによる露光処理に際してのフォトレジストに対
する反射防止膜，ないしは、フォトレジスト発泡防止膜
として、フォトレジスト膜の下層側，または上層側に、
フォトリソグラフィーに用いる光を吸収する色素，また
は化合物を含むシリコーンラダーポリマー膜を形成させ
るようにしたものである。

【００１３】すなわち、この発明は、パターン形成され
る金属層などの被パターン形成層上にフォトレジスト膜
を成膜させた後、当該フォトレジスト膜を所要パターン
通りに露光かつ現像処理してレジストパターンを形成さ
せると共に、当該レジストパターンをマスクに用い、前
記被パターン形成層を選択的に除去してパターニングす
るパターン形成方法において、前記フォトレジスト膜の
下層側，または上層側に対し、露光処理の際の反射防止
膜，フォトレジスト発泡防止膜として、下式，化（２）
で示されるシリコーンラダーポリマー膜を形成すること
を特徴とするパターン形成方法である。

【００１４】

【化２】（こゝで、上式中、Ｒ１は、フェニル基，または低級ア
ルキル基，あるいは感光基であって、同種でもよく、異
種でもよい。Ｒ２は、水素原子，または低級アルキル
基，あるいは感光基であって、同種でもよく、異種でも
よい。ｎは、20〜1000の整数を示す。）

【００１５】また、この発明は、前記パターン形成方法
において、前記シリコーンラダーポリマー膜が、回転塗
布膜であり、当該シリコーンラダーポリマー膜には、水
銀ランプのｇ線，またはｉ線，もしくはレーザー光を吸
収する色素，または化合物を含有させることを特徴と
し、前記シリコーンラダーポリマー膜に含まれる色素，
または化合物としては、高純度のもの，特に、重金属，
アルカリ金属，アルカリ土類金属などの不純物濃度が
０．５ｐｐｍ程度以下のもので、芳香族系化合物，ベン
ズオキサゾール系化合物，ブタジエンシアノ系化合物，
ポリエン系化合物を用いることを特徴とするものであ
る。

【００１６】また、この発明は、前記パターン形成方法
において、前記シリコーンラダーポリマー膜を反射防止
膜として用いるときは、被パターン形成層側からの反射
率が３０％程度以下であることを特徴とし、前記シリコ
ーンラダーポリマー膜を発泡防止膜として用いるとき
は、被パターン形成層側からの反射率が１０％程度以下
であることを特徴とするものである。

【００１７】さらに、この発明は、前記パターン形成方
法において、前記シリコーンラダーポリマー膜を反射，
および発泡防止膜として用いるときは、前記被パターン
形成層側からの３０％程度以下，および１０％程度以下
の反射率を得るために、当該シリコーンラダーポリマー
膜に対し、色素，または化合物を５〜２０重量％程度に
含有させることを特徴とし、前記シリコーンラダーポリ
マー膜を反射，および発泡防止膜として用いるときは、
前記被パターン形成層，およびフォトレジスト膜との接
着性，密着性を向上させるために、当該シリコーンラダ
ーポリマー膜に対し、シランカップリング剤を５００〜
２０００ｐｐｍ程度に含有させることを特徴とするもの
である。

【００１８】こゝで、前記シリコーンラダーポリマー膜
は、前記したように、化（２）で示されるものであって
よく、例えば、ポリフェニルシルセスキオキサン，ポリ
フェニルビニルシルセスキオキサン，ポリフェニルメチ
ルシルセスキオキサン，ポリビニルシルセスキオキサ
ン，およびポリアリールシルセスキオキサンの内の少な
くとも１種類が用いられる。

【００１９】また、前記色素，または化合物としては、
水銀ランプにおけるｇ線（436nm)，ｉ線（436nm)，エキ
シマレーザー (248.5nm,251nm,193nm)の光の内，少なく
とも１種類の光を吸収し得るものであればよく、この場
合、ｇ線用の色素としては、ポリエン系化合物，例え
ば、 4-Tricyanovinylaniline が、ｉ線用の色素として
は、ベンズオキサゾール系化合物，またはブタジエンシ
アノ系化合物，例えば、2-(Styryl)benzoxazole が、エ
キシマレーザー用の色素としては、芳香族系化合物，例
えば、 1-4-Benzoquinone がそれぞれに用いられる。

