JPS6313035A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS6313035A JPS6313035A JP61156098A JP15609886A JPS6313035A JP S6313035 A JPS6313035 A JP S6313035A JP 61156098 A JP61156098 A JP 61156098A JP 15609886 A JP15609886 A JP 15609886A JP S6313035 A JPS6313035 A JP S6313035A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
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- G—PHYSICS
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- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ
）などの半導体微細加工に用いるパターン形成方法に係
り、特に簡略化したレジスト構成で、高感度、高コント
ラストの耐ドライエッチング被膜を形成させるパターン
形成方法に関する。
）などの半導体微細加工に用いるパターン形成方法に係
り、特に簡略化したレジスト構成で、高感度、高コント
ラストの耐ドライエッチング被膜を形成させるパターン
形成方法に関する。
現在フォトリソグラフィー（光蝕刻法）では、主に投影
露光装置が用いられている。しかし、得ようとするパタ
ーンがサブミクロン領域になると、マスクパターンのコ
ントラストが高くてもレンズ光学系を通ってきた光の像
イメージのコントラストが低下する。ことに、半導体の
微細加工に伴ってパターンサイズが小さくなるにつれて
この影響は顕著になる。この低コントラスト化を防ぐ技
術として、応用物理第５０巻第１１号（１９８１）第１
１１８頁から第１１３０頁に記載のようなカルコゲナイ
ドガラス薄膜による無機フォトレジスト法がある。この
無機フォトレジスト法の中の一例として、カルコゲナイ
ド（Ｓｅ−Ｇｅ）層の上層として銀の薄層を蒸着法また
は無電解メッキ法を用いて形成し、放射線照射により銀
をカルコゲナイド層にドーピングさせ、カルコゲナイド
層のアルカリ溶解性またはプラズマエツチング耐性の変
化を利用して、パターンを形成させる方法がある。この
パターン形成方法は、コントラストエンハンスメントの
効果があり、極めて高コントラストを有するパターン形
成が可能であるという特徴がある。しかし、このパター
ン形成方法が実用化されるためには、以下の課題を解決
する必要がある。まず溶解性または耐エツチング性を変
化させるに要するエネルギー照射量を、約１桁乍げろこ
と、また膜形成が、より簡便な方法、例えばスピン塗布
で行なえるようにすること、さらにはカルコゲナイドの
熱安定性を高めることである。
露光装置が用いられている。しかし、得ようとするパタ
ーンがサブミクロン領域になると、マスクパターンのコ
ントラストが高くてもレンズ光学系を通ってきた光の像
イメージのコントラストが低下する。ことに、半導体の
微細加工に伴ってパターンサイズが小さくなるにつれて
この影響は顕著になる。この低コントラスト化を防ぐ技
術として、応用物理第５０巻第１１号（１９８１）第１
１１８頁から第１１３０頁に記載のようなカルコゲナイ
ドガラス薄膜による無機フォトレジスト法がある。この
無機フォトレジスト法の中の一例として、カルコゲナイ
ド（Ｓｅ−Ｇｅ）層の上層として銀の薄層を蒸着法また
は無電解メッキ法を用いて形成し、放射線照射により銀
をカルコゲナイド層にドーピングさせ、カルコゲナイド
層のアルカリ溶解性またはプラズマエツチング耐性の変
化を利用して、パターンを形成させる方法がある。この
パターン形成方法は、コントラストエンハンスメントの
効果があり、極めて高コントラストを有するパターン形
成が可能であるという特徴がある。しかし、このパター
ン形成方法が実用化されるためには、以下の課題を解決
する必要がある。まず溶解性または耐エツチング性を変
化させるに要するエネルギー照射量を、約１桁乍げろこ
と、また膜形成が、より簡便な方法、例えばスピン塗布
で行なえるようにすること、さらにはカルコゲナイドの
熱安定性を高めることである。
一方、現在半導体微細加工に実用化されているレジスト
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない、コントラストを改善するための
方法として、特開昭５９−１０６４２に記載のように、
油溶性のポリマーとアリールニトロンからなる層をホト
レジストの上層として形成し、レジストに照射される像
のイメージコントラストを改善するコントラストエンハ
ンスメントリソグラフィー法（ＣＥＬ法）がある。
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない、コントラストを改善するための
方法として、特開昭５９−１０６４２に記載のように、
油溶性のポリマーとアリールニトロンからなる層をホト
