JPH06140384A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡便な湿式エッチングプロセスを用いて、下
層配線層の段差を層間絶縁膜によりほぼ完全に平坦化で
き、多層配線化による段差の発生が殆どなく、配線の信
頼性が飛躍的に優れた多層配線構造を有する高集積度の
安価に製造可能な半導体装置を提供する。 【構成】 配線導体上の絶縁膜材料に有機樹脂を用いた
多層配線構造を有する半導体装置において、該有機樹脂
として芳香族四塩基酸二無水物１モルと炭素数４以下の
１価のアルコール及び／又はアルコール誘導体０．１〜
１モルを、含有水分が０．１重量％以下の溶剤中で加熱
して芳香族四塩基酸二無水物の一部を芳香族四塩基酸の
ジエステルとした後、分子長軸に対して非対称な位置に
アミノ基を有する芳香族ジアミン化合物及び必要に応じ
て他のジアミン化合物０．８〜１．２モルを反応させて
得られるポリイミド系樹脂前駆体を含む組成物の硬化物
を用いてなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、さ
らに詳しくは高集積化に適した信頼性の高い多層配線構
造を有する半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路等における多層配
線構造の製造には、パターン形成された配線層を有する
基板上に真空蒸着、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジッ
ション）等の気相成長法によりＳｉＯ₂、ＳｉＮ等から
なる層間絶縁膜を形成し、スルーホールを開孔した後、
上層配線層を形成する方法が用いられている。しかし、
気相成長法によって層間絶縁膜を形成する方法では、図
８のように下層配線層（４）の段差が層間絶縁膜（５）
の形成後もそのまま残り、上層配線層（８）を形成した
際、上記段差部分で配線層が極めて薄くなり配線切れが
起こりやすいという問題があった。図８において（１）
は基板である。そこでこれを改良するために、図６のよ
うに層間絶縁膜（５′）の形成を芳香族ジアミン芳香族
四塩基酸二無水物とから得られたポリアミック酸の溶液
を塗布、硬化して得られるポリイミドを用いる方法が提
案され、現在では広く行われている（特公昭５１−４４
８７１号公報）。

【０００３】しかし、半導体集積回路等の電子部品にお
ける集積度の向上は目覚ましく、配線構造も益々多層化
され、配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大して
きている。これに対して上記芳香族ジアミンと芳香族四
塩基酸二無水物から得られるポリアミック酸では、ポリ
アミック酸の溶媒に対する溶解性が非常に低く、溶液を
高濃度にすることが出来ないため、上記配線段差の平坦
化性が十分でなく、２層以上の多層配線構造の製造は困
難であった。また、非常に微細な溝状のパターンに対し
ては、ポリイミド膜の埋込性が不充分で、溝部の膜にボ
イドが発生する問題もあった。パターンの形成された絶
縁層を有する基材上に塗布するポリアミック酸溶液を高
濃度化する程、配線段差の平坦化率、溝状パターンの埋
込性が向上すること、また、ポリアミック酸溶液を高濃
度化するためには、低分子量のエステルオリゴマー化す
ることが効果的であることを、本発明者らは明らかにし
た（特開昭６３−１４４５２号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方半導体層間絶縁膜
及び表面保護膜は膜形成後、所定の位置にビアホールを
加工することが必要であり、ポリイミド系膜では、一般
にネガまたはポジタイプのレジストをマスクとして、抱
水ヒドラジンや水酸化テトラメチルアンモニウムを用い
た湿式エッチングプロセスで穴あけする方法が用いられ
ている。しかし、上記従来公知の低分子量エステルオリ
ゴマー化によって得られるポリアミック酸溶液につい
て、この湿式エッチングプロセスへの適応性を評価した
結果、ビアホール部にエッチング残渣が発生する、レジ
スト剥離時にポリイミド膜にクラックが発生する等の問
題点があり、実質上使用出来ないことが明らかになっ
た。本発明者らは、これらの従来技術の欠点に鑑み鋭意
検討した結果、特定の条件下、特定の組成で、湿式エッ
チングプロセスへの適応可能な樹脂前駆体組成物が得ら
れることを見出し、これを用いた信頼性の高い多層配線
構造を有する半導体装置に到達した。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、配線導体上の
絶縁膜材料に有機樹脂を用いた多層配線構造を有する半
導体装置において、該有機樹脂として、芳香族四塩基酸
二無水物１モルと炭素数４以下の１価のアルコール及び
／又はアルコール誘導体０．１〜１モルを、含有水分が
０．１重量％以下の溶剤中で加熱して芳香族四塩基酸二
無水物の一部を芳香族四塩基酸のジエステルとした後、
分子長軸に対して非対称な位置にアミノ基を有する芳香
族ジアミン化合物及び必要に応じて他のジアミン化合物
０．８〜１．２モルを反応させて得られるポリイミド系
樹脂前駆体を含む組成物の硬化物を用いてなる半導体装
置に関するものである。