【００２０】さらに、前記シランカップリング剤として
は、この場合、例えば、 Vinyltri-chlorosilan,γGlyc
idoxypropyltrimethoxysilane, n-(Trimethoxysiltlpro
pyl)ethylenediaminなどが用いられる。

【００２１】

【作用】従って、この発明方法では、フォトレジスト膜
の下層側，または上層側に対して、化（２）で示される
ところの，フォトリソグラフィーに用いる光を吸収する
色素，または化合物を含むシリコーンラダーポリマー膜
を形成しているために、下地基板側からの光の反射率を
低減して、フォトレジスト膜内での光の干渉による影響
を無視可能な程度までに少なくでき、かつ露光に必要な
ドーズ量の変化についても無視し得る。また、段差のあ
る下地基板上でのフォトリソグラフィーに際しての反射
性ノッチングの発生もなく、さらには、フォトレジスト
膜の上層に形成するときは、ステッパーの光を減じて露
光させることにより、当該フォトレジスト膜内での光化
学反応をマイルドにさせ、かつ露光時間を長くすること
により、発生する窒素の拡散時間を長くして発泡を防止
できる。

【００２２】

【実施例】以下、この発明に係るパターン形成方法の各
別の実施例につき、図１ないし図３を参照して詳細に説
明する。

【００２３】第１実施例．図１(a) ないし(g) は、この
発明の第１実施例を適用したパターン形成方法の主要な
製造工程を順次に示すそれぞれに断面模式図である。

【００２４】この第１実施例方法においては、まず最初
に、従来技術によって、基板主面上に配線，または素子
形成のための所要の金属層２を形成した半導体基板１を
準備する（同図(a))。

【００２５】次に、前記金属層２を含む半導体基板１の
主面上に対して、次の式，化（３）に示されるところ
の，重量平均分子量が１０万であるシリコーンラダーポ
リマーと、水銀ランプのｉ線付近に吸収をもつブタジエ
ンシアノ化合物系色素（シリコーンラダーポリマーに対
して２０重量％を含む）のアニソール溶液（５重量％の
濃度に調整された）を回転塗布すると共に、１５０℃で
３０分間と２５０℃で６０分間の熱処理を順次に行なっ
て、膜厚約０．２μｍ程度のシリコーンラダーポリマー
膜３を形成した（同図(b))。

【００２６】

【化３】こゝで、前記化（３）に示される，末端に水酸基を有す
るシリコーンラダーポリマーは、特開平１−９２２２４
号公報に開示されている方法で製造したものを用いてお
り、このときの下地面からの反射率は１０％以下であっ
た。なお、発明者らの実験によると、この下地面からの
反射率は、反射防止膜の場合に、３０％程度以下，発泡
防止膜の場合に、１０％程度以下であることが好まし
く、当該反射率を得るために、シリコーンラダーポリマ
ーに対する色素，または化合物の含有量は、５〜２０重
量％の範囲内であることが好ましい。

【００２７】次に、従来技術の場合と同様に、前記シリ
コーンラダーポリマー膜３上に対して所要膜厚のフォト
レジスト層４を形成した（同図(c))。

【００２８】次に、従来技術の場合と同様に、前記フォ
トレジスト層４を水銀ランプのｉ線ステッパーによって
露光処理し、かつまた、従来技術の場合と同様に、現像
処理することで、選択的にレジストパターン４ａを形成
した。そして、このように形成されたレジストパターン
４ａには、光の干渉による線幅の変動とか反射性ノッチ
ングが全く見られなかった。引続き、こゝでの選択形成
されたレジストパターン４ａをエッチングマスクに用
い、前記シリコーンラダーポリマー膜３を、例えば、ド
ライエッチングによって選択的に加工除去し、パターニ
ングされたシリコーンラダーポリマー膜３ａを残す（同
図(d))。

【００２９】次に、前記選択加工によって残されたシリ
コーンラダーポリマー膜３ａを含むレジストパターン４
ａをエッチングマスクに用い、前記金属層２を、例え
ば、ドライエッチングによって選択的に加工除去し、所
要パターン形状による金属層２ａを所期通りに形成させ
（同図(e))、その後、従来技術の場合と同様に、前記レ
ジストパターン４ａを除去する（同図(f))。

