JPH06140672A - Ｌｅｄプリントヘッド - Google Patents
ＬｅｄプリントヘッドInfo
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- JPH06140672A JPH06140672A JP28575492A JP28575492A JPH06140672A JP H06140672 A JPH06140672 A JP H06140672A JP 28575492 A JP28575492 A JP 28575492A JP 28575492 A JP28575492 A JP 28575492A JP H06140672 A JPH06140672 A JP H06140672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- optical fiber
- light
- led
- array plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
- B41J2/451—Special optical means therefor, e.g. lenses, mirrors, focusing means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 交錯光及びその光記録材料上での照射範囲が
減少し、記録解像度を向上させることができる。 【構成】 複数のＬＥＤアレイチップの個別電極にホー
ルを設けて他導電型半導体領域の露出面を形成すると共
に、光ファイバアレイプレートの個別配線にホールを設
けて光ファイバアレイプレートの露出面を形成し、他導
電型半導体領域と光ファイバアレイプレートの露出面を
対面させて個別電極と個別配線を当接することにより、
他導電型半導体領域と光ファイバアレイプレートの露出
面間の空間周囲を光学的に外部と遮断する光導波路を備
えたＬＥＤプリントヘッド。また、中心部のコアの外表
面に光反射体を設けて構成された複数の光ファイバを集
束して光ファイバアレイプレートを形成したＬＥＤプリ
ントヘッド。
減少し、記録解像度を向上させることができる。 【構成】 複数のＬＥＤアレイチップの個別電極にホー
ルを設けて他導電型半導体領域の露出面を形成すると共
に、光ファイバアレイプレートの個別配線にホールを設
けて光ファイバアレイプレートの露出面を形成し、他導
電型半導体領域と光ファイバアレイプレートの露出面を
対面させて個別電極と個別配線を当接することにより、
他導電型半導体領域と光ファイバアレイプレートの露出
面間の空間周囲を光学的に外部と遮断する光導波路を備
えたＬＥＤプリントヘッド。また、中心部のコアの外表
面に光反射体を設けて構成された複数の光ファイバを集
束して光ファイバアレイプレートを形成したＬＥＤプリ
ントヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真方式プリンタに
おいて、光記録材料上に画像情報を光学的に記録するＬ
ＥＤプリントヘッドに関するものである。
おいて、光記録材料上に画像情報を光学的に記録するＬ
ＥＤプリントヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＥＤプリントヘッドにおいて
は、その主要構成部品であるＬＥＤアレイチップと光学
系部品の光学特性の優れた構成が検討されている。
は、その主要構成部品であるＬＥＤアレイチップと光学
系部品の光学特性の優れた構成が検討されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
ＬＥＤプリントヘッドの一例について説明する。
ＬＥＤプリントヘッドの一例について説明する。
【０００４】図８は従来のＬＥＤプリントヘッドの断面
図を示すものである。図８において、５１はＬＥＤアレ
イチップで、複数のＬＥＤアレイチップ５１が紙面垂直
方向に直線状に配列している。５２は一導電型半導体基
板で本従来例ではＮ型半導体とし、一つのＬＥＤアレイ
チップ内では共通である。５３は他導電型半導体領域で
本従来例ではＰ型半導体領域とし、一つのＬＥＤアレイ
チップ内に複数の他導電型半導体領域５３が紙面垂直方
向に直線状に配列している。５７はＰＮ接合部で、Ｐ型
半導体領域５３とＮ型半導体５２が接合していて、キャ
リアの注入、再結合により発光する。５４は絶縁膜で、
Ｐ型半導体領域５３と個別電極５５及びＮ型半導体５２
と共通電極５６を所要の領域で電気的に分離すると共
に、絶縁膜のホールによりＰ型半導体領域５３とＮ型半
導体５２の露出面を形成している。５５は個別電極で絶
縁膜５４上にＰ型半導体領域５３と同数、等ピッチで紙
面垂直方向に配列されていて、一端部が絶縁膜のホール
端部でＰ型半導体領域５３と電気的に接続されている。
５８は光出射面で、光伝送方向に個別電極５５が無く光
を取り出し得るＰ型半導体領域５３の領域である。５６
は共通電極で一つのＬＥＤアレイチップ内で同一であ
り、一端部が絶縁膜のホール端部でＮ型半導体と電気的
に接続されている。上記の構成より、Ｎ型半導体５２と
一つのＰ型半導体領域５３と絶縁膜５４と一つの個別電
極５５と共通電極５６より一つのＬＥＤ素子が形成され
る。６０は光ファイバアレイプレートであり、複数の光
ファイバ６２をガラス基板６１間に挟んで形成されてい
る。一つの光ファイバ６２は、中心部のコア６３とコア
６３の外表面に設けたクラッド６４とクラッド６４外表
面に設けた光吸収体６５により形成されていて、クラッ
ド６４の屈折率はコア６３の屈折率より低く、光吸収体
６５はＰＮ接合部５７で発生する光の波長帯域に対し吸
収係数が大きい。５９は光入射面で、複数の光ファイバ
６２からなる光ファイバアレイプレート６０の光を入射
し得る領域である。６８は光放射面で、光入射面５９で
入射され光ファイバ６２内を伝送されてきた光が放射さ
れる領域である。６６は個別配線で複数のＰ型半導体領
域５３と同数、等ピッチで紙面垂直方向に配列されてい
る。６７は共通配線で一つのＬＥＤアレイチップ内また
は一つのＬＥＤアレイヘッド内で同一である。
図を示すものである。図８において、５１はＬＥＤアレ
イチップで、複数のＬＥＤアレイチップ５１が紙面垂直
方向に直線状に配列している。５２は一導電型半導体基
板で本従来例ではＮ型半導体とし、一つのＬＥＤアレイ
チップ内では共通である。５３は他導電型半導体領域で
本従来例ではＰ型半導体領域とし、一つのＬＥＤアレイ
チップ内に複数の他導電型半導体領域５３が紙面垂直方
向に直線状に配列している。５７はＰＮ接合部で、Ｐ型
半導体領域５３とＮ型半導体５２が接合していて、キャ
リアの注入、再結合により発光する。５４は絶縁膜で、
Ｐ型半導体領域５３と個別電極５５及びＮ型半導体５２
と共通電極５６を所要の領域で電気的に分離すると共
に、絶縁膜のホールによりＰ型半導体領域５３とＮ型半