【０００６】本発明で用いられるポリイミド系樹脂前駆
体の製造に用いられる芳香族四塩基酸二無水物として
は、例えばピロメリット酸二無水物、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、４、４′−スルホニルジフタル酸
二無水物、３，６−ジメチル−１，２，４，５−ベンゼ
ンテトラカルボン酸二無水物、３−トリフロロメチル−
１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、
３−メチル−１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン
酸二無水物等の酸二無水物およびこれらの置換体があ
り、これらの一種または二種以上が用いられる。これら
のうち、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物が好ましい。

【０００７】本発明に用いられるアルコールおよびアル
コール誘導体は炭素数４以下のものであり、例えばメタ
ノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の一
種または二種以上が用いられる。炭素数が５以上では熱
硬化時にエステル部が脱離せず、脱水閉環が完全に進ま
ず、良好な特性をもつポリイミド樹脂系被膜が得られな
い。

【０００８】本発明に用いられる溶剤としては、四塩基
酸二無水物もしくはポリアミック酸のカルボン酸と反応
する基、例えばアルコール性水酸基、アミノ基、フェノ
ール基などを有しない溶剤が用いられ、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルホキサイド等
のアミド系溶剤や、ブチルセロソルブ等のエーテルグリ
コール系溶剤等が好ましい。何れの溶剤を用いる場合に
も厳密に脱水され、含有水分が０．１重量％以下となっ
ていることが必要である。含有水分が０．１重量％を超
える場合には、エステル化反応と並行して酸無水物の開
環反応が進行するため、最終的に得られるポリイミド系
樹脂前駆体を含む樹脂組成物の粘度のバラツキ、成膜性
の低下等が生ずる。

【０００９】芳香族四塩基酸二無水物とアルコール及び
／又はアルコール誘導体は、上記溶媒中に加えられ、加
熱されて芳香族四塩基酸の一部がジエステル化される。
アルコール及び／又はアルコール誘導体の使用量は、芳
香族四塩基酸二無水物の１モルに対して０．１〜１モル
の範囲とされる。０．１モル未満では、高濃度にした場
合に低粘度化が困難であり、また１モルを超えると得ら
れる樹脂組成物の硬化膜をエッチング加工後、レジスト
を剥離する際に膜にクラックが生じやすい。またエステ
ル化の反応温度は、使用する溶媒によって異なるが、６
０から１５０℃の範囲とされ、得られる樹脂組成物の粘
度の均一性及び樹脂組成物の色相の点から好ましくは８
０から１５０℃とされる。

【００１０】また、本発明に用いられる分子長軸に対し
て非対称な位置にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合
物としては、メタフェニレンジアミン、３，４−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド等
が挙げられ、これらの一種または二種以上が用いられ
る。また、必要に応じて用いられる他のジアミン化合物
としては、例えばバラフェニレンジアミン、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、２，２′−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、４，４′−メチレンジアニリン、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド等の芳香族ジアミンや１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等
のシロキサン系ジアミンなどが挙げられ、これらの一種
または二種以上が用いられる。

【００１１】上記の分子長軸に対して非対称な位置にア
ミノ基を有する芳香族ジアミン化合物および必要に応じ
て用いられる他のジアミン化合物の使用量は、最終的に
得られる樹脂組成物の硬化物の耐熱性の点から、芳香族
四塩基酸二無水物１モルに対して０．８〜１．２モルと
される。上記の芳香族ジアミン以外の他のジアミン化合
物の使用量は、総ジアミン化合物の５０モル％以内とす
ることが好ましい。

【００１２】上記のジアミン化合物と前記した部分的に
ジエステル化された芳香族四塩基酸二無水物との反応温
度は、９０℃以下とすることが好ましい。反応温度が高
すぎると生成するポリイミド系樹脂前駆体がイミド化し
て溶解性が低下し、析出することがある。またこれらの
反応に際しては、必要に応じて、上記のエステル化反応
に用いられる溶剤、キシレン、トルエン等の炭化水素系
溶剤、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ
アセテート等のアセテート系溶剤などを用いることがで
きる。