【００３０】最後に、前記シリコーンラダーポリマー膜
３ａを、例えば、ウエットエッチングよって除去するこ
とにより、結果的に、前記半導体基板１の主面上にあっ
て、所期通りにパターニングされた金属層２ａを得るの
である（同図(g))。

【００３１】第２実施例．図２(a) ないし(f) は、この
発明の第２実施例を適用したパターン形成方法の主要な
製造工程を順次に示すそれぞれに断面模式図であり、こ
の第２実施例方法は、下地側に段差のある場合である。

【００３２】この第２実施例方法においても、まず最初
に、前記第１実施例方法の場合と同様に、従来技術によ
って、基板主面上に配線，または素子形成のための金属
層１２，および当該金属層１２を覆う層間絶縁膜１３を
順次に形成した半導体基板１１を準備する（同図(a))。

【００３３】次に、前記金属層１２，および層間絶縁膜
１３を含む半導体基板１１の主面上に対して、前記化
（２）に示される，重量平均分子量が１０万であるシリ
コーンラダーポリマーと、水銀ランプのｉ線付近に吸収
をもつベンズオキサゾ−ル化合物系色素（シリコーンラ
ダーポリマーに対して２０重量％を含む）のアニソール
溶液（５重量％の濃度に調整された）を回転塗布すると
共に、８０℃で３０分間と１２５℃で６０分間との熱処
理を順次に行なって、膜厚約０．２μｍ程度のシリコー
ンラダーポリマー膜１４を形成した（同図(b))。こゝで
もまた、化（３）に示される，末端に水酸基を有するシ
リコーンラダーポリマーは、特開平１−９２２２４号公
報に開示されている方法で製造したものを用いており、
このときの下地面からの反射率は１０％以下であった。

【００３４】次に、従来技術の場合と同様に、前記シリ
コーンラダーポリマー膜１４上に対して所要膜厚のフォ
トレジスト層１５を形成した（同図(c))。

【００３５】次に、従来技術の場合と同様に、前記フォ
トレジスト層１５を水銀ランプのｉ線ステッパーによっ
て露光し、かつ同様に現像することで、選択的にレジス
トパターン１５ａを形成した。このようにして形成され
たレジストパターン１５ａには、前記第１実施例の場合
と同様に、光の干渉による線幅の変動とか反射性ノッチ
ングが全く見られなかった。引続き、こゝでの選択形成
されたレジストパターン１５ａをエッチングマスクに用
い、前記シリコーンラダーポリマー膜１４，層間絶縁膜
１３のそれぞれを、例えば、ドライエッチングによって
順次選択的に加工除去し、パターニングされたシリコン
ラダーポリマー膜１４ａ，層間絶縁膜１３ａを残す（同
図(d))。

【００３６】次に、従来技術の場合と同様に、前記エッ
チングマスクに用いたレジストパターン１５ａを除去し
（同図(e))、最後に、前記パターニングされたシリコー
ンラダーポリマー膜１４ａを、例えば、ウエットエッチ
ングよって除去するのである（同図(f))。

【００３７】第３実施例．前記の第１実施例方法の場合
には、フォトレジスト層を露光するための手段として、
水銀ランプのｉ線ステッパーを用いているが、この第３
実施例方法においては、これに代えて、エキシマレーザ
ーステッパーを用いると共に、シリコーンラダーポリマ
ーに対し、当該エキシマレーザーの光を吸収するための
色素としての芳香族系化合物，こゝでは、例えば、 1-4
-Benzoquinone を含有させて用いるものである。そし
て、この第３実施例方法の場合、製造工程的には、第１
実施例方法の場合と殆んど同様であり、その作用，効果
についてもほゞ同様である。

【００３８】第４実施例．前記の第１実施例方法の場合
には、フォトレジスト層を露光するための手段として、
水銀ランプのｉ線ステッパーを用いているが、この第４
実施例方法においては、これに代えて、水銀ランプのｇ
線ステッパーを用いると共に、シリコーンラダーポリマ
ーに対し、当該ｇ線の光を吸収するための色素としての
ポリエン系化合物，こゝでは、例えば、 4-tricyanovin
ylaniline を含有させて用いるものである。そして、こ
の第４実施例方法の場合にも、製造工程的には、第１実
施例方法の場合と殆んど同様であり、その作用，効果に
ついてもほゞ同様である。