導体５２の露出面を形成している。５５は個別電極で絶
縁膜５４上にＰ型半導体領域５３と同数、等ピッチで紙
面垂直方向に配列されていて、一端部が絶縁膜のホール
端部でＰ型半導体領域５３と電気的に接続されている。
５８は光出射面で、光伝送方向に個別電極５５が無く光
を取り出し得るＰ型半導体領域５３の領域である。５６
は共通電極で一つのＬＥＤアレイチップ内で同一であ
り、一端部が絶縁膜のホール端部でＮ型半導体と電気的
に接続されている。上記の構成より、Ｎ型半導体５２と
一つのＰ型半導体領域５３と絶縁膜５４と一つの個別電
極５５と共通電極５６より一つのＬＥＤ素子が形成され
る。６０は光ファイバアレイプレートであり、複数の光
ファイバ６２をガラス基板６１間に挟んで形成されてい
る。一つの光ファイバ６２は、中心部のコア６３とコア
６３の外表面に設けたクラッド６４とクラッド６４外表
面に設けた光吸収体６５により形成されていて、クラッ
ド６４の屈折率はコア６３の屈折率より低く、光吸収体
６５はＰＮ接合部５７で発生する光の波長帯域に対し吸
収係数が大きい。５９は光入射面で、複数の光ファイバ
６２からなる光ファイバアレイプレート６０の光を入射
し得る領域である。６８は光放射面で、光入射面５９で
入射され光ファイバ６２内を伝送されてきた光が放射さ
れる領域である。６６は個別配線で複数のＰ型半導体領
域５３と同数、等ピッチで紙面垂直方向に配列されてい
る。６７は共通配線で一つのＬＥＤアレイチップ内また
は一つのＬＥＤアレイヘッド内で同一である。
【０００５】図９は図８のＬＥＤプリントヘッドを構成
する従来のＬＥＤアレイチップの斜視構成図である。図
１０は図８のＬＥＤプリントヘッドを構成する従来の光
ファイバアレイプレートの斜視構成図である。図９及び
図１０の符号は図８に示すものと同一である。図８に示
すＬＥＤプリントヘッドは、図９に示すＬＥＤアレイチ
ップ５１と図１０に示す光ファイバアレイプレート６０
を、個別配線６６と個別電極５５及び共通配線６７と共
通電極５６を当接させ、複数のＬＥＤアレイチップ５１
を光ファイバアレイプレート６０上に直線状に配列して
形成されている。以上のように構成された本従来例のＬ
ＥＤプリントヘッドは、特開昭５５−９８８７９号公報
に示されるＬＥＤプリントヘッドを基本構成としてい
る。以下その動作について説明する。
する従来のＬＥＤアレイチップの斜視構成図である。図
１０は図８のＬＥＤプリントヘッドを構成する従来の光
ファイバアレイプレートの斜視構成図である。図９及び
図１０の符号は図８に示すものと同一である。図８に示
すＬＥＤプリントヘッドは、図９に示すＬＥＤアレイチ
ップ５１と図１０に示す光ファイバアレイプレート６０
を、個別配線６６と個別電極５５及び共通配線６７と共
通電極５６を当接させ、複数のＬＥＤアレイチップ５１
を光ファイバアレイプレート６０上に直線状に配列して
形成されている。以上のように構成された本従来例のＬ
ＥＤプリントヘッドは、特開昭５５−９８８７９号公報
に示されるＬＥＤプリントヘッドを基本構成としてい
る。以下その動作について説明する。
【０００６】まず個別配線６６と共通配線６７間に順方
向電圧が印加されると、個別電極５５と共通電極５６間
に順方向電圧が印加されて、Ｎ型半導体５２とＰ型半導
体領域５３間に順方向電圧が印加される。このときＰＮ
接合部５７にキャリア注入が起こり、キャリア再結合に
よりＰＮ接合部５７において発光が起こり、光出射面５
８より光が放射される。この放射光のうち光ファイバ６
２の光入射面５９の界面での臨界角より小さい角度で光
入射面５９に入射した放射光は光ファイバ６２に入射す
る。更に、この光ファイバ６２に入射した入射光のうち
光ファイバ６２のコア６３とクラッド６４の界面での臨
界角以上の角度でコア６３とクラッド６４の界面に入射
した入射光は、コア６３とクラッド６４の界面を全反射
を繰り返しながら伝送されて光ファイバ６２の光入射面
他端の光放射面６８より放射され、各ＬＥＤ素子に一対
一で対応する光記録材料上の領域に光画像情報を記録す
る。
向電圧が印加されると、個別電極５５と共通電極５６間
に順方向電圧が印加されて、Ｎ型半導体５２とＰ型半導
体領域５３間に順方向電圧が印加される。このときＰＮ
接合部５７にキャリア注入が起こり、キャリア再結合に
よりＰＮ接合部５７において発光が起こり、光出射面５
８より光が放射される。この放射光のうち光ファイバ６
２の光入射面５９の界面での臨界角より小さい角度で光
入射面５９に入射した放射光は光ファイバ６２に入射す
る。更に、この光ファイバ６２に入射した入射光のうち
光ファイバ６２のコア６３とクラッド６４の界面での臨
界角以上の角度でコア６３とクラッド６４の界面に入射
した入射光は、コア６３とクラッド６４の界面を全反射
を繰り返しながら伝送されて光ファイバ６２の光入射面
他端の光放射面６８より放射され、各ＬＥＤ素子に一対
一で対応する光記録材料上の領域に光画像情報を記録す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、一つのＬＥＤ素子より放射され、光ファ
イバ６２に入射し、コア６３とクラッド６４の界面での
臨界角以下の角度でコア６３とクラッド６４の界面に入
射した光は、コア６３とクラッド６４と光吸収体６５を
横断する交錯光となり、光吸収体６５により減衰されな
がら複数の光ファイバ６２を横断し、減衰しきらずに光
放射面６８から放射された光は、その他複数のＬＥＤ素
子に対応する光記録材料の領域に記録されるので、光画
像情報の記録解像度が低下するという問題点を有してい
た。
うな構成では、一つのＬＥＤ素子より放射され、光ファ
イバ６２に入射し、コア６３とクラッド６４の界面での
臨界角以下の角度でコア６３とクラッド６４の界面に入
射した光は、コア６３とクラッド６４と光吸収体６５を
横断する交錯光となり、光吸収体６５により減衰されな
がら複数の光ファイバ６２を横断し、減衰しきらずに光
放射面６８から放射された光は、その他複数のＬＥＤ素
子に対応する光記録材料の領域に記録されるので、光画
像情報の記録解像度が低下するという問題点を有してい
た。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑み、光ファイバア
レイプレート内での光画像情報の交錯を抑え、解像度の
高い記録を光記録材料上に実現するＬＥＤプリントヘッ
ドを提供するものである。
レイプレート内での光画像情報の交錯を抑え、解像度の
高い記録を光記録材料上に実現するＬＥＤプリントヘッ
ドを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のＬＥＤプリントヘッドは、ＬＥＤアレイチ
ップの個別電極にホールを設けて他導電型半導体領域の
露出面を形成すると共に、光ファイバアレイチップの個
別配線にホールを設けて光ファイバアレイプレートの露
出面を形成し、他導電型半導体領域と光ファイバアレイ