【００１３】上記のポリイミド系樹脂前駆体を含む組成
物を用いて、次のようにして多層配線構造を有する半導
体装置を製造することが好ましい。まず、半導体集積回
路の形成された基材上に、アルミニウムからなる配線導
体層をスパッタリング等周知の方法で形成し、通常のホ
トリソグラフィー工程を用いて不要な部分のアルミニウ
ムをエッチング除去して、下層配線層とする。次にポリ
イミド系樹脂前駆体を含む組成物を、上記パターンの形
成された配線層上に、スピンナ等を用いて塗布し、好ま
しくは８０℃から１５０℃の温度で乾燥した後、通常の
ホトリソグラフィー工程に従ってポジ型レジストを塗
布、露光し、アルカリ系現像液でポリイミド系樹脂前駆
体の乾燥膜とレジストを同時にエッチングしてパターン
（ビアホール）を形成する。この際、ポジ型レジストと
しては通常のフェノールノボラック系レジストが用いら
れ、その膜厚は２〜５μｍの間とすることが好ましい。
２μｍより薄い場合、現像時にレジストのカケ、クラッ
ク等が生じやすく、５μｍを越えると解像度が低下する
傾向がある。またレジストの乾燥温度は１００℃未満で
は上記同様カケ、クラックが生じやすく、１２０℃を越
えるとパターンの変形が生じる傾向があるので１００〜
１２０℃とすることが好ましい。レジストの露光は、使
用するレジストの感光波長域をカバーする露光機であれ
ば特に制限はない。現像は、好ましくは水酸化テトラメ
チルアンモニウムの１．６〜３．２重量％水溶液を用
い、５０秒未満では現像終点のコントロールが難しく、
１５０秒を越えるとレジストのカケ、クラックが生じや
すいので、好ましくは５０〜１５０秒の時間で行われ
る。次に、レジスト膜をｎ−酢酸ブチル、エチルセロソ
ルブ等の溶剤で剥離した後、好ましくは２００℃から４
００℃の温度で硬化し、脱水閉環してポリイミド樹脂か
らなるビアホールが形成された層間絶縁膜を得る。脱水
閉環反応には、脱水剤として無水酢酸、燐酸等を用いて
も良い。ついで、ビアホールが形成された層間絶縁膜上
に前述と同様スパッタリング等の方法を用いて上層配線
層を形成し、パターンニングした後、上記工程を繰り返
すことにより、配線層と絶縁層が多層化された多層配線
構造を有する半導体装置が得られる。上記ポリイミド系
樹脂の層間絶縁膜の形成に際して、基板表面への密着性
を高める目的で、樹脂組成物にアミノシラン、エポキシ
シラン等の接着助剤を必要に応じて添加することも可能
である。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ ａ．ポリイミド系樹脂前駆体を含む組成物の製造法 ドライボックス中に撹拌機、温度計、窒素導入管、ジム
ロート冷却管を備えた０．２リットルのフラスコを十分
乾燥した後設置し、乾燥窒素を約１時間流した。含有水
分が０．０３重量％のＮ−メチル−２−ピロリドン７
０．６ｇと、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物３２．２１ｇをフラスコ中に仕込
み、８０℃まで加熱した後エタノール２．３ｇを加え、
さらに９０℃で２時間反応させベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物の一部をジエステルとした。次にこの
溶液にメタフェニレンジアミン４．８６ｇ、４，４′−
ジアミノジフェニエーテル９．０１ｇ及び１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン２．４９ｇを仕込み、２５℃で５時
間、４０℃で１時間反応させた。得られたポリイミド系
樹脂前駆体を含む組成物の樹脂分濃度は４０重量％で、
２５℃で３０ポイズの粘度を示した。