レジストの上層として形成し、レジストに照射される像
のイメージコントラストを改善するコントラストエンハ
ンスメントリソグラフィー法（ＣＥＬ法）がある。
しかし、このＣＥＬ法においては、コントラストを改善
しようとすると露光量が増大するという問題がある。
しようとすると露光量が増大するという問題がある。
また、フォトリソグラフィー用のマスク製造に用いられ
ているＥＢ（電子線）リソグラフィーレジストプロセス
においては、電子線の散乱による近接効果防止のために
、複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
ているＥＢ（電子線）リソグラフィーレジストプロセス
においては、電子線の散乱による近接効果防止のために
、複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
上述した従来技術である無機フォトレジストプロセスに
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が、低いことなど
が問題となっている。また。
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が、低いことなど
が問題となっている。また。
現在実用化されているフォトレジストプロセスにおいて
は、感度を低下させることなく高コントラスト化するこ
とはほとんど期待できないという問題がある。さらにＥ
Ｂレジストプロセスでは、レジスト構成の簡略化を実現
することが要望されている。
は、感度を低下させることなく高コントラスト化するこ
とはほとんど期待できないという問題がある。さらにＥ
Ｂレジストプロセスでは、レジスト構成の簡略化を実現
することが要望されている。
本発明の目的は、無機レジストプロセスの特徴である高
コントラストおよび実用化されているフォトレジストの
高感度の両者を兼ね備えると共に、ＥＢレジストプロセ
スを三層から、近接効果を受けに＜＜シた二層レジスト
プロセスに簡略化することを可能とする新規なレジスト
プロセスによるパターン形成方法を提供することにある
。
コントラストおよび実用化されているフォトレジストの
高感度の両者を兼ね備えると共に、ＥＢレジストプロセ
スを三層から、近接効果を受けに＜＜シた二層レジスト
プロセスに簡略化することを可能とする新規なレジスト
プロセスによるパターン形成方法を提供することにある
。
上記本発明の目的は、第１図に示すごとく、微細パター
ンを形成すべき基板などの物質上に、アルカリ可溶性フ
ェノール樹脂などからなるアルカリ可溶性高分子層を形
成させ、このアルカリ可溶性高分子層の上層として、ジ
アゾニウム塩などを含む感放射線組成物層を形成させて
二層構造となし、この二層構造を基本としてレジストプ
ロセスを適用させることにより、達成される。
ンを形成すべき基板などの物質上に、アルカリ可溶性フ
ェノール樹脂などからなるアルカリ可溶性高分子層を形
成させ、このアルカリ可溶性高分子層の上層として、ジ
アゾニウム塩などを含む感放射線組成物層を形成させて
二層構造となし、この二層構造を基本としてレジストプ
ロセスを適用させることにより、達成される。
また、本発明は上記第１図に示すような、アルカリ可溶
性高分子層と感放射線組成物層の二層構造レジスト自体
において、もちろん高感度、高コントラストを有してい
るが、第２図に示すごとく。
性高分子層と感放射線組成物層の二層構造レジスト自体
において、もちろん高感度、高コントラストを有してい
るが、第２図に示すごとく。
上記第１図の二層構造を基本単位とした多層構造のレジ
ストとしても高感度、高コントラストが得られ上記本発
明の目的は達成される。
ストとしても高感度、高コントラストが得られ上記本発
明の目的は達成される。
本発明において、微細パターンを形成すべき物質上に形
成させるアルカリ可溶性高分子層は、ポリビニルフェノ
ール、ノボラック樹脂などのアルカリ可溶性フェノール
樹脂、または上記の樹脂のハロゲン化物、あるいはこれ
らの樹脂を２種以上含有する樹脂組成物によって構成さ
れる。
成させるアルカリ可溶性高分子層は、ポリビニルフェノ
ール、ノボラック樹脂などのアルカリ可溶性フェノール
樹脂、または上記の樹脂のハロゲン化物、あるいはこれ
らの樹脂を２種以上含有する樹脂組成物によって構成さ
れる。
本発明において、アルカリ可溶性高分子層の上層として
形成されるジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層は、
塩化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩、ジアゾニウムフッ化
ホウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジアゾニウ
ム硫酸塩などのうちより選ばれる少なくとも１種を含む
芳香族ジアゾニウム塩、水溶性もしくはアルカリ可溶性
の高分子化合物などを含む感放射線組成物によって構成
される。
形成されるジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層は、