プレートの露出面を対面させて個別電極と個別配線を当
接することにより、他導電型半導体領域と光ファイバア
レイプレートの露出面間の空間の周囲を光学的に外部と
遮断する光導波路を備えている。また、光ファイバアレ
イプレートを形成する複数の光ファイバを中心部のコア
の外表面に光反射体を設けた構成にすることにより、光
ファイバはその光入射面と光放射面以外で外部と光学的
に遮断されている。
めに本発明のＬＥＤプリントヘッドは、ＬＥＤアレイチ
ップの個別電極にホールを設けて他導電型半導体領域の
露出面を形成すると共に、光ファイバアレイチップの個
別配線にホールを設けて光ファイバアレイプレートの露
出面を形成し、他導電型半導体領域と光ファイバアレイ
プレートの露出面を対面させて個別電極と個別配線を当
接することにより、他導電型半導体領域と光ファイバア
レイプレートの露出面間の空間の周囲を光学的に外部と
遮断する光導波路を備えている。また、光ファイバアレ
イプレートを形成する複数の光ファイバを中心部のコア
の外表面に光反射体を設けた構成にすることにより、光
ファイバはその光入射面と光放射面以外で外部と光学的
に遮断されている。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって、ＰＮ接合部で
発光した光は、他導電型半導体領域の光出射面より放射
され光ファイバアレイプレートの光入射面に到達するま
での間の放射が制御される。また、一つの光ファイバに
光入射面より入射した光は、その光ファイバ外に漏れる
ことなく光放射面に伝送されるため、一つのＬＥＤ素子
の光が複数の光ファイバを交錯してその他のＬＥＤ素子
に対応する光記録材料の領域に照射されてしまう範囲が
狭くなると共に、その他のＬＥＤに対応する光記録材料
の領域に照射されていた光が発光したＬＥＤ素子に対応
する光記録材料の領域に照射され、発光強度が強くな
る。
発光した光は、他導電型半導体領域の光出射面より放射
され光ファイバアレイプレートの光入射面に到達するま
での間の放射が制御される。また、一つの光ファイバに
光入射面より入射した光は、その光ファイバ外に漏れる
ことなく光放射面に伝送されるため、一つのＬＥＤ素子
の光が複数の光ファイバを交錯してその他のＬＥＤ素子
に対応する光記録材料の領域に照射されてしまう範囲が
狭くなると共に、その他のＬＥＤに対応する光記録材料
の領域に照射されていた光が発光したＬＥＤ素子に対応
する光記録材料の領域に照射され、発光強度が強くな
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明の第一の実施例のＬＥＤプリント
ヘッドについて、図面を参照しながら説明する。
ヘッドについて、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の第一の実施例におけるＬＥ
Ｄプリントヘッドの断面図を示すものである。図１にお
いて、２はＬＥＤアレイチップで、複数のＬＥＤアレイ
チップ２が紙面垂直方向に直線上に配列さている。３は
一導電型半導体で本実施例においてはＮ型半導体とし、
一つのＬＥＤアレイチップ内で共通である。４は他導電
型半導体領域で、本実施例ではＰ型半導体領域とし、一
つのＬＥＤアレイチップ内に複数のＰ型半導体領域４が
紙面垂直方向に直線状に配列されている。８はＰＮ接合
部で、Ｎ型半導体３とＰ型半導体領域４が接合されてい
て、キャリアの注入、再結合により発光する。５は絶縁
膜でＰ型半導体領域４と個別電極６及びＮ型半導体３と
共通電極７を所要の領域で電気的に分離し、Ｐ型半導体
領域４とＮ型半導体３の露出面を形成する絶縁膜のホー
ルを設けている。６は複数の個別電極で、絶縁膜５の光
伝送方向上にＰ型半導体領域４と同数、等ピッチで紙面
垂直方向に配列されていて、一端部が絶縁膜のホール端
部周囲でＰ型半導体領域４と電気的に接続されている。
９はＰ型半導体領域４の露出面である光出射面で、光伝
送方向に個別電極６が無く光を取り出し得るＰ型半導体
領域４の露出面の領域である。７は共通電極で一つのＬ
ＥＤアレイチップ内で同一であり、共通電極７の一端部
は絶縁膜のホールを通りＮ型半導体３と電気的に接続さ
れている。上記の構成によりＮ型半導体３と一つのＰ型
半導体領域４と絶縁膜５と一つの個別電極６と共通電極
７により一つのＬＥＤアレイ素子が形成されている。２
０は光ファイバアレイプレートであり、複数の光ファイ
バ２２をガラス基板２１間に挟んで形成されている。２
７は共通配線で一つのＬＥＤアレイチップ内または一つ
のＬＥＤプリントヘッド内で同一である。２６は個別配
線で複数のＰ型半導体領域４と同数、等ピッチで紙面垂
直方向に配列されいて、複数の光ファイバ２２上の一端
部で個別配線のホールを形成し、複数の光ファイバ２２
の露出面を形成している。１０は個別配線のホールによ
り形成された複数の光ファイバ２２の露出面からなる光
入射面である。１２は光放射面で、光入射面１０で入射
され光ファイバ２２内を伝送されてきた光が放射される
領域である。２３は光ファイバ２２の中心部であるコア
である。２４はクラッドであり、コア２３の外表面に形
成され、屈折率がコア２３よりも低い。２５は光吸収体
であり、クラッド２４の外表面に形成され、特にＰＮ接
合部８で発光される光の波長帯域に対して吸収係数が大
きいものである。
Ｄプリントヘッドの断面図を示すものである。図１にお
いて、２はＬＥＤアレイチップで、複数のＬＥＤアレイ
チップ２が紙面垂直方向に直線上に配列さている。３は
一導電型半導体で本実施例においてはＮ型半導体とし、
一つのＬＥＤアレイチップ内で共通である。４は他導電
型半導体領域で、本実施例ではＰ型半導体領域とし、一
つのＬＥＤアレイチップ内に複数のＰ型半導体領域４が
紙面垂直方向に直線状に配列されている。８はＰＮ接合
部で、Ｎ型半導体３とＰ型半導体領域４が接合されてい
て、キャリアの注入、再結合により発光する。５は絶縁
膜でＰ型半導体領域４と個別電極６及びＮ型半導体３と
共通電極７を所要の領域で電気的に分離し、Ｐ型半導体
領域４とＮ型半導体３の露出面を形成する絶縁膜のホー
ルを設けている。６は複数の個別電極で、絶縁膜５の光
伝送方向上にＰ型半導体領域４と同数、等ピッチで紙面
垂直方向に配列されていて、一端部が絶縁膜のホール端
部周囲でＰ型半導体領域４と電気的に接続されている。
９はＰ型半導体領域４の露出面である光出射面で、光伝
送方向に個別電極６が無く光を取り出し得るＰ型半導体
領域４の露出面の領域である。７は共通電極で一つのＬ
ＥＤアレイチップ内で同一であり、共通電極７の一端部
は絶縁膜のホールを通りＮ型半導体３と電気的に接続さ
れている。上記の構成によりＮ型半導体３と一つのＰ型
半導体領域４と絶縁膜５と一つの個別電極６と共通電極
７により一つのＬＥＤアレイ素子が形成されている。２
０は光ファイバアレイプレートであり、複数の光ファイ
バ２２をガラス基板２１間に挟んで形成されている。２
７は共通配線で一つのＬＥＤアレイチップ内または一つ