【００１５】ｂ．多層配線構造を有する半導体装置の製
造 本発明の半導体装置の製造は以下の様に行った。図１に
示すように、まずコレクタ領域Ｃ、ベース領域Ｂおよび
エミッタ領域Ｅからなる半導体素子が形成されている半
導体基板（１）の表面に、ＣＶＤ法（化学気相成長法）
により、例えば二酸化シリコン膜（２）を形成させた。
次いで電極引出し部分となる所定部分を、通常のホトリ
ソグラフィープロセスによりエッチンング除去し、二酸
化シリコン膜にビアホール（窓）（３）を設け、前記エ
ミッタ領域およびベース領域の一部を露出させた。さら
に前記ビアホール上にアルミニウム配線層をスパッタリ
ング法により形成させ、ホトリソグラフィープロセスを
行い、下層配線層（４）を形成させた。この配線層は１
μｍの厚さと０．５〜５μｍの幅を有するものであっ
た。次に、前記下層配線層上に、前記ａのポリイミド系
樹脂前駆体を含む組成物をスピンナ塗布機を用いて塗布
した（図２）。その後、ホットプレートを用いて９０℃
／６０秒、１４０℃／６０秒乾燥した後、ポジ型レジス
ト６（ＯＦＰＲ−５０００、東京応化工業製）をスピン
ナ塗布、１１０℃／６０秒乾燥し、ホトマスク７を介し
てＧ線ステッパを用いて露光（露光量３００ｍｊ／ｃｍ
²）した（図３）。次いで、水酸化テトラメチルアンモ
ニウムの２．３８重量％水溶液を用い、パドル法でレジ
ストとポリイミド系樹脂乾燥膜の同時エッチングを行
い、エッチング時間１００秒で良好なパターンが得られ
た（図４）。次にｎ−酢酸ブチルを用いスプレー法でレ
ジストの剥離を行った後、コンベクションオーブンで２
００℃／１時間ついで３５０℃／１時間で硬化して厚さ
２μｍのポリイミド系樹脂層間絶縁膜（５′）を得た
（図５）。その後、アルミニウム上層配線層（８）をス
パッタリング法によって形成し、図６の様な２層配線構
造を有する半導体装置を得た。

【００１６】ｃ．平坦化率の埋込性の評価 こうして得られた多層配線構造の下層配線段差平坦化率
を図７に示すａ，ｂの値から次式

【数１】 により求めたところ、およそ９０％であった（図におい
て、１，２，３，４は図１と同じである）。また該半導
体装置をカッティングし、走査型電子顕微鏡で断面形状
を観察したところ、何れの配線間スペースにもポリイミ
ド系樹脂の層間絶縁膜が十分充填されていることが分か
った。

【００１７】実施例２ 実施例１と同様にして含有水分が０．０３重量％のＮ−
メチル−２−ピロリドン６３．６ｇと３，３′，４，
４′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物３
１．０１ｇをフラスコ中に仕込み、８０℃まで加熱した
後エタノール３．２ｇを加え、さらに９０℃で２時間反
応させビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物の
一部をジエステルとした。次にこの溶液に３，３′−ジ
アミノジフェニルスルホン１７．３８ｇ、４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル５．０１ｇ及び１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン１．２４ｇを仕込み、２５℃で５時間、
４０℃で１．５時間反応させた。得られたポリイミド系
樹脂前駆体を含む組成物の樹脂分濃度は４５重量％で、
２５℃で５０ポイズの粘度を示した。以下、実施例１と
同様にして、厚さ２μｍの層間絶縁膜を持つ２層配線構
造を有する半導体装置を製造し、その平坦化率を評価し
たところ、およそ９５％であった、また、配線間スペー
スの埋込性、湿式加工性、レジスト剥離後の膜状態とも
に良好であった。

【００１８】比較例１ 実施例１と同様にして含有水分が０．３重量％のＮ−メ
チル−２−ピロリドン６３．６ｇと３，３′，４，４′
−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物３１．
０１ｇをフラスコ中に仕込み、８０℃まで加熱した後エ
タノール３．２ｇを加え、さらに９０℃で２時間反応さ
せビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物の一部
をジエステルとした。次にこの溶液に３，３′−ジアミ
ノジフェニルスルホン１７．３８ｇ、４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル５．０１ｇ及び１，３−ビス（３
−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン１．２４ｇを仕込み、２５℃で５時間、４０
℃で１．５時間反応させた。得られたポリイミド系樹脂
前駆体を含む組成物の樹脂分濃度は４５重量％で、２５
℃で２０ポイズの粘度を示した。以下、実施例１と同様
にして、厚さ２μｍの層間絶縁膜を持つ２層配線構造を
有する半導体素子を製造し、その平坦化率を評価したと
ころ、平坦化率は９０％であったが、ポリイミド層間絶
縁膜に若干の濁りと異物付着が見られた。そこで、ポリ
イミド系樹脂前駆体を含む樹脂組成物を詳細に観察した
ところ、開環酸と推定される不溶物の存在が認められ
た。