塩化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩、ジアゾニウムフッ化
ホウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジアゾニウ
ム硫酸塩などのうちより選ばれる少なくとも１種を含む
芳香族ジアゾニウム塩、水溶性もしくはアルカリ可溶性
の高分子化合物などを含む感放射線組成物によって構成
される。
本発明の特徴の１つであ・る高コントラスト化は、感放
射線組成物層と耐エツチング層（アルカリ可溶性高分子
層）を分離し、この二層の界面で、放射線誘起化学反応
を起こさせることによって達成される。放射線として紫
外光を用いた場合を例にして、本発明の技術的手段の作
用について詳細に説明する。
射線組成物層と耐エツチング層（アルカリ可溶性高分子
層）を分離し、この二層の界面で、放射線誘起化学反応
を起こさせることによって達成される。放射線として紫
外光を用いた場合を例にして、本発明の技術的手段の作
用について詳細に説明する。
下記の一般式（１）で示される芳香族ジアゾニウム塩を
含む感放射線組成物層を、アルカリ可溶性フェノール樹
脂、例えばポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂およびそれらのハロゲン化物、
またはこれらの樹脂を２種以上含むアルカリ可溶性高分
子層の上層として形成したものを露光試料とした。
含む感放射線組成物層を、アルカリ可溶性フェノール樹
脂、例えばポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂およびそれらのハロゲン化物、
またはこれらの樹脂を２種以上含むアルカリ可溶性高分
子層の上層として形成したものを露光試料とした。
（式中、Ｒ１，Ｒ，、Ｒ，、Ｒ４は水素、アルキル基、
アルコキシ基、アリール基を表わし、これらの基の１部
がヒドロキシアルキル基に置換されていてもよい、又は
アニオン“を表わし、ｃｎ−。
アルコキシ基、アリール基を表わし、これらの基の１部
がヒドロキシアルキル基に置換されていてもよい、又は
アニオン“を表わし、ｃｎ−。
Ｂ Ｆ、−１ＳＯ，Ｔ（−１Ｓ０４２−などである、ま
た、わりに、メトキシ基（ＣＨ，〇−〕、エトキシ基（
Ｃ，Ｈ，Ｏ−１などのアルコキシ基であってもよい、） そして、上記の露光試料に紫外線を照射すると、ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層とアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂層との界面で、露光部はアルカリ水溶液に対
する著しい溶解性の低下が生ずる。このため、アルカリ
水溶液で現像すればネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性の低
下のメカニズムは現在よく判っていないが、その原因の
一つとして、紫外線照射によってジアゾニウム塩の分解
生成物である有機アミンと、フェノール樹脂からなるア
ルカリ不溶化層が形成されるものと考えられる。なお、
生成した有機アミンのフェノール樹脂層への拡散現象の
有無については現在のところ判明していない。
た、わりに、メトキシ基（ＣＨ，〇−〕、エトキシ基（
Ｃ，Ｈ，Ｏ−１などのアルコキシ基であってもよい、） そして、上記の露光試料に紫外線を照射すると、ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層とアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂層との界面で、露光部はアルカリ水溶液に対
する著しい溶解性の低下が生ずる。このため、アルカリ
水溶液で現像すればネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性の低
下のメカニズムは現在よく判っていないが、その原因の
一つとして、紫外線照射によってジアゾニウム塩の分解
生成物である有機アミンと、フェノール樹脂からなるア
ルカリ不溶化層が形成されるものと考えられる。なお、
生成した有機アミンのフェノール樹脂層への拡散現象の
有無については現在のところ判明していない。
上述したごとく１本発明の特徴は、膜厚の薄い感放射線
組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との著しい
溶解性の差を利用することと、放射線に対して極めて高
い感度を有するジアゾニウム塩を用いているととるにあ
る。このため、本発明の二層構造レジストプロセスを基
本とするパターン形成方法によると、従来の無機レジス
トプロセス、および実用化されているフォトレジストプ
ロセスの両方の長所を兼ね備えた微細パターンの形成に
適したレジストプロセスが可能となる。
組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との著しい
溶解性の差を利用することと、放射線に対して極めて高
い感度を有するジアゾニウム塩を用いているととるにあ
る。このため、本発明の二層構造レジストプロセスを基