【００３９】第５実施例．図３(a) ないし(e) は、この
発明の第５実施例を適用したパターン形成方法の主要な
工程を順次に示すそれぞれに断面模式図である。

【００４０】この第５実施例方法においては、まず最初
に、前記第１実施例方法の場合と同様に、従来技術によ
って、基板主面上に配線，または素子形成のための金属
層２２を形成すると共に、当該金属層２２上にフォトレ
ジスト２３を形成した半導体基板２１を準備する（同図
(a))。

【００４１】次に、前記半導体基板２１のフォトレジス
ト２３上に対して、前記化（３）に示される，重量平均
分子量が１０万であるシリコーンラダーポリマーと、水
銀ランプのｉ線付近に吸収をもつブタジエンシアノ化合
物系色素（シリコーンラダーポリマーに対して２０重量
％を含む）のアニソール溶液（５重量％の濃度に調整さ
れた）を回転塗布すると共に、１５０℃で３０分間と２
５０℃で６０分間の熱処理を順次に行なって、膜厚約
０．２μｍ程度のシリコーンラダーポリマー膜２４を形
成した（同図(b))。なお、こゝでもまた、化（３）に示
される，末端に水酸基を有するシリコーンラダーポリマ
ーは、特開平１−９２２２４号公報に開示されている方
法で製造したものを用いており、このときのシリコーン
ラダーポリマー膜２４の反射率は１０％以下であった。

【００４２】次に、従来技術の場合と同様に、前記シリ
コーンラダーポリマー膜２４を通して、前記フォトレジ
スト層２３を水銀ランプのｉ線ステッパーによって露光
処理した。そして、このとき、フォトレジストにおける
発泡現象は、全く観察されなかった。引続き、当該シリ
コーンラダーポリマー膜２４を、例えば、ウエットエッ
チングよって除去した（同図(c))。

【００４３】次に、従来技術の場合と同様に、前記フォ
トレジスト層２３を現像処理することで、選択的にレジ
ストパターン２３ａを形成した。そして、このように形
成されたレジストパターン２３ａには、前記第１実施例
の場合と同様に、光の干渉による線幅の変動とか反射性
ノッチングが全く見られなかった。引続き、こゝでの選
択形成されたレジストパターン２３ａをエッチングマス
クに用い、前記金属層２２を、例えば、ドライエッチン
グによって選択的に加工除去し、所要パターン形状によ
る金属層２２ａを所期通りに形成させ（同図(d))、その
後、従来技術の場合と同様に、前記レジストパターン２
３ａを除去することにより、こゝでも、結果的に、前記
半導体基板２１の主面上にあって、所期通りにパターニ
ングされた金属層２２ａを得るのである（同図(e))。

【００４４】第６実施例．前記の第１実施例方法の場合
には、前記化（２）に示される，重量平均分子量が１０
万であるシリコーンラダーポリマーを用いているが、こ
の第６実施例方法においては、次の化（４）に示され
る，重量平均分子量が１０万であって、末端がエトキシ
基，側鎖がメチル基であるシリコーンラダーポリマーに
対し、下地基板との接着性向上のためのシランカップリ
ング剤（Vinyltrichlorosirane）を７５０ｐｐｍ添加し
て用いるものである。

【００４５】

【化４】そして、この第６実施例方法の場合にあっても、製造工
程的には、第１実施例方法の場合と殆んど同様であり、
こゝでは、同様な作用，効果が得られるほか、ステッパ
ーの光を減じて露光させることにより、当該フォトレジ
スト膜内での光化学反応をマイルドにさせ、かつ露光時
間を長くすることにより、発生する窒素の拡散時間を長
くして発泡を防止できた。

【００４６】

【発明の効果】以上、各実施例によって詳述したよう
に、この発明方法によれば、パターン形成される金属層
などの被パターン形成層上にフォトレジスト膜を成膜さ
せた後、フォトレジスト膜を所要パターン通りに露光か
つ現像処理してレジストパターンを形成させると共に、
レジストパターンをマスクに用い、被パターン形成層を
選択的に除去してパターニングするパターン形成方法に
おいて、フォトレジスト膜の下層側，または上層側に対
し、露光処理の際の反射防止膜，およびフォトレジスト
発泡防止膜として、化（２）で示されるシリコーンラダ
ーポリマー膜を形成させて用いたので、フォトレジスト
膜に対する露光処理が効果的になされると共に、レジス
トの発泡もなく、レジストパターンを良好かつ高精度に
形成できるもので、結果的に、高密度集積化，多層配線
化に適した装置構成が得られるという優れた特長があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a) ないし(g) は、この発明の第１実施例を適
用したパターン形成方法の主要な工程を順次に示すそれ
ぞれに断面模式図である。