【００１９】比較例２ 実施例１と同様にして含有水分が０．０３重量％のＮ−
メチル−２−ピロリドン６３．７ｇと３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２１ｇをフラスコ中に仕込み、８０℃まで加熱した後エ
タノール９．２ｇを加え、さらに９０℃で２時間反応さ
せベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の全てをジ
エステルとした。次にこの溶液にメタフェニレンジアミ
ン４．８６ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
９．０１ｇ及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．４９ｇ
を仕込み、２５℃で５時間、４０℃で１時間反応させ
た。得られたポリイミド系樹脂前駆体を含む組成物の樹
脂分濃度は４０重量％で、２５℃で２ポイズの粘度を示
した。以下、実施例１と同様にして、厚さ２μｍの層間
絶縁膜を持つ２層配線構造を有する半導体素子の製造を
試みたが、エッチング後、ポリイミド膜の開口部にエッ
チング残りが、またレジスト剥離後、ポリイミド膜にク
ラックが発生した。レジスト剥離後のクラックについて
は、ポリイミド前駆体組成物の乾燥温度を１５０℃以上
とすることにより解消可能であったが、その状態ではエ
ッチング液に殆ど溶解せず、加工出来なかった。

【００２０】比較例３ 実施例１と同様にして含有水分が０．０３重量％のＮ−
メチル−２−ピロリドン７６．８ｇと３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２１ｇをフラスコ中に仕込み、８０℃まで加熱した後エ
タノール２．３ｇを加え、さらに９０℃で２時間反応さ
せベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の一部をジ
エステルとした。次にこの溶液に４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル１８．０２ｇ及び１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサン２．４９ｇを仕込み、２５℃で５時間、４０℃
で１時間反応させた。得られたポリイミド系樹脂前駆体
を含む組成物の樹脂分濃度は４０重量％で、２５℃で５
０ポイズの粘度を示した。以下、実施例１と同様にし
て、厚さ２μｍの層間絶縁膜を持つ２層配線構造を有す
る半導体素子の製造を試みたが、エッチング後、ポリイ
ミド膜の開口部に比較例２と同様のエッチング残りが発
生し、良好なパターンが得られなかった。

【００２１】

【発明の効果】本発明になる半導体装置は、簡便な湿式
エッチングプロセスを用いて、下層配線層の段差を層間
絶縁膜によりほぼ完全に平坦化出来るため、多層配線化
による段差の発生が殆どなく、配線の信頼性が飛躍的に
優れた多層配線構造を有する高集積度の安価に製造可能
な半導体装置である。

【図面の簡単な説明】

【図１】下層配線層を有する半導体装置の断面図。

【図２】下層配線層を有する半導体装置上にポリイミド
絶縁膜を塗布した状態を示す図。

【図３】ポリイミド膜上にレジスト層を形成し、ホトマ
スクを介して露光した状態を示す図。

【図４】レジストおよびポリイミド膜をエッチングし、
ビアホールを開けた状態を示す図。

【図５】レジストを剥離し、ポリイミド絶縁層の形成工
程を終了した状態を示す図。

【図６】ポリイミドを用いて平坦化された２層配線構造
を有する半導体装置の断面図。

【図７】平坦化率の評価方法を示す図。

【図８】気相成長法によるＳｉＯ₂膜を層間絶縁膜とし
た従来法による多層配線構造の断面図の一例。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 二酸化シリコン膜 ３ ビアホール（窓） ４ 下層配線層 ５、５′ 層間絶縁膜 ６ ホトレジスト ７ ホトマスク ８ 上層配線層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線導体上の絶縁膜材料に有機樹脂を用
   いた多層配線構造を有する半導体装置において、該有機
   樹脂として、芳香族四塩基酸二無水物１モルと炭素数４
   以下の１価のアルコール及び／又はアルコール誘導体
   ０．１〜１モルを、含有水分が０．１重量％以下の溶剤
   中で加熱して芳香族四塩基酸二無水物の一部を芳香族四
   塩基酸のジエステルとした後、分子長軸に対して非対称
   な位置にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合物及び必
   要に応じて他のジアミン化合物０．８〜１．２モルを反
   応させて得られるポリイミド系樹脂前駆体を含む組成物
   の硬化物を用いてなる半導体装置。
2. 【請求項２】芳香族四塩基酸二無水物が３，３′４，
   ４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物である
   請求項１記載の半導体装置。