本とするパターン形成方法によると、従来の無機レジス
トプロセス、および実用化されているフォトレジストプ
ロセスの両方の長所を兼ね備えた微細パターンの形成に
適したレジストプロセスが可能となる。
そして、ＥＢレジストプロセスに本発明を適用すると、
感電子線組成物層が薄く基板から離れているので、レジ
スト内での散乱および基板からの散乱電子線による近接
効果の影響を受けにくく、このため高コントラストを有
する微細パターンの形成が可能となる。
感電子線組成物層が薄く基板から離れているので、レジ
スト内での散乱および基板からの散乱電子線による近接
効果の影響を受けにくく、このため高コントラストを有
する微細パターンの形成が可能となる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
（実施例 １）
シリコンウェハ上に、ポリビニルフェノール（丸善石油
社製マルゼンレジンＭ）の１５ｗｔ％シクロヘキサノン
溶液を回転塗布し、厚さ約１−のポリビニルフェノール
層を形成し、１４０℃の温度で２０分間ベークした。次
に、下記の組成１を有する水溶液を用いて、第１表に示
す芳香族ジアゾニウム塩を含む膜厚が０．２５．の感放
射線組成物層を、ポリビニルフェノール層の上層として
形成させ。
社製マルゼンレジンＭ）の１５ｗｔ％シクロヘキサノン
溶液を回転塗布し、厚さ約１−のポリビニルフェノール
層を形成し、１４０℃の温度で２０分間ベークした。次
に、下記の組成１を有する水溶液を用いて、第１表に示
す芳香族ジアゾニウム塩を含む膜厚が０．２５．の感放
射線組成物層を、ポリビニルフェノール層の上層として
形成させ。
これを露光試料とした。この露光試料の断面構造を第１
図に示す。
図に示す。
以下余白
第 １ 表
この第１図に示す露光試料に、ハノビア社製Ｘｅ−Ｈｇ
灯を用い、東芝製ＶＹ−４３フィルタ（ｇ線）またはＵ
ＶＤ２フィルタ（ｉ線）を介して、露光時間を変えた露
光を行ない、水洗により、感放射線層を除去後、水酸化
テトラメチルアンモニウム１νｔ％を含む水溶液に、４
５秒間浸漬することにより現像した。現像後、試料の各
露光時間での残膜厚を測定し、感光特性を評価した。こ
の感度曲線を第３図に示す１図から明らかなごとく、コ
ントラストが高く、感度もＡＺ系ポジ型ホトレジスト（
東京応化工業社製０ＦＰＲ８００）と同程度であり、良
好な感光特性を有していることが判る６また、上記露光
試料に、日立製ｇ線縮小投影露光装［ＲＡ５０１を用い
そ、微細パターンを転写したところ高解像度のパターン
が形成できた。
灯を用い、東芝製ＶＹ−４３フィルタ（ｇ線）またはＵ
ＶＤ２フィルタ（ｉ線）を介して、露光時間を変えた露
光を行ない、水洗により、感放射線層を除去後、水酸化
テトラメチルアンモニウム１νｔ％を含む水溶液に、４
５秒間浸漬することにより現像した。現像後、試料の各
露光時間での残膜厚を測定し、感光特性を評価した。こ
の感度曲線を第３図に示す１図から明らかなごとく、コ
ントラストが高く、感度もＡＺ系ポジ型ホトレジスト（
東京応化工業社製０ＦＰＲ８００）と同程度であり、良
好な感光特性を有していることが判る６また、上記露光
試料に、日立製ｇ線縮小投影露光装［ＲＡ５０１を用い
そ、微細パターンを転写したところ高解像度のパターン
が形成できた。
さらに、上記組成１において、芳香族ジアゾニウム塩Ｎ
ａ ６の代りに、第１表に示すＮα１〜Ｎ１１１３のジ
アゾニウム塩を用いた場合においても、良好な感光特性
を示した。第１表において、コントラスト値（γ値）の
欄に、ｉ線（ＵＶＤ２フィルタを用いた場合）とｇ線（
ＶＹ４３フィルタを用いた場合）での露光におけるγ値
を示す。
ａ ６の代りに、第１表に示すＮα１〜Ｎ１１１３のジ
アゾニウム塩を用いた場合においても、良好な感光特性
を示した。第１表において、コントラスト値（γ値）の
欄に、ｉ線（ＵＶＤ２フィルタを用いた場合）とｇ線（
ＶＹ４３フィルタを用いた場合）での露光におけるγ値
を示す。
（実施例 ２）
実施例１の組成１のＮ−ビニルピロリドン−酢酸ビニル
共重合体の代わりに、下記の組成２〜組成５に示すよう
な水溶性高分子を用いた場合にも実施例１と同等の感光
特性を有することが判った。
共重合体の代わりに、下記の組成２〜組成５に示すよう
な水溶性高分子を用いた場合にも実施例１と同等の感光
特性を有することが判った。
（水・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・残部（実施例 ３） 実施例１のポリビニルフェノール層（マルゼンレジンＭ
）の代わりに、ジアゾキノンポジ型フォトレジスト（東
京応化工業社製０ＦＰＲ８００）をシリコンウェハ上に
厚さ０．８．に塗布し、８０℃、２０分間ベーク後、Ｘ
ｓ−Ｈｇ灯を用いて露光し感光剤を完全に分解した層を
用いたこと、及び現像液として２．３８％Ｉｔ％水酸化
テトラメチルアンモニウムを用いた以外は、実施例１と
同様の条件で感光特性を評価したところ良好な感光特性
を有していることが判った。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・残部（実施例 ３） 実施例１のポリビニルフェノール層（マルゼンレジンＭ