【図２】(a) ないし(f) は、この発明の第２実施例を適
用したパターン形成方法の主要な工程を順次に示すそれ
ぞれに断面模式図である。

【図３】(a) ないし(e) は、この発明の第５実施例を適
用したパターン形成方法の主要な工程を順次に示すそれ
ぞれに断面模式図である。

【図４】(a) ないし(e) は、従来例によるパターン形成
方法の主要な工程を順次に示すそれぞれに断面模式図で
ある。

【符号の説明】

１，１１，２１半導体基板２，１２，２２金属層２ａ，２２ａパターニングされた金属層３，１４，２４シリコーンラダーポリマー層３ａ，１４ａ，２４ａパターニングされたシリコーン
ラダーポリマー層４，１５，２３フォトレジスト層４ａ，１５ａ，２３ａレジストパターン１３層間絶縁膜１３ａパターニングされた層間絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者林出吉生兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電機株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者岸村眞治兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電機株式会社エル・エス・アイ研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターン形成される金属層などの被パタ
ーン形成層上にフォトレジスト膜を成膜させた後、当該
フォトレジスト膜を所要パターン通りに露光かつ現像処
理してレジストパターンを形成させると共に、当該レジ
ストパターンをマスクに用い、前記被パターン形成層を
選択的に除去してパターニングするパターン形成方法に
おいて、前記フォトレジスト膜の下層側，または上層側に対し、
露光処理の際の反射防止膜，フォトレジスト発泡防止膜
として、下式，化（１）で示されるシリコーンラダーポ
リマー膜を形成することを特徴とするパターン形成方法
ことを特徴とするパターン形成方法。【化１】（こゝで、上式中、Ｒ１は、フェニル基，または低級ア
ルキル基，あるいは感光基であって、同種でもよく、異
種でもよい。Ｒ２は、水素原子，または低級アルキル
基，あるいは感光基であって、同種でもよく、異種でも
よい。ｎは、20〜1000の整数を示す。）
【請求項２】前記シリコーンラダーポリマー膜が、回
転塗布膜であり、当該シリコーンラダーポリマー膜に
は、水銀ランプのｇ線，またはｉ線，もしくはレーザー
光を吸収する色素，または化合物を含有させることを特
徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】前記シリコーンラダーポリマー膜に含ま
れる色素，または化合物としては、高純度のもの，特
に、重金属，アルカリ金属，アルカリ土類金属などの不
純物濃度が０．５ｐｐｍ程度以下のもので、芳香族系化
合物，ベンズオキサゾール系化合物，ブタジエンシアノ
系化合物，ポリエン系化合物を用いることを特徴とする
請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項４】前記シリコーンラダーポリマー膜を反射
防止膜として用いるときは、被パターン形成層側からの
反射率が３０％程度以下であることを特徴とする請求項
１記載のパターン形成方法。
【請求項５】前記シリコーンラダーポリマー膜を発泡
防止膜として用いるときは、被パターン形成層側からの
反射率が１０％程度以下であることを特徴とする請求項
１記載のパターン形成方法。
【請求項６】前記シリコーンラダーポリマー膜を反
射，および発泡防止膜として用いるときは、前記被パタ
ーン形成層側からの３０％程度以下，および１０％程度
以下の反射率を得るために、当該シリコーンラダーポリ
マー膜に対し、色素，または化合物を５〜２０重量％程
度に含有させることを特徴とする請求項１記載のパター
ン形成方法。
【請求項７】前記シリコーンラダーポリマー膜を反
射，および発泡防止膜として用いるときは、前記被パタ
ーン形成層，およびフォトレジスト膜との接着性，密着
性を向上させるために、当該シリコーンラダーポリマー
膜に対し、シランカップリング剤を５００〜２０００ｐ
ｐｍ程度に含有させることを特徴とする請求項１記載の
パターン形成方法。