のＬＥＤプリントヘッド内で同一である。２６は個別配
線で複数のＰ型半導体領域４と同数、等ピッチで紙面垂
直方向に配列されいて、複数の光ファイバ２２上の一端
部で個別配線のホールを形成し、複数の光ファイバ２２
の露出面を形成している。１０は個別配線のホールによ
り形成された複数の光ファイバ２２の露出面からなる光
入射面である。１２は光放射面で、光入射面１０で入射
され光ファイバ２２内を伝送されてきた光が放射される
領域である。２３は光ファイバ２２の中心部であるコア
である。２４はクラッドであり、コア２３の外表面に形
成され、屈折率がコア２３よりも低い。２５は光吸収体
であり、クラッド２４の外表面に形成され、特にＰＮ接
合部８で発光される光の波長帯域に対して吸収係数が大
きいものである。
【００１３】図２は図１の第一の実施例のＬＥＤプリン
トヘッドを構成するＬＥＤアレイチップの斜視構成図で
ある。図３は図１の第一の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドを構成する第一の実施例の光ファイバアレイプレート
の斜視構成図である。図２及び図３において符号は図１
と同一である。
トヘッドを構成するＬＥＤアレイチップの斜視構成図で
ある。図３は図１の第一の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドを構成する第一の実施例の光ファイバアレイプレート
の斜視構成図である。図２及び図３において符号は図１
と同一である。
【００１４】図１のＬＥＤプリントヘッドは、複数の図
２のＬＥＤアレイチップ２の複数の個別電極６と図３の
光ファイバアレイプレート２０の個別配線２６とを、光
出射面９と光入射面２６を対面させて接合し、絶縁性樹
脂１１により複数のＬＥＤアレイチップ２と光ファイバ
アレイプレート２０が固定されていて、個別電極６と個
別配線２６及び共通電極７と共通配線２７は電気的、物
理的に接続されている。更に光射出面９と光入射面１０
の間は、個別電極６と個別配線２６によって形成された
光導波路２８により周囲を囲まれて、光学的に外部と遮
断されている。
２のＬＥＤアレイチップ２の複数の個別電極６と図３の
光ファイバアレイプレート２０の個別配線２６とを、光
出射面９と光入射面２６を対面させて接合し、絶縁性樹
脂１１により複数のＬＥＤアレイチップ２と光ファイバ
アレイプレート２０が固定されていて、個別電極６と個
別配線２６及び共通電極７と共通配線２７は電気的、物
理的に接続されている。更に光射出面９と光入射面１０
の間は、個別電極６と個別配線２６によって形成された
光導波路２８により周囲を囲まれて、光学的に外部と遮
断されている。
【００１５】以上のように構成されたＬＥＤプリントヘ
ッドについて、以下図１、図４及び図５を用いてその動
作を説明する。
ッドについて、以下図１、図４及び図５を用いてその動
作を説明する。
【００１６】まず光ファイバアレイプレート２０上の個
別配線２６と共通配線２７間に順方向電圧が印加される
と、個別電極６と共通電極７間に順方向電圧が印加さ
れ、Ｐ型半導体領域４とＮ型半導体３間に順方向電圧が
印加される。このときＰＮ接合部８にキャリア注入が起
こり、キャリア再結合によりＰＮ接合部８において発光
が起こり、光出射面９より光が放射される。
別配線２６と共通配線２７間に順方向電圧が印加される
と、個別電極６と共通電極７間に順方向電圧が印加さ
れ、Ｐ型半導体領域４とＮ型半導体３間に順方向電圧が
印加される。このときＰＮ接合部８にキャリア注入が起
こり、キャリア再結合によりＰＮ接合部８において発光
が起こり、光出射面９より光が放射される。
【００１７】ここで図４は第一の実施例におけるＰ型半
導体領域４の光出射面９と光ファイバアレイプレート２
０及び光記録材料の光経路を示す断面図であり、図５は
従来例における同断面図であり、図４において構成及び
符号は図１と同一であり、図５において構成及び符号は
図８と同一である。２９は複数の光ファイバより放射さ
れる光画像情報を記録する感光ドラムである。
導体領域４の光出射面９と光ファイバアレイプレート２
０及び光記録材料の光経路を示す断面図であり、図５は
従来例における同断面図であり、図４において構成及び
符号は図１と同一であり、図５において構成及び符号は
図８と同一である。２９は複数の光ファイバより放射さ
れる光画像情報を記録する感光ドラムである。
【００１８】また、３０は光伝送方向と平行な複数の平
行線、３１は一つの光ファイバのコア内を全反射を繰り
返して伝送する光線、３２は複数の光ファイバを横断し
て交錯する光線、３３は光ファイバの光入射面で全反射
されて迷光となる光線である。
行線、３１は一つの光ファイバのコア内を全反射を繰り
返して伝送する光線、３２は複数の光ファイバを横断し
て交錯する光線、３３は光ファイバの光入射面で全反射
されて迷光となる光線である。
【００１９】ここで、光ファイバの光入射面の界面で、
入射光が全反射する光ファイバの光入射面での入射角度
をαとし、光ファイバのコアとクラッドの界面で、伝送
光が全反射する光ファイバの光入射面での入射角度をβ
とする。また、角度θIは平行線３０と光線３１のなす
角度、角度θCは平行線３０と光線３２のなす角度、角
度θOは光ファイバの光入射面での臨界角以上の角度で
あり、平行線３０と光線３３のなす角度であり、各々の
角度は ０≦θI≦β＜θC＜α≦θO≦π／２ 上式を満たしている。
入射光が全反射する光ファイバの光入射面での入射角度
をαとし、光ファイバのコアとクラッドの界面で、伝送
光が全反射する光ファイバの光入射面での入射角度をβ
とする。また、角度θIは平行線３０と光線３１のなす
角度、角度θCは平行線３０と光線３２のなす角度、角
度θOは光ファイバの光入射面での臨界角以上の角度で
あり、平行線３０と光線３３のなす角度であり、各々の
角度は ０≦θI≦β＜θC＜α≦θO≦π／２ 上式を満たしている。
【００２０】更に、平行線３０と任意の出射光のなす角
度をθ、光導波路２８の口径をＲ、Ｐ型半導体領域４と
光ファイバアレイプレート２０間の距離をＬとする。ま
た、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射した光３２の
Ｐ型半導体領域４での出射位置と光ファイバアレイプレ
ートでの入射位置との走査方向の距離を図４においては
Ｄ1、図５においはＤ0とし、出射角度θCでＰ型半導体
領域を出射した光３２の光ファイバアレイプレートでの
入射位置と感光ドラム２９での入射位置との走査方向の
距離を図４においてはＦ1、図５においてはＦ0とし、出
射角度θCでＰ型半導体領域を出射した光３２のＰ型半
導体領域での出射位置と感光ドラム２９での入射位置と
の走査方向の距離を図４においてはＴ1、図５において
はＴ0とする。
度をθ、光導波路２８の口径をＲ、Ｐ型半導体領域４と
光ファイバアレイプレート２０間の距離をＬとする。ま