）の代わりに、ジアゾキノンポジ型フォトレジスト（東
京応化工業社製０ＦＰＲ８００）をシリコンウェハ上に
厚さ０．８．に塗布し、８０℃、２０分間ベーク後、Ｘ
ｓ−Ｈｇ灯を用いて露光し感光剤を完全に分解した層を
用いたこと、及び現像液として２．３８％Ｉｔ％水酸化
テトラメチルアンモニウムを用いた以外は、実施例１と
同様の条件で感光特性を評価したところ良好な感光特性
を有していることが判った。
（実施例 ４）
実施例１のマルゼンレジンＭの代わりに、マルゼンレジ
ンＭ−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体を用
いた以外は、実施例１と同様の条件で感光特性の評価を
行なったところ良好な感光特性を有していることが判っ
た。
ンＭ−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体を用
いた以外は、実施例１と同様の条件で感光特性の評価を
行なったところ良好な感光特性を有していることが判っ
た。
（実施例 ５）
シリコンウェハ上に、クレゾールノボラック樹脂の２０
ｗｔ％エチルセルソルブアセテート溶液を回転塗布し、
厚さ約０．６ｐのクレゾールノボラック樹脂層を形成し
、温度８０℃で１分間ベークした。
ｗｔ％エチルセルソルブアセテート溶液を回転塗布し、
厚さ約０．６ｐのクレゾールノボラック樹脂層を形成し
、温度８０℃で１分間ベークした。
次に下記組成６を有する水溶液を用いてジアゾニウム塩
を含む、膜厚が０．３５−の感放射線組成物層をクレゾ
ールノボラック樹脂層の上層として形成させ、これを露
光試料とした。
を含む、膜厚が０．３５−の感放射線組成物層をクレゾ
ールノボラック樹脂層の上層として形成させ、これを露
光試料とした。
露光時にＵＶＤ２フィルタを用いたこと、現像液として
、２．３８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液を用いた以外は、実施例１と同様にして感光特性を評
価した。その結果、良好な感光特性を有していることが
判った。
、２．３８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液を用いた以外は、実施例１と同様にして感光特性を評
価した。その結果、良好な感光特性を有していることが
判った。
また上記組成６において、第１表に示すＮα４のジアゾ
ニウム塩の代おりにＮα１からＮα１３のジアゾニウム
塩を用いても、良好な感光特性を示した。
ニウム塩の代おりにＮα１からＮα１３のジアゾニウム
塩を用いても、良好な感光特性を示した。
（実施例 ６）
実施例５のタレゾールノボラック樹脂の代わりにノボラ
ック樹脂を用いて、実施例５と同じ方法で感光特性を評
価したところ、良好な感光特性を示すことが判った。
ック樹脂を用いて、実施例５と同じ方法で感光特性を評
価したところ、良好な感光特性を示すことが判った。
（実施例 ７）
実施例１で述べた露光試料に、日立製ＥＢ描画装置を用
いて、電子線を照射量を変えて照射し。
いて、電子線を照射量を変えて照射し。
照射後０ 、８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液で４分間現像した。現像後各照射量における残膜
厚を測定し、電子線感度曲線を作成し、感電子線特性を
評価したところ良好な感電子線特性を有することが判っ
た。
水溶液で４分間現像した。現像後各照射量における残膜
厚を測定し、電子線感度曲線を作成し、感電子線特性を
評価したところ良好な感電子線特性を有することが判っ
た。
（実施例 ８）
実施例１〜７において、露光後に感放射線組成物層を除
去せずに、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現
像したところ、除去してから現像したものと同様に、良
好な感光特性を示した。
去せずに、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現
像したところ、除去してから現像したものと同様に、良
好な感光特性を示した。
以上詳細に説明したごとく、本発明の二層構造を基本と
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラストを有する微細パターンの形成が可能となる
ので、半導体素子の製造における微細加工の精度の向上
、および製造効率の向上が実現できる効果がある。
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラストを有する微細パターンの形成が可能となる
ので、半導体素子の製造における微細加工の精度の向上
、および製造効率の向上が実現できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１における二層レジストの断面
構造を示す模式図、第２図は第１図に示した二層レジス
トを基本とする多層レジストの断面構造を示す模式図、
第３図は実施例１における二層レジストのｇ線（４３６
ｎｍ）による感光特性を示すグラフである。 １・・・芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層 ２・・・ポリビニルフェノール層 ３・・・基板
構造を示す模式図、第２図は第１図に示した二層レジス
トを基本とする多層レジストの断面構造を示す模式図、
第３図は実施例１における二層レジストのｇ線（４３６
ｎｍ）による感光特性を示すグラフである。 １・・・芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層 ２・・・ポリビニルフェノール層 ３・・・基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジストプロセスによって半導体の微細加工を行な
うパターン形成方法において、微細パターンを形成させ
る物質上に、アルカリ可溶性高分子層を形成させ、さら
に上記アルカリ可溶性高分子層の上層として、ジアゾニ
ウム塩を含む感放射線組成物層を形成させた二層構造の
レジストを構成するか、もしくは上記二層構造のレジス
トを基本単位として多層構造のレジストを構成して、レ
ジストプロセスにより上記物質上に微細パターンを形成
させることを特徴とするパターン形成方法。 ２、アルカリ可溶性高分子層は、アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のパターン形成方法。 ３、感放射線組成物層は、芳香族ジアゾニウム塩および
有機高分子化合物を含む感放射線組成物よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
パターン形成方法。 ４、感放射線組成物層に含まれる芳香族ジアゾニウム塩
は、塩化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩、ジアゾニウムフ
ッ化ホウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジアゾ
ニウム硫酸塩の群より選ばれる少なくとも１種の芳香族
ジアゾニウム塩を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第３項に記載のパターン形成方法。 ５、感放射線組成物層に含まれる有機高分子化合物は、
水溶性もしくはアルカリ可溶性の高分子化合物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項または第４項に記
載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156098A JPH07113773B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | パタ−ン形成方法 |
| US07/423,554 US4985344A (en) | 1986-07-04 | 1989-10-13 | Radiation imaging process for forming pattern without alkali-soluble polymer underlayer and water soluble radiation-sensitive diazonium salt overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156098A JPH07113773B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | パタ−ン形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313035A true JPS6313035A (ja) | 1988-01-20 |
| JPH07113773B2 JPH07113773B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=15620268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61156098A Expired - Fee Related JPH07113773B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985344A (ja) |
| JP (1) | JPH07113773B2 (ja) |
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-
1986
- 1986-07-04 JP JP61156098A patent/JPH07113773B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-13 US US07/423,554 patent/US4985344A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH07113773B2 (ja) | 1995-12-06 |
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