た、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射した光３２の
Ｐ型半導体領域４での出射位置と光ファイバアレイプレ
ートでの入射位置との走査方向の距離を図４においては
Ｄ1、図５においはＤ0とし、出射角度θCでＰ型半導体
領域を出射した光３２の光ファイバアレイプレートでの
入射位置と感光ドラム２９での入射位置との走査方向の
距離を図４においてはＦ1、図５においてはＦ0とし、出
射角度θCでＰ型半導体領域を出射した光３２のＰ型半
導体領域での出射位置と感光ドラム２９での入射位置と
の走査方向の距離を図４においてはＴ1、図５において
はＴ0とする。
【００２１】以上のように設定された第一の実施例のＬ
ＥＤプリントヘッドについて、以下図４を用いてその動
作を説明する。
ＥＤプリントヘッドについて、以下図４を用いてその動
作を説明する。
【００２２】ＰＮ接合部８より生じた光は、光出射面９
より放射され、この出射光のうち平行線３０に対し角度
θIで光ファイバアレイプレート２０の光入射面１０に
入射した光３１は、一つの光ファイバ２２のコアとクラ
ッドの界面を全反射を繰り返しながら伝送されて光ファ
イバアレイプレート２０の光放射面１２より放射され、
各ＬＥＤ素子に一対一で対応する感光ドラム２９上の領
域に光画像情報を記録する。また、光出射面９より角度
θCで放射される光３２は光導波路２８の表面で反射さ
れ外部に漏れることなく、光入射面１０内に入射され、
光吸収体２５により減衰しながら複数の光ファイバ２２
を横断し、減衰しきらずに光ファイバ２２の出射口まで
きた光画像情報は交錯光（クロストーク光）となり、あ
る一つのＬＥＤ素子の光画像情報はその他複数のＬＥＤ
素子に対応する感光ドラム２９の領域に記録され、解像
度を低下させる。また、光出射面９より光ファイバの全
反射角以上の角度θOで入射する光３３は光導波路２８
の形成表面で反射され外部に漏れることなく、光入射面
１０内で全反射され、光ファイバ２２内に入射せず迷光
となる。
より放射され、この出射光のうち平行線３０に対し角度
θIで光ファイバアレイプレート２０の光入射面１０に
入射した光３１は、一つの光ファイバ２２のコアとクラ
ッドの界面を全反射を繰り返しながら伝送されて光ファ
イバアレイプレート２０の光放射面１２より放射され、
各ＬＥＤ素子に一対一で対応する感光ドラム２９上の領
域に光画像情報を記録する。また、光出射面９より角度
θCで放射される光３２は光導波路２８の表面で反射さ
れ外部に漏れることなく、光入射面１０内に入射され、
光吸収体２５により減衰しながら複数の光ファイバ２２
を横断し、減衰しきらずに光ファイバ２２の出射口まで
きた光画像情報は交錯光（クロストーク光）となり、あ
る一つのＬＥＤ素子の光画像情報はその他複数のＬＥＤ
素子に対応する感光ドラム２９の領域に記録され、解像
度を低下させる。また、光出射面９より光ファイバの全
反射角以上の角度θOで入射する光３３は光導波路２８
の形成表面で反射され外部に漏れることなく、光入射面
１０内で全反射され、光ファイバ２２内に入射せず迷光
となる。
【００２３】ここで、図４と図５を用いてその効果につ
いて従来例との比較を示す。図４に示す第一の実施例の
ＬＥＤプリントヘッドでは、臨界角以上の角度θCでＰ
型半導体領域４を出射する光は、 Ｄ1＜Ｒ 上式を満たし、Ｐ型半導体領域４の出射位置と光ファイ
バアレイプレート２０の入射位置との走査方向の距離Ｄ
1は、Ｐ型半導体領域での出射角度に関係ない、しかし
図５に示す従来のＬＥＤプリントヘッドでは、臨界角以
上の角度θCでＰ型半導体領域４を出射する光は、 Ｄ0＝Ｌ×ＴＡＮ（θC） 上式を満たし、Ｐ型半導体領域５３の出射位置と光ファ
イバアレイプレート６０の入射位置との走査方向の距離
Ｄ0は、入射角度θCにより変化し、 θC＞ＴＡＮ（Ｒ／Ｌ） 上式を満たすのθC範囲では、第一の実施例のＬＥＤプ
リントヘッドのＤ1は、従来例のＬＥＤプリントヘッド
のＤ0より小さくなり、 Ｄ1＜Ｄ0 第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドのＦ1及び従来の
ＬＥＤプリントヘッドのＦ0は等しく Ｆ1＝Ｆ0 となる。従って、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射
した光３２のＰ型半導体領域での出射位置と感光ドラム
２９での入射位置との走査方向の距離は Ｄ1＋Ｆ1＜Ｄ0＋Ｆ0 上式より、距離Ｄと距離Ｆの合計である距離Ｔは Ｔ1＜Ｔ0 ここで距離Ｔは、ＬＥＤ素子の発光位置と光記録材料の
記録位置との距離を表し、第一の実施例のＬＥＤプリン
トヘッドの錯乱光が感光ドラム２９上に記録される範囲
は、従来のＬＥＤプリントヘッドの交錯光の記録される
範囲より狭く、第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドの
解像度が向上することを意味している。特に、 Ｒ／Ｌ＜ＴＡＮ｛ＳＩＮ-1（Ａ／Ｎ）｝ 上式を満たす光導波路の口径ＲとＰ型半導体領域４と光
ファイバアレイプレート２０間の距離Ｌを有するＬＥＤ
プリントヘッドにおいては、全ての交錯光に対し上記の
効果が有効となる。また、光ファイバ２２の開口数Ａを
大きくすることにより、より大きな発光強度を得ること
ができるが、従来例のＬＥＤプリントヘッドでは交錯光
も増大してしまう、しかし本発明のＬＥＤプリントヘッ
ドでは、Ｐ型半導体領域４と光ファイバアレイプレート
２０との間では、光導波路２８によりその他の光ファイ
バ２２と光と交錯することがないため、光ファイバ２２
の開口数Ａを大きくする程発光強度を大きくすることが
できる。
いて従来例との比較を示す。図４に示す第一の実施例の
ＬＥＤプリントヘッドでは、臨界角以上の角度θCでＰ
型半導体領域４を出射する光は、 Ｄ1＜Ｒ 上式を満たし、Ｐ型半導体領域４の出射位置と光ファイ
バアレイプレート２０の入射位置との走査方向の距離Ｄ
1は、Ｐ型半導体領域での出射角度に関係ない、しかし
図５に示す従来のＬＥＤプリントヘッドでは、臨界角以
上の角度θCでＰ型半導体領域４を出射する光は、 Ｄ0＝Ｌ×ＴＡＮ（θC） 上式を満たし、Ｐ型半導体領域５３の出射位置と光ファ
イバアレイプレート６０の入射位置との走査方向の距離
Ｄ0は、入射角度θCにより変化し、 θC＞ＴＡＮ（Ｒ／Ｌ） 上式を満たすのθC範囲では、第一の実施例のＬＥＤプ
リントヘッドのＤ1は、従来例のＬＥＤプリントヘッド
のＤ0より小さくなり、 Ｄ1＜Ｄ0 第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドのＦ1及び従来の
ＬＥＤプリントヘッドのＦ0は等しく Ｆ1＝Ｆ0 となる。従って、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射
した光３２のＰ型半導体領域での出射位置と感光ドラム
２９での入射位置との走査方向の距離は Ｄ1＋Ｆ1＜Ｄ0＋Ｆ0 上式より、距離Ｄと距離Ｆの合計である距離Ｔは Ｔ1＜Ｔ0 ここで距離Ｔは、ＬＥＤ素子の発光位置と光記録材料の
記録位置との距離を表し、第一の実施例のＬＥＤプリン
トヘッドの錯乱光が感光ドラム２９上に記録される範囲
は、従来のＬＥＤプリントヘッドの交錯光の記録される
範囲より狭く、第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドの
解像度が向上することを意味している。特に、 Ｒ／Ｌ＜ＴＡＮ｛ＳＩＮ-1（Ａ／Ｎ）｝ 上式を満たす光導波路の口径ＲとＰ型半導体領域４と光
ファイバアレイプレート２０間の距離Ｌを有するＬＥＤ
プリントヘッドにおいては、全ての交錯光に対し上記の
効果が有効となる。また、光ファイバ２２の開口数Ａを
大きくすることにより、より大きな発光強度を得ること
ができるが、従来例のＬＥＤプリントヘッドでは交錯光
も増大してしまう、しかし本発明のＬＥＤプリントヘッ
ドでは、Ｐ型半導体領域４と光ファイバアレイプレート
２０との間では、光導波路２８によりその他の光ファイ
バ２２と光と交錯することがないため、光ファイバ２２
の開口数Ａを大きくする程発光強度を大きくすることが
できる。
【００２４】以下本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。図６は本発明の第二の実施例に
おけるＬＥＤプリントヘッドの断面図を示すものであ
る。
参照しながら説明する。図６は本発明の第二の実施例に
おけるＬＥＤプリントヘッドの断面図を示すものであ
る。
【００２５】図１に示す第一の実施例のＬＥＤプリント
ヘッドと図６に示す第二の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドの異なるのは図１における光ファイバ２２において、
コア２３の外表面にクラッド２４を形成し、その外表面
に光吸収体２５を形成しているのに替えて、コア４２の
外表面に光反射体４３を形成している点である。以下第
二の実施例の特徴的な構成を説明する。
ヘッドと図６に示す第二の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドの異なるのは図１における光ファイバ２２において、
コア２３の外表面にクラッド２４を形成し、その外表面
に光吸収体２５を形成しているのに替えて、コア４２の
外表面に光反射体４３を形成している点である。以下第
二の実施例の特徴的な構成を説明する。
【００２６】図６において、４１は光ファイバアレイプ
レートであり、複数の光ファイバ４４をガラス基板４５
間に挟んで形成されている。４２は光ファイバ４４の中
心部であるコアである。４３は光反射体であり、コア４
２の外表面に形成され、特にＰＮ接合部８で発光される
光の波長帯域に対して反射係数が大きいものである。第
二の実施例におけるＬＥＤプリントヘッドは光ファイバ
４４以外の構成及び動作は第一の実施例のＬＥＤアレイ
チップと同一である。
レートであり、複数の光ファイバ４４をガラス基板４５
間に挟んで形成されている。４２は光ファイバ４４の中
心部であるコアである。４３は光反射体であり、コア４
２の外表面に形成され、特にＰＮ接合部８で発光される
光の波長帯域に対して反射係数が大きいものである。第
二の実施例におけるＬＥＤプリントヘッドは光ファイバ
４４以外の構成及び動作は第一の実施例のＬＥＤアレイ
チップと同一である。
【００２７】図７はＰ型半導体領域４の光出射面９と光
ファイバアレイプレート４１及び光記録材料の第二の実
施例における光経路を示す断面図であり、図１０におい
て、４１は光ファイバアレイプレートで、４４は光ファ
イバアレイプレート４１を形成する光ファイバであり、
４２は光ファイバ６２の中心部のコア、４３は光反射体
である。４６は複数の光ファイバ４４からなる光入射面
であり、４７は複数の光ファイバからなる光放射面であ
る。３０は光伝送方向と平行な複数の平行線、３１、３
２、３３は第一の実施例の図４、従来例の図５と同一の
光線であり、角度θI、角度θC、角度θOも同様に第一
の実施例の図４、従来例の図５と同一の角度とし、 ０≦θI≦β＜θC＜α≦θO≦π／２ 上式を満たすとしている。
ファイバアレイプレート４１及び光記録材料の第二の実
施例における光経路を示す断面図であり、図１０におい
て、４１は光ファイバアレイプレートで、４４は光ファ
イバアレイプレート４１を形成する光ファイバであり、
４２は光ファイバ６２の中心部のコア、４３は光反射体
である。４６は複数の光ファイバ４４からなる光入射面
であり、４７は複数の光ファイバからなる光放射面であ
る。３０は光伝送方向と平行な複数の平行線、３１、３
２、３３は第一の実施例の図４、従来例の図５と同一の
光線であり、角度θI、角度θC、角度θOも同様に第一
の実施例の図４、従来例の図５と同一の角度とし、 ０≦θI≦β＜θC＜α≦θO≦π／２ 上式を満たすとしている。
【００２８】また、平行線３０と出射光のなす角度を
θ、光導波路２８の口径をＲ、Ｐ型半導体領域４と光フ
ァイバアレイプレート４１間の距離をＬ、出射角度θC
でＰ型半導体領域４を出射した光３２のＰ型半導体領域
４での出射位置と光ファイバアレイプレート４１での入
射位置との走査方向の距離をＤ2、出射角度θCでＰ型半
導体領域４を出射した光３２の光ファイバアレイプレー
ト４１での入射位置と感光ドラム２９での入射位置との
走査方向の距離をＦ2とする。出射角度θCでＰ型半導体
領域４を出射した光３２のＰ型半導体領域４での出射位
置と感光ドラム２９での入射位置との走査方向の距離を
Ｔ2とする。
θ、光導波路２８の口径をＲ、Ｐ型半導体領域４と光フ
ァイバアレイプレート４１間の距離をＬ、出射角度θC
でＰ型半導体領域４を出射した光３２のＰ型半導体領域
４での出射位置と光ファイバアレイプレート４１での入
射位置との走査方向の距離をＤ2、出射角度θCでＰ型半
導体領域４を出射した光３２の光ファイバアレイプレー
ト４１での入射位置と感光ドラム２９での入射位置との
走査方向の距離をＦ2とする。出射角度θCでＰ型半導体
領域４を出射した光３２のＰ型半導体領域４での出射位
置と感光ドラム２９での入射位置との走査方向の距離を
Ｔ2とする。
【００２９】以上のように設定された第二の実施例のＬ
ＥＤプリントヘッドについて、以下第二の実施例に特有
の動作について図７を用いて説明する。
ＥＤプリントヘッドについて、以下第二の実施例に特有
の動作について図７を用いて説明する。
【００３０】ＰＮ接合部８より生じた光は、光出射面９
より放射され、この出射光のうち平行線３０に対し角度
θIで光ファイバアレイプレート４１に入射した光３１
は、一つの光ファイバ４４のコア４２と光反射体４３の
界面を反射を繰り返しながら伝送されて光放射面４７よ
り放射され、各ＬＥＤ素子に一対一で対応する感光ドラ
ム２９上の領域に光画像情報を記録する。また、光出射
面９より角度θCで放射された光３２は光導波路２８の
表面で反射され外部に漏れることなく、光入射面１０内
に入射され、一つの光ファイバ４４のコア４２と光反射
体４３の界面を反射を繰り返しながら伝送されて交錯す
ることなく光放射面４７より放射され、光画像情報を感
光ドラム２９上に記録する。また、光出射面９より角度
θOで放射された光３３は光導波路２８の表面で反射さ
れ外部に漏れることなく、光入射面１０内で全反射さ
れ、光ファイバ４４内に入射せず迷光となる。
より放射され、この出射光のうち平行線３０に対し角度
θIで光ファイバアレイプレート４１に入射した光３１
は、一つの光ファイバ４４のコア４２と光反射体４３の
界面を反射を繰り返しながら伝送されて光放射面４７よ
り放射され、各ＬＥＤ素子に一対一で対応する感光ドラ
ム２９上の領域に光画像情報を記録する。また、光出射
面９より角度θCで放射された光３２は光導波路２８の
表面で反射され外部に漏れることなく、光入射面１０内
に入射され、一つの光ファイバ４４のコア４２と光反射
体４３の界面を反射を繰り返しながら伝送されて交錯す
ることなく光放射面４７より放射され、光画像情報を感
光ドラム２９上に記録する。また、光出射面９より角度
θOで放射された光３３は光導波路２８の表面で反射さ
れ外部に漏れることなく、光入射面１０内で全反射さ
れ、光ファイバ４４内に入射せず迷光となる。
【００３１】ここで、図４、図５及び図７を用いて第二
の実施例の効果について従来例、第一の実施例との比較
を示す。図７に示す第二の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドでは、臨界角以上の角度θCでＰ型半導体領域４を出
射する光は、 Ｄ2＜Ｒ 上式を満たし、図４の第一の実施例のＬＥＤプリントヘ
ッドと同様である。よって、 θC＞ＴＡＮ（Ｒ／Ｌ） 上式を満たすのθC範囲では、第一の実施例のＬＥＤプ
リントヘッドのＤ2は、従来例のＬＥＤプリントヘッド
のＤ0より小さくなり、 Ｄ2＝Ｄ1＜Ｄ0 図７の光ファイバ６２に入射した光は、入射角度に関係
なく交錯することはないので、 Ｆ2＜Ｆ1＝Ｆ0 となる。従って、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射
した光３２のＰ型半導体領域での出射位置と感光ドラム
２９での入射位置との走査方向の距離は Ｄ2＋Ｆ2＜Ｄ1＋Ｆ1＜Ｄ0＋Ｆ0 上式より、距離Ｄと距離Ｆの合計である距離Ｔは Ｔ2＜Ｔ1＜Ｔ0 ここで距離Ｔは、ＬＥＤ素子の発光位置と光記録材料の
記録位置との距離を表し、第二の実施例のＬＥＤプリン
トヘッドの錯乱光が感光ドラム２９上に記録される範囲
は、第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドの交錯光の記
録される範囲より狭く、第二の実施例のＬＥＤプリント
ヘッドの解像度が向上することを意味している。
の実施例の効果について従来例、第一の実施例との比較
を示す。図７に示す第二の実施例のＬＥＤプリントヘッ
ドでは、臨界角以上の角度θCでＰ型半導体領域４を出
射する光は、 Ｄ2＜Ｒ 上式を満たし、図４の第一の実施例のＬＥＤプリントヘ
ッドと同様である。よって、 θC＞ＴＡＮ（Ｒ／Ｌ） 上式を満たすのθC範囲では、第一の実施例のＬＥＤプ
リントヘッドのＤ2は、従来例のＬＥＤプリントヘッド
のＤ0より小さくなり、 Ｄ2＝Ｄ1＜Ｄ0 図７の光ファイバ６２に入射した光は、入射角度に関係
なく交錯することはないので、 Ｆ2＜Ｆ1＝Ｆ0 となる。従って、出射角度θCでＰ型半導体領域を出射
した光３２のＰ型半導体領域での出射位置と感光ドラム
２９での入射位置との走査方向の距離は Ｄ2＋Ｆ2＜Ｄ1＋Ｆ1＜Ｄ0＋Ｆ0 上式より、距離Ｄと距離Ｆの合計である距離Ｔは Ｔ2＜Ｔ1＜Ｔ0 ここで距離Ｔは、ＬＥＤ素子の発光位置と光記録材料の
記録位置との距離を表し、第二の実施例のＬＥＤプリン
トヘッドの錯乱光が感光ドラム２９上に記録される範囲
は、第一の実施例のＬＥＤプリントヘッドの交錯光の記
録される範囲より狭く、第二の実施例のＬＥＤプリント
ヘッドの解像度が向上することを意味している。
【００３２】以上のように、光ファイバの中心部のコア
の外表面に光反射体を設けることにより、交錯光が完全
になくり、光画像情報の形成の解像度が向上する。
の外表面に光反射体を設けることにより、交錯光が完全
になくり、光画像情報の形成の解像度が向上する。
【００３３】なお、第１及び第二の実施例において、個
別電極ホール１９と個別配線ホールの口径を等しくして
いるが、個別電極ホール１９と個別配線ホールの口径は
等しくなくてもよい。
別電極ホール１９と個別配線ホールの口径を等しくして
いるが、個別電極ホール１９と個別配線ホールの口径は
等しくなくてもよい。
【００３４】また、第一及び第二の実施例において、共
通電極７をＰ型半導体領域４と同一のＮ型半導体基板の
一主面に形成しているが、他主面に形成してもよい。
通電極７をＰ型半導体領域４と同一のＮ型半導体基板の
一主面に形成しているが、他主面に形成してもよい。
【００３５】また、第一及び第二の実施例において、Ｌ
ＥＤアレイチップを光ファイバアレイプレートに固定す
る絶縁性樹脂１１を光導波路２８外に形成したが、光導
波路２８内にも形成してもよい。また、光導波路２８内
外の両方に絶縁性樹脂１１を形成する場合には、光導波
路２８内の絶縁性樹脂と光導波路外の絶縁性樹脂は同一
でなくてもよく、特に光導波路２８内の絶縁性樹脂は透
明で、光導波路外の絶縁性樹脂は吸収係数の大きなもの
がよい。更に、光導波路２８内に充填された絶縁性樹脂
の屈折率を１より大きくするにつれてＰ型半導体領域４
からの光の取り出し効率を大きくすることができる。
ＥＤアレイチップを光ファイバアレイプレートに固定す
る絶縁性樹脂１１を光導波路２８外に形成したが、光導
波路２８内にも形成してもよい。また、光導波路２８内
外の両方に絶縁性樹脂１１を形成する場合には、光導波
路２８内の絶縁性樹脂と光導波路外の絶縁性樹脂は同一
でなくてもよく、特に光導波路２８内の絶縁性樹脂は透
明で、光導波路外の絶縁性樹脂は吸収係数の大きなもの
がよい。更に、光導波路２８内に充填された絶縁性樹脂
の屈折率を１より大きくするにつれてＰ型半導体領域４
からの光の取り出し効率を大きくすることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明は、他導電型半導体
領域の光出射面と光ファイバアレイプレートの光入射面
の間に個別電極と個別配線からなる光導波路を設けるこ
とにより、交錯光及びその光記録材料上での照射範囲が
減少し、記録解像度を向上させることができる。また、
中心部のコアの外表面に光反射体設けて光ファイバを構
成することにより、光ファイバアレイプレート内での交
錯光がなくなり、記録解像度を向上することができる。
領域の光出射面と光ファイバアレイプレートの光入射面
の間に個別電極と個別配線からなる光導波路を設けるこ
とにより、交錯光及びその光記録材料上での照射範囲が
減少し、記録解像度を向上させることができる。また、
中心部のコアの外表面に光反射体設けて光ファイバを構
成することにより、光ファイバアレイプレート内での交
錯光がなくなり、記録解像度を向上することができる。
【図１】本発明の第一の実施例におけるＬＥＤプリント
ヘッドの断面図
ヘッドの断面図
【図２】同実施例におけるＬＥＤアレイチップの斜視構
成図
成図
【図３】同実施例における光ファイバアレイプレートの
斜視構成図
斜視構成図
【図４】同実施例におけるＬＥＤプリントヘッドの透視
図
図
【図５】従来例におけるＬＥＤプリントヘッドの透視図
【図６】本発明の第二の実施例におけるＬＥＤプリント
ヘッドの断面図
ヘッドの断面図
【図７】同実施例におけるＬＥＤプリントヘッドの透視
図
図
【図８】本従来例におけるＬＥＤプリントヘッドの断面
図
図
【図９】同従来例におけるＬＥＤアレイチップの斜視構
成図
成図
【図１０】同従来例における光ファイバアレイプレート
の斜視構成図
の斜視構成図
２ ＬＥＤアレイチップ ３ 一導電型半導体 ４ 他導電型半導体領域 ５ 絶縁膜 ６ 個別電極 ７ 共通電極 ８ ＰＮ接合部 ９ 光出射面 １０ 光入射面 １１ 絶縁性樹脂 １２ 光放射面 ２０ 光ファイバアレイプレート ２１ ガラス基板 ２２ 光ファイバ ２３ コア ２４ クラッド ２５ 光吸収体 ２６ 個別配線 ２７ 共通配線 ２８ 光導波路 ２９ 感光ドラム ３０ 平行線 ３１ 伝送光線 ３２ 交錯光線 ３３ 迷光線 ４１ 光ファイバアレイプレート ４２ コア ４３ 光反射体 ４４ 光ファイバ ４５ ガラス基板 ４６ 光入射面 ４７ 光放射面 ５１ ＬＥＤアレイチップ ５２ 一導電型半導体 ５３ 他導電型半導体領域 ５４ 絶縁膜 ５５ 従来の個別電極 ５６ 共通電極 ５７ ＰＮ接合部 ５８ 光出射面 ５９ 光入射面 ６０ 光ファイバアレイプレート ６１ ガラス基板 ６２ 光ファイバ ６３ コア ６４ クラッド ６５ 光吸収体 ６６ 個別配線 ６７ 共通配線 ６８ 光放射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ４１Ｊ 2/455 Ｇ０２Ｂ 27/00 Ｊ 9120−2Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】一導電型半導体基板の一主面に複数の他導
電型半導体領域を直線状に設け、前記一導電型半導体の
一主面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の所定領域に複数
の絶縁膜ホールを設け、前記一導電型半導体の一主面と
複数の前記他導電型半導体領域の露出面を形成し、複数
の個別電極を前記他導電型半導体領域の前記露出面の全
周囲にわたって接続するように設け、前記他導電型半導
体領域の露出面を形成し、前記一導電型半導体基板の一
主面の露出面上に共通電極を設けた複数のＬＥＤアレイ
チップと、中心部のコアの外表面にクラッドを設け、前
記クラッドの外表面に光吸収体を設けた複数の光ファイ
バを集束して形成された光ファイバアレイプレートの光
伝送方向と垂直な一主面上に、共通配線と複数の個別配
線を設け、複数の前記個別配線が複数の前記他導電型半
導体領域と同数、等ピッチで形成された光ファイバアレ
イプレートとを具備し、複数の前記個別電極と複数の前
記個別配線を当接し、複数の前記ＬＥＤアレイチップを
前記光ファイバアレイプレートの一主面上に直線状に配
列したＬＥＤプリントヘッドにおいて、前記他導電型半
導体領域の露出面と対向する位置に前記個別配線に囲ま
れ、且つ前記光ファイバアレイプレートの露出した閉領
域を有することを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。 - 【請求項２】一導電型半導体基板の一主面に複数の他導
電型半導体領域を直線状に設け、前記一導電型半導体の
一主面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の所定領域に複数
の絶縁膜ホールを設け、前記一導電型半導体の一主面と
複数の前記他導電型半導体領域の露出面を形成し、前記
一導電型半導体基板の一主面の露出面上に共通電極を設
け、前記他導電型半導体領域の露出面上に個別電極を設
けた複数のＬＥＤアレイチップと、複数の光ファイバを
集束して形成された光ファイバアレイプレートの光伝送
方向と垂直な一主面上に、共通配線と複数の個別配線を
設け、複数の前記個別配線が複数の前記他導電型半導体
領域と同数、等ピッチで形成された光ファイバアレイプ
レートとを具備し、複数の前記個別電極と複数の前記個
別配線を当接し、複数の前記ＬＥＤアレイチップを前記
光ファイバアレイプレートの一主面上に直線状に配列し
たＬＥＤプリントヘッドにおいて、前記光ファイバアレ
イプレートを形成する複数の光ファイバは、中心部のコ
アの外表面に光反射体を設けたことを特徴とするＬＥＤ
プリントヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28575492A JPH06140672A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28575492A JPH06140672A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140672A true JPH06140672A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17695621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28575492A Pending JPH06140672A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Ｅｌプリンタ及びｅｌ素子 |
| JP2002251164A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エリアセンサ及び表示装置 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP28575492A patent/JPH06140672A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Ｅｌプリンタ及びｅｌ素子 |
| JP2002251164A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エリアセンサ及び表示装置 